技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種光電二極管及其制作方法、X射線探測基板及其制作方法，該光電二極管包括：襯底基板，以及位于襯底基板上的本征層、第一摻雜層和第二摻雜層；本征層的上表面在襯底基板上的正投影位于本征層的下表面在襯底基板上的正投影所在區(qū)域內(nèi)；第一摻雜層和第二摻雜層分別位于本征層的相對的兩個傾斜的側(cè)表面上。本發(fā)明實施例提供的上述光電二極管結(jié)構(gòu)，由于第一摻雜層和第二摻雜層分別位于本征層的兩個傾斜的側(cè)表面上，在制作工藝中可以采用離子注入的方式進行摻雜，這樣能夠精確控制摻雜濃度，實現(xiàn)對光電二極管性能的有效控制，并且設(shè)置為傾斜的側(cè)表面可以增大光電二極管的有效受光面積，收集的光生載流子多，產(chǎn)生的信號強度大。

技術(shù)研發(fā)人員：趙磊;田彪
受保護的技術(shù)使用者：京東方科技集團股份有限公司
文檔號碼：201610105256
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.25
技術(shù)公布日：2017.10.17