技術(shù)特征：

1.一種光電子半導(dǎo)體組件(1)，其具有：

-至少一個光電子半導(dǎo)體芯片(2)，用于光譜范圍產(chǎn)生在近紫外的光譜范圍或可見的光譜范圍中的初級輻射，

-至少一種發(fā)光材料(3)，用于將所述初級輻射部分地或全部地轉(zhuǎn)換為更長波長的次級輻射，所述次級輻射位于可見的光譜范圍中，和

-至少一種濾波材料(4)，用于部分地吸收所述次級輻射，

其中所述發(fā)光材料(3)和所述濾波材料(4)緊密地與所述半導(dǎo)體芯片(2)連接。

2.根據(jù)上一項權(quán)利要求所述的光電子半導(dǎo)體組件(1)，

其中

-所述濾波材料(4)對于所述初級輻射是輻射可穿透的并且不吸收所述初級輻射，

-所述濾波材料(4)在光譜方面窄帶地在具有光譜的半高寬最大為20nm的、至少530nm以上的波長范圍中吸收，

-所述發(fā)光材料(3)和所述濾波材料(4)在統(tǒng)計學(xué)上以彼此混勻的方式存在，使得在所述發(fā)光材料(3)和所述濾波材料(4)之間不存在相分離并且所述發(fā)光材料(3)和所述濾波材料(4)分別以均勻分布的方式存在，并且

-通過所述濾波材料(4)提高由所述半導(dǎo)體組件(1)發(fā)射的混合輻射的顯色指數(shù)和色彩對比指數(shù)，所述混合輻射由所述初級輻射和所述次級輻射構(gòu)成。

3.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述光電子半導(dǎo)體組件(1)，

其中所述發(fā)光材料(3)和所述濾波材料(4)作為顆粒存在并且所述發(fā)光材料(3)的顆粒和所述濾波材料(4)的顆粒彼此混勻，

其中所述濾波材料(4)設(shè)計為：由所述次級輻射產(chǎn)生三級輻射，所述三級輻射位于近紅外的光譜范圍中。

4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子半導(dǎo)體組件(1)，

其中所述發(fā)光材料(3)的顆粒和所述濾波材料(4)的顆粒分別嵌入基體材料，其中所述基體材料是硅酮或硅酮-環(huán)氧樹脂-混合材料。

5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述光電子半導(dǎo)體組件(1)，

其中所述發(fā)光材料(3)的和所述濾波材料(4)的顆粒存在于囊封體(51)中，所述囊封體直接圍繞所述半導(dǎo)體芯片(1)成形，或者存在于粘貼到所述半導(dǎo)體芯片(1)上的小板(52)中。

6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子半導(dǎo)體組件(1)，

其中至少所述濾波材料(4)的顆粒構(gòu)成為散射顆粒并且具有在0.5μm和30μm之間的直徑，其中包含邊界值。

7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子半導(dǎo)體組件(1)，

所述光電子半導(dǎo)體組件設(shè)計為：產(chǎn)生具有在2200K和5500K之間的關(guān)聯(lián)的色溫的暖白光，其中包括邊界值，

其中由所述半導(dǎo)體組件(1)產(chǎn)生的輻射的色坐標(biāo)在CIE標(biāo)準(zhǔn)色度表中具有距黑體曲線最高0.03單位的間距。

8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子半導(dǎo)體組件(1)，

其中所述濾波材料(4)的顆粒通過半導(dǎo)電的量子點和/或通過至少一種有機濾波材料形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的光電子半導(dǎo)體組件(1)，

其中所述濾波材料(4)是無機的并且包括如下元素中的一種或多種元素：Er、Ho、Nd、Pm、Pr、Sm。

10.根據(jù)上一項權(quán)利要求所述的光電子半導(dǎo)體組件(1)，

其中所述濾波材料(4)具有鋁酸鹽的、玻璃的或石榴石的結(jié)構(gòu)或?qū)儆谶@些材料類中的一個材料類。

11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子半導(dǎo)體組件(1)，

其中所述濾波材料(4)吸收0.5％和10％之間的所述次級輻射，其中包含邊界值。

12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子半導(dǎo)體組件(1)，

其中所述發(fā)光材料(3)是由(Lu,Ce)₃(Al,Ga)₅O₁₂和(Ca,Sr,Ba)₂Si₅N₈:Eu構(gòu)成的混合物，其中所述濾波材料(4)通過Y₃Al₅O₁₂:Nd形成，并且

其中所述發(fā)光材料(3)與所述濾波材料(4)的質(zhì)量比位于1.5和1之間，其中包含邊界值。

13.根據(jù)上一項權(quán)利要求所述的光電子半導(dǎo)體組件(1)，

其中所述發(fā)光材料(3)和所述濾波材料(4)嵌入共同的基體材料中，其中所述濾波材料(4)通過(Y_1-x,Nd_x)₃Al₅O₁₂形成，其中0.06≤x≤0.3，

其中Nd占由所述發(fā)光材料(3)、所述濾波材料(4)和所述基體材料構(gòu)成的混合物的質(zhì)量份額在1.5％和6.5％之間，其中包含邊界值；并且(Y_1-x,Nd_x)₃Al₅O₁₂的質(zhì)量份額在20％和80％之間，其中包含邊界值，并且其中所述基體材料與所述半導(dǎo)體芯片(2)直接接觸，并且在俯視圖中觀察，所述半導(dǎo)體芯片完全被覆蓋。

14.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的光電子半導(dǎo)體組件(1)，

其中所述次級輻射的絕對強度最大值在590nm和630nm之間，其中包含邊界值，

其中所述初級輻射的絕對強度最大值在420nm和470nm之間，其中包含邊界值。