技術(shù)編號：11836302
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請涉及半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種半導體器件的制作方法。背景技術(shù)N-MOSFET的制作方法一般包括先進行淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作后沉積多晶硅的工藝和先沉積多晶硅后進行淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作的工藝，其中，圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)先沉積多晶硅后進行淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作的方法流程示意圖；首先，在襯底100’上設(shè)置圖2所示的襯墊氧化層101’、并在襯墊氧化層101’上形成圖2所示的氮化硅層102’；對圖2所示的氮化硅層102’、襯墊氧化層101’和襯底100’進行刻蝕，得到圖3所示的溝槽200’；在圖3所示...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。