本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種光電二極管及其制作方法、X射線探測基板及其制作方法。

背景技術(shù)：
X射線檢測廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、安全、無損檢測、科研等領(lǐng)域，在國計民生中日益發(fā)揮著重要作用。目前，在實際使用中，X射線檢測普遍使用膠片照相法。X射線膠片照相的成像質(zhì)量較高，能正確提供被測試件體貌和缺陷真實情況的可靠信息，但是，它具有操作過程復(fù)雜、運行成本高、結(jié)果不易保存且查詢攜帶不便以及評片人員眼睛易受強光損傷等缺點.為了解決上述問題，20世紀90年代末出現(xiàn)了X射線數(shù)字照相(DigitaIRadiography，DR)檢測技術(shù)。X射線數(shù)字照相系統(tǒng)中使用了平板探測器(flatpaneldetector)，其像元尺寸可小于0.1mm，因而其成像質(zhì)量及分辨率幾乎可與膠片照相媲美，同時還克服了膠片照相中表現(xiàn)出來的缺點，也為圖像的計算機處理提供了方便。由于電子轉(zhuǎn)換模式不同，數(shù)字化X射線照相檢測可分為直接轉(zhuǎn)換型(DirectDR)和間接轉(zhuǎn)換型(IndirectDR).直接轉(zhuǎn)化型X射線平板探測器由射線接收器、命令處理器和電源組成。射線接收器中包含有閃爍晶體屏(Gd2O2S或CsI)、大面積非晶硅傳感器陣列以及讀出電路等。其中，閃爍晶體屏用來將X射線光子轉(zhuǎn)換成可見光，與其緊貼的大規(guī)模集成非晶硅傳感器陣列將屏上的可見光轉(zhuǎn)換成電子，然后由讀出電路將其數(shù)字化，傳送到計算機中形成可顯示的數(shù)字圖像。間接轉(zhuǎn)換型探測器由X射線轉(zhuǎn)換層與非晶硅光電二極管、薄膜晶體管、信號存儲基本像素單元及信號放大與信號讀取等組成。間接平板探測器的結(jié)構(gòu)主要是由閃爍體(碘化銫)或熒光體(硫氧化釓)層加具有光電二極管作用的非晶硅層，再加TFT陣列構(gòu)成。此類的平板探測器閃爍體或熒光體層經(jīng)X射線曝光后可以將X射線轉(zhuǎn)換為電信號，通過薄膜晶體管陣列將每個像素的電荷信號讀出并轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號并傳送到計算機圖像處理系統(tǒng)集成為X射線影像。PIN光電二極管是間接型X射線探測基板的關(guān)鍵組成，其決定了可見光的吸收效率，對于X射線劑量、X射線成像的分辨率、圖像的響應(yīng)速度等關(guān)鍵指標(biāo)有很大影響。間接型X射線探測基板的PIN的制備工藝方法主要采用PECVD技術(shù)，通過不同的工藝氣體(如：SiH4、NH3、N2O、PH3、H2、B2H6等)可以同時方便快捷的形成PIN器件，但是其缺點為摻雜濃度較固定，不能精確控制，無法實現(xiàn)特殊區(qū)域化的摻雜。因此，如何設(shè)計一種新的PIN光電二極管結(jié)構(gòu)，能夠精確控制摻雜濃度，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種光電二極管及其制作方法、X射線探測基板及其制作方法，可以精確控制摻雜濃度。因此，本發(fā)明實施例提供了一種PIN光電二極管，包括：襯底基板，以及位于所述襯底基板上的本征層、第一摻雜層和第二摻雜層；所述本征層的上表面在所述襯底基板上的正投影位于所述本征層的下表面在所述襯底基板上的正投影所在區(qū)域內(nèi)；所述第一摻雜層和第二摻雜層分別位于所述本征層的相對的兩個傾斜的側(cè)表面上。在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述PIN光電二極管中，所述本征層在垂直于所述襯底基板的截面為等腰梯形結(jié)構(gòu)。在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述PIN光電二極管中，還包括：位于所述第一摻雜層上的第一透明電極層；以及位于所述第二摻雜層上的第二透明電極層。在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述PIN光電二極管中，所述第一摻雜層為P型半導(dǎo)體層，所述第二摻雜層為N型半導(dǎo)體層；或所述第一摻雜層為N型半導(dǎo)體層，所述第二摻雜層為P型半導(dǎo)體層。本發(fā)明實施例還提供了一種X射線探測基板，包括：薄膜晶體管和PIN光電二極管；其中，所述PIN光電二極管為本發(fā)明實施例提供的上述PIN光電二極管。在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板中，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管；所述頂柵型薄膜晶體管的漏極與所述PIN光電二極管的第一透明電極層電連接。在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板中，還包括：位于所述PIN光電二極管的上方的第一保護層；通過所述第一保護層的過孔與所述PIN光電二極管的第二透明電極層電連接的陰極。在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板中，所述頂柵型薄膜晶體管的源極、漏極與所述陰極同層設(shè)置。在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板中，還包括：位于所述薄膜晶體管和PIN光電二極管的下方且位于所述襯底基板的上方的第二保護層。在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板中，還包括：位于所述薄膜晶體管和PIN光電二極管的上方且層疊設(shè)置的樹脂封裝層和閃爍層。本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的上述PIN光電二極管的制作方法，包括：在襯底基板上形成本征層的圖形；所述本征層的上表面在所述襯底基板上的正投影位于所述本征層的下表面在所述襯底基板上的正投影所在區(qū)域內(nèi)；通過構(gòu)圖工藝和離子注入工藝在所述本征層的一個傾斜的側(cè)表面上形成第一摻雜層的圖形；通過構(gòu)圖工藝和離子注入工藝在所述本征層的與形成有所述第一摻雜層相對的另一個傾斜的側(cè)表面上形成第二摻雜層的圖形；通過高溫活化工藝對所述第一摻雜層和第二摻雜層進行離子激活。在一種可能的實現(xiàn)方式中，本發(fā)明實施例提供的上述PIN光電二極管的制作方法中，在對所述第一摻雜層和第二摻雜層進行離子激活之后，還包括：通過一次構(gòu)圖工藝在所述第一摻雜層上形成第一透明電極層的圖形，以及在所述第二摻雜層上形成第二透明電極層的圖形。本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板的制作方法，包括：在襯底基板上形成本征層的圖形；所述本征層的上表面在所述襯底基板上的正投影位于所述本征層的下表面在所述襯底基板上的正投影所在區(qū)域內(nèi)；通過構(gòu)圖工藝和離子注入工藝在所述本征層的一個傾斜的側(cè)表面上形成第一摻雜層的圖形；通過構(gòu)圖工藝和離子注入工藝在所述本征層的與形成有所述第一摻雜層相對的另一個傾斜的側(cè)表面上形成第二摻雜層的圖形；通過高溫活化工藝對所述第一摻雜層和第二摻雜層進行離子激活；在所述襯底基板上形成薄膜晶體管的圖形。在一種可能的實現(xiàn)方式中，本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板的制作方法中，在對所述第一摻雜層和第二摻雜層進行離子激活之后，在形成薄膜晶體管的圖形之前，還包括：通過一次構(gòu)圖工藝在第一摻雜層上形成第一透明電極層的圖形，以及在第二摻雜層上形成第二透明電極層的圖形。在一種可能的實現(xiàn)方式中，本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板的制作方法中，在形成所述第一透明電極層和第二透明電極層圖形之后，還包括：在所述襯底基板上形成第一保護層的圖形。在一種可能的實現(xiàn)方式中，本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板的制作方法中，在所述襯底基板上形成薄膜晶體管的圖形，具體包括：在形成有所述第一保護層圖形的襯底基板上形成薄膜晶體管的有源層的圖形；通過一次構(gòu)圖工藝在形成有所述有源層圖形的襯底基板上形成源極、漏極、以及通過所述第一保護層的過孔與所述第二透明電極層電連接的陰極的圖形；在形成有所述源極和漏極圖形的襯底基板上依次形成柵極絕緣層、柵極的圖形。在一種可能的實現(xiàn)方式中，本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板的制作方法中，在襯底基板上形成本征層的圖形之前，還包括：在襯底基板上形成第二保護層的圖形。在一種可能的實現(xiàn)方式中，本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板的制作方法中，在形成柵極圖形之后，還包括：在所述襯底基板上依次形成樹脂封裝層和閃爍層的圖形。本發(fā)明實施例的有益效果包括：本發(fā)明實施例提供的一種光電二極管及其制作方法、X射線探測基板及其制作方法，該光電二極管包括：襯底基板，以及位于襯底基板上的本征層、第一摻雜層和第二摻雜層；本征層的上表面在襯底基板上的正投影位于本征層的下表面在襯底基板上的正投影所在區(qū)域內(nèi)；第一摻雜層和第二摻雜層分別位于本征層的相對的兩個傾斜的側(cè)表面上。本發(fā)明實施例提供的上述光電二極管結(jié)構(gòu)，由于第一摻雜層和第二摻雜層分別位于本征層的兩個傾斜的側(cè)表面上，在制作工藝中可以采用離子注入的方式進行摻雜，這樣能夠精確控制摻雜濃度，實現(xiàn)對光電二極管性能的有效控制，并且設(shè)置為傾斜的側(cè)表面可以增大光電二極管的有效受光面積，收集的光生載流子多，產(chǎn)生的信號強度大。附圖說明圖1為本發(fā)明實施例提供的PIN光電二極管的結(jié)構(gòu)示意圖之一；圖2為本發(fā)明實施例提供的PIN光電二極管的結(jié)構(gòu)示意圖之二；圖3為本發(fā)明實施例提供的PIN光電二極管的制作方法流程圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的X射線探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；圖5為本發(fā)明實施例提供的X射線探測基板的結(jié)構(gòu)示意圖之二；圖6為本發(fā)明實施例提供的X射線探測基板的制作方法流程圖之一；圖7為本發(fā)明實施例提供的X射線探測基板的制作方法流程圖之二。具體實施方式下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實施例提供的光電二極管及其制作方法、X射線探測基板及其制作方法的具體實施方式進行詳細地說明。其中，附圖中各膜層的厚度和形狀不反映PIN光電二極管和X射線探測基板的真實比例，目的只是示意說明本

技術(shù)實現(xiàn)要素：
。本發(fā)明實施例提供了一種PIN光電二極管，如圖1所示，包括：襯底基板10，以及位于襯底基板10上的本征層11、第一摻雜層12和第二摻雜層13；本征層11的上表面在襯底基板10上的正投影位于本征層11的下表面在襯底基板10上的正投影所在區(qū)域內(nèi)；第一摻雜層12和第二摻雜層13分別位于本征層11的相對的兩個傾斜的側(cè)表面上。在本發(fā)明實施例提供的上述PIN光電二極管，由于在PIN光電二極管中設(shè)置的第一摻雜層和第二摻雜層分別位于本征層的相對的兩個傾斜的側(cè)表面上，在第一摻雜層和第二摻雜層的制作工藝中可以采用離子注入的方式進行摻雜，這樣能夠精確控制摻雜濃度，實現(xiàn)對光電二極管性能的有效控制，并且設(shè)置為傾斜的側(cè)表面可以增大光電二極管的有效受光面積，收集的光生載流子多，產(chǎn)生的信號強度大。在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述PIN光電二極管中，如圖1所示，本征層11在垂直于襯底基板10的截面可以設(shè)置為等腰梯形結(jié)構(gòu)，這樣可以使第一摻雜層和第二摻雜層的大小相同，進而保證光電二極管的性能。需要說明的是，本征層的厚度可以設(shè)置為至對于本征層的厚度可以根據(jù)實際情況而定，在此不做限定。進一步地，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述PIN光電二極管中，如圖2所示，該PIN光電二極管還可以包括：位于第一摻雜層12上的第一透明電極層14；以及位于第二摻雜層13上的第二透明電極層15。也就是說，在PIN光電二極管設(shè)置的透明電極層設(shè)置成兩個部分，以便于在應(yīng)用于X射線探測基板中，其中一部分可以與陰極電連接，另一部分可以與薄膜晶體管中的漏極電連接，使結(jié)構(gòu)更簡單化。需要說明的是，該第一透明電極層和第二透明電極層的材料可以設(shè)置為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、石墨烯、納米銀線、氧化鋅(ZnO)其中之一或組合。對于第一透明電極層和第二透明電極層的材料可以根據(jù)實際情況而定，在此不做限定。在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述PIN光電二極管中，第一摻雜層可以設(shè)置為P型半導(dǎo)體層時，那么第二摻雜層則為N型半導(dǎo)體層；或第一摻雜層可以設(shè)置為N型半導(dǎo)體層，那么第二摻雜層則為P型半導(dǎo)體層。對于第一摻雜層和第二摻雜層的種類可以根據(jù)實際情況而定，在此不做限定?；谕话l(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的上述PIN光電二極管的制作方法，由于該方法解決問題的原理與前述一種PIN光電二極管相似，因此該方法的實施可以參見PIN光電二極管的實施，重復(fù)之處不再贅述。在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的PIN光電二極管的制作方法，如圖3所示，具體包括以下步驟：S301、在襯底基板上形成本征層的圖形；本征層的上表面在襯底基板上的正投影位于本征層的下表面在襯底基板上的正投影所在區(qū)域內(nèi)；S302、通過構(gòu)圖工藝和離子注入工藝在本征層的一個傾斜的側(cè)表面上形成第一摻雜層的圖形；S303、通過構(gòu)圖工藝和離子注入工藝在本征層的與形成有第一摻雜層相對的另一個傾斜的側(cè)表面上形成第二摻雜層的圖形；S304、通過高溫活化工藝對第一摻雜層和第二摻雜層進行離子激活。在本發(fā)明實施例提供的上述PIN光電二極管的制作工藝中，由于可以采用離子注入對位于本征層兩個傾斜的側(cè)表面上的第一摻雜層和第二摻雜層進行摻雜，這樣能夠精確控制摻雜濃度，實現(xiàn)對光電二極管性能的有效控制。需要說明是，在執(zhí)行步驟S302時，即在形成第一摻雜層圖形的過程中，構(gòu)圖工藝具體是指在本征層的表面涂覆一層光刻膠，通過曝光、顯影工藝，將待形成第一摻雜層圖形的區(qū)域的光刻膠去除掉，之后進行離子注入工藝，最后進行光刻膠的剝離；同理，在執(zhí)行步驟S303時，即在形成第二摻雜層圖形的過程中，構(gòu)圖工藝具體是指在本征層的表面涂覆一層光刻膠，通過曝光、顯影工藝，將待形成第二摻雜層圖形的區(qū)域的光刻膠去除掉，之后進行離子注入工藝，最后進行光刻膠的剝離。在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述PIN光電二極管的制作方法中，步驟S304在對第一摻雜層和第二摻雜層進行離子激活之后，還可以包括：通過一次構(gòu)圖工藝在第一摻雜層上形成第一透明電極層的圖形，以及在第二摻雜層上形成第二透明電極層的圖形。下面以一個具體的實例詳細的說明本發(fā)明實施例提供的PIN光電二極管的制作方法，制作PIN光電二極管的具體步驟如下：步驟一、在襯底基板上形成本征層的圖形；在具體實施時，在襯底基板上沉積一層α-Si:H薄膜，該α-Si:H薄膜的厚度范圍可以設(shè)置在通過涂膠、曝光、顯影、后烘并刻蝕實現(xiàn)α-Si:H本征層的圖形化并剝離光刻膠；此時，形成的α-Si:H本征層圖形的上表面在襯底基板上的正投影位于α-Si:H本征層圖形的下表面在襯底基板上的正投影所在區(qū)域內(nèi)；步驟二、通過構(gòu)圖工藝和離子注入工藝在本征層的一個傾斜的側(cè)表面上形成第一摻雜層的圖形；在具體實施時，在步驟一后形成的本征層圖形上涂覆一層光刻膠，對光刻膠進行曝光、顯影、后烘并刻蝕，實現(xiàn)P+α-Si:H第一摻雜層的圖形化；之后采用離子注入工藝實現(xiàn)P+α-Si:H第一摻雜層的摻雜；最后將本征層上的光刻膠進行剝離；步驟三、通過構(gòu)圖工藝和離子注入工藝在本征層的與形成有第一摻雜層相對的另一個傾斜的側(cè)表面上形成第二摻雜層的圖形；在具體實施時，在本征層圖形上涂覆一層光刻膠，對光刻膠進行曝光、顯影、后烘并刻蝕，實現(xiàn)N+α-Si:H第二摻雜層的圖形化；之后采用離子注入工藝實現(xiàn)N+α-Si:H第二摻雜層的摻雜；最后將本征層上的光刻膠進行剝離；步驟四、通過高溫活化工藝對第一摻雜層和第二摻雜層進行離子激活；在具體實施時，采用高溫活化工藝，例如準(zhǔn)分子激光退火(ELA)、快速熱退火(RTA)、高溫爐加熱(OVEN)等工藝，對第一摻雜層和第二摻雜層注入的離子進行激活；步驟五、通過一次構(gòu)圖工藝在第一摻雜層上形成第一透明電極層的圖形，以及在第二摻雜層上形成第二透明電極層的圖形；在具體實施時，在執(zhí)行完步驟四后，在形成有第一摻雜層、第二摻雜層、本征層圖形的襯底基板上沉積一層電極層，該電極層的材料可以設(shè)置為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、石墨烯、納米銀線、氧化鋅(ZnO)其中之一或組合；對電極層進行一次構(gòu)圖工藝，即通過涂膠、曝光、顯影、后烘并刻蝕，在第一摻雜層上形成第一透明電極層的圖形，以及在第二摻雜層上形成第二透明電極層的圖形。至此，經(jīng)過具體實例提供的上述步驟一至步驟五制作出了本發(fā)明實施例提供的上述PIN光電二極管。本發(fā)明實施例提供了一種X射線探測基板，如圖4所示，包括：薄膜晶體管(TFT)和PIN光電二極管；其中，PIN光電二極管為上述任一種方式的PIN光電二極管。該X射線探測基板的實施可以參見上述PIN光電二極管的實施例，重復(fù)之處不再贅述。在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板，包括薄膜晶體管和上述任一種方式的PIN光電二極管，該PIN光電二極管中的本征層的上表面在襯底基板上的正投影位于本征層的下表面在襯底基板上的正投影所在區(qū)域內(nèi)；第一摻雜層和第二摻雜層分別位于本征層的相對的兩個傾斜的側(cè)表面上，這樣，能夠精確控制摻雜濃度，降低X射線的照射強度，實現(xiàn)對光電二極管性能的有效控制，并且設(shè)置為傾斜的側(cè)表面可以增大光電二極管的有效受光面積，收集的光生載流子多，產(chǎn)生的信號強度大。在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板中，如圖4所示，薄膜晶體管可以設(shè)置為頂柵型薄膜晶體管；并且頂柵型薄膜晶體管的漏極21與PIN光電二極管的第一透明電極層14電連接，這樣的結(jié)構(gòu)可以使得薄膜晶體管的有源層22受到薄膜晶體管的柵極23的保護，在X射線探測基板工作時不會有光照射到有源層，避免了光照對有源層性能的影響，即有效地隔光保護。在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板中，如圖4所示，該X射線探測基板還可以包括：位于PIN光電二極管的上方的第一保護層24；以及通過第一保護層24的過孔與PIN光電二極管的第二透明電極層15電連接的陰極25。該第一保護層可以避免在制作工藝中對PIN光電二極管的本征層的性能造成影響。在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板中，如圖4所示，可以將頂柵型薄膜晶體管的源極26、漏極21與陰極25同層設(shè)置，將源極、漏極與陰極同層設(shè)置，這樣，在制備X射線探測基板時不需要增加額外的制備工序，只需要通過一次構(gòu)圖工藝即可形成源極、漏極與陰極的圖形，能夠節(jié)省制備成本，簡化制作工藝，提高生產(chǎn)效率。在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板中，為了提高薄膜晶體管和PIN光電二極管分別與襯底基板的接觸性能，如圖5所示，該X射線探測基板還可以包括：位于薄膜晶體管和PIN光電二極管的下方且位于襯底基板10的上方的第二保護層27。在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板中，如圖4和圖5所示，該X射線探測基板還可以包括：位于薄膜晶體管和PIN光電二極管的上方且層疊設(shè)置的樹脂封裝層28和閃爍層29。基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板的制作方法，由于該方法解決問題的原理與前述一種X射線探測基板相似，因此該方法的實施可以參見X射線探測基板的實施，重復(fù)之處不再贅述。在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的X射線探測基板的制作方法，如圖6所示，具體包括以下步驟：S601、在襯底基板上形成本征層的圖形；本征層的上表面在襯底基板上的正投影位于本征層的下表面在襯底基板上的正投影所在區(qū)域內(nèi)；S602、通過構(gòu)圖工藝和離子注入工藝在本征層的一個傾斜的側(cè)表面上形成第一摻雜層的圖形；S603、通過構(gòu)圖工藝和離子注入工藝在本征層的與形成有第一摻雜層相對的另一個傾斜的側(cè)表面上形成第二摻雜層的圖形；S604、通過高溫活化工藝對第一摻雜層和第二摻雜層進行離子激活；S605、在襯底基板上形成薄膜晶體管的圖形。在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板的制作工藝中，由于可以采用離子注入對位于本征層兩個傾斜的側(cè)表面上的第一摻雜層和第二摻雜層進行摻雜，這樣能夠精確控制摻雜濃度，降低X射線的照射強度，實現(xiàn)對光電二極管性能的有效控制。需要說明的是，在執(zhí)行完步驟S601至S604之后，再執(zhí)行步驟S605形成薄膜晶體管的圖形，可以避免高溫工藝對薄膜晶體管性能的影響，實現(xiàn)離子注入工藝應(yīng)用在X射線探測基板制備的可行性。在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板的制作方法中，步驟S604在對第一摻雜層和第二摻雜層進行離子激活之后，步驟S605在形成薄膜晶體管的圖形之前，如圖7所示，還可以包括：S606、通過一次構(gòu)圖工藝在第一摻雜層上形成第一透明電極層的圖形，以及在第二摻雜層上形成第二透明電極層的圖形。在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板的制作方法中，步驟S606在形成第一透明電極層和第二透明電極層圖形之后，如圖7所示，還可以包括：S607、在襯底基板上形成第一保護層的圖形。在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板的制作方法中，步驟S605在襯底基板上形成薄膜晶體管的圖形，如圖7所示，具體可以采用如下方式實現(xiàn)：S701、在形成有第一保護層圖形的襯底基板上形成薄膜晶體管的有源層的圖形；S702、通過一次構(gòu)圖工藝在形成有有源層圖形的襯底基板上形成源極、漏極、以及通過第一保護層的過孔與第二透明電極層電連接的陰極的圖形；S703、在形成有源極和漏極圖形的襯底基板上依次形成柵極絕緣層、柵極的圖形。在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板的制作方法中，步驟S601在襯底基板上形成本征層的圖形之前，如圖7所示，還可以包括：S704、在襯底基板上形成第二保護層的圖形。在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板的制作方法中，步驟S703在形成柵極圖形之后，如圖7所示，還可以包括：S705、在襯底基板上依次形成樹脂封裝層和閃爍層的圖形。下面以一個具體的實例詳細的說明本發(fā)明實施例提供的X射線探測基板的制作方法，制作X射線探測基板的具體步驟如下：步驟一、在襯底基板上形成第二保護層的圖形；在具體實施時，在襯底基板上沉積一層第二保護層薄膜，該第二保護層薄膜的材料可以設(shè)置為SixOy、SixNy、SixOyNz、AlxOy、TixOy其中之一或組合；對第二保護層薄膜進行構(gòu)圖工藝，即通過涂膠、曝光、顯影、后烘并刻蝕，在襯底基板上形成第二保護層的圖形；步驟二、在襯底基板上形成本征層的圖形；在具體實施時，在執(zhí)行完步驟一形成有第二保護層圖形的襯底基板上沉積一層α-Si:H薄膜，該α-Si:H薄膜的厚度范圍可以設(shè)置在通過涂膠、曝光、顯影、后烘并刻蝕實現(xiàn)α-Si:H本征層的圖形化并剝離光刻膠；此時，形成的α-Si:H本征層圖形的上表面在襯底基板上的正投影位于α-Si:H本征層圖形的下表面在襯底基板上的正投影所在區(qū)域內(nèi)；步驟三、通過構(gòu)圖工藝和離子注入工藝在本征層的一個傾斜的側(cè)表面上形成第一摻雜層的圖形；在具體實施時，在步驟二后形成的本征層圖形上涂覆一層光刻膠，對光刻膠進行曝光、顯影、后烘并刻蝕，實現(xiàn)P+α-Si:H第一摻雜層的圖形化；之后采用離子注入工藝實現(xiàn)P+α-Si:H第一摻雜層的摻雜；最后將本征層上的光刻膠進行剝離；步驟四、通過構(gòu)圖工藝和離子注入工藝在本征層的與形成有第一摻雜層相對的另一個傾斜的側(cè)表面上形成第二摻雜層的圖形；在具體實施時，在本征層圖形上涂覆一層光刻膠，對光刻膠進行曝光、顯影、后烘并刻蝕，實現(xiàn)N+α-Si:H第二摻雜層的圖形化；之后采用離子注入工藝實現(xiàn)N+α-Si:H第二摻雜層的摻雜；最后將本征層上的光刻膠進行剝離；步驟五、通過高溫活化工藝對第一摻雜層和第二摻雜層進行離子激活；在具體實施時，采用高溫活化工藝，例如準(zhǔn)分子激光退火(ELA)、快速熱退火(RTA)、高溫爐加熱(OVEN)等工藝，對第一摻雜層和第二摻雜層注入的離子進行激活；步驟六、通過一次構(gòu)圖工藝在第一摻雜層上形成第一透明電極層的圖形，以及在第二摻雜層上形成第二透明電極層的圖形；在具體實施時，在執(zhí)行完步驟五后，在形成有第一摻雜層、第二摻雜層、本征層圖形的襯底基板上沉積一層電極層，該電極層的材料可以設(shè)置為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、石墨烯、納米銀線、氧化鋅(ZnO)其中之一或組合；對電極層進行一次構(gòu)圖工藝，即通過涂膠、曝光、顯影、后烘并刻蝕，在第一摻雜層上形成第一透明電極層的圖形，以及在第二摻雜層上形成第二透明電極層的圖形；步驟七、在襯底基板上形成第一保護層的圖形；在具體實施時，在執(zhí)行完步驟六后，在形成有第二保護層、第一透明電極層、第二透明電極層、本征層圖形的襯底基板上沉積一層第一保護層薄膜，該第一保護層薄膜的材料可以設(shè)置為SixOy、SixNy、SixOyNz、AlxOy、TixOy其中之一或組合；對第一保護層薄膜進行構(gòu)圖工藝，即通過涂膠、曝光、顯影、后烘并刻蝕，在襯底基板上形成第一保護層以及第一保護層的過孔的圖形；步驟八、在形成有第一保護層圖形的襯底基板上形成薄膜晶體管的有源層的圖形；在具體實施時，在執(zhí)行完步驟七后，在形成有第一保護層圖形的襯底基板上沉積一層有源層薄膜，該有源層薄膜的材料可以設(shè)置為α-Si:H、LTPS、IGZO、ITZO、ZnON其中之一或組合；對有源層薄膜進行構(gòu)圖工藝，即通過涂膠、曝光、顯影、后烘并刻蝕，在襯底基板上形成薄膜晶體管的有源層的圖形；步驟九、通過一次構(gòu)圖工藝在形成有有源層圖形的襯底基板上形成源極、漏極、以及通過第一保護層的過孔與第二透明電極層電連接的陰極的圖形；在具體實施時，在執(zhí)行完步驟八后，在形成有源層圖形的襯底基板上形成一層源漏極金屬層，該源漏極金屬層的材料可以設(shè)置為Mo、Al、Ti、Cu、Nd、Nb其中之一或組合；對源漏極金屬層進行一次構(gòu)圖工藝，即通過涂膠、曝光、顯影、后烘并刻蝕，在襯底基板上形成源極、漏極、以及通過第一保護層的過孔與第二透明電極層電連接的陰極的圖形；步驟十、在形成有源極和漏極圖形的襯底基板上依次形成柵極絕緣層、柵極的圖形；在具體實施時，在形成有源極和漏極圖形的襯底基板上沉積一層?xùn)艠O絕緣層薄膜，該柵極絕緣層薄膜的材料可以設(shè)置為SixOy、SixNy、SixOyNz、AlxOy、TixOy其中之一或組合；對柵極絕緣層薄膜進行構(gòu)圖工藝，即通過涂膠、曝光、顯影、后烘并刻蝕，在襯底基板上形成柵極絕緣層的圖形；之后在柵極絕緣層上沉積一層?xùn)艠O金屬層，該柵極金屬層的材料可以設(shè)置為Mo、Al、Ti、Cu、Nd、Nb其中之一或組合；對柵極金屬層進行構(gòu)圖工藝，即通過涂膠、曝光、顯影、后烘并刻蝕，在柵極絕緣層上形成柵極的圖形；步驟十一、在襯底基板上依次形成樹脂封裝層和閃爍層的圖形；在具體實施時，在執(zhí)行完步驟十后，在襯底基板上涂覆一層樹脂封裝層薄膜，對樹脂封裝層薄膜進行構(gòu)圖工藝，即通過涂膠、曝光、顯影、后烘并刻蝕，在襯底基板上形成樹脂封裝層的圖形；之后在樹脂封裝層上蒸鍍一層閃爍層，該閃爍層的材料可以設(shè)置為Gd2O2S、CsI、HgI其中之一或組合；最后封裝完成X射線探測基板制備。至此，經(jīng)過具體實例提供的上述步驟一至步驟十一制作出了本發(fā)明實施例提供的上述X射線探測基板。本發(fā)明實施例提供的一種光電二極管及其制作方法、X射線探測基板及其制作方法，該光電二極管包括：襯底基板，以及位于襯底基板上的本征層、第一摻雜層和第二摻雜層；本征層的上表面在襯底基板上的正投影位于本征層的下表面在襯底基板上的正投影所在區(qū)域內(nèi)；第一摻雜層和第二摻雜層分別位于本征層的相對的兩個傾斜的側(cè)表面上。本發(fā)明實施例提供的上述光電二極管結(jié)構(gòu)，由于第一摻雜層和第二摻雜層分別位于本征層的兩個傾斜的側(cè)表面上，在制作工藝中可以采用離子注入的方式進行摻雜，這樣能夠精確控制摻雜濃度，實現(xiàn)對光電二極管性能的有效控制，并且設(shè)置為傾斜的側(cè)表面可以增大光電二極管的有效受光面積，收集的光生載流子多，產(chǎn)生的信號強度大。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。