1.一種去除半導(dǎo)體元件表面上的光致抗蝕劑的清洗液，所述半導(dǎo)體元件具有低介電常數(shù)膜(Low-k膜)和包含10原子％以上的鎢的材料，
所述清洗液包含堿土金屬化合物0.001～5質(zhì)量％、無(wú)機(jī)堿和/或有機(jī)堿0.1～30質(zhì)量％、以及水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗液，其pH值為10～14。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的清洗液，其中，所述包含10原子％以上的鎢的材料為選自由氧化鎢、氮化鎢、鎢和硅化鎢組成的組中的至少1種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的清洗液，其中，所述堿土金屬化合物為選自由鈣化合物、鍶化合物和鋇化合物組成的組中的至少1種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的清洗液，其中，所述無(wú)機(jī)堿為選自由氫氧化鋰、碳酸鋰、碳酸氫鋰、乙酸鋰、氫氧化鈉、碳酸鈉、碳酸氫鈉、乙酸鈉、氫氧化鉀、碳酸鉀、碳酸氫鉀、乙酸鉀、氫氧化銫、碳酸銫、碳酸氫銫、乙酸銫和氨組成的組中的1種以上，
所述有機(jī)堿為選自由四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、膽堿、甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、丙胺、二丙胺、丁胺、二丁胺、戊胺、己胺、庚胺、辛胺、乙醇胺、2-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺和1-氨基-2-丙醇組成的組中的1種以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的清洗液，其實(shí)質(zhì)上不包含過(guò)氧化物、高氯酸和高氯酸鹽。
7.一種去除半導(dǎo)體元件表面上的光致抗蝕劑的清洗方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件具有低介電常數(shù)膜(Low-k膜)和包含10原子％以上的鎢的材料，
所述清洗方法使用權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的清洗液。