1.用于OLED的導(dǎo)電載體(100至200)，其按以下順序包含：
-具有為1.3至1.6的折射指數(shù)n1的玻璃基材(1)，為有機(jī)或無機(jī)玻璃，具有稱為第一表面的第一主面(11)；
-由玻璃基材承載的并在所述第一表面(11)一側(cè)的電極，該電極包括由具有小于20Ω/□的方塊電阻的金屬材料制成的以柵格形式布置的層，其被稱為“金屬柵格”，金屬柵格具有至少100nm的厚度e2，所述柵格由具有小于或等于50μm的寬度A的線帶(20)形成，并且通過小于或等于5000μm的線帶之間的距離B分開，這些線帶由折射指數(shù)高于1.65的多個(gè)電絕緣非導(dǎo)電區(qū)(31)分隔，
其特征在于，在所述第一表面(11)的一側(cè)上，所述載體包括：
-在所述金屬柵格(2)下方的電絕緣光提取層(41至42)；
-在厚度中部分結(jié)構(gòu)化的電絕緣層(3)，該層(3)具有給定的組成，具有1.7至2.3的折射指數(shù)n3，并且位于光提取層上，該部分結(jié)構(gòu)化層由以下形成：
-離所述光提取層最遠(yuǎn)的結(jié)構(gòu)化區(qū)域(31)，具有包含所述金屬柵格的空腔，所述區(qū)域(31)包括所述非導(dǎo)電區(qū)域；和
-從在金屬柵格下方并在光提取層上方的另一個(gè)區(qū)域(30)，稱為低區(qū)域，
并且柵格在非導(dǎo)電區(qū)域(31)的被稱為高表面(31')的表面的下方并齊平，并且在高表面(31')與金屬柵格(2)的表面之間的間隔H大于100nm，H在所述線帶的表面的中間和所述高表面之間進(jìn)行測(cè)量，并且所述線帶(2)沿著其長(zhǎng)度具有在側(cè)方區(qū)域(22,22')之間的中心區(qū)域(21)，側(cè)方區(qū)域(22,22')與高表面(31')齊平。
2.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電載體(100至200)，其特征在于，H大于150nm，優(yōu)選小于500nm。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電載體(100至200)，其特征在于，所述線帶(20)的表面沿著所述側(cè)方區(qū)域(22,22')的內(nèi)邊緣不含有其高度大于10nm的突起。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電載體(100至200)，其特征在于，所述金屬柵格(2,20)通過自催化沉積，優(yōu)選通過鍍銀獲得。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電載體(100至200)，其特征在于，所述中心區(qū)域(21)的表面粗糙度高于所述側(cè)方區(qū)域(22,22')的表面粗糙度，所述側(cè)方區(qū)域(22,22')的粗糙度參數(shù)Rq為最多5nm。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電載體(100至200)，其特征在于，所述側(cè)方區(qū)域(22,22')具有寬度L1，L1大于所述空腔的高度ec，并且L1≤2ec。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電載體(100至200)，其特征在于，金屬柵格(2,20)，優(yōu)選由銀制成的金屬柵格(2,20)具有小于25％或小于10％，甚至小于6％的覆蓋率T。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電載體(100至200)，其特征在于，所述金屬柵格(2,20)的厚度e2小于1500nm，優(yōu)選在100nm至1000nm的范圍內(nèi)，特別地200nm至800nm的范圍內(nèi)，寬度A小于30μm，優(yōu)選在1.5μm至20μm的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電載體(100至200)，其特征在于，所述金屬柵格(20)的一種或多種材料選自銀、銅、鎳和基于這些材料的合金，并且優(yōu)選基于銀。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電載體(100至200)，其特征在于，具有大于200nm的高度ec的空腔(32,32')由擴(kuò)張的側(cè)壁(32)界定，隨著離玻璃基材的距離而擴(kuò)寬，其中水平距離L大于ec并且L≤2ec。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電載體(100至200)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)化區(qū)域(31)，并優(yōu)選所述低區(qū)域(30)，不包含任何散射顆粒。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電載體(100至200)，其特征在于，所述部分結(jié)構(gòu)化層(3)由玻璃質(zhì)材料，優(yōu)選釉質(zhì)制成。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電載體(100至200)，其特征在于，所述基材(1)優(yōu)選由無機(jī)玻璃制成，并且所述光提取層包括附加散射層(41)和散射元件(4'，4")，附加散射層的材料包含玻璃質(zhì)材料，優(yōu)選釉質(zhì)，并且部分結(jié)構(gòu)化層(3)的組成包括玻璃質(zhì)材料，優(yōu)選釉質(zhì)，該組成特別與附加散射層的材料相同，和/或基材的第一散射表面(42)，優(yōu)選由無機(jī)玻璃制成的基材的第一散射表面形成光提取層的一部分或者甚至構(gòu)成該光提取層，并且部分結(jié)構(gòu)化層(3)的組成包含玻璃質(zhì)材料，優(yōu)選釉質(zhì)。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電載體(100至200)，其特征在于，導(dǎo)電涂層(5)覆蓋，優(yōu)選直接覆蓋所述高表面(31')和所述金屬柵格(2)，金屬柵格(2)優(yōu)選由銀制成，特別地該導(dǎo)電涂層具有小于或等于500nm的厚度e5，小于20Ω.cm的電阻率ρ5并且高于金屬柵格的電阻率，并且具有至少1.55的折射指數(shù)n5。
15.根據(jù)前一權(quán)利要求所述的導(dǎo)電載體(100至200)，其特征在于，所述導(dǎo)電涂層(5)包括具有1.7-2.3的折射指數(shù)na的無機(jī)層，該無機(jī)層具有小于150nm的厚度并且由透明導(dǎo)電氧化物制成，優(yōu)選基于氧化銦錫或基于氧化鋅。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的裝置的導(dǎo)電載體，其特征在于，所述導(dǎo)電涂層至少包括，作為離所述基材最遠(yuǎn)的最后層，由導(dǎo)電聚合物制成的亞微米厚度的有機(jī)層，如具有為至少1.55的折射指數(shù)nb的PEDOT或PEDOT:PSS。
17.根據(jù)權(quán)利要求14和15中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電載體，其特征在于，其包括沉積在所述導(dǎo)電涂層(5)上的有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)，該有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)任選地包括空穴傳輸層HTL或空穴注入層HIL。
18.有機(jī)電致發(fā)光裝置，其包括根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電載體(100至200)，最接近基材的形成“下”電極的具有金屬柵格的電極。
19.一種用于制造根據(jù)前述導(dǎo)電載體權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電載體(100至200)的方法，其特征在于，其按如下順序包括以下步驟：
-提供所述基材，該基材包括：
-光提取層(4)，優(yōu)選地由基材的第一散射表面形成和/或由在基材的第一表面上的附加散射層形成；
-在光提取層上的由具有折射指數(shù)n3的組合物制成的“高折射指數(shù)”層(3a)，所述層(3a)優(yōu)選不含有散射顆粒，優(yōu)選地所述高折射指數(shù)層使光提取層平面化；
-在所述高折射指數(shù)層(3a)中形成空腔，從而形成所述部分結(jié)構(gòu)化層(3)，所述形成空腔步驟包括：
-在所述高指數(shù)層(3a)上產(chǎn)生具有給定的通孔排列和具有側(cè)壁的不連續(xù)掩模層；和
-穿過掩模層的通孔濕法蝕刻高折射指數(shù)層(3a)，掩模層的側(cè)壁相對(duì)于空腔的側(cè)壁伸出并因此定義了所述掩模層的面向所述空腔的表面部分，稱為內(nèi)表面(62,62')，；
-形成所述金屬柵格(2)，包括通過濕法，優(yōu)選自催化濕法來沉積所述柵格的第一金屬材料，該材料部分地填充所述空腔，所述第一金屬材料沉積在所述空腔的底部中，在所述空腔的側(cè)壁上并且完全地在掩模層(60)的內(nèi)表面(62,62')上，從而形成線帶的側(cè)方區(qū)域(22,22')，這些側(cè)方區(qū)域與高表面齊平并且比線帶的中心區(qū)域(21)更低粗糙性的，
-去除所述掩模層。
20.根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的用于制造導(dǎo)電載體(100至200)的方法，其特征在于，所述掩模層的去除不在所述金屬柵格的表面上產(chǎn)生具有至少10nm的高度的突起。
21.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于制造導(dǎo)電載體(100至200)的方法，其特征在于，所述濕法沉積為鍍銀，優(yōu)選地所述柵格(2)為單層。
22.根據(jù)前述方法權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的用于制造導(dǎo)電載體(100至200)的方法，其特征在于，所述掩模層(60)是感光樹脂。
23.根據(jù)前述方法權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于制造導(dǎo)電載體(100至200)的方法，其特征在于，其包括：在去除所述掩模層之后，通過陰極濺射沉積基于ITO或摻雜的氧化鋅的導(dǎo)電涂層(5)，或通過濕法沉積聚合物導(dǎo)電涂層。
24.根據(jù)前述方法權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的用于制造導(dǎo)電載體(100至200)的方法，其特征在于，所述高折射指數(shù)層(30)包括釉質(zhì)，特別是由基于玻璃料的第一組合物獲得的釉質(zhì)，以及優(yōu)選地，附加散射層包含從基于玻璃料的第二組合物獲得的釉質(zhì)，第二組合物優(yōu)選地與第一組合物相同，并且包含散射顆粒。
25.根據(jù)前述方法權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的用于制造導(dǎo)電載體(100至200)的方法，其特征在于，其包括在沉積導(dǎo)電涂層之前，在高于180℃，優(yōu)選在250℃-450℃之間，特別地在250℃-350℃之間的溫度下的加熱步驟，加熱持續(xù)時(shí)間優(yōu)選在5分鐘-120分鐘之間，特別地在15分鐘-90分鐘之間，和/或其包括沉積由無機(jī)層，優(yōu)選ITO形成的導(dǎo)電涂層，隨后在高于180℃，優(yōu)選250℃至450℃，特別是250℃至350℃的溫度下加熱，加熱持續(xù)時(shí)間優(yōu)選為5分鐘至120分鐘，特別地15至90分鐘。