技術(shù)領(lǐng)域

一個或更多個示例性實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括包含空穴注入電極、電子注入電極以及設(shè)置在它們之間的有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)發(fā)光二極管。有機(jī)發(fā)光顯示裝置是自發(fā)光顯示裝置，在該自發(fā)光顯示裝置中，在從空穴注入電極注入的空穴和從電子注入電極注入的電子在有機(jī)發(fā)射層內(nèi)復(fù)合的同時產(chǎn)生的激子從激發(fā)態(tài)下降到基態(tài)以發(fā)射光。

因?yàn)樽鳛樽园l(fā)光顯示裝置的有機(jī)發(fā)光顯示裝置不需要單獨(dú)的光源，所以其可以通過低電壓驅(qū)動并構(gòu)造為質(zhì)輕且纖細(xì)的外形，并提供了諸如寬視角、高對比度和快的響應(yīng)速度等的高品質(zhì)特性，因此，它作為下一代顯示裝置而引人注目。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一個或更多個示例性實(shí)施例包括一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

另外的方面將在下面的描述中部分地進(jìn)行闡述，并且部分地通過該描述將是明顯的，或者可以通過實(shí)施所提出的實(shí)施例而獲知。

根據(jù)一個或更多個示例性實(shí)施例，一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：基底；驅(qū)動薄膜晶體管，設(shè)置在基底上；DAM(壩狀部)，設(shè)置在基底的最外部處，DAM包括無機(jī)層，并包括位于無機(jī)層中的第一金屬DAM。

第一金屬DAM可以包括分隔開預(yù)定間距的兩個或更多個金屬件。

第一金屬DAM可以包括分隔開預(yù)定間距的三個金屬件。

基于第一金屬DAM，DAM可以具有在無機(jī)層的上部和無機(jī)層的下部之間的臺階差。

第一金屬DAM形成在柵極絕緣層的上部上，且DAM還可以包括設(shè)置在第一金屬DAM的上部上的第一層間絕緣層。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括：存儲電容器，包括與驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動?xùn)烹姌O連接的第一電極和設(shè)置在第一電極的上部上并與第一電極絕緣的第二電極，驅(qū)動?xùn)烹姌O和第一電極可以一體地形成在同一層中，第一金屬DAM可以形成在形成有驅(qū)動?xùn)烹姌O和第一電極的層中。

第一層間絕緣層可以形成在第一電極和第二電極之間，并可以使第二電極與第一電極絕緣。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括：第二層間絕緣層，設(shè)置在第一層間絕緣層上并包括使第一層間絕緣層的一部分暴露的開口，第二電極可以設(shè)置在開口中。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括：有機(jī)發(fā)光二極管，形成在驅(qū)動薄膜晶體管的上部上；包封結(jié)構(gòu)，形成在有機(jī)發(fā)光二極管的上部上并密封有機(jī)發(fā)光二極管，包封結(jié)構(gòu)可以包括交替地堆疊的薄膜包封有機(jī)層和薄膜包封無機(jī)層。

DAM還可以包括延伸到第一層間絕緣層的一部分的薄膜包封無機(jī)層。

DAM還可以包括形成在第一金屬DAM的上部上的第二金屬DAM。

第二金屬DAM可以包括分隔開預(yù)定間距的兩個或更多個金屬件。

DAM還可以包括：第一層間絕緣層，形成在第一金屬DAM和第二金屬DAM之間；第二層間絕緣層，形成在第一層間絕緣層的上部上并覆蓋第二金屬DAM。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括：存儲電容器，包括與驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動?xùn)烹姌O連接的第一電極和設(shè)置在第一電極的上部上并與第一電極絕緣的第二電極，驅(qū)動?xùn)烹姌O和第一電極可以一體地形成在同一層中，第一金屬DAM可以形成在形成有驅(qū)動?xùn)烹姌O和第一電極的層中，第二金屬DAM可以形成在形成有第二電極的層中。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括：第二層間絕緣層，設(shè)置在第一層間絕緣層上并包括使第一層間絕緣層的一部分暴露的開口，第二電極可以設(shè)置在開口中。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括：有機(jī)發(fā)光二極管，形成在驅(qū)動薄膜晶體 管的上部上；包封結(jié)構(gòu)，形成在有機(jī)發(fā)光二極管的上部上，包括交替地堆疊的薄膜包封有機(jī)層和薄膜包封無機(jī)層，并密封有機(jī)發(fā)光二極管，DAM還可以包括延伸到第二層間絕緣層的一部分的薄膜包封無機(jī)層。

DAM還可以包括形成在第二金屬DAM的上部上的第三金屬DAM。

第三金屬DAM可以包括分隔開預(yù)定間距的兩個或更多個金屬件。

DAM還可以包括：第一層間絕緣層，形成在第一金屬DAM和第二金屬DAM之間；第二層間絕緣層，形成在第二金屬DAM的上部上；薄膜包封無機(jī)層，延伸直到第三金屬DAM的上部。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括：存儲電容器，包括連接到驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動?xùn)烹姌O的第一電極和設(shè)置在第一電極的上部上并與第一電極絕緣的第二電極；數(shù)據(jù)線，設(shè)置在第二電極的上部上，驅(qū)動?xùn)烹姌O和第一電極可以一體地形成在同一層中，第一金屬DAM可以形成在形成有驅(qū)動?xùn)烹姌O和第一電極的層中，第二金屬DAM可以形成在形成有第二電極的層中，第三金屬DAM可以形成在形成有數(shù)據(jù)線的層中。

根據(jù)一個或更多個示例性實(shí)施例，一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：基底；驅(qū)動薄膜晶體管，設(shè)置在基底上；DAM，設(shè)置在基底的最外部處，DAM包括無機(jī)層，并包括位于無機(jī)層中的第一金屬DAM和設(shè)置在第一金屬DAM的上部上的第二金屬DAM，無機(jī)層包括設(shè)置在第一金屬DAM和第二金屬DAM之間的第一層間絕緣層、形成在第二金屬DAM上的第二層間絕緣層以及設(shè)置在第二層間絕緣層的上部上的薄膜包封無機(jī)層。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括：存儲電容器，包括連接到驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動?xùn)烹姌O的第一電極和設(shè)置在第一電極的上部上并與第一電極絕緣的第二電極，驅(qū)動?xùn)烹姌O和第一電極可以一體地形成在同一層中，第一金屬DAM可以形成在形成有驅(qū)動?xùn)烹姌O和第一電極的層中，第二金屬DAM可以形成在形成有第二電極的層中。

示例性實(shí)施例提供了一種通過由使用包括金屬DAM和無機(jī)材料的層間絕緣層來形成DAM從而控制Ti尖端缺陷的有利效果。

另外，因?yàn)镈AM包括無機(jī)層，所以薄膜包封結(jié)構(gòu)的無機(jī)層可以延伸直到外部，從而可以有利地減小無效空間。

當(dāng)然，除了上述內(nèi)容，從下面將要參照附圖描述的內(nèi)容還可以得出示例性實(shí)施例的效果。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖對示例實(shí)施例進(jìn)行的描述，這些和/或其它方面將變得明顯且更加容易理解，在附圖中：

圖1是示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖；

圖2是示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示部分的示意性剖視圖；

圖3是示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一部分的示意性剖視圖；

圖4是示出了根據(jù)另一個示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖；

圖5是示出了根據(jù)又一個示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖；以及

圖6是示出了根據(jù)再一個示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。

具體實(shí)施方式

因?yàn)榘l(fā)明構(gòu)思允許各種改變和很多實(shí)施例，所以示例性實(shí)施例將在附圖中示出并在書面說明中進(jìn)行詳細(xì)地描述。當(dāng)與附圖一起參照下面詳細(xì)描述的示例性實(shí)施例時，發(fā)明構(gòu)思的效果和特征以及用于實(shí)現(xiàn)這些的方法將是明顯的。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于下面描述的示例性實(shí)施例，而是可以以各種形式實(shí)施。

在下文中，參照附圖來詳細(xì)地描述示例性實(shí)施例。當(dāng)參照附圖進(jìn)行描述時，同樣的附圖標(biāo)記用于同樣的或?qū)?yīng)的元件，省略了對它們的重復(fù)描述。

如這里使用的，術(shù)語“和/或者”包括一個或更多個相關(guān)所列項目的任何和所有組合。諸如“……中的至少一個(種)”的表述位于一列元件之后時，修飾整列的元件，而不是修飾該列的個別元件。

將理解的是，盡管可以在這里使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述各種組件，但是這些組件不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用來將一個組件與另一組件區(qū)分開。

如這里使用的，除非上下文另有明確指示，否則單數(shù)形式“一個”、“一 種”和“該(所述)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。

還將理解的是，這里使用的術(shù)語“包括”和/或者“包含”說明存在陳述的特征或組件，但是不排除存在或附加一個或者更多個其它特征或組件。

將理解的是，當(dāng)層、區(qū)域或組件被稱為“形成在”另一層、區(qū)域或組件“上”時，該層、區(qū)域或組件可以直接地或者間接地形成在所述另一層、區(qū)域或組件上。即，例如，可以存在中間層、區(qū)域或組件。

為了方便解釋，可以夸大附圖中元件的尺寸。換言之，由于附圖中的組件的尺寸和厚度是為了方便解釋而被隨意地示出的，所以下面的實(shí)施例不限于此。

當(dāng)可以不同地實(shí)施某個實(shí)施例時，具體的工藝順序可以與所描述的順序不同地執(zhí)行。例如，兩個連續(xù)描述的工藝可以基本上在同一時間執(zhí)行或者按與所描述順序相反的順序來執(zhí)行。

圖1是示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖，圖2是示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示部分的示意性剖視圖。

如圖1中所示，緩沖層110可以形成在基底100的上部上。緩沖層110可以防止雜質(zhì)離子擴(kuò)散，防止?jié)駳饣蛘呖諝鉂B透，并用作用于使表面平坦化的障礙層和/或者阻擋層。

參照圖1和圖2，薄膜晶體管(TFT)可以形成在緩沖層110的上部上。TFT的半導(dǎo)體層A可以包括多晶硅，并可以包括不摻雜雜質(zhì)的溝道區(qū)以及設(shè)置在溝道區(qū)的兩側(cè)的分別摻雜有雜質(zhì)的源區(qū)和漏區(qū)。這里，雜質(zhì)根據(jù)TFT的種類而改變，且可以是N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)。在半導(dǎo)體層A形成后，柵極絕緣層210可以在基底100的整個表面上方形成在半導(dǎo)體層A的上部上。柵極絕緣層210可以包括包含諸如氧化硅或者氮化硅等的無機(jī)材料的單層或多層。柵極絕緣層210使半導(dǎo)體層A與設(shè)置在半導(dǎo)體層A上的柵電極G絕緣。

在柵極絕緣層210形成后，柵電極G可以形成在柵極絕緣層210的上部上。柵電極G可以通過光刻工藝和蝕刻工藝來形成。

柵電極G可以包括Mo、Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Ti、W和Cu之中的一種或更多種金屬。

在柵電極G形成之后，第一層間絕緣層230可以形成在基底100的整個表面上。

第一層間絕緣層230可以包括無機(jī)材料。例如，第一層間絕緣層230可以包括金屬氧化物或金屬氮化物。具體地，無機(jī)材料可以包括SiO₂、SiNx、SiON、Al₂O₃、TiO₂、Ta₂O₅、HfO₂或ZnO₂等。

第一層間絕緣層230可以包括包含諸如SiOx和/或SiNx等的無機(jī)材料的多層或單層。在一些示例性實(shí)施例中，第一層間絕緣層230可以包括SiOx/SiNy或SiNx/SiOy的雙層結(jié)構(gòu)。

如圖1中所示，包括第一層間絕緣層230并包括第一層間絕緣層230中的第一金屬壩狀部410的DAM(壩狀部)可以形成在基底100的最外部上。可以獲得通過DAM有機(jī)發(fā)光顯示裝置的側(cè)面抗損壞變強(qiáng)的效果。隨后對DAM的結(jié)構(gòu)和作用進(jìn)行詳細(xì)的描述。

如圖2中所示，TFT的源電極S、TFT的漏電極D、數(shù)據(jù)線和驅(qū)動電壓線可以設(shè)置在第一層間絕緣層230的上部上。

源電極S、漏電極D、數(shù)據(jù)線和驅(qū)動電壓線可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu之中的一種或更多種金屬。

如圖2中所示，通路層250形成在基底100的整個表面上以覆蓋諸如源電極S、漏電極D、數(shù)據(jù)線(未示出)、驅(qū)動電壓線(未示出)的布線。像素電極281可以形成在通路層250的上部上。根據(jù)圖2中所示的示例性實(shí)施例，像素電極281通過通孔與漏電極D連接。

通路層250可以包括絕緣材料。例如，通路層250可以包括包含無機(jī)材料、有機(jī)材料或有機(jī)/無機(jī)復(fù)合物的單層或多層，并可以通過利用各種沉積方法來形成。

如圖2中所示，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)設(shè)置到通路層250的上部。OLED包括像素電極281、包括有機(jī)發(fā)射層的中間層283以及對電極285。另外，圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括像素限定層270。

像素電極281和/或?qū)﹄姌O285可以設(shè)置為透明電極或反射電極。在像素電極281和/或?qū)﹄姌O285設(shè)置為透明電極的情況下，它們可以包括ITO、IZO、ZnO或In₂O₃。在像素電極281和/或?qū)﹄姌O285設(shè)置為反射電極的情況下，它們可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它們的化合物等的反射層以及包含ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的透明層。在一些示例性實(shí)施例中，像素電極281或?qū)﹄姌O285可以具有ITO/Ag/ITO結(jié)構(gòu)。

如圖2中所示，像素限定層270可以限定像素區(qū)域和非像素區(qū)域。像素限定層270可以包括使像素電極281暴露的開口270a，并可以形成為完全地覆蓋基底100。隨后將描述的中間層283可以形成在開口270a中，使得開口270a可以變成實(shí)質(zhì)上的像素區(qū)域。

像素電極281、中間層283和對電極285可以形成有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。分別從OLED的像素電極281和對電極285注入的空穴和電子可以在中間層283的有機(jī)發(fā)射層中復(fù)合以發(fā)光。

中間層283可以具有有機(jī)發(fā)射層。對于選擇的另一個示例性實(shí)施例，中間層283可以具有有機(jī)發(fā)射層，此外，還可以具有空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中的至少一個。本示例性實(shí)施例不限于此，中間層283可以具有有機(jī)發(fā)射層，并還可具有其它各種功能層。

對電極285設(shè)置在中間層283上。對電極285與像素電極281形成電場以允許光從中間層283發(fā)射。像素電極281可以針對每個像素被圖案化，對電極285可以形成為使得共電壓施加到所有像素。

像素電極281可以用作陽極電極并且對電極285可以用作陰極電極，但是它們不限于此。例如，像素電極281可以用作陰極電極，對電極285可以用作陽極電極。

如圖1和圖2中所示，用于密封OLED遠(yuǎn)離空氣和濕氣的包封結(jié)構(gòu)300可以形成在OLED的上部上。

包封結(jié)構(gòu)300可以以各種形狀形成，并可以如圖1中所示通過堆疊薄膜來形成。

包封結(jié)構(gòu)300可以形成在基底100的上部上以覆蓋OLED，如圖1中所示。包封結(jié)構(gòu)300是多層堆疊的結(jié)構(gòu)，并可以以無機(jī)層310和有機(jī)層330依次堆疊的結(jié)構(gòu)來形成。

雖然圖1示出了第一無機(jī)層311、第一有機(jī)層330和第二無機(jī)層313順序地堆疊的示例性實(shí)施例，但是，當(dāng)然，薄膜層的數(shù)量不限于此。

無機(jī)層310可以堅固地阻擋氧或濕氣的滲透，有機(jī)層330可以吸收無機(jī)層310的應(yīng)力以提供柔性。

無機(jī)層310可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或堆疊層。具體地，無機(jī)層可以包括SiNx、Al₂O₃、SiO₂和TiO₂中的一種。

有機(jī)層330可以包括聚合物，例如，可以是包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一種的單層或堆疊層。例如，有機(jī)層可以包括聚丙烯酸酯。具體地，有機(jī)層可以包括包含二丙烯酸類單體和三丙烯酸類單體的聚合的單體組成物。單體組成物還可以包括單丙烯酸類單體。另外，單體組成物還可以包括諸如TPO的光引發(fā)劑，但是不限于此。

根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以防止氧和濕氣的滲透，并同時通過以無機(jī)層310和有機(jī)層330交替地堆疊的結(jié)構(gòu)形成包封結(jié)構(gòu)300來確保柔性。

圖3是示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一部分的示意性剖視圖。

如圖1和圖3中所示，包括第一層間絕緣層230并包括第一層間絕緣層230中的第一金屬壩狀部410的DAM可以形成在基底100的最外部上。

DAM可以包括包含無機(jī)層的第一層間絕緣層230，并包括在無機(jī)層內(nèi)部的第一金屬壩狀部410。

第一金屬壩狀部(DAM)410可以包括分開預(yù)定間距的兩個或更多個金屬件。圖1和圖3示出了示例性實(shí)施例，第一金屬DAM 410可以包括三個金屬件。當(dāng)然，形成第一金屬DAM 410的金屬件的數(shù)量不限于此，第一金屬DAM 410可以包括多個金屬件。

第一金屬DAM 410可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu之中的一種或更多種金屬。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括其中DAM形成在柵極絕緣層210的上部上的第一金屬DAM 410，以及形成在第一金屬DAM 410的上部上并包括無機(jī)材料的第一層間絕緣層230，如圖3中所示。

另外，如圖1中所示，DAM甚至可以包括包封結(jié)構(gòu)300的形成在第一層間絕緣層230的上部上的薄膜包封無機(jī)層310，薄膜包封無機(jī)層310延伸直到基底100的外部。

因?yàn)镈AM包括第一金屬DAM 410和作為無機(jī)層的第一層間絕緣層230，所以在第一層間絕緣層230和包封結(jié)構(gòu)300的薄膜包封無機(jī)層310之間可以形成臺階差(step difference)。

因?yàn)樵诨?00的最外部上形成的DAM通過包括第一金屬DAM 410而 形成為具有臺階差，所以根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有使傳統(tǒng)地容易受到損壞的側(cè)面結(jié)構(gòu)強(qiáng)化的有利效果。

即，因?yàn)榕c傳統(tǒng)的僅包括無機(jī)層的DAM相比，根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的DAM包括在其中具有剛度的第一金屬DAM 410，所以有機(jī)發(fā)光顯示裝置被強(qiáng)化并因此具有抗損壞的優(yōu)點(diǎn)。

另外，通過第一金屬DAM 410，第一層間絕緣層230和薄膜包封無機(jī)層310形成為在DAM處具有臺階差，因此有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有控制Ti尖端的有利效果。

Ti尖端是由包括無機(jī)層的裂紋DAM所引起的問題。因?yàn)榘o機(jī)層的裂紋DAM的輪廓通常形成具有80-90度的角，所以當(dāng)在形成S/D的工藝過程中形成層之后執(zhí)行蝕刻時，S/D的殘余層殘留。

此時，存在這樣的可能性：S/D殘余層的Ti組分在隨后的工藝過程中被分離并移動到顯示區(qū)域中，并且由于S/D殘余層的該Ti組分而會導(dǎo)致有缺陷的顯示裝置。

為了解決此問題，根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置允許形成在最外部上的DAM通過包括第一金屬DAM 410而形成為具有臺階差，所以輪廓降低，因此，S/D殘余層沒有殘留，因此可以有利地防止由Ti尖端產(chǎn)生的缺陷。

此外，因?yàn)镈AM包括包含無機(jī)層的第一層間絕緣層230，所以薄膜包封無機(jī)層310的延伸是可能的，因此，可以有利地減小無效空間。

傳統(tǒng)地，在沒有諸如由本示例性實(shí)施例所公開的第一金屬DAM的結(jié)構(gòu)的情況下，諸如金屬DAM的DAM結(jié)構(gòu)通常通過使用無機(jī)層來形成，為了控制Ti尖端缺陷，有機(jī)層VIA層覆蓋無機(jī)層DAM。

因此，傳統(tǒng)地，因?yàn)闊o機(jī)層DAM和覆蓋其的有機(jī)層VIA層形成DAM，并且需要有機(jī)層VIA層和薄膜包封無機(jī)層之間的分離，所以難以使薄膜包封無機(jī)層延伸。

即，因?yàn)閭鹘y(tǒng)地不能使薄膜包封無機(jī)層延伸且DAM應(yīng)該被隔開預(yù)定間距，所以延伸了無效空間。

反之，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，DAM包括第一金屬DAM 410并包括覆蓋第一金屬DAM 410且包括無機(jī)材料的第一層間絕緣層230，所以通過第一金屬DAM 410不僅強(qiáng)化了側(cè)面結(jié)構(gòu)，而且薄膜包封無 機(jī)層310可以有利地延伸直到最外部。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的第一金屬DAM 410可以形成在形成有驅(qū)動TFT(參照圖2)的驅(qū)動?xùn)烹姌OG的層中，如圖1所示。即，在制造根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置時，第一金屬DAM 410和驅(qū)動?xùn)烹姌OG可以同時形成。

圖4是示出了根據(jù)另一個示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。在圖4中，用于圖1至圖3的同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的構(gòu)件，這里為了描述的簡潔，省略了同樣構(gòu)件的重復(fù)描述。

在根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，驅(qū)動TFT的驅(qū)動?xùn)烹姌OG可以與存儲電容器Cst的第一電極C1連接。更詳細(xì)地，驅(qū)動?xùn)烹姌OG整體地形成在形成有第一電極C1的層中。

另外，存儲電容器Cst的第二電極C2設(shè)置為使得第二電極C2的至少一部分與第一電極C1疊置，第二電極C2可以形成在形成有驅(qū)動電壓線(未示出)的層中。

在設(shè)置為與諸如第一電極C1和第二電極C2疊置的布線之間的距離近的情況下，可能出現(xiàn)布線之間的寄生電容，并且由于布線而可能發(fā)生傳遞的信號之間的干擾現(xiàn)象。為了減少此寄生電容和/或者信號干擾現(xiàn)象，本示例性實(shí)施例可以包括第二層間絕緣層231。

第二層間絕緣層231設(shè)置在第一層間絕緣層230上并包括使第一層間絕緣層230的一部分暴露的開口。存儲電容器Cst的第二電極C2設(shè)置在開口中。

即，根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括基底100、設(shè)置到基底100的TFT、存儲電容器Cst、第一層間絕緣層230、第二層間絕緣層231和形成在基底100的最外部上的DAM。

如上所述，第二層間絕緣層231可以另外地設(shè)置在這些布線之間和/或布線與TFT之間，以減小寄生電容值和/或信號干擾。同時，存在存儲電容器Cst的第一電極C1和第二電極C2之間的未設(shè)置第二層間絕緣層231的部分，使得存儲電容器Cst可以維持高的存儲容量。

第一層間絕緣層230意在為了確保存儲電容器Cst的高存儲容量。在根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，第一層間絕緣層230可以有利地包括如上所述的具有高介電常數(shù)的無機(jī)材料。另外，第二層間絕緣層231也可以包括無機(jī)材料。

在根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，因?yàn)榈谝唤饘貲AM 410可以形成在形成有驅(qū)動TFT的驅(qū)動?xùn)烹姌OG的層中，并且驅(qū)動?xùn)烹姌OG可以整體地形成在形成有第一電極G1的層中，所以第一金屬DAM 410可以形成在形成有驅(qū)動?xùn)烹姌OG和第一電極C1的層中。

圖5是示出了根據(jù)又一個示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。在圖5中，用于圖1至圖4的同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的構(gòu)件，并且這里為了描述的簡潔，省略了對同樣構(gòu)件的重復(fù)描述。

如圖5中所示，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，DAM還可以包括形成在第一金屬DAM 410的上部上的第二金屬DAM 430。

在根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，因?yàn)樵O(shè)置在基底100的最外部上的DAM雙倍地包括具有剛度的金屬層，所以有利地強(qiáng)化了側(cè)面結(jié)構(gòu)的抗損壞。

與第一金屬DAM 410相似，第二金屬DAM 430可以包括分隔開預(yù)定間距的兩個或更多個金屬件。雖然圖5示出了第一金屬DAM 410和第二金屬DAM 430分別包括分隔開預(yù)定間距的三個金屬件的示例性實(shí)施例，但是，當(dāng)然，第一金屬DAM 410和第二金屬DAM 430不限于此。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的DAM可以包括第一金屬DAM 410、覆蓋第一金屬DAM 410并包括無機(jī)材料的第一層間絕緣層230、形成在第一層間絕緣層230的上部上的第二金屬DAM 430以及覆蓋第二金屬DAM 430并包括無機(jī)材料的第二層間絕緣層231。

另外，與上述示例性的其它實(shí)施例相似，DAM可以包括設(shè)置在第二層間絕緣層231的上部上并延伸直到基底100的最外部的薄膜包封無機(jī)層310。

這是因?yàn)榈谝粚娱g絕緣層230和第二層間絕緣層231包括無機(jī)材料，所以薄膜包封無機(jī)層310可以在不分離的情況下延伸，因此，可以有利地減小無效空間。

在根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，驅(qū)動TFT的驅(qū)動?xùn)烹姌OG可以與存儲電容器Cst的第一電極C1連接。更詳細(xì)地，驅(qū)動?xùn)烹姌OG可以整體地設(shè)置到形成有第一電極C1的層。

另外，存儲電容器Cst的第二電極C2可以設(shè)置為使得第二電極C2的至少一部分與第一電極C1疊置，第二層間絕緣層231可以包括使第一層間絕緣層230的一部分暴露的開口，第二電極C2可以設(shè)置在開口中。

在根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，第一金屬DAM 410可以形成在形成有驅(qū)動TFT的驅(qū)動?xùn)烹姌OG和第一電極C1的層中。即，當(dāng)驅(qū)動?xùn)烹姌OG和第一電極C1一體地形成時，可以同時形成第一金屬DAM 410。

另外，第二金屬DAM 430可以形成在形成有存儲電容器Cst的第二電極C2的層中。即，第二金屬DAM 430和第二電極C2可以同時地形成，在第二金屬DAM 430和第二電極C2形成后，覆蓋它們的第二層間絕緣層231可以形成于其上。

因?yàn)楦鶕?jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的DAM包括第一金屬DAM 410和第二金屬DAM 430，所以臺階差可以形成在第一層間絕緣層230、第二層間絕緣層231和薄膜包封無機(jī)層310處。因此，可以有利地控制Ti尖端。

Ti尖端是由包括無機(jī)層的裂紋DAM引起的問題。因?yàn)榘o機(jī)層的裂紋DAM的輪廓傳統(tǒng)地形成為具有80-90度的角，所以當(dāng)在形成S/D的工藝過程中形成層之后執(zhí)行蝕刻時，S/D的殘余層殘留。

此時，存在這樣的可能性：S/D殘余層的Ti組分在隨后的工藝期間分離并移動到顯示區(qū)域中，并且由S/D殘余層的該Ti組分會導(dǎo)致有缺陷的顯示裝置。

為了解決此問題，根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置允許形成在最外部上的DAM通過包括第一金屬DAM 410而形成為具有臺階差，使得輪廓降低，因此，S/D殘余層沒有殘留，因此可以有利地防止由Ti尖端產(chǎn)生的缺陷。

圖6是示出了根據(jù)再一個示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。在圖6中，用于圖1到圖5的同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的構(gòu)件，并且這里為了描述的簡潔，省略了對同樣構(gòu)件的重復(fù)描述。

如圖6中所示，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，DAM可以包括第一金屬DAM 410和形成在第一金屬DAM 410的上部上的第二金屬DAM 430，并且還可以包括形成在第二金屬DAM 430的上部上的第三金屬DAM 450。

在根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，因?yàn)樵O(shè)置在基底100的最外部上的DAM三倍地包括具有剛度的金屬層，所以有利地強(qiáng)化了側(cè)面結(jié)構(gòu)抗損壞。

與第一金屬DAM 410和第二金屬DAM 430相似，第三金屬DAM 450可以包括分隔開預(yù)定間距的兩個或更多個金屬件。雖然圖6示出了第一金屬DAM 410、第二金屬DAM 430和第三金屬DAM 450分別包括分隔開預(yù)定間距的三個金屬件的示例性實(shí)施例，但是，當(dāng)然，它們不限于此。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的DAM可以包括第一金屬DAM 410、覆蓋第一金屬DAM 410并包括無機(jī)材料的第一層間絕緣層230、形成在第一層間絕緣層230的上部上的第二金屬DAM 430、覆蓋第二金屬DAM 430并包括無機(jī)材料的第二層間絕緣層231、形成在第二層間絕緣層231的上部上的第三金屬DAM 450，以及延伸直到基底100的最外部以覆蓋第三金屬DAM 450的薄膜包封無機(jī)層310。

因?yàn)榈谝粚娱g絕緣層230和第二層間絕緣層231分別包括無機(jī)材料，所以薄膜包封無機(jī)層310可以在不分離的情況下延伸直到DAM，因此，可以有利地減小無效空間。

在根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，驅(qū)動TFT的驅(qū)動?xùn)烹姌OG可以與存儲電容器Cst的第一電極C1連接。更詳細(xì)地，驅(qū)動?xùn)烹姌OG可以整體地設(shè)置到形成有第一電極C1的層。

存儲電容器Cst的第二電極C2可以設(shè)置為使得第二電極C2的至少一部分與第一電極C1疊置，第二層間絕緣層231可以包括使第一層間絕緣層230的一部分暴露的開口，第二電極C2可以設(shè)置在開口中。

另外，源電極S、漏電極D和數(shù)據(jù)線(未示出)可以設(shè)置到第二層間絕緣層231的上部。

在根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，第一金屬DAM 410可以形成在形成有驅(qū)動TFT的驅(qū)動?xùn)烹姌OG和存儲電容器Cst的與驅(qū)動?xùn)烹姌OG一體地形成的第一電極C1的層中。第二金屬DAM 430可以形成在形成有存儲電容器Cst的第二電極C2的層中。

另外，第三金屬DAM 450可以形成在形成有數(shù)據(jù)線的層中。

雖然已經(jīng)參照附圖描述了一個或更多個示例性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離由權(quán)利要求限定的精神和范圍的情況下，可以在其中做出形式上和細(xì)節(jié)上的各種改變。