技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實(shí)施例提供一種超結(jié)功率器件的制作方法，該方法包括：提供襯底，并在所述襯底的表面上生長(zhǎng)外延層；在所述外延層上制作第一P型柱和第二P型柱；在所述第一P型柱和所述第二P型柱的表面上進(jìn)行離子注入，以降低所述第一P型柱和所述第二P型柱表面上的離子濃度，所述離子注入的深度小于所述第一P型柱和第二P型柱的深度；在所述第一P型柱和第二P型柱內(nèi)制作源區(qū)，所述源區(qū)的深度大于所述離子注入的深度，小于所述第一P型柱和所述第二P型柱的深度；制作器件的柵氧化層、柵極、介質(zhì)層以及金屬層。本發(fā)明實(shí)施例提供的方法，能夠避免傳統(tǒng)工藝中由于高溫驅(qū)入過(guò)程，所導(dǎo)致的P型柱與N型外延層之間的電荷不平衡問(wèn)題，提高了器件的耐壓性能。

技術(shù)研發(fā)人員：趙圣哲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.04
技術(shù)公布日：2017.11.14