技術(shù)特征：
1.一種X射線探測基板，其特征在于，包括：薄膜晶體管和PIN光電二極管；其中，所述PIN光電二極管包括：襯底基板，以及位于所述襯底基板上的本征層、第一摻雜層和第二摻雜層；所述本征層的上表面在所述襯底基板上的正投影位于所述本征層的下表面在所述襯底基板上的正投影所在區(qū)域內(nèi)；所述第一摻雜層和第二摻雜層分別位于所述本征層的相對的兩個(gè)傾斜的側(cè)表面上；其中，所述第一摻雜層的圖形為通過構(gòu)圖工藝、離子注入工藝和高溫活化工藝在所述本征層的一個(gè)傾斜的側(cè)表面上形成；所述第二摻雜層的圖形為通過構(gòu)圖工藝、離子注入工藝和高溫活化工藝在所述本征層的與形成有所述第一摻雜層相對的另一個(gè)傾斜的側(cè)表面上形成。2.如權(quán)利要求1所述的X射線探測基板，其特征在于，所述本征層在垂直于所述襯底基板的截面為等腰梯形結(jié)構(gòu)。3.如權(quán)利要求1所述的X射線探測基板，其特征在于，還包括：位于所述第一摻雜層上的第一透明電極層；以及位于所述第二摻雜層上的第二透明電極層。4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的X射線探測基板，其特征在于，所述第一摻雜層為P型半導(dǎo)體層，所述第二摻雜層為N型半導(dǎo)體層；或所述第一摻雜層為N型半導(dǎo)體層，所述第二摻雜層為P型半導(dǎo)體層。5.如權(quán)利要求4所述的X射線探測基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管；所述頂柵型薄膜晶體管的漏極與所述PIN光電二極管的第一透明電極層電連接。6.如權(quán)利要求5所述的X射線探測基板，其特征在于，還包括：位于所述PIN光電二極管的上方的第一保護(hù)層；通過所述第一保護(hù)層的過孔與所述PIN光電二極管的第二透明電極層電連接的陰極。7.如權(quán)利要求6所述的X射線探測基板，其特征在于，所述頂柵型薄膜晶體管的源極、漏極與所述陰極同層設(shè)置。8.如權(quán)利要求1所述的X射線探測基板，其特征在于，還包括：位于所述薄膜晶體管和PIN光電二極管的下方且位于所述襯底基板的上方的第二保護(hù)層。9.如權(quán)利要求1所述的X射線探測基板，其特征在于，還包括：位于所述薄膜晶體管和PIN光電二極管的上方且層疊設(shè)置的樹脂封裝層和閃爍層。10.一種PIN光電二極管的制作方法，其特征在于，包括：在襯底基板上形成本征層的圖形；所述本征層的上表面在所述襯底基板上的正投影位于所述本征層的下表面在所述襯底基板上的正投影所在區(qū)域內(nèi)；通過構(gòu)圖工藝和離子注入工藝在所述本征層的一個(gè)傾斜的側(cè)表面上形成第一摻雜層的圖形；通過構(gòu)圖工藝和離子注入工藝在所述本征層的與形成有所述第一摻雜層相對的另一個(gè)傾斜的側(cè)表面上形成第二摻雜層的圖形；通過高溫活化工藝對所述第一摻雜層和第二摻雜層進(jìn)行離子激活。11.如權(quán)利要求10所述的PIN光電二極管的制作方法，其特征在于，在對所述第一摻雜層和第二摻雜層進(jìn)行離子激活之后，還包括：通過一次構(gòu)圖工藝在所述第一摻雜層上形成第一透明電極層的圖形，以及在所述第二摻雜層上形成第二透明電極層的圖形。12.一種如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述X射線探測基板的制作方法，其特征在于，包括：在襯底基板上形成本征層的圖形；所述本征層的上表面在所述襯底基板上的正投影位于所述本征層的下表面在所述襯底基板上的正投影所在區(qū)域內(nèi)；通過構(gòu)圖工藝和離子注入工藝在所述本征層的一個(gè)傾斜的側(cè)表面上形成第一摻雜層的圖形；通過構(gòu)圖工藝和離子注入工藝在所述本征層的與形成有所述第一摻雜層相對的另一個(gè)傾斜的側(cè)表面上形成第二摻雜層的圖形；通過高溫活化工藝對所述第一摻雜層和第二摻雜層進(jìn)行離子激活；在所述襯底基板上形成薄膜晶體管的圖形。13.如權(quán)利要求12所述的X射線探測基板的制作方法，其特征在于，在對所述第一摻雜層和第二摻雜層進(jìn)行離子激活之后，在形成薄膜晶體管的圖形之前，還包括：通過一次構(gòu)圖工藝在第一摻雜層上形成第一透明電極層的圖形，以及在第二摻雜層上形成第二透明電極層的圖形。14.如權(quán)利要求13所述的X射線探測基板的制作方法，其特征在于，在形成所述第一透明電極層和第二透明電極層圖形之后，還包括：在所述襯底基板上形成第一保護(hù)層的圖形。15.如權(quán)利要求14所述的X射線探測基板的制作方法，其特征在于，在所述襯底基板上形成薄膜晶體管的圖形，具體包括：在形成有所述第一保護(hù)層圖形的襯底基板上形成薄膜晶體管的有源層的圖形；通過一次構(gòu)圖工藝在形成有所述有源層圖形的襯底基板上形成源極、漏極、以及通過所述第一保護(hù)層的過孔與所述第二透明電極層電連接的陰極的圖形；在形成有所述源極和漏極圖形的襯底基板上依次形成柵極絕緣層、柵極的圖形。16.如權(quán)利要求12所述的X射線探測基板的制作方法，其特征在于，在襯底基板上形成本征層的圖形之前，還包括：在襯底基板上形成第二保護(hù)層的圖形。17.如權(quán)利要求15所述的X射線探測基板的制作方法，其特征在于，在形成柵極圖形之后，還包括：在所述襯底基板上依次形成樹脂封裝層和閃爍層的圖形。