本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種oled顯示面板及該oled顯示面板的制作方法、柔性顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著信息社會的發(fā)展，人們對顯示設(shè)備的需求日益增長。柔性顯示面板以其輕薄、可彎折甚至卷曲、機械性能好的特點越來越受到人們的青睞。目前，柔性顯示面板在生活中的應(yīng)用越來越廣泛。

柔性顯示面板包括柔性液晶顯示(lcd)面板和柔性有機發(fā)光二極管顯示(oled)面板。柔性顯示面板通常制作在柔性載體上，由于其彎折的特性，給其設(shè)計和制作帶來了很大的挑戰(zhàn)。

圖1為一種傳統(tǒng)的oled顯示面板的像素電路圖。如圖1所示，在現(xiàn)有的oled顯示面板中，最基本的一個像素單元包括開關(guān)晶體管t1、驅(qū)動晶體管t2和存儲電容cs，所述開關(guān)晶體管t1的柵極與掃描線sn連接，所述開關(guān)晶體管t1的源極與數(shù)據(jù)線dm連接，所述開關(guān)晶體管t1的漏極、驅(qū)動晶體管t2的柵極和存儲電容cs的第一極板(例如是下極板)均連接于節(jié)點n1，所述驅(qū)動晶體管t2的源極和存儲電容cs的第二極板(例如是上極板)均與電源vdd連接，所述驅(qū)動晶體管t2的漏極與所述有機發(fā)光二極管oled的陽極連接，所述有機發(fā)光二極管oled的陰極與電源vss連接。所述掃描線sn用于向開關(guān)晶體管t1提供開啟或關(guān)斷電壓，所述驅(qū)動晶體管t2用于控制數(shù)據(jù)線dm向有機發(fā)光二極管提供數(shù)據(jù)電壓。通過掃描線sn打開所述開關(guān)晶體管t1時，數(shù)據(jù)線dm提供的數(shù)據(jù)電壓經(jīng)由所述開關(guān)晶體管t1存儲到存儲電容cs，從而控制所述驅(qū)動晶體管t2產(chǎn)生電流，以驅(qū)動所述有機發(fā)光二極管oled發(fā)光。

其中，有機發(fā)光二極管包括陽極、陰極以及位于所述陽極和陰極之間 的有機材料功能層，一個像素單元通常對應(yīng)一塊陽極。然而，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于柔性oled顯示面板頻繁彎折，隨著彎折次數(shù)的增加，oled的陽極面積較大易出現(xiàn)斷裂的情況，影響oled顯示面板的正常工作。另外，oled的陽極有時還會出現(xiàn)剝離的情況，一旦一個像素單元的陽極剝離，那整個像素單元就無法發(fā)光，影響屏體顯示質(zhì)量。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有的oled顯示面板的陽極易斷裂的問題。

本發(fā)明的另一目的在于確保在oled顯示面板的部分陽極斷裂或剝離時，另一部分陽極仍可繼續(xù)工作，不影響oled顯示面板的功能。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種oled顯示面板，包括柔性基底和形成于所述柔性基底上以矩陣方式排列的多個像素單元，每個像素單元內(nèi)設(shè)置有多塊陽極。

可選的，在所述的oled顯示面板中，所述oled顯示面板還包括形成于所述柔性基底上的掃描線和數(shù)據(jù)線，所述掃描線和數(shù)據(jù)線定義了所述多個像素單元。。

可選的，在所述的oled顯示面板中，每個所述像素單元內(nèi)設(shè)置有兩塊陽極，所述兩塊陽極通過兩個接觸孔電連接相鄰兩個像素單元的驅(qū)動晶體管的漏極，所述兩塊陽極沿所述數(shù)據(jù)線或掃描線的長度方向排列。

可選的，在所述的oled顯示面板中，每個所述像素單元內(nèi)設(shè)置有三塊陽極，所述三塊陽極通過三個接觸孔電連接相鄰兩個像素單元的驅(qū)動晶體管的漏極，所述三塊陽極排布成四邊形。

可選的，在所述的oled顯示面板中，每個所述像素單元內(nèi)設(shè)置有四塊陽極，所述四塊陽極通過四個接觸孔電連接相鄰兩個像素單元的驅(qū)動晶體管的漏極，所述四塊陽極排布成四邊形。

可選的，在所述的oled顯示面板中，所述陽極的形狀為四邊形、六邊形、八邊形中的一種或其任意組合。

可選的，在所述的oled顯示面板中，每個所述像素單元內(nèi)設(shè)置的多塊陽極的面積相等。

本發(fā)明還提供一種柔性顯示裝置，包括如上所述的oled顯示面板。

本發(fā)明還提供一種oled顯示面板的制作方法，在柔性基底上形成以矩陣方式排列的多個像素單元，每個像素單元內(nèi)設(shè)置有多塊陽極。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的oled顯示面板中一個像素單元對應(yīng)多塊陽極，減小了單塊陽極的面積(寬度和/或長度)，進而降低了陽極斷裂的幾率，并且，即便一個像素單元中部分陽極斷裂或剝離，該像素單元中另一部分陽極仍可繼續(xù)工作，不影響像素單元正常發(fā)光。

附圖說明

圖1是oled顯示面板中最基本的像素電路的示意圖；

圖2a是本發(fā)明實施例一中形成第一金屬層后的平面示意圖；

圖2b是本發(fā)明實施例一中形成第一金屬層后的剖面示意圖；

圖3a是本發(fā)明實施例一中形成層間絕緣層及過孔后的平面示意圖；

圖3b是本發(fā)明實施例一中形成層間絕緣層及過孔后的剖面示意圖；

圖4a是本發(fā)明實施例一中形成第二金屬層后的平面示意圖；

圖4b是本發(fā)明實施例一中形成第二金屬層后的剖面示意圖；

圖5a是本發(fā)明實施例一中形成鈍化絕緣層及接觸孔后的平面示意圖；

圖5b是本發(fā)明實施例一中形成鈍化絕緣層及接觸孔后的剖面示意圖；

圖6a是本發(fā)明實施例一中oled顯示面板形成陽極后的平面示意圖；

圖6b是本發(fā)明實施例一中oled顯示面板形成陽極后的剖面示意圖；

圖7是本發(fā)明實施例二中形成鈍化絕緣層及接觸孔后的平面示意圖；

圖8是本發(fā)明實施例二中oled顯示面板形成陽極后的平面示意圖；

圖9是本發(fā)明實施例三中形成鈍化絕緣層及接觸孔后的平面示意圖；

圖10是本發(fā)明實施例三中oled顯示面板形成陽極后的平面示意圖；

附圖標(biāo)記說明：

t1-開關(guān)晶體管；g1-開關(guān)晶體管的柵極；s1-開關(guān)晶體管的源極；d1-開關(guān)晶體管的漏極；

t2-驅(qū)動晶體管；g2-驅(qū)動晶體管的柵極；s2-驅(qū)動晶體管的源極；d2-驅(qū)動晶體管的漏極；

cs-存儲電容；cs-1-存儲電容的下極板；cs-2-儲電容的上極板；

dm、dm+1、dm+2-數(shù)據(jù)線；sn、sn+1-掃描線；vddn、vddn+1-第一電源線；vddm、vddm+1、vddm+2-第二電源線；lm、lm+1、lm+2-連接線；

100-柔性基底；111、112-有源層；120-柵絕緣層；140-層間絕緣層；160-鈍化絕緣層；180-電極層；181、181’-第一陽極；182、182’-第二陽極；183、183’-第三陽極；184、184’-第四陽極；

141-第一過孔；142-第二過孔；143-第三過孔；144-第四過孔；145-第五過孔；146-第六過孔；161、161’-第一接觸孔；162、162’-第二接觸孔；163、163’-第三接觸孔；164、164’-第四接觸孔。

具體實施方式

在背景技術(shù)中已經(jīng)提及，由于oled顯示面板易于彎折，隨著彎折次數(shù)的增加，oled的陽極易出現(xiàn)斷裂或剝離的情況，影響屏體顯示質(zhì)量。本申請發(fā)明人對這一問題進行了深入的研究和大量的實驗，發(fā)現(xiàn)面積較大的陽極更容易出現(xiàn)斷裂。基于此，本申請?zhí)峁┮环Noled顯示面板，該oled顯示面板包括一柔性基底以及形成于所述柔性基底上以矩陣方式排列的多個像素單元，每個像素單元內(nèi)設(shè)置有多塊陽極，與現(xiàn)有技術(shù)相比，減小了單塊陽極的面積，進而降低了陽極斷裂的幾率，并且，即便一個像素單元中部分陽極斷裂或剝離，該像素單元中另一部分陽極仍可繼續(xù)工作，不影響像素單元正常發(fā)光。

以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提出的oled顯示面板、oled顯示面板的制造方法、柔性顯示裝置作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。

實施例一

圖6a是本發(fā)明實施例一中oled顯示面板形成陽極后的平面示意圖。如圖6a所示，并結(jié)合圖5a所示，oled顯示面板包括形成于柔性基底100上的掃描線sn、sn+1以及數(shù)據(jù)線dm、dm+1、dm+2，所述掃描線sn、sn+1和數(shù)據(jù)線dm、dm+1、dm+2定義了以矩陣方式排列的多個像素單元，其中，掃描線sn是指與第n行像素單元連接的掃描線，掃描線sn+1是指與第n+1行 像素單元連接的掃描線，數(shù)據(jù)線dm是指與第m列像素單元連接的數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線dm+1是指與第m+1列像素單元連接的數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線dm+2是指與第m+2列像素單元連接的數(shù)據(jù)線，n和m均為大于等于1的正整數(shù)。為簡化，附圖6a只是反映六個像素單元的平面結(jié)構(gòu)，實際上，oled顯示面板的像素單元數(shù)量并不限于此。

繼續(xù)參考圖6a所示，每個像素單元內(nèi)設(shè)置有多塊陽極，所述多塊陽極例如均呈方形，具體的，本實施例中每個像素單元設(shè)置兩塊陽極。與現(xiàn)有技術(shù)中一個像素單元設(shè)置一塊陽極相比，本實施例中單塊陽極的面積可以設(shè)置的更小，比如，可以是單塊陽極的長度縮小，也可以是單塊陽極的寬度縮小，亦可是單塊陽極的長度和寬度同時縮小，從而降低了陽極斷裂的幾率，并且，若一個像素單元中部分陽極斷裂或剝離，該像素單元中另一部分陽極仍可繼續(xù)工作，不影響像素單元正常發(fā)光。本實施例中，所述多塊陽極均呈長方形。但應(yīng)理解，本發(fā)明并不限制陽極的形狀，所述多塊陽極亦可以是其他形狀比如六邊形、八邊形等，并且，一個像素單元內(nèi)多塊陽極的形狀可以相同也可以不相同。本實施例中，所述多塊陽極是沿數(shù)據(jù)線的長度方向排列，且每塊陽極的長邊方向與數(shù)據(jù)線長度方向平行，在其它實施例中，所述多塊陽極也可以是沿掃描線的長度方向排列，本發(fā)明并不限制多塊陽極的排布方式。

圖6b中示出了一個像素單元的剖面示意圖，需要說明的是，圖6b中只是示意性的表示出開關(guān)晶體管、驅(qū)動晶體管和存儲電容的剖面結(jié)構(gòu)，其中各層薄膜厚度和區(qū)域大小形狀并不反映oled顯示面板的真實比例和布局，目的只是示意性的說明本實施例的內(nèi)容。具體的，如圖6a和6b所示，并結(jié)合圖5a和5b，本實施例采用最基本的像素電路，該像素電路包括1個開關(guān)晶體管t1、1個驅(qū)動晶體管t2和1個存儲電容cs，即2t1c結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，所述像素單元也可采用更多的晶體管和/或更多的存儲電容，本發(fā)明并不限制晶體管和存儲電容的數(shù)量。具體的，所述開關(guān)晶體管t1包括有源層111、源極s1、漏極d1以及柵極g11、g12，所述驅(qū)動晶體管t2包括有源層112、源極s2、漏極d2以及柵極g2，所述存儲電容cs包括第一極板(即下極板cs-1)、第二極板(即上極板cs-2)以及形成于下極板cs-1 和上極板cs-2之間的層間絕緣層140。

結(jié)合圖5a、5b、6a、6b所示，以第n行第m列以及第n+1行第m列的像素單元為例，所述開關(guān)晶體管t1的柵極g11、g12(這里采用雙柵結(jié)構(gòu))與掃描線sn+1連接(二者實際上為一體結(jié)構(gòu))，所述開關(guān)晶體管t1的源極s1與數(shù)據(jù)線dm連接(二者實際上為一體結(jié)構(gòu))，所述開關(guān)晶體管t1的漏極d1、存儲電容cs的第一極板(即下極板cs-1)以及驅(qū)動晶體管t2的柵極g2連接，所述驅(qū)動晶體管t2的源極s2和存儲電容cs的第二極板(即上極板cs-2)均與電源線連接。

繼續(xù)參考圖6a和圖6b所示，所述數(shù)據(jù)線dm、dm+1、dm+2和掃描線sn、sn+1相互垂直，所述電源線包括與掃描線sn、sn+1平行的第一電源線vddn、vddn+1以及與第一電源線vddn、vddn+1垂直的第二電源線vddm、vddm+1、vddm+2，所述第一電源線vddn、vddn+1和第二電源線vddm、vddm+1、vddm+2通過第六過孔146連通(參考圖3a所示)。這里，第一電源線vddn、vddn+1與存儲電容cs的下極板cs-1利用同一光刻工藝形成，第二電源線vddm、vddm+1、vddm+2與存儲電容cs的上極板cs-2利用同一光刻工藝形成，更具體的，第二電源線vddm、vddm+1、vddm+2與存儲電容cs的上極板cs-2為一體結(jié)構(gòu)。

重點參考圖6b所示，所述oled顯示面板包括柔性基底100、柵絕緣層120、圖形化的第一金屬層、層間絕緣層140、圖形化的第二金屬層、鈍化絕緣層160以及陽極層180。所述柵絕緣層120形成于有源層111、112以及未被有源層111、112覆蓋的柔性基底100上。所述圖形化的第一金屬層形成于所述柵絕緣層120上。所述層間絕緣層140形成于所述圖形化的第一金屬層以及未被圖形化的第一金屬層覆蓋的柵絕緣層120上。所述圖形化的第二金屬層形成于層間絕緣層140上。所述鈍化絕緣層160形成于圖形化的第二金屬層以及未被圖形化的第二金屬層覆蓋的層間絕緣層140上。所述陽極層180形成于所述鈍化絕緣層160上。所述圖形化的第一金屬層用以作為掃描線sn、sn+1，存儲電容cs的下極板c1-1，第一電源線vddn、vddn+1，驅(qū)動晶體管t2的柵極g2，以及開關(guān)晶體管t1的柵極g11、g12。所述圖形化的第二金屬層用以作為開關(guān)晶體管t1的源極s1和 漏極d1，驅(qū)動晶體管的源極s2和漏極d2，存儲電容的上極板cs-2，以及第二電源線vddm、vddm+1、vddm+2。

重點參考圖3a和圖3b所示，所述oled顯示面板還包括第一過孔141、第二過孔142、第三過孔143、第四過孔144、第五過孔145、第六過孔146。所述第一過孔141、第二過孔142、第三過孔143、第四過孔144、第五過孔145貫穿所述層間絕緣層140和柵絕緣層120，所述第六過孔146貫穿所述層間絕緣層140。結(jié)合圖5a和圖5b所示，以第n行第m列和第n+1行第m列的像素單元為例，第一過孔141用于導(dǎo)通數(shù)據(jù)線dm和開關(guān)晶體管t1的源極s1，第二過孔142和第三過孔143通過連接線lm導(dǎo)通開關(guān)晶體管t1的漏極和存儲電容cs的下極板cs-1，第四過孔144用于導(dǎo)通驅(qū)動關(guān)晶體管t2的源極s2和存儲電容cs的上極板cs-2，第五過孔145用于導(dǎo)通驅(qū)動關(guān)晶體管t2的漏極s2與有機發(fā)光二極管的陽極，第六過孔146用于導(dǎo)通第一電源線vddn和第二電源線vddm。

重點參考圖6a和圖6b所示，所述oled顯示面板還包括多個接觸孔，所述多個接觸孔貫穿鈍化絕緣層160。所述接觸孔的數(shù)量與陽極的數(shù)量一一對應(yīng)。結(jié)合圖5a和圖5b所示，在鈍化絕緣層160對應(yīng)于每個驅(qū)動晶體管t2的漏極d2的位置形成有多個接觸孔，所述多個接觸孔用于導(dǎo)通有機發(fā)光二極管的陽極與驅(qū)動晶體管的漏極。本實施例中，在對應(yīng)每個驅(qū)動晶體管t2的漏極d2的位置形成兩個接觸孔，詳細的，在第n行第m列的像素單元的驅(qū)動晶體管的漏極位置處形成第一接觸孔161和第二接觸孔162，在第n+1行第m列的像素單元的驅(qū)動晶體管漏極位置處形成第一接觸孔161’和第二接觸孔162’。每個像素單元中的兩塊陽極電連接相鄰兩個像素單元的驅(qū)動晶體管t2的漏極d2。具體的，第n行第m列的像素單元對應(yīng)有沿數(shù)據(jù)線dm長度方向排列的第一陽極181和第二陽極182，第n+1行第m列的像素單元對應(yīng)有沿數(shù)據(jù)線dm長度方向排列的第一陽極181’和第二陽極182’，第一陽極181通過第二接觸孔162與第n行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接，第二陽極182通過第一接觸孔161’與第n+1行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接，第一陽極181’通過第二接觸孔162’與第n+1行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接，第二陽極182’則通過第一接觸孔(圖 6a中未示出)與第n+1行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接。

以下結(jié)合本發(fā)明實施例一的oled顯示面板制造過程的平面俯視圖和剖面示意圖，進一步說明本實施例的技術(shù)方案，在以下說明中，本發(fā)明所稱的光刻工藝包括光刻膠涂覆、掩模、曝光、刻蝕和光刻膠剝離等工藝，光刻膠以正性光刻膠為例。

首先，如圖2b所示，提供一柔性基底100。所述柔性基底100通常為透明柔性基底，具體的，所述柔性基底100可為透明的柔性基底。所述柔性基底的形狀可為平面、曲面或其他不規(guī)則形狀。這里，所述柔性襯底基板100可以包括聚乙烯(polyethylene，簡稱pe)、聚丙烯(polypropylene，簡稱pp)、聚苯乙烯(polystyrene，簡稱ps)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate，簡稱pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate，簡稱pen)、以及聚酰亞胺(polyimide，簡稱pi)中的至少一種。應(yīng)理解的是，所述柔性基底的材質(zhì)以及形狀在此不做限制。

接著，參考圖2a和圖2b所示，在所述柔性基底100上形成有源層111、112。形成有源層111、112的具體過程包括：采用化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝在所述柔性基底100上形成一非晶硅層(a-si)；對所述非晶硅層采用準(zhǔn)分子激光退火(ela)、固相晶化(spc)或金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(mic)等工藝方法，將其轉(zhuǎn)化成多晶硅層(p-si)；進行光刻工藝，圖形化所述多晶硅層形成開關(guān)晶體管t1的有源層111和驅(qū)動晶體管t2的有源層112。

接著，參考圖2b所示，采用化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝在有源層111、112和未被有源層111、112覆蓋的柔性基底100上形成柵絕緣層120。所述柵絕緣層120采用的材料例如為氧化物、氮化物或氧氮化合物，當(dāng)然，所述柵絕緣層120亦可采用其它絕緣材料，本發(fā)明對此并不予限制。

接著，繼續(xù)參考圖2a和圖2b所示，采用濺射或蒸發(fā)工藝在所述柵絕緣層120上形成第一金屬層，并進行光刻工藝以圖形化所述第一金屬層形成圖形化的第一金屬層。所述圖形化的第一金屬層分別形成掃描線sn、sn+1，存儲電容cs的第一電極(即下極板)cs-1，第一電源線vddn、vddn+1，驅(qū)動晶體管t2的柵極g2，以及開關(guān)晶體管t1的柵極g11、g12。所述第一金屬層可以采用cr、w、ti、ta、mo、al、cu等金屬或合金的單層膜， 也可以采用由多層金屬薄膜構(gòu)成的復(fù)合薄膜。所述第一電源線vddn、vddn+1與掃描線sn、sn+1相互平行。其中，第一電源線vddn是指與第n行像素單元連接的電源線，第一電源線vddn+1是指與第n+1行像素單元連接的電源線，掃描線sn是指與第n行像素單元連接的掃描線，掃描線sn+1是指與第n+1行像素單元連接的掃描線。

接著，如圖3a和圖3b所示，采用化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝形成層間絕緣層140，并進行光刻工藝，形成若干過孔，這里分別為第一過孔141、第二過孔142、第三過孔143、第四過孔144、第五過孔145、第六過孔146。所述第一過孔141、第二過孔142、第三過孔143、第四過孔144、第五過孔145貫穿所述層間絕緣層140和柵絕緣層120，所述第六過孔146貫穿所述層間絕緣層140。所述第一過孔141用于導(dǎo)通后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線和開關(guān)晶體管t1的源極s1，所述第二過孔142和第三過孔143通過連接線導(dǎo)通開關(guān)晶體管t1的漏極d1和存儲電容cs的下極板cs-1，所述第四過孔144用于導(dǎo)通驅(qū)動關(guān)晶體管t2的源極s2和存儲電容cs的上極板cs-2，所述第五過孔145用于導(dǎo)通驅(qū)動晶體管t2的漏極s2與有機發(fā)光二極管的陽極，所述第六過孔146用于導(dǎo)通第一電源線和第二電源線。本實施例中，所述層間絕緣層140采用的材料例如為氧化物、氮化物或氧氮化合物，當(dāng)然，所述層間絕緣層140亦可采用其它絕緣材料，本發(fā)明對此并不予限制。

接著，繼續(xù)參考圖4a和圖4b所示，采用濺射或蒸發(fā)工藝在所述層間絕緣層上形成第二金屬層，并進行光刻工藝圖形化所述第二金屬層形成圖形化的第二金屬層。所述圖形化所述第二金屬層用以形成開關(guān)晶體管t1的源極s1和漏極d1，驅(qū)動晶體管t2的源極s2和漏極d2，存儲電容cs的第二電極(即上極板cs-2)，數(shù)據(jù)線dm、dm+1、dm+2，第二電源線vddm、vddm+1、vddm+2，以及連接線lm、lm+1、lm+2。其中，數(shù)據(jù)線dm是指與第m列像素單元連接的數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線dm+1是指與第m+1列像素單元連接的數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線dm+2是指與第m+2列像素單元連接的數(shù)據(jù)線，同理，第二電源線vddm是指與第m列像素單元連接的第二電源線，第二電源線vddm+1是指與第m+1列像素單元連接的第二電源線，第二電源線vddm+2是指與第m+2列像素單元連接的第二電源線，連接線lm是指與第m列像 素單元連接的連接線，連接線lm+1是指與第m+1列像素單元連接的連接線，連接線lm+2是指與第m+2列像素單元連接的連接線。為簡化，本實施例僅是示意性的表示出了兩行三列像素單元的平面結(jié)構(gòu)。所述第二金屬層可以采用cr、w、ti、ta、mo、al、cu等金屬或合金的單層膜，也可以采用由多層金屬薄膜構(gòu)成的復(fù)合薄膜。至此，開關(guān)晶體管t1、驅(qū)動晶體管t2、存儲電容cs已經(jīng)形成，存儲電容cs由下極板cs-1、上極板cs-2以及位于下極板cs-1、上極板cs-2之間的層間絕緣層140共同構(gòu)成。

接著，如圖5a和圖5b所示，采用化學(xué)氣相沉積(cvd)的方法在所述第二金屬層以及未被所述第二金屬層覆蓋的層間絕緣層140上形成鈍化絕緣層160，并進行光刻工藝，以在所述鈍化絕緣層160對應(yīng)于每個驅(qū)動晶體管t2的漏極d2的位置形成多個接觸孔，所述多個接觸孔用于導(dǎo)通后續(xù)形成的有機發(fā)光二極管的陽極與驅(qū)動晶體管t2的漏極d2。本實施例中，在對應(yīng)每個驅(qū)動晶體管t2的漏極d2的位置分別形成兩個接觸孔，例如，在第n行第m列的像素單元的驅(qū)動晶體管漏極位置處形成第一接觸孔161和第二接觸孔162，在第n+1行第m列的像素單元的驅(qū)動晶體管漏極位置處形成第一接觸孔161’和第二接觸孔162’。

接著，如圖6a和圖6b所示，采用濺射或蒸發(fā)工藝在所述鈍化絕緣層160上形成電極層180，并進行光刻工藝，圖形化所述電極層180以形成多塊陽極，所述多塊陽極各自通過接觸孔與驅(qū)動晶體管t2的漏極d2電性連接。所述電極層采用的材料例如為氧化銦錫、氧化鋅、氧化銦鋅、銀、金或鋁中的一種或多種。本實施例中，一個像素內(nèi)形成有兩塊陽極。第n行第m列的像素單元對應(yīng)有沿數(shù)據(jù)線dm長度方向排列的第一陽極181和第二陽極182，第一陽極181通過第二接觸孔162與第n行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接，第二陽極182則通過第一接觸孔161’與第n+1行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接。第n+1行第m列的像素單元對應(yīng)有沿數(shù)據(jù)線dm長度方向排列的第一陽極181’和第二陽極182’，其中，第一陽極181’通過第二接觸孔162’與第n+1行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接，第二陽極182’則通過第一接觸孔(圖6a中未示出)與第n+1行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接。通過一個像素對應(yīng)多塊陽極，一方面，可減小單塊陽 極的寬度和長度，進而降低了陽極斷裂的幾率，另一方面，即便一個陽極斷裂也不影響像素單元正常發(fā)光。

形成oled的陽極后，可采用公知的方法形成oled的有機材料功能層和陰極。所述有機材料功能層至少可以包括電子傳輸層和空穴傳輸層，以及位于二者之間的發(fā)光層。為了能夠提高電子和空穴注入發(fā)光層的的效率，所述有機材料功能層還可以包括設(shè)置在所述陰極與所述電子傳輸層之間的電子注入層，以及設(shè)置在所述陽極與所述空穴傳輸層之間的空穴注入層。由于本發(fā)明并不涉及上述膜層的改進，在此不再贅述。

實施例二

本實施例與實施例一區(qū)別在于，每個像素單元內(nèi)設(shè)置有三塊陽極。如圖7和圖8所示，以第n行第m列的像素單元為例，分別設(shè)置有第一陽極181、第二陽極182、第三陽極183。所述三塊陽極均呈方形，比如，第一陽極181和第二陽極182呈長方形，第三陽極183呈正方形，且三塊陽極的面積優(yōu)選為相等。所述三塊陽極例如是排布成四邊形，其中，第一陽極181和第二陽極182沿掃描線sn的長度方向共同排列成一行，且第一陽極181和第二陽極182的長邊方向與數(shù)據(jù)線的長度方向平行，第三陽極183單獨成一行，三塊陽極共同圍成一長方形區(qū)域。

具體的，結(jié)合圖7和圖8所示，對于第n行第m列的像素單元來說，設(shè)置有第一陽極181、第二陽極182、第三陽極183，第n行第m列的驅(qū)動晶體管t2處設(shè)置有三個接觸孔分別為第一接觸孔161、第二接觸孔162、第三接觸孔163；對于第n+1行第m列的像素單元來說，設(shè)置有第一陽極181’、第二陽極182’、第三陽極183’，第n+1行第m列的驅(qū)動晶體管t2處設(shè)置有三個接觸孔分別為第一接觸孔161’、第二接觸孔162’、第三接觸孔163’。其中，第一陽極181通過第一接觸孔161與第n行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接，第二陽極182通過第二接觸孔162與第n行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接，第三陽極183則通過第三接觸孔163’與第n+1行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接，第一陽極181’通過第一接觸孔161’與第n+1行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接，第二陽極182’通過第二接觸孔162’與第n+1行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接，第三陽極183’則 通過第n+2行的第三接觸孔(圖中未示出)與第n+2行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接。

實施例三

本實施例與實施例一區(qū)別在于，每個像素單元內(nèi)設(shè)置有四塊陽極。如圖9所示，以第n行第m列的像素單元為例，分別設(shè)置有第一陽極181、第二陽極182、第三陽極183、第四陽極184。所述四塊陽極均呈方形，且面積優(yōu)選為相等。所述四塊陽極例如是排布成四邊形，其中，第一陽極181和第二陽極182沿掃描線sn的長度方向排列成一行，第三陽極183和第四陽極184沿掃描線sn的長度方向排列排列成一行，且四塊陽極的長邊方向均與數(shù)據(jù)線的長度方向平行。

具體的，結(jié)合圖9和圖10所示，對于第n行第m列的像素單元來說，設(shè)置有第一陽極181、第二陽極182、第三陽極183、第四陽極184，第n行第m列的驅(qū)動晶體管t2處設(shè)置有四個接觸孔分別為第一接觸孔161、第二接觸孔162、第三接觸孔163、第四接觸孔164；對于第n+1行第m列的像素單元來說，設(shè)置有第一陽極181’、第二陽極182’、第三陽極183’、第四陽極184’，第n+1行第m列的驅(qū)動晶體管t2處設(shè)置有四個接觸孔分別為第一接觸孔161’、第二接觸孔162’、第三接觸孔163’、第四接觸164’。其中，第一陽極181通過第一接觸孔161與第n行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接，第二陽極182通過第二接觸孔162與第n行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接，第三陽極183則通過第三接觸孔163’與第n+1行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接，第四陽極184則通過第四接觸孔164’與第n+1行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接，第一陽極181’通過第一接觸孔161’與第n+1行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接，第二陽極182’通過第二接觸孔162’與第n+1行的驅(qū)動晶體管t2的漏極電性連接，第三陽極183’則通過第n+2行的第三接觸孔(圖中未示出)與第n+2行的驅(qū)動晶體管的漏極電性連接，第四陽極184’則通過第n+2行的第四接觸孔(圖中未示出)與第n+2行的驅(qū)動晶體管的漏極電性連接。

以上結(jié)合幾個具體實施例詳細介紹了本發(fā)明oled顯示面板的具體方案，然而，本發(fā)明并不局限于上述具體實施例。比如，所述像素單元并不 限定為2t1c結(jié)構(gòu)，還可以是更多的晶體管和/或更多的存儲電容。再比如，上述實施例中每個像素單元內(nèi)設(shè)置兩塊、三塊或四塊陽極，但實際上每個像素單元內(nèi)也可設(shè)置更多數(shù)量的陽極。另外，所述陽極的形狀既可以是四邊形，也可以是六邊形、八邊形中的一種或其任意組合?？傊?，本發(fā)明并不限定陽極的數(shù)量、形狀和排布方式。

綜上所述，本申請?zhí)峁┑膐led顯示面板包括以矩陣方式排列的多個像素單元，每個像素單元內(nèi)設(shè)置多塊陽極，以降低陽極斷裂的幾率，并確保一個像素單元中部分陽極斷裂或剝離時另一部分陽極仍可繼續(xù)工作，不影響像素單元正常發(fā)光。

上述描述僅是對本發(fā)明較佳實施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護范圍。