提出一種光電子半導(dǎo)體組件。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

要實現(xiàn)的目的是，提出一種光電子半導(dǎo)體組件，所述光電子半導(dǎo)體組件發(fā)射具有高的顯色指數(shù)和/或具有高的色彩對比指數(shù)的輻射。

所述目的還通過具有權(quán)利要求1的特征的光電子半導(dǎo)體組件實現(xiàn)。優(yōu)選的改進方案是從屬權(quán)利要求的主題。

根據(jù)至少一個實施方式，光電子半導(dǎo)體組件包括一個或多個光電子半導(dǎo)體芯片。至少一個光電子半導(dǎo)體芯片設(shè)計用于產(chǎn)生初級輻射。優(yōu)選地，初級輻射位于近紫外的和/或可見的光譜范圍中，例如位于藍(lán)色的光譜范圍中。初級輻射的主波長，英語為peak wavelength(峰值波長)，尤其至少為340nm或420nm或440nm和/或最高為500nm或485nm或470nm。光電子半導(dǎo)體組件能夠是發(fā)光二極管或激光二極管。

根據(jù)至少一個實施方式，半導(dǎo)體組件包括至少一種發(fā)光材料或至少一種發(fā)光材料混合物。發(fā)光材料或發(fā)光材料混合物設(shè)計用于將初級輻射部分地或完全地轉(zhuǎn)換為更長波長的次級輻射。次級輻射完全地或部分地位于可見的光譜范圍中。例如，次級輻射具有從可見的光譜范圍到近紅外的光譜范圍中的尾段在下文中，為了更好的可讀性，同義地使用術(shù)語發(fā)光材料混合物和發(fā)光材料。

根據(jù)至少一個實施方式，半導(dǎo)體組件具有一種或多種濾波材料。至少一種濾波材料設(shè)計用于部分地吸收次級輻射。優(yōu)選地，濾波材料在初級輻射的范圍中不吸收或僅以可忽略的方式吸收。換言之，濾波材料優(yōu)選對于初級輻射是輻射可穿透的并且不進行吸收或不顯著地吸收。

根據(jù)一個實施方式，發(fā)光材料和濾波材料緊密地與半導(dǎo)體芯片連接。這能夠意味著，在半導(dǎo)體組件的常規(guī)使用中，半導(dǎo)體芯片不與發(fā)光材料和濾波材料脫離。同樣，發(fā)光材料和濾波材料形狀配合地且直接安裝在半導(dǎo)體芯片上。尤其，在半導(dǎo)體芯片和發(fā)光材料和/或濾波材料之間僅存在一個連接機構(gòu)，發(fā)光材料和/或濾波材料借助于所述連接機構(gòu)安裝在半導(dǎo)體芯片上。此外，在半導(dǎo)體芯片和發(fā)光材料和/或濾波材料之間不存在抽真空的或填充氣體的縫隙。換言之，在半導(dǎo)體芯片和發(fā)光材料和/或濾波材料之間優(yōu)選存在由固定材料構(gòu)成的連續(xù)的材料連接。

在至少一個實施方式中，光電子半導(dǎo)體組件包括至少一個光電子半導(dǎo)體芯片，所述光電子半導(dǎo)體芯片用于產(chǎn)生在近紫外的或可見的光譜范圍中的初級輻射。用于將初級輻射部分地或全部地轉(zhuǎn)換為更長波長的次級輻射的至少一種發(fā)光材料沿著放射方向設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的下游，所述次級輻射位于可見的光譜范圍中。此外，光電子半導(dǎo)體組件具有：至少一種濾波材料，用于部分地吸收次級輻射。在此，發(fā)光材料和濾波材料緊密地與半導(dǎo)體芯片連接。

在例如基于LED的光電子半導(dǎo)體組件中，除了高的效率和長的使用壽命之外，發(fā)射的輻射的特性也是重要的。尤其為了通用照明的目的，高的顯色指數(shù)，英語color rendering index或簡稱CRI是期望的。在發(fā)射暖白光的半導(dǎo)體組件中特殊的是，在一些應(yīng)用中力求至少80或至少90的顯色指數(shù)。

為了借助于發(fā)光二極管產(chǎn)生暖白光，通常使用發(fā)光材料或發(fā)光材料混合物，所述發(fā)光材料或發(fā)光材料混合物將發(fā)光二極管的藍(lán)光的相對大的份額轉(zhuǎn)換為在橙色的或橙紅色的光譜范圍中的長波的光。因此，這種光源的典型的光譜在相對大的波長中具有強度最大值。然而由此，由半導(dǎo)體組件發(fā)射的光譜與光的眼睛敏感度曲線疊加。由于這種小的疊加，能夠降低半導(dǎo)體組件的效率。

尤其后續(xù)提高顯色指數(shù)的可能性在于：在半導(dǎo)體組件的下游設(shè)置外部的濾波元件。然后，通過選擇性地對特定的光譜的分量濾波能夠提升顯色指數(shù)和/或色彩對比指數(shù)。當(dāng)然，這種設(shè)置在下游的、外部的濾波器在半導(dǎo)體組件不運行時是對于觀察者是可見的。在多種應(yīng)用中，該通常不顯示為白色的濾波器是不期望的。

在這里所描述的半導(dǎo)體組件中，在半導(dǎo)體組件在切斷狀態(tài)中不通過濾波材料不利地影響半導(dǎo)體組件外部的外觀的同時，一方面能夠?qū)崿F(xiàn)高的顯色指數(shù)和高的色彩對比指數(shù)。

根據(jù)至少一個實施方式，發(fā)光材料和/或濾波材料作為顆粒存在。在此，顆粒的尺寸優(yōu)選至少為10nm或100nm或1μm和/或最高為100μm或30μm或10μm或1μm。發(fā)光材料和濾波材料能夠具有不同的顆粒尺寸、尤其不同的平均粒徑。

根據(jù)至少一個實施方式，發(fā)光材料的顆粒和/或濾波材料的顆粒在一個或多個基體材料中存在。因此，發(fā)光材料和濾波材料嵌入唯一的或在兩種不同的基體材料中?；w材料優(yōu)選是硅酮或硅酮-環(huán)氧樹脂-混合材料。例如，使用苯基硅酮或甲基硅酮。

根據(jù)至少一個實施方式，發(fā)光材料和濾波材料以彼此混勻的方式存在。優(yōu)選地，發(fā)光材料的顆粒和濾波材料的顆粒在統(tǒng)計學(xué)上混勻至，使得在發(fā)光材料和濾波材料之間不存在顯著的相分離。換言之，發(fā)光材料和濾波材料以彼此均勻混勻的方式存在。替選于此，可行的是，發(fā)光材料和濾波材料以兩個分開的層或盡可能分離的方式存在。

根據(jù)至少一個實施方式，濾波材料設(shè)計為：由次級輻射產(chǎn)生三級輻射。換言之，濾波材料也是發(fā)光材料物質(zhì)。在此優(yōu)選地，三級輻射位于近紅外的光譜范圍中。在此，近紅外尤其表示至少780nm或850nm的或950nm和/或最高1800nm或1500nm或1350nm的波長。通過使用這種濾波材料，在濾波材料中產(chǎn)生的熱量由于吸收次級輻射而被最小化，因為能量經(jīng)由近紅外的輻射可有效地從濾波材料中排出。如果濾波材料嵌入基體材料中，那么基體材料優(yōu)選對于不可見的三級輻射是輻射可穿透的。

根據(jù)至少一個實施方式，發(fā)光材料和/或濾波材料位于囊封體中、尤其位于共同的囊封體中，所述發(fā)光材料和/或濾波材料優(yōu)選呈顆粒形式或也以溶解的形式存在。囊封體例如直接成形在半導(dǎo)體芯片上或圍繞半導(dǎo)體芯片成形并且能夠接觸半導(dǎo)體芯片。例如，半導(dǎo)體芯片完全由囊封體與載體或殼體共同地包圍。

根據(jù)至少一個實施方式，例如呈顆粒形式或溶解的形式的發(fā)光材料和/或濾波材料安置在小板中。具有發(fā)光材料和濾波材料的所述小板直接或間接地施加到半導(dǎo)體芯片上。在間接施加的情況下，小板優(yōu)選粘貼到半導(dǎo)體芯片上。替選地，可行的是：小板直接在半導(dǎo)體芯片上例如經(jīng)由印刷法產(chǎn)生或直接在半導(dǎo)體芯片上硬化或直接與半導(dǎo)體芯片烘烤。例如是添加有發(fā)光材料和濾波材料的硅酮小板。替選地，小板能夠是玻璃小板或陶瓷小板，在玻璃小板或陶瓷小板中嵌入發(fā)光材料和/或濾波材料或在其中發(fā)光材料和/或濾波材料被共同燒結(jié)。

根據(jù)至少一個實施方式，濾波材料的顆粒構(gòu)成為散射顆粒。因此，濾波材料優(yōu)選對于初級輻射以及對于次級輻射起散射作用。濾波材料的顆粒的平均直徑，例如在D₀或D₂或在D₃中測量的D₅₀至少為0.5μm或1.0μm或2.5μm或7.5μm或10μm和/或最高為30μm或25μm。

根據(jù)至少一個實施方式，半導(dǎo)體組件設(shè)計為：發(fā)射暖白光。暖白光優(yōu)選表示具有如下關(guān)聯(lián)的色溫的光：所述色溫根據(jù)CIE至少為2200K或2400K或2600K和/或最高為5000K或4000K或3500K或3100K或2900K。

根據(jù)至少一個實施方式，由半導(dǎo)體組件產(chǎn)生的輻射的色坐標(biāo)(Farbort)在CIE標(biāo)準(zhǔn)色度表中為色度坐標(biāo)(Farbkoordinaten)x＝0.46和/或y＝0.41，優(yōu)選分別具有CIE標(biāo)準(zhǔn)色度表的最高0.03單位或0.02單位或0.01單位的公差。

根據(jù)至少一個實施方式，由半導(dǎo)體組件產(chǎn)生的輻射是白光。因此，尤其由半導(dǎo)體組件產(chǎn)生的輻射的色坐標(biāo)在CIE標(biāo)準(zhǔn)色度表中距離黑體曲線最高0.03單位或0.02單位。

根據(jù)至少一個實施方式，與不具有濾波材料的相同的半導(dǎo)體組件相比，通過濾波材料提高顯色指數(shù)和/或色彩對比指數(shù)。根據(jù)CIE的顯色指數(shù)例如在文獻US 5,851,063 A中詳細(xì)說明，尤其參見第2列和第3列。所述文獻關(guān)于顯色指數(shù)的公開內(nèi)容通過參引結(jié)合于此。由半導(dǎo)體組件產(chǎn)生的輻射的顯色指數(shù)優(yōu)選至少為80或85或90或93。

色彩對比指數(shù)，英語Feeling of Contrast Index或簡稱FCI的定義例如在文獻US 2013/0155647A1中提出，特別參見第29至36段。所述文獻關(guān)于色彩對比指數(shù)的公開內(nèi)容通過參引結(jié)合于此。優(yōu)選地，由半導(dǎo)體組件發(fā)射的輻射的色彩對比指數(shù)至少為110或120或130。

根據(jù)至少一個實施方式，濾波材料由半導(dǎo)電的量子點構(gòu)成或包括這種量子點。例如，這種量子點通過例如選自InP、CdSe、CdTe、CdS、CdSe、ZnS或ZnSe構(gòu)成的半導(dǎo)體納米顆粒形成。通過納米顆粒的直徑可調(diào)節(jié)這種量子點的吸收性能，其中直徑優(yōu)選至少為3nm或5nm和/或最高為20nm或12nm。替選地或附加地，濾波材料由一種或多種有機濾波物質(zhì)形成或由有機濾波物質(zhì)構(gòu)成。

根據(jù)至少一個實施方式，濾波材料是無機物質(zhì)。例如，濾波材料于是為氮化物、氧化物、氮氧化物、鋁酸鹽、玻璃或石榴石或包括這些材料類的一種或多種的物質(zhì)。濾波材料和發(fā)光材料或發(fā)光材料中的一種能夠基于相同的材料體系和/或晶系，濾波材料和發(fā)光材料或發(fā)光材料中的一種例如能夠是石榴石。

尤其，濾波材料是如下物質(zhì)，所述物質(zhì)摻雜有稀土元素中的一種或多種元素或包括稀土元素中的一種或多種元素。優(yōu)選地，濾波材料包括如下元素中的一種或多種：Er、Ho、Nd、Tm、Pr、Sm。

根據(jù)至少一個實施方式，濾波材料選擇性地吸收和/或在光譜方面窄帶地吸收。因此，換言之，濾波材料在次級輻射的整個光譜范圍上不具有顯著的吸收率。尤其，濾波材料在光譜方面窄帶地在至少500nm或520nm或530nm和/或最高560nm或550nm或540nm的波長范圍中吸收。規(guī)定的波長在此表示最大吸收的波長。在光譜方面窄帶地能夠意味著：濾波材料的相應(yīng)的吸收帶具有最高為20nm或15nm或10nm或5nm的光譜的半高寬，英語Full Width at Half Maximum或簡稱FWHM。在此，尤其如下這種波長稱作為用于吸收的：在半導(dǎo)體組件中的濾波材料在所述波長中具有至少5％或2％或1％或0.2％的吸收率。

根據(jù)至少一個實施方式，濾波材料吸收總的次級輻射的至少0.5％或1％或2％。替選地或附加地，次級輻射的由濾波材料吸收的份額最高為20％或10％或5％。

根據(jù)至少一個實施方式，發(fā)光材料是由(Lu,Ce)₃(Al,Ga)₅O₁₂和(Ca,Sr,Ba)₂Si₅N₈:Eu構(gòu)成的混合物。替選于這兩種提到的發(fā)光材料，也能夠使用有機的和/或無機的發(fā)光材料或發(fā)光材料混合物，尤其如在文獻EP 2 549 330 A1中說明的發(fā)光材料或發(fā)光材料混合物。關(guān)于發(fā)光材料方面，所述文獻的公開內(nèi)容通過參引并入本文。

根據(jù)至少一個實施方式，濾波材料是Y₃Al₅O₁₂:Nd。在此，Y晶格位置的由Nd取代的份額優(yōu)選至少為1％或2％或5％和/或優(yōu)選最高為100％或30％或15％。在Nd含量為100％的情況下即為Nd₃Al₅O₁₂。

根據(jù)至少一個實施方式，發(fā)光材料的質(zhì)量與濾波材料的質(zhì)量的商至少為1或1.2或1.4。因此，換言之，所使用的發(fā)光材料的質(zhì)量超過所使用的濾波材料的質(zhì)量。替選地或附加地，所述商最高為5或3或2或1.5。

根據(jù)至少一個實施方式，發(fā)光材料和濾波材料優(yōu)選分別以均勻混勻的顆粒的形式嵌入共同的基體材料中。在此，濾波材料優(yōu)選通過(Y_1-x,Nd_x)₃Al₅O₁₂形成，例如其中0.04≤x或0.06≤x或0.08≤x或0.1≤x和/或x≤0.6或x≤0.45或x≤0.3或x≤0.2。

根據(jù)至少一個實施方式，濾波材料的摻雜材料如Nb占由發(fā)光材料、濾波材料和基體材料構(gòu)成的混合物的質(zhì)量份額至少為1％或1.5％或4％。替選地或附加地，所述質(zhì)量份額最高為10％或6.5％或5％。在此，能夠是如下情況：濾波材料的質(zhì)量份額，尤其(Y_1-x,Nd_x)₃Al₅O₁₂占由基體材料、發(fā)光材料和濾波材料構(gòu)成的混合物中的質(zhì)量份額至少為20％或40％和/或最高為80％或60％。

根據(jù)至少一個實施方式，次級輻射在如下波長、英語Peak Wavelength峰值波長中具有絕對強度最大值：所述波長至少為570nm或590nm或605nm。替選地或附加地，所述強度最大值最高為650nm或630nm或620nm。

在下文中，參照附圖根據(jù)實施例詳細(xì)闡述這里所描述的光電子半導(dǎo)體組件。在此，在各個附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。然而，在此不成比例地示出，更確切地說為了更好的理解能夠夸大地示出各個元件。

附圖說明

附圖示出：

圖1至3示意地示出在此所描述的光電子半導(dǎo)體組件的實施例的示意剖視圖；

圖4示出半導(dǎo)體組件的發(fā)射光譜的示圖；

圖5示出在此所描述的光電子半導(dǎo)體組件的發(fā)射光譜的示圖；以及

圖6示出Y₃Al₅O₁₂:Nd的與Nd份額相關(guān)的光學(xué)性能的視圖。

具體實施方式

在圖1中示出光電子半導(dǎo)體組件1的一個實施例。半導(dǎo)體組件1具有光電子半導(dǎo)體芯片2，例如發(fā)藍(lán)光的發(fā)光二極管芯片。半導(dǎo)體芯片2位于殼體6的凹部中并且與電接觸部7導(dǎo)電地連接。

沿著主放射方向在半導(dǎo)體芯片2下游排列有囊封體51。囊封體51與半導(dǎo)體芯片2直接接觸并且形狀配合地包圍半導(dǎo)體芯片2。換言之，囊封體51與半導(dǎo)體芯片2緊密地連接。

囊封體51包括基體材料50，所述基體材料是硅酮，尤其甲基硅酮。此外，在基體材料50中引入發(fā)光材料3的顆粒，其中發(fā)光材料是兩種不同的發(fā)光材料物質(zhì)的混合物。此外，在基體材料50中存在濾波材料4的顆粒。

發(fā)光材料3由第一發(fā)光材料物質(zhì)和第二發(fā)光材料物質(zhì)組成。第一發(fā)光材料物質(zhì)是組合物(Lu,Ce)₃(Al,Ga)₅O₁₂的發(fā)綠光的發(fā)光材料，所述組合物具有25％的Ga份額和2.5％的Ce份額。關(guān)于總囊封體51，第一發(fā)光材料物質(zhì)以12.9％的重量份額存在。

第二發(fā)光材料物質(zhì)通過(Ca,Sr,Ba)₂Si₅N₈:Eu形成，其中具有10％的Ca、40％的Sr和50％的Ba，其中3.25％的份額的Ca、Sr、Ba晶格位置由Eu取代。第二發(fā)光材料物質(zhì)以總囊封體51計的重量份額為2.8％。兩種發(fā)光材料物質(zhì)優(yōu)選都以具有15μm左右的范圍中的直徑的顆粒的形式存在。

為了改進由半導(dǎo)體組件1發(fā)射的光的顯色指數(shù)，還存在Y₃Al₅O₁₂:Nd作為濾波材料4，其具有8％的Nd份額。濾波材料4以總囊封體51計的重量份額為10％。

尤其，發(fā)射暖白光的半導(dǎo)體組件，參見圖4中的典型的光譜，曲線C，示出與眼睛敏感度曲線(參見圖4中的曲線A)的相對小的光譜的疊加。與此相對，在冷白色的發(fā)射中，參照圖4中的曲線B，存在與眼睛敏感度曲線A的相對大的光譜的疊加。在此，在圖4和5中，相對于任意單位、簡稱a.u.的強度I分別繪制nm單位的波長λ。

為了實現(xiàn)尤其將暖白光的發(fā)射光譜更好地匹配于眼睛敏感度曲線，摻入濾波材料4。結(jié)合圖5A可見濾波材料4的作用。曲線D對應(yīng)于不具有濾波材料4的半導(dǎo)體組件，曲線E對應(yīng)于如結(jié)合圖1所闡述的半導(dǎo)體組件1。

通過濾波材料4，根據(jù)圖5A從曲線D至曲線E將顯色指數(shù)從80提高至82。在此，Ra8-值用作顯色指數(shù)。通過濾波材料，CIE-x-坐標(biāo)略微從0.460提高至0.461，CIE-y-坐標(biāo)不變，為0.410。關(guān)聯(lián)的色溫通過濾波材料4從2687K略微提高至2692K。換言之，基本上僅在顯色指數(shù)方面顯現(xiàn)出通過濾波材料4產(chǎn)生的作用，而在其他光度學(xué)的特征參數(shù)方面、如CIE色坐標(biāo)或關(guān)聯(lián)的色溫不顯著地顯現(xiàn)出通過濾波材料4產(chǎn)生的作用。

在圖5B和5C中示出具有83的顯色指數(shù)和2700K的關(guān)聯(lián)的色溫的光譜，分別參見曲線D。在曲線E中，分別使用濾波材料，類似于根據(jù)圖1的實施例，然而以不同的濃度使用。在此，從圖5A至圖5C，次級輻射通過濾波材料4的吸收率升高。

由此，根據(jù)圖5B能夠?qū)崿F(xiàn)為88的顯色指數(shù)以及根據(jù)圖5C能夠?qū)崿F(xiàn)為95的顯色指數(shù)。在此，濾波材料4不在初級輻射的范圍中吸收或僅可忽略地吸收，所述初級輻射由半導(dǎo)體芯片2直接產(chǎn)生。濾波材料4還不在可見的光譜范圍中發(fā)射輻射，而僅在不可見的、近紅外的光譜范圍中、在高于700nm的波長下發(fā)射輻射。

囊封體51與殼體6一起完全地包圍半導(dǎo)體芯片2?？尚械氖牵曳怏w51成形為會聚透鏡或者，與示出的不同，也成形為散射透鏡。同樣，囊封體51能夠突出于殼體6中的凹部。

在圖2中示出半導(dǎo)體組件1的另一實施例。經(jīng)由膠粘劑8以緊密連接的方式將小板52施加到半導(dǎo)體芯片2上，所述小板包含優(yōu)選均勻混勻的發(fā)光材料3和濾波材料4。膠粘劑8的厚度優(yōu)選至少為0.5μm和/或最高為5μm。小板52能夠是陶瓷小板、玻璃小板或硅酮小板，所述小板以相應(yīng)的濃度包含發(fā)光材料3以及濾波材料4。小板52能夠具有恒定的厚度并且平面平行地成形或者也可選地設(shè)有用于改進光耦合輸出的粗化部。

可選地，囊封體51以圍繞半導(dǎo)體芯片2的方式以及以圍繞小板52的方式存在。可行的是，囊封體51包含附加的散射光的顆粒，以更好地混勻輻射或調(diào)整空間的放射特性。這種附加的散射顆粒也能夠在所有其他的實施例中存在和/或能夠附加地包含在根據(jù)圖1的囊封體51中或包含在根據(jù)圖2的小板52中。

在根據(jù)圖3的實施例中，半導(dǎo)體芯片2由具有發(fā)光材料3的第一層以及由具有濾波材料4的第二層包圍。因此，發(fā)光材料3和濾波材料4彼此單獨地存在。發(fā)光材料3與濾波材料4的相應(yīng)的分離也能夠以如結(jié)合圖1和2示出的構(gòu)型存在。

可選地，由半導(dǎo)體芯片2、發(fā)光材料3以及濾波材料4構(gòu)成的裝置跟隨排列有例如透鏡狀的囊封體51。囊封體51能夠是透明囊封體，如也結(jié)合圖2那樣是可行的。

在圖6中示出能夠用作濾波材料4的(Y_1-x,Nd_x)₃Al₅O₁₂的吸收特性。在圖6A和6B中，相對于nm單位的波長λ，針對0.01、0.04、0.08、0.12和0.16的x值，以及針對0.15、0.25、0.40、0.55、0.70、0.80、0.90和1繪制以％計的濾波材料的漫反射能力R。具有所述x值之一的(Y_1-x,Nd_x)₃Al₅O₁₂能夠在所有實施例中考慮作為濾波材料4。

隨著x增加，即Nd份額增加，漫反射能力R降低進而吸收率增加。在此，為了更好的可讀性，在附圖中，將(Y_1-x,Nd_x)₃Al₅O₁₂寫作(Y1-xNdx)3Al5O12。尤其在橙色光譜范圍中顯示出所述濾波材料的清晰的吸收帶。

在圖6C中，相對于Nd份額x繪制以％計的100與漫反射能力R的差作為吸收率的刻度值。在此，對漫反射能力R在582nm至586nm的光譜范圍上取平均值。隨著x增加，在橙色的光譜范圍中的吸收率也連續(xù)地升高。相對于Nd份額x的以％計的漫反射能力R的相應(yīng)的示圖作為柱狀圖在圖6D中示出。

在此描述的發(fā)明不受根據(jù)實施例進行的描述而受到限制。更確切地說，本發(fā)明包括任意新的特征以及特征的任意組合，這尤其包含在權(quán)利要求中的特征的任意組合，即使所述特征或這些組合本身并未詳盡地在權(quán)利要求中或?qū)嵤├姓f明也如此。

本專利申請要求德國專利申請10 2014 108 188.9的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過參引結(jié)合于此。

附圖標(biāo)記列表

1 光電子半導(dǎo)體組件

2 光電子半導(dǎo)體芯片

3 發(fā)光材料

4 濾波材料

51 囊封體

52 小板

6 殼體

7 電接觸部

8 膠粘劑

9 載體

A至D 附圖中的曲線

I 任意單位(a.u.)的強度

λ 以nm為單位的波長