本發(fā)明涉及oled顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種底發(fā)射型白光oled面板的制作方法及其結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

在顯示技術(shù)領(lǐng)域，液晶顯示面板(liquidcrystaldisplay，lcd)與有機發(fā)光二極管顯示面板(organiclightemittingdiode，oled)等平板顯示裝置已經(jīng)逐步取代陰極射線管(cathoderaytube，crt)顯示器。

其中，oled面板具有自發(fā)光、驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

現(xiàn)有的oled面板通常包括：基板、置于基板上只作陽極之用的ito薄膜、置于ito陽極上的空穴注入層(hil)、置于空穴注入層上的空穴傳輸層(htl)、置于空穴傳輸層上的發(fā)光層(eml)、置于發(fā)光層上的電子傳輸層(etl)、置于電子傳輸層上的電子注入層(eil)以及置于電子注入層上的陰極，為了提高效率，發(fā)光層通常采用主/客體摻雜系統(tǒng)。

目前，oled面板的制作有兩種技術(shù)路線：一種是紅綠藍(red、green、blue，rgb)三基色oled發(fā)光，其優(yōu)點是工藝簡單成熟，操作簡便.但由于在制備高分辨率顯示屏?xí)r需要高精度掩膜及精確的對位，導(dǎo)致產(chǎn)能較低、成本較高，而且由于rgb三基色oled的壽命、激發(fā)率以及衰減度相差較大，容易造成oled面板的色偏。

另一種是白光oled技術(shù)，不需要掩膜對位，通常采用底發(fā)射型發(fā)光方式，極大地簡化了蒸鍍過程，能夠用于制備大尺寸高分辨率oled面板。

然而，現(xiàn)有的底發(fā)射型白光oled往往需要偏光片(polarizer)，且各結(jié)構(gòu)層的數(shù)量較多，例如遮光層、平坦層、像素定義層等，加上由單獨的一道黃光制程來專門制作陽極，現(xiàn)有的底發(fā)射型白光oled的制作方法需要較多的光罩?jǐn)?shù)目，較繁雜的工序，制備成本較高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種底發(fā)射型白光oled面板的制作方法，能夠簡化工序，減少黃光制程道數(shù)，節(jié)省光罩?jǐn)?shù)量，降低制作成本。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種底發(fā)射型白光oled面板結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡單，制作成本低。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種底發(fā)射型白光oled面板的制作方法，包括以下步驟：

步驟s1、提供襯底基板并清洗，在所述襯底基板上依次沉積紅色色阻、綠色色阻、及藍色色阻，形成彩膜層；

步驟s2、在所述彩膜層上沉積緩沖層；

步驟s3、在所述緩沖層上沉積氧化物半導(dǎo)體薄膜并進行圖案化處理，形成氧化物半導(dǎo)體層；

步驟s4、在所述氧化物半導(dǎo)體層與緩沖層上依次沉積絕緣薄膜、與第一金屬層；

步驟s5、先對所述第一金屬層進行圖案化處理，形成柵極，再以所述柵極為自對準(zhǔn)圖形來蝕刻絕緣薄膜，形成位于所述柵極下方的柵極絕緣層；所述柵極與柵極絕緣層遮擋部分氧化物半導(dǎo)體層，暴露出氧化物半導(dǎo)體層的兩側(cè)；

步驟s6、對所述氧化物半導(dǎo)體層進行整面的等離子體處理，使得所述氧化物半導(dǎo)體層未被所述柵極及柵極絕緣層遮擋的部分電阻降低，形成導(dǎo)體層，而被所述柵極及柵極絕緣層遮擋的部分仍為半導(dǎo)體，形成半導(dǎo)體溝道區(qū)；

步驟s7、在所述柵極、導(dǎo)體層、及緩沖層上沉積層間絕緣層并進行圖案化處理，形成貫穿該層間絕緣層以分別暴露出導(dǎo)體層部分表面的源極接觸孔、漏極接觸孔、及像素定義孔；所述源極接觸孔與漏極接觸孔分別位于所述柵極及柵極絕緣層的兩側(cè)，所述像素定義孔靠近所述源極接觸孔；

步驟s8、在所述層間絕緣層上沉積第二金屬層并進行圖案化處理，形成源極、及漏極，所述源極經(jīng)所述源極接觸孔接觸所述導(dǎo)體層，所述漏極經(jīng)所述漏極接觸孔接觸所述導(dǎo)體層；

所述源極、漏極、柵極、柵極絕緣層、與所述源極接觸的導(dǎo)體層部分、與所述漏極接觸的導(dǎo)體層部分、及半導(dǎo)體溝道區(qū)構(gòu)成薄膜晶體管；

步驟s9、在所述源極、漏極、及層間絕緣層上沉積鈍化層并進行圖案化處理，形成暴露出所述像素定義孔的通孔；

步驟s10、以所述導(dǎo)體層為陽極在所述像素定義孔內(nèi)沉積白光oled發(fā)光層；

步驟s11、在所述白光oled發(fā)光層與鈍化層上沉積金屬陰極。

所述步驟s2中緩沖層的材料為氧化硅、或氮化硅，厚度為

所述步驟s3中氧化物半導(dǎo)體薄膜的材料為銦鎵鋅氧化物、銦鋅錫氧化物、銦鎵鋅錫氧化物中的一種，厚度為

所述步驟s4中絕緣薄膜的材料為氧化硅、或氮化硅，厚度為

所述步驟s5中第一金屬層的材料為鉬、鋁、銅、鈦中的一種或幾種的層疊組合，厚度為

所述步驟s6利用氦氣、或氬氣進行等離子體處理。

所述步驟s7中層間絕緣層的材料為氧化硅、或氮化硅，厚度為

所述步驟s8中第二金屬層的材料為鉬、鋁、銅、鈦中的一種或幾種的層疊組合，厚度為

所述步驟s9中鈍化層的材料為氧化硅、或氮化硅，厚度為

本發(fā)明還提供一種底發(fā)射型白光oled面板結(jié)構(gòu)，包括：

襯底基板；

覆蓋所述襯底基板的彩膜層；

覆蓋所述彩膜層的緩沖層；

設(shè)在所述緩沖層上的半導(dǎo)體溝道區(qū)、及分別連接所述半導(dǎo)體溝道區(qū)兩側(cè)的導(dǎo)體層；

覆蓋所述半導(dǎo)體溝道區(qū)的柵極絕緣層；

覆蓋所述柵極絕緣層的柵極；

設(shè)在所述柵極、導(dǎo)體層、及緩沖層上的層間絕緣層，所述層間絕緣層具有貫穿該層間絕緣層以分別暴露出導(dǎo)體層部分表面的源極接觸孔、漏極接觸孔、及像素定義孔，所述源極接觸孔與漏極接觸孔分別位于所述柵極及柵極絕緣層的兩側(cè)，所述像素定義孔靠近所述源極接觸孔；

設(shè)在所述層間絕緣層上的源極、與漏極，所述源極經(jīng)所述源極接觸孔接觸所述導(dǎo)體層，所述漏極經(jīng)所述漏極接觸孔接觸所述導(dǎo)體層；

設(shè)在所述源極、漏極、及層間絕緣層上的鈍化層，所述鈍化層具有暴露出所述像素定義孔的通孔；

設(shè)在所述像素定義孔內(nèi)且以所述導(dǎo)體層為陽極的白光oled發(fā)光層；

以及設(shè)在所述白光oled發(fā)光層與鈍化層上的金屬陰極；

所述源極、漏極、柵極、柵極絕緣層、與所述源極接觸的導(dǎo)體層部分、與所述漏極接觸的導(dǎo)體層部分、及半導(dǎo)體溝道區(qū)構(gòu)成薄膜晶體管。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種底發(fā)射型白光oled面板的制作方法，一方面將薄膜晶體管與彩膜層制作在同一襯底基板上，無需設(shè)置偏光片，能夠降低制作成本；另一方面在氧化物半導(dǎo)體層上制作出柵極及柵極絕緣層后對所述氧化物半導(dǎo)體層進行整面的等離子體處理，使得所述氧化物半導(dǎo)體層未被所述柵極及柵極絕緣層遮擋的部分電阻降低，形成導(dǎo)體層，而被所述柵極及柵極絕緣層遮擋的部分仍為半導(dǎo)體，形成半導(dǎo)體溝道區(qū)，以所述導(dǎo)體層作為白光oled的陽極，能夠省去單獨制作陽極的黃光與蝕刻制程，另外可省去遮光層、平坦層、與像素定義層的制備，從而能夠簡化工序，減少黃光制程道數(shù)，節(jié)省光罩?jǐn)?shù)量，進一步降低制作成本。本發(fā)明提供的一種底發(fā)射型白光oled面板結(jié)構(gòu)，由上述方法制作而成，結(jié)構(gòu)簡單，制作成本低。

附圖說明

為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為本發(fā)明的底發(fā)射型白光oled面板的制作方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明的底發(fā)射型白光oled面板的制作方法的步驟s1的示意圖；

圖3為本發(fā)明的底發(fā)射型白光oled面板的制作方法的步驟s2的示意圖；

圖4為本發(fā)明的底發(fā)射型白光oled面板的制作方法的步驟s3的示意圖；

圖5為本發(fā)明的底發(fā)射型白光oled面板的制作方法的步驟s4的示意圖；

圖6為本發(fā)明的底發(fā)射型白光oled面板的制作方法的步驟s5的示意圖；

圖7為本發(fā)明的底發(fā)射型白光oled面板的制作方法的步驟s6的示意圖；

圖8為本發(fā)明的底發(fā)射型白光oled面板的制作方法的步驟s7的示意圖；

圖9為本發(fā)明的底發(fā)射型白光oled面板的制作方法的步驟s8的示意圖；

圖10為本發(fā)明的底發(fā)射型白光oled面板的制作方法的步驟s9的示意圖；

圖11為本發(fā)明的底發(fā)射型白光oled面板的制作方法的步驟s10的示意圖；

圖12為本發(fā)明的底發(fā)射型白光oled面板的制作方法的步驟s11的示意圖暨本發(fā)明的底發(fā)射型白光oled面板結(jié)構(gòu)的示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細(xì)描述。

請參閱圖1，本發(fā)明首先提供一種底發(fā)射型白光oled面板的制作方法，包括以下步驟：

步驟s1、如圖2所示，提供襯底基板1并清洗，在所述襯底基板1上依次沉積紅色色阻r、綠色色阻g、及藍色色阻b，形成彩膜層(colorfilter，cf)2。

具體地，所述襯底基板1優(yōu)選玻璃基板。

步驟s2、如圖3所示，在所述彩膜層2上沉積緩沖層3。

具體地，該步驟s2中，緩沖層3的材料為氧化硅(siox)、或氮化硅(sinx)，厚度為

步驟s3、如圖4所示，在所述緩沖層3上沉積氧化物半導(dǎo)體薄膜并進行圖案化處理，形成氧化物半導(dǎo)體層4’。

具體地，該步驟s3中，氧化物半導(dǎo)體薄膜的材料可為銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)、銦鋅錫氧化物(indiumzinctinoxide，izto)、銦鎵鋅錫氧化物(indiumgalliumzinctinoxide，igzto)中的一種，厚度為

步驟s4、如圖5所示，在所述氧化物半導(dǎo)體層4’與緩沖層3上依次沉積絕緣薄膜5’、與第一金屬層6’。

具體地，該步驟s4中，絕緣薄膜5’的材料為siox、或sinx，厚度為第一金屬層的材料為鉬(mo)、鋁(al)、銅(cu)、鈦(ti)中的一種或幾種的層疊組合，厚度為

步驟s5、如圖6所示，先通過黃光、蝕刻制程對所述第一金屬層6’進行圖案化處理，形成柵極6，再以所述柵極6為自對準(zhǔn)圖形來蝕刻絕緣薄膜5’，形成位于所述柵極6下方的柵極絕緣層5。

進一步地，所述柵極6與柵極絕緣層5遮擋部分氧化物半導(dǎo)體層4’，暴露出氧化物半導(dǎo)體層4’的兩側(cè)。

步驟s6、如圖7所示，對所述氧化物半導(dǎo)體層4’進行整面的等離子體(plasma)處理，使得所述氧化物半導(dǎo)體層4’未被所述柵極6及柵極絕緣層5遮擋的部分電阻降低，形成導(dǎo)體層41，而被所述柵極6及柵極絕緣層5遮擋的部分仍為半導(dǎo)體，形成半導(dǎo)體溝道區(qū)42。

具體地，該步驟s6利用氦氣(he)、或氬氣(ar)進行等離子體處理。

步驟s7、如圖8所示，在所述柵極6、導(dǎo)體層41、及緩沖層3上沉積層間絕緣層7并通過黃光、蝕刻制程進行圖案化處理，形成貫穿該層間絕緣層7以分別暴露出導(dǎo)體層41部分表面的源極接觸孔71、漏極接觸孔72、及像素定義孔73。

進一步地，所述源極接觸孔71與漏極接觸孔72分別位于所述柵極6及柵極絕緣層5的兩側(cè)，所述像素定義孔73靠近所述源極接觸孔71。

具體地，該步驟s7中，層間絕緣層7的材料為siox、或sinx，厚度為

步驟s8、如圖9所示，在所述層間絕緣層7上沉積第二金屬層并通過黃光、蝕刻制程進行圖案化處理，形成源極s、及漏極d。所述源極s經(jīng)所述源極接觸孔71接觸所述導(dǎo)體層41，所述漏極d經(jīng)所述漏極接觸孔72接觸所述導(dǎo)體層41。

所述源極s、漏極d、柵極6、柵極絕緣層5、與所述源極s接觸的導(dǎo)體層41部分、與所述漏極d接觸的導(dǎo)體層41部分、及半導(dǎo)體溝道區(qū)42構(gòu)成薄膜晶體管t。

具體地，該步驟s8中，第二金屬層的材料為mo、al、cu、ti中的一種或幾種的層疊組合，厚度為

步驟s9、如圖10所示，在所述源極s、漏極d、及層間絕緣層7上沉積鈍化層9并通過黃光、蝕刻制程進行圖案化處理，形成暴露出所述像素定義孔73的通孔91。

具體地，該步驟s9中，鈍化層9的材料為siox、或sinx，厚度為

步驟s10、如圖11所示，以所述導(dǎo)體層41為陽極在所述像素定義孔73內(nèi)沉積白光oled發(fā)光層10。

步驟s11、在所述白光oled發(fā)光層10與鈍化層9上以熱蒸鍍或濺鍍的方式沉積金屬陰極11。

至此，完成底發(fā)射型白光oled面板的制作。

本發(fā)明的底發(fā)射型白光oled面板的制作方法，一方面采用toc(transistoroncolorfilter)技術(shù)將薄膜晶體管t與彩膜層2制作在同一襯底基板1上，白光oled發(fā)光層10發(fā)出的白光經(jīng)彩膜層2濾光后進行彩色顯示，無需設(shè)置偏光片，能夠降低制作成本；另一方面在氧化物半導(dǎo)體層4’上制作出柵極6及柵極絕緣層5后對所述氧化物半導(dǎo)體層4’進行整面的等離子體處理，使得所述氧化物半導(dǎo)體層4’未被所述柵極6及柵極絕緣層5遮擋的部分電阻降低，形成導(dǎo)體層41，而被所述柵極6及柵極絕緣層5遮擋的部分仍為半導(dǎo)體，形成半導(dǎo)體溝道區(qū)42，以所述導(dǎo)體層41作為白光oled的陽極，能夠省去單獨制作陽極的黃光與蝕刻制程，另外，還省去了遮光層、平坦層、與像素定義層的制備，以層間絕緣層7內(nèi)的像素定義孔73來界定像素區(qū)域，能夠簡化工序，減少4道黃光制程道數(shù)，節(jié)省4個光罩，進一步降低制作成本。

請參閱圖12，基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種由上述方法制得的底發(fā)射型白光oled面板結(jié)構(gòu)，包括：

襯底基板1；

覆蓋所述襯底基板1的彩膜層2；

覆蓋所述彩膜層2的緩沖層3；

設(shè)在所述緩沖層3上的半導(dǎo)體溝道區(qū)42、及分別連接所述半導(dǎo)體溝道區(qū)42兩側(cè)的導(dǎo)體層41；

覆蓋所述半導(dǎo)體溝道區(qū)42的柵極絕緣層5；

覆蓋所述柵極絕緣層5的柵極6；

設(shè)在所述柵極6、導(dǎo)體層41、及緩沖層3上的層間絕緣層7，所述層間絕緣層7具有貫穿該層間絕緣層7以分別暴露出導(dǎo)體層41部分表面的源極接觸孔71、漏極接觸孔72、及像素定義孔73，所述源極接觸孔71與漏極接觸孔72分別位于所述柵極6及柵極絕緣層5的兩側(cè)，所述像素定義孔73靠近所述源極接觸孔71；

設(shè)在所述層間絕緣層7上的源極s、與漏極d，所述源極s經(jīng)所述源極接觸孔71接觸所述導(dǎo)體層41，所述漏極d經(jīng)所述漏極接觸孔72接觸所述導(dǎo)體層41；

設(shè)在所述源極s、漏極d、及層間絕緣層7上的鈍化層9，所述鈍化層9具有暴露出所述像素定義孔73的通孔91；

設(shè)在所述像素定義孔73內(nèi)且以所述導(dǎo)體層41為陽極的白光oled發(fā)光層10；

以及設(shè)在所述白光oled發(fā)光層10與鈍化層9上的金屬陰極11。

其中，所述源極s、漏極d、柵極6、柵極絕緣層5、與所述源極s接觸的導(dǎo)體層41部分、與所述漏極d接觸的導(dǎo)體層41部分、及半導(dǎo)體溝道區(qū)42構(gòu)成薄膜晶體管t；

如上述方法中的步驟s6所述，所述半導(dǎo)體溝道區(qū)42、及分別連接所述半導(dǎo)體溝道區(qū)42兩側(cè)的導(dǎo)體層4通過對氧化物半導(dǎo)體層4’進行整面的等離子體處理得到，所述氧化物半導(dǎo)體層4’未被所述柵極6及柵極絕緣層5遮擋的部分電阻降低，形成導(dǎo)體層41，而被所述柵極6及柵極絕緣層5遮擋的部分仍為半導(dǎo)體，形成半導(dǎo)體溝道區(qū)42。

本發(fā)明的底發(fā)射型白光oled面板結(jié)構(gòu)，將薄膜晶體管t與彩膜層2設(shè)置在同一襯底基板1上，白光oled發(fā)光層10發(fā)出的白光經(jīng)彩膜層2濾光后進行彩色顯示，無需設(shè)置偏光片，制作成本較低；以與半導(dǎo)體溝道區(qū)42位于同一層別的導(dǎo)體層41作為白光oled的陽極，無需專門設(shè)置單獨的陽極，另外，還省去了遮光層、平坦層、與像素定義層的設(shè)置，以層間絕緣層7內(nèi)的像素定義孔73來界定像素區(qū)域，不僅簡化了結(jié)構(gòu)，還能夠進一步降低制作成本。

具體地：所述襯底基板1優(yōu)選玻璃基板；

所述緩沖層3的材料為siox、或sinx，厚度為

所述導(dǎo)體層41及半導(dǎo)體溝道區(qū)42的原始材料為igzo、izto、igzto中的一種，厚度為

所述柵極絕緣層5的材料為siox、或sinx，厚度為

所述柵極6的材料為mo、al、cu、ti中的一種或幾種的層疊組合，厚度為

所述層間絕緣層7的材料為siox、或sinx，厚度為

所述源極s與漏極d的材料均為mo、al、cu、ti中的一種或幾種的層疊組合，厚度為

所述鈍化層9的材料為siox、或sinx，厚度為

綜上所述，本發(fā)明的底發(fā)射型白光oled面板的制作方法，一方面將薄膜晶體管與彩膜層制作在同一襯底基板上，無需設(shè)置偏光片，能夠降低制作成本；另一方面在氧化物半導(dǎo)體層上制作出柵極及柵極絕緣層后對所述氧化物半導(dǎo)體層進行整面的等離子體處理，使得所述氧化物半導(dǎo)體層未被所述柵極及柵極絕緣層遮擋的部分電阻降低，形成導(dǎo)體層，而被所述柵極及柵極絕緣層遮擋的部分仍為半導(dǎo)體，形成半導(dǎo)體溝道區(qū)，以所述導(dǎo)體層作為白光oled的陽極，能夠省去單獨制作陽極的黃光與蝕刻制程，另外可省去遮光層、平坦層、與像素定義層的制備，從而能夠簡化工序，減少黃光制程道數(shù)，節(jié)省光罩?jǐn)?shù)量，進一步降低制作成本。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明的權(quán)利要求的保護范圍。