技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種用于OLED的導電載體(100)，其按以下順序包括：??玻璃基材；??由金屬網(wǎng)格(2)形成的電極，金屬網(wǎng)格(2)由線帶(20)構(gòu)成；??在所述金屬柵格(20)下方的絕緣光提取層(41)，和??在其厚度中部分結(jié)構(gòu)化的層(3)，該層(3)具有給定的組成并且具有1.7至2.3的折射指數(shù)n3，并且位于光提取層上，該部分結(jié)構(gòu)化層(3)由具有含金屬柵格的空腔的結(jié)構(gòu)化區(qū)域(31)和從位于所述光提取層上的稱為低區(qū)域的另一區(qū)域(31)形成，在結(jié)構(gòu)化區(qū)域(31)的被稱為高表面(31')的表面和金屬柵格(2)的被稱為上表面并因此離基材最遠的表面之間的距離H大于100nm。線帶(2)沿著它們的長度具有在與高表面(31')齊平的側(cè)方區(qū)域(22,22')之間的中心區(qū)域(21)。

技術(shù)研發(fā)人員：D.吉馬爾;J.博茲
受保護的技術(shù)使用者：法國圣戈班玻璃廠
文檔號碼：201580038733
技術(shù)研發(fā)日：2015.07.09
技術(shù)公布日：2017.03.22