有機(jī)電致發(fā)光二極管(稱為“OLED”)通常包括有機(jī)電致發(fā)光材料或電致發(fā)光材料堆疊體，有機(jī)電致發(fā)光材料或電致發(fā)光材料堆疊體通過兩個通常呈導(dǎo)電層形式圍繞它們的電極供應(yīng)電力。通常，上電極是例如由鋁制成的反射金屬層，下電極是基于氧化銦，通常摻雜錫的氧化銦(更被稱為ITO)的透明層，其厚度為約100至150nm。然而，為了在大面積上均勻地發(fā)光，需要形成不連續(xù)的下電極(這通常通過形成數(shù)mm2的電極區(qū))并且需要顯著減小在每個電極區(qū)域之間的距離(通常為約10微米)。專利申請WO2009/071822描述了一種替代下電極。更確切地，下電極首先包括由1μm厚的非周期柵格形式的導(dǎo)體，所述非周期柵格由具有約3μm的平均寬度A，彼此間隔約30μm的平均距離B的不規(guī)則銀基線帶形成，其中B/A比為10。該導(dǎo)電柵格通過在包含孔的自組織化開口網(wǎng)絡(luò)的掩模上蒸發(fā)銀來制造。然后移除掩模。以這種方式，通過明??智地選擇B/A和厚度，這種柵格的方塊電阻(是特別低的)為約0.6歐姆/平方。這種柵格的光透射率TL為約70％，并且所述線帶是肉眼不可見的。在與附圖3有關(guān)的實施例中，在柵格線帶之間添加由熔融玻璃料制成的填充層，其可以具有高折射指數(shù)。由柵格的線帶和熔融玻璃料形成的表面通過機(jī)械拋光(例如通過使用氧化鋁或氧化鈰的拋光)進(jìn)行平滑化。為了制造電極，將玻璃料沉積在柵格線帶之間和之上直至在線帶上形成覆蓋層。烘烤后，然后可以使表面整平直至柵格線帶的水平面。覆蓋柵格和填充層的導(dǎo)電涂層保持平滑度并允許分布電流。導(dǎo)電涂層是通過濺射沉積的ITO以獲得約10-4ohm.cm的電阻率ρ1(其中厚度為從40nm開始)，或是通過濕法沉積的PEDOT/PSS。即使該電極進(jìn)一步有助于提高OLED器件的整體性能(發(fā)光效率，照明均勻性等)，仍然可以改善這些性能。為此，本發(fā)明提供一種用于OLED的導(dǎo)電載體，其按以下順序包括：-具有為1.3至1.6的范圍內(nèi)的折射指數(shù)n1的有機(jī)或無機(jī)玻璃的玻璃基材(透明的，任選地半透明的—特別是如果其具表面進(jìn)行紋理化)，具有稱為第一表面的第一主面；和-電極，其包括由金屬材料(純金屬或合金金屬，優(yōu)選單層或甚最多層)制成的以柵格形式(被稱為“金屬柵格”)布置的層，該金屬材料具有小于20Ω/□，更好小于10Ω/□的方塊電阻，所述金屬柵格具有至少100nm，優(yōu)選最多1500nm的厚度e2，所述柵格由其寬度A小于或等于50μm的線帶(也稱為軌道)形成，并且通過小于或等于5000μm的線帶之間的距離B分開，這些線帶由折射指數(shù)高于1.65的多個電絕緣非導(dǎo)電區(qū)分隔，所述載體在第一表面一側(cè)上包括：-具有給定厚度e0電絕緣的光提取層，其典型地通過光的主體和/或表面散射來提取光，優(yōu)選地包括(由以下組成)：-基材的第一表面，該表面是散射表面(紋理化以散射光)；和/或-在(平面的或紋理化的)基材的第一表面上的附加散射層(優(yōu)選直接散射層)，其由含有散射元件的材料，優(yōu)選(基本上)由無機(jī)材料制成，該材料例如為具有為1.7至2.3，優(yōu)選1.80至2.10，特別地1.85至2.00的折射指數(shù)n4和具有散射元件的材料，該散射元件優(yōu)選具有不同于n4的折射指數(shù)ne，優(yōu)選相差至少0.1，優(yōu)選至少0.2，特別是至少0.25；和-在其厚度中進(jìn)行部分結(jié)構(gòu)化的電絕緣層，該層具有給定的組成并且具有1.70至2.3，優(yōu)選1.80至2.10，特別是1.85至2.00的折射指數(shù)n3，該電絕緣層位于(優(yōu)選直接地)在光提取層上方，該部分結(jié)構(gòu)化的電絕緣層特別是在柵格下面并且與柵格接觸——必要時，n3-n4絕對值差值優(yōu)選地小于0.1——部分結(jié)構(gòu)化層由以下形成：-從具有空腔的結(jié)構(gòu)化的區(qū)域(最遠(yuǎn)離光提取層，又稱為高區(qū)域)，該區(qū)域，優(yōu)選是電絕緣區(qū)域，包含非導(dǎo)電區(qū)，所述空腔包含金屬柵格；和-位于金屬柵格下方(并且直接在結(jié)構(gòu)化區(qū)域下方)并在光提取層上方(優(yōu)選直接地在光提取層上方)的另一區(qū)域(非結(jié)構(gòu)化)，優(yōu)選地是電絕緣的。柵格在稱為高表面的非導(dǎo)電區(qū)的表面(最遠(yuǎn)離基材)下方并齊平(sousaffleure)，并且高表面與金屬柵格的表面(稱為上表面，最遠(yuǎn)離基材)之間的間隔H的絕對值大于100nm，更好地大于150nm，優(yōu)選小于或等于500nm。H是在線帶的表面的中間和高表面之間進(jìn)行測量。此外，線帶沿著其長度具有在與高表面齊平的側(cè)方區(qū)域(平面的)之間的中心區(qū)域。通過在柵格和玻璃基材之間插入這樣的具有光散射功能的光提取層，光學(xué)性能得到顯著提高。通過將光提取層設(shè)置在柵格下方而不是柵格之間，可以獨(dú)立地調(diào)整柵格的厚度(特別是影響其方塊電阻)和光提取層的厚度(影響其光提取性質(zhì))。在基材的第一表面和金屬柵格(的下表面)之間的總厚度E優(yōu)選為至少1μm，更好為5-30μm。此外，線帶是細(xì)長的-分開的或優(yōu)選地互連的(至少在發(fā)光區(qū)域中)，特別是網(wǎng)狀的。在試驗期間，申請人已經(jīng)觀察到在柵格的表面和高表面之間充分間隔的重要性。這是因為，在突出柵格或具有較小H值的下凹柵格的情況下，申請人已觀察到出現(xiàn)高度H1為約20nm至200nm且半高寬度W1為約20至500nm的突起，沿著側(cè)方區(qū)域的內(nèi)邊緣(與跟部分結(jié)構(gòu)化層接觸的外邊緣相對的邊緣，與高表面齊平)。這些突起是連續(xù)的或不連續(xù)的。這些突起是有害的，因為它們易于增加泄漏電流。根據(jù)本發(fā)明的間隔H使得可以顯著地限制這些突起及其高度或甚至消除它們。每個側(cè)方區(qū)域與高表面齊平的事實是由于制造工藝：使用濕法沉積技術(shù)沉積金屬，例如基于溶液中金屬鹽的還原的自催化(英文為“electroless”)沉積，該沉積通過掩模層的孔隙在通過濕法蝕刻進(jìn)行部分結(jié)構(gòu)化層上進(jìn)行實施。這種齊平現(xiàn)象與金屬厚度無關(guān)。特別地，在通過鍍銀沉積(英文為“silvering”)的實例中，銀通過掩模層的孔隙沉積在空腔中。由于在通過濕法蝕刻形成部分結(jié)構(gòu)化層期間發(fā)生的側(cè)方蝕刻，空腔比掩模層中的孔隙更寬。銀沉積在側(cè)壁上和沉積在掩模層的“內(nèi)”表面(位于每個空腔上方)上，所述內(nèi)表面位于高表面的平面中，因此超過每個空腔的側(cè)壁而突出。在小間隔H的情況下，在與銀接觸的這種區(qū)域中的掩模層的去除期間產(chǎn)生該突起。據(jù)推測，當(dāng)間隔H很小(幾乎是齊平的線帶)時，沉積在空腔中的銀和沉積在掩模層的側(cè)壁上的銀之間的破裂更難以實現(xiàn)，因為掩模層/銀的接觸區(qū)域是更大的。根據(jù)本發(fā)明的大多數(shù)線帶和甚至每根線帶可以沒有這些突起。根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)沿著側(cè)方區(qū)域的內(nèi)邊緣的這些突起具有小于10nm的高度時，線帶，優(yōu)選銀線帶的表面被認(rèn)為沒有所述突起。優(yōu)選地，金屬柵格由銀制成并通過鍍銀獲得。為了簡單起見，甚至優(yōu)選地，金屬柵格與部分結(jié)構(gòu)化層(在柵格和空腔的底部之間沒有層)直接接觸。當(dāng)使用物理氣相沉積(PVD)技術(shù)(例如磁控陰極濺射)，通過穿過掩模層(例如(感光)樹脂層)的孔隙的陰影效應(yīng)進(jìn)行沉積時，導(dǎo)致線帶的側(cè)方區(qū)域變成杯形，形成其深度等于空腔的高度ec的形態(tài)裂紋，其易于在隨后制造OLED時產(chǎn)生短路。在這種類型的沉積中，對于在下方平齊(sousaffleurante)的柵格，線帶沒有與高表面齊平的側(cè)方區(qū)域。此外，鍍銀是簡單的，比物理氣相沉積(PVD)更簡單(無真空裝置等)，并且適合于任何尺寸的柵格。此外，通過鍍銀沉積的銀的導(dǎo)電性是足夠的(通常比通過PVD產(chǎn)生的銀柵格的導(dǎo)電性低30％至40％)。與高表面齊平的側(cè)方區(qū)域是平面的和光滑的，因為它們與掩模(感光樹脂)層接觸，該掩模層本身具有光滑的平坦內(nèi)表面。該內(nèi)表面本身再現(xiàn)了高表面的平滑和平面的特性。濕法蝕刻不在內(nèi)表面上產(chǎn)生粗糙度，并且空腔的側(cè)壁和底部也是光滑的。側(cè)方區(qū)域和中心區(qū)域之間的不連續(xù)性比通過PVD的沉積的不連續(xù)性更不明顯的，振幅H的不連續(xù)性明顯小于ec。優(yōu)選地，(平坦的)側(cè)方區(qū)域的(表面的)粗糙度參數(shù)Rq為最多5nm，甚至最多3nm，甚至最多2nm或甚至1nm。此外，每個(平坦的)側(cè)方區(qū)域中的Rmax(最大高度)優(yōu)選為最多20nm，甚至最多10nm。這些平滑的側(cè)方區(qū)域是對于減少漏電的必要條件。對于通過用如上所述的由感光樹脂(photorésines)制成的掩模層進(jìn)行鍍銀而沉積的柵格，獲得這些粗糙度范圍。優(yōu)選地，每個側(cè)方區(qū)的寬度L1大于空腔的高度ec，其中L1≤2ec，甚至L1≤1.4ec。對于使用諸如自催化沉積(通過鍍銀等)的濕法的沉積，則在高表面下方的中心區(qū)域的表面粗糙度可以高于(平滑)側(cè)方區(qū)域的表面粗糙度。在(最粗糙的)中心區(qū)域中的粗糙度參數(shù)Rq(或rms)可以為至少10nm，甚至至少20nm，優(yōu)選最多60nm。甚至，在(最粗糙的)中心區(qū)域中的粗糙度參數(shù)Rmax(最大高度)可以為至少100nm，甚至至少150nm，優(yōu)選最多500nm。中心區(qū)域的粗糙度隨著金屬柵格的厚度而增加。柵格的Rmax和Rq可以根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)ISO4287進(jìn)行定義并且通過原子力顯微鏡進(jìn)行測量。根據(jù)本發(fā)明，與高表面齊平的側(cè)方區(qū)域可以嚴(yán)格地在與高表面相同的平面中，或者與其間隔最多10nm，更好地最多5nm。有利地，根據(jù)本發(fā)明的金屬柵格可以具有低于或等于10歐姆/平方，優(yōu)選低于或等于5歐姆/平方，甚至1歐姆/平方的方塊電阻。金屬柵格的一種或多種材料選自由銀，銅，甚至鎳形成的組，特別是純材料或者可以是基于這些金屬的合金。柵格優(yōu)選基于銀。金屬柵格可優(yōu)選為單層(銀)層或多層(優(yōu)選含有至少80％，甚至90％的銀)。金屬柵格可以是多層，特別是多銀層，并且以以下順序包括(甚至由其組成)：-第一金屬層(直接在空腔底部上，或最接近空腔底部的金屬層)，優(yōu)選由第一金屬材料制成，其優(yōu)選基于銀，甚至由銀構(gòu)成，構(gòu)成該柵格的總厚度e2的小于15％，甚至10％，和/或為至少3nm，5nm甚至至少10nm，優(yōu)選小于100nm或甚至小于50nm；和-基于第二金屬材料的第二金屬層(在第一層上，遠(yuǎn)離基材)，尤其具有與第一層的可分辨的界面，第二金屬材料優(yōu)選選自銀，鋁或銅，第二金屬層構(gòu)成該柵格的總厚度e2的至少70％、80％，甚至90％，該第二層優(yōu)選基于銀，甚至由銀組成，特別是如同第一層。特別地可以根據(jù)第一沉積方法形成基于銀的第一金屬層，例如通過鍍銀沉積(優(yōu)選具有至少20nm，甚至至少30nm的厚度)，或者通過真空沉積(濺射)，以及根據(jù)第二沉積方法，優(yōu)選為電沉積，沉積厚度為至少3nm或甚至5nm的基于銀的第二金屬層。電沉積的優(yōu)點(diǎn)是其具有比鍍銀更高的銀使用含量，并且是比濺射更便宜的工藝。金屬柵格可以是具有不同材料制成的層的多層，例如具有防腐蝕(水和/或空氣)的最后保護(hù)層，例如金屬層，該保護(hù)層由與下鄰的金屬層不同的材料制成，尤其不是銀，并且具有小于10nm，更好地小于5nm或甚至3nm的厚度。該層對于基于銀的柵格特別有用。此外，金屬柵格還可以是具有由不同材料制成的兩個層的多層，例如是雙層，并由以下組成：-由前述材料制成的(單)金屬層，其優(yōu)選基于銀或甚至由銀制成，優(yōu)選具有至少100nm的厚度，例如通過鍍銀或真空沉積(濺射)進(jìn)行沉積；和-防腐蝕(水和/或空氣)的保護(hù)頂層，由與金屬層不同的材料制成，例如金屬層，特別地不是銀，并且具有小于10nm，更好地小于5nm或甚至3nm的厚度。金屬柵格可以是金屬層，例如銀層，并且涂覆有保護(hù)頂層，特別臨時保護(hù)頂層，特別是聚合物保護(hù)頂層。金屬柵格可優(yōu)選直接沉積在部分結(jié)構(gòu)化層上或甚至沉積在電介質(zhì)下層，尤其是粘結(jié)電介質(zhì)下層(具有促進(jìn)柵格材料沉積的粘結(jié)功能)上。下層直接位于部分結(jié)構(gòu)化層的空腔上(在空腔的底部，優(yōu)選地空腔的全部或一部分側(cè)壁)，優(yōu)選不存在于高表面，所述連接層優(yōu)選是無機(jī)的，特別是由一種或多種氧化物，例如透明導(dǎo)電氧化物層。電介質(zhì)下層的厚度eA小于30nm，甚至小于10nm。該粘結(jié)層容易通過磁控陰極濺射進(jìn)行沉積。金屬柵格的厚度e2小于非導(dǎo)電區(qū)之間的空腔的高度ec，優(yōu)選ec大于200nm，甚至大于250nm或大于500nm。選擇A為小于或等于50μm，以便限制該線帶的肉眼可見性，選擇e2為至少100nm，以便更容易地獲得低R方塊的目的。線帶在OLED的活性區(qū)(zoneactive)中互連或(僅)通過其端部連接到電觸點(diǎn)。許多散射元件在單獨(dú)附加散射層的表面上的存在或第一散射表面的紋理化可以是短路的來源，這是由于引起在直接沉積在它們上的柵格上的過度粗糙度。因此，優(yōu)選地，柵格不與光提取層的表面接觸，而是將其錨定在部分結(jié)構(gòu)化層中，部分結(jié)構(gòu)化層的高表面優(yōu)選地局部平面的，至少在對于短路適當(dāng)?shù)某叨壬?，即在小?0μm的長度的范圍中，例如大于10μm。柵格可以呈彼此平行延伸的直線線帶的形式，并且在其端部(彼此)連接到電觸點(diǎn)和/或甚至呈閉合圖案或網(wǎng)格(互連在一起限定閉合圖案的線帶)的形式，例如幾何性質(zhì)(矩形，正方形，多邊形，蜂窩狀等)和不規(guī)則形狀和/或不規(guī)則尺寸的圖案。柵格可以包含直線區(qū)域(條帶狀線帶或軌道)和包含封閉圖案(網(wǎng)狀線帶纜或軌道)的區(qū)域。調(diào)節(jié)該部分結(jié)構(gòu)化層的結(jié)構(gòu)以達(dá)到這種效果。厚度e2在空腔中不是強(qiáng)制恒定的。它優(yōu)選地在線帶的表面的中心進(jìn)行定義。寬度A在給定空腔中不是強(qiáng)制恒定的。優(yōu)選地，其在柵格的上表面的水平面處進(jìn)行定義。B可以在與柵格的上表面的水平面處被定義為線帶之間的最大距離，該距離B特別對應(yīng)于網(wǎng)格的兩個點(diǎn)之間的最大距離或兩個分離的相鄰槽紋類型線帶(直的或非直的)之間的最大距離。A和B可以對于每個線帶進(jìn)行變化。由于柵格可以是不規(guī)則的和/或線帶的邊緣可以是傾斜的，因此尺寸A和B優(yōu)選地是線帶上的平均尺寸，完全如同e2。厚度e2(在線帶表面的中心進(jìn)行定義)可以小于1500nm，更好地小于1000nm，特別是100nm至1000nm，或小于800nm，特別是200nm到800nm的范圍內(nèi)。寬度A優(yōu)選小于30μm。A優(yōu)選在1至20μm，甚至更優(yōu)選1.5至20μm或甚至3μm至15μm的范圍內(nèi)。B可以為至少50μm，甚至至少200μm，并且B小于5000μm，更好地小于2000μm，甚至小于1000μm。根據(jù)本發(fā)明的金屬柵格的另一個特征是其具有優(yōu)選小于25％，更好地小于10％，甚至小于6％或小于2％的覆蓋率T。特別地，當(dāng)e2在800至1500nm之間并且A在10至50μm之間時，B可以期望在2000至5000μm之間。這對應(yīng)于0.4至6.0％之間的覆蓋率。特別地，當(dāng)e2小于500nm且A在3至20μm或甚至3至10μm之間時，可以希望B在200-1000μm之間。這對應(yīng)于0.5至22％或0.5至11％的覆蓋率?？涨?以柵格形式形成，限定金屬柵格的布置)部分地用柵格金屬填充?？涨挥傻撞亢蛡?cè)壁界定，最經(jīng)常形成杯狀。分離非導(dǎo)電區(qū)的空腔可以具有大于200nm，甚至至少250nm或500nm，并優(yōu)選小于1500nm或1200nm的高度ec和小于或等于30μm的寬度Ac。ec在空腔的中心處測量。Ac優(yōu)選在空腔的底部測量?？涨豢梢孕纬?一維)槽紋，其任選地規(guī)則地間隔開并且特別地分離的(至少在發(fā)光區(qū)中)，具有任何形狀，例如直線狀或蛇形槽紋?？涨豢梢孕纬删W(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，即周期性或非周期性的具有規(guī)則或不規(guī)則網(wǎng)孔尺寸和任何形狀：特別是幾何形狀(正方形，矩形，蜂窩狀等)的互連開孔網(wǎng)絡(luò)(二維)。網(wǎng)孔尺寸可以通過網(wǎng)孔Bc的兩個點(diǎn)之間的最大寬度來定義。定義水平距離L(在高表面端部和最靠近空腔底部的端部之間)使得L大于ec并且L≤2ec，甚至L≤1.4ec。當(dāng)使用濕法蝕刻來形成部分結(jié)構(gòu)化層時，L通常大于ec。L1通常基本上等于該水平距離L。更精確地，正是從掩模層突出的內(nèi)表面的寬度L0基本上等于水平距離L。L1大約為L0+e2。因此，優(yōu)選地限制空腔的(側(cè)方)展開，以便盡可能最佳地減小線帶的寬度。此外，對于給定的R方塊，優(yōu)先選擇線帶的大厚度而不是大尺寸，以便增加透明度。部分紋理化層優(yōu)選直接位于光提取層上，特別優(yōu)選地能夠覆蓋或填充玻璃的第一散射表面或附加散射層的粗糙度輪廓。因此，部分結(jié)構(gòu)化層的高表面不再現(xiàn)(或放大)玻璃的第一散射表面或附加散射層的粗糙度。因此，優(yōu)選的是，部分結(jié)構(gòu)化層包含很少或沒有散射顆粒，并且甚至不具有(顯著)散射功能。為了保存高表面并且使其局部盡可能平滑，(至少)結(jié)構(gòu)化區(qū)域，特別是由玻璃質(zhì)材料和優(yōu)選由釉質(zhì)制成的結(jié)構(gòu)化區(qū)域，優(yōu)選在其整個厚度上沒有散射顆粒。還可以優(yōu)選的是，結(jié)構(gòu)化區(qū)域，優(yōu)選地電絕緣的結(jié)構(gòu)化區(qū)域，并且優(yōu)選地由玻璃質(zhì)材料制成，甚至更好地由釉質(zhì)制成，在其表面上甚至在其厚度中不包含或包含很少的孔。優(yōu)選地，為了保存空腔底部的表面，低區(qū)域，特別是由玻璃質(zhì)材料，優(yōu)選釉質(zhì)制成的低區(qū)域，優(yōu)選在其整個厚度上沒有散射顆粒。低區(qū)域任選地(僅)包含孔(空氣或氣泡)，散射性或非散射性，尤其體積濃度小于0.5％，優(yōu)選小于0.2％，特別地小于0.1％。關(guān)于光的散射，低區(qū)域，特別由玻璃質(zhì)材料并且優(yōu)選地由釉質(zhì)制成的低區(qū)域可以包含孔，但是其量是如此低的和/或如此小的(非散射性)使得它們不引起部分結(jié)構(gòu)化層是散射性的，特別是相對于單獨(dú)的基材/光提取層的霧度，不增加基材/光提取層/部分結(jié)構(gòu)化層組件的霧度值。部分結(jié)構(gòu)化層，特別地由玻璃質(zhì)材料并且優(yōu)選地由釉質(zhì)制成的部分結(jié)構(gòu)化層，可以包含孔，但是其量如此低的和/或如此小的(非散射性)，使得它們不會導(dǎo)致該層是(顯著)散射性的并且優(yōu)選不會干擾高表面。部分結(jié)構(gòu)化層的高表面，其特別地由玻璃質(zhì)材料并且優(yōu)選地由釉質(zhì)制成，優(yōu)選地可以具有低于5nm，更好地小于3nm，甚至小于1nm的粗糙度Ra(Ra熟知的參數(shù)，其為輪廓的算術(shù)平均偏差)。Ra可以根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)ISO4287進(jìn)行定義并且通過原子力顯微鏡進(jìn)行測量。用于形成部分結(jié)構(gòu)化層的層的表面可以具有大尺度的起伏，例如在100至200μm的橫向周期W上具有1μm的振幅。這些起伏不會不利地影響該結(jié)構(gòu)，因為空腔寬度Ac遠(yuǎn)小于W。部分結(jié)構(gòu)化層可以具有大于3μm，優(yōu)選小于30μm的厚度e3。為了獲得局部盡可能平坦的高表面，特別是如果光提取層是由高折射指數(shù)基體制成的并具有散射顆粒分散在該基體中的附加散射層，則優(yōu)選地e3大于3μm，甚至5μm或8μm，更好地9μm，優(yōu)選小于30μm，更好為小于25μm。優(yōu)選的范圍為9-20μm。為了獲得局部盡可能平坦的高表面，特別是如果光提取層包括散射表面(例如玻璃的第一表面)，優(yōu)選地e3大于5μm，甚至大于8μm甚至更好地大于9μm，e3優(yōu)選小于30μm，更優(yōu)選小于或等于25μm。優(yōu)選的范圍為10-20μm。在一個耐用且易于實施的有利實施方式中，部分結(jié)構(gòu)化的電絕緣層是無機(jī)的，優(yōu)選基于一種或多種氧化物或基本上由一種或多種氧化物，甚至更優(yōu)選地玻璃質(zhì)材料，特別是釉質(zhì)(基于熔融玻璃料)制成。部分結(jié)構(gòu)化層可以例如由與附加散射層的玻璃質(zhì)材料(釉質(zhì)等)或另一種玻璃質(zhì)材料制成。當(dāng)這些玻璃質(zhì)材料相同時，附加散射層和部分結(jié)構(gòu)化層之間的界面不強(qiáng)制地進(jìn)行“標(biāo)記”/可見，即使它們一個接一個地沉積。釉質(zhì)部分結(jié)構(gòu)化層可以包含孔，但是數(shù)量是如此低的和/或小的，使得所述孔不會使該層是(顯著地)散射性的和/或優(yōu)選不干擾高表面變粗糙。附加的光提取層可以包括散射表面(與部分結(jié)構(gòu)化層相比具有折射指數(shù)反差)和/或分散在優(yōu)選具有高折射指數(shù)的介質(zhì)(無機(jī)，更好地是玻璃質(zhì)，尤其為釉質(zhì)等)中散射元件(顆粒；孔等)。散射表面可以由從與部分結(jié)構(gòu)化層相比具有折射指數(shù)反差的(無機(jī)，特別是紫外線帶)介質(zhì)(特別是釉質(zhì)等)的突出顆粒形成。附加散射層可以是單層或多層，其可以包含散射元件的梯度(優(yōu)選地，散射元件，特別是顆粒和/或氣泡的數(shù)目在柵格的方向上的減小)，特別地可以是雙層具有散射元件的梯度和/或不同的散射元件(性質(zhì)和/或濃度不同)。附加散射層，特別地釉質(zhì)附加散射層，可以具有在1μm至80μm，特別是2μm到30μm，甚至3μm到20μm之間的厚度e4。散射元件，特別是散射顆粒，可以均勻地分布在玻璃質(zhì)材料中。它們或者可以不均勻地分布，以便例如產(chǎn)生梯度。附加散射層還可以由多個在散射元件的性質(zhì)、尺寸或比例方面彼此不同的單元層組成。優(yōu)選地，散射元件選自顆粒和孔。附加散射層可以包含顆粒和孔。顆粒優(yōu)選選自氧化鋁顆粒，氧化鋯顆粒，二氧化硅顆粒，二氧化鈦顆粒，碳酸鈣顆粒和硫酸鋇顆粒。散射層可以包括單一類型的顆粒或多種不同類型的顆粒。散射元件優(yōu)選地具有允許使可見光散射的特征尺寸。散射元件(特別是顆粒)優(yōu)選具有在0.05至5μm之間，特別是在0.1至3μm之間的通過動態(tài)光散射(DLS)確定的平均直徑。附加散射層中的散射顆粒的重量濃度優(yōu)選在0.2至10％，特別是0.5至8％，甚至0.8至5％的范圍內(nèi)。盡管散射顆粒的化學(xué)種類沒有特別限制，但它們優(yōu)選選自TiO2顆粒和SiO2顆粒。呈包含散射顆粒的聚合物材料的形式的散射層(例如在EP1406474中所述)是可以的。任選的附加散射層優(yōu)選是無機(jī)層，優(yōu)選基于一種或多種氧化物，更優(yōu)選基本上由一種或多種氧化物構(gòu)成，并且部分結(jié)構(gòu)化層優(yōu)選是無機(jī)層，優(yōu)選基于一種或多種氧化物，特別地與附加散射層相同，并且優(yōu)選地，玻璃是無機(jī)玻璃。在優(yōu)選的實施方案中，附加散射層是直接在基材上的無機(jī)層，所述層由基于一種或多種氧化物的高折射指數(shù)無機(jī)材料制成，所述無機(jī)材料優(yōu)選是玻璃質(zhì)材料，特別是釉質(zhì)，并且散射元件優(yōu)選是孔隙和/或無機(jī)類型元件(沉淀的晶體，中空或固體顆粒，例如氧化物或非氧化物陶瓷顆粒等)。有利地，優(yōu)選“全無機(jī)”技術(shù)方案，特別是：-基材優(yōu)選是無機(jī)玻璃基材；光提取層包含具有散射元件的附加散射層和含有玻璃質(zhì)材料(特別地由其組成)優(yōu)選釉質(zhì)的物質(zhì)，優(yōu)選釉質(zhì)的材料(甚至由它們組成)；并且部分結(jié)構(gòu)化層的組成包含玻璃質(zhì)材料(特別是由其組成)，優(yōu)選釉質(zhì)，該組成優(yōu)選地與附加散射層的材料相同；-和/或基材的第一(制造)散射表面，其優(yōu)選由無機(jī)玻璃制成，形成光提取層的一部分或甚至構(gòu)成光提取層，并且部分結(jié)構(gòu)化層的組成包括玻璃質(zhì)材料(特別是由玻璃質(zhì)材料組成)優(yōu)選釉質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的釉質(zhì)層(部分結(jié)構(gòu)化層和/或附加散射層)優(yōu)選通過以下方法獲得，其中使玻璃料與典型地為有機(jī)的介質(zhì)混合以形成糊料(任選地包含散射顆粒)，所述糊料優(yōu)選在烘烤前通過絲網(wǎng)印刷沉積在第一無機(jī)玻璃表面上。對于由釉質(zhì)制成的附加散射層，優(yōu)選在烘烤期間通過例如從介質(zhì)中消除有機(jī)化合物來形成孔。它們優(yōu)選地是封閉的并且不連接。釉質(zhì)高折射指數(shù)散射層和位于散射層上的高折射指數(shù)釉質(zhì)層在現(xiàn)有技術(shù)中是已知的，并且例如描述在EP2178343和WO2011/089343中。高折射指數(shù)組合物也描述于專利WO2010/084922和WO2010/084925中。由指數(shù)為n3的釉質(zhì)制成的部分結(jié)構(gòu)化層優(yōu)選不含有散射顆粒，其可包含高的氧化鉍含量，例如至少40重量％，更好為至少55％，并且優(yōu)選最多85％的氧化鉍含量。優(yōu)選地，將選擇其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg低于520℃，還更優(yōu)選低于或等于500℃或甚至低于或等于490℃，特別是至少450℃的釉質(zhì)。通過差示掃描量熱法(DLC)測量Tg。用于形成釉質(zhì)的烘烤溫度高于Tg，但不能軟化玻璃基材。優(yōu)選地，烘烤溫度低于600℃，甚至低于570℃，特別是當(dāng)Tg低于或等于500℃時。附加散射層，優(yōu)選包含散射顆粒和任選的孔的附加散射層可以(也可以)由(散射性)釉質(zhì)制成。優(yōu)選地，選擇其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg低于600℃，還更優(yōu)選低于或等于550℃或甚至低于或等于500℃的釉質(zhì)。散射釉質(zhì)可以具有至少1.7的高折射指數(shù)，并且具有高的氧化鉍含量，例如至少40重量％，更好至少55重量％，優(yōu)選最多85重量％的氧化鉍含量。通過差示掃描量熱法(DLC)測量Tg。用于形成釉質(zhì)的烘烤溫度高于Tg，但不能軟化該玻璃基材。優(yōu)選地，烘烤溫度低于600℃，甚至低于570℃，特別是當(dāng)Tg低于或等于500℃時。第一表面可以是足夠粗糙的以散射光。旨在提取由OLED的有機(jī)層發(fā)射的光的粗糙界面是已知的，并且例如描述在專利申請WO2010/112786，WO02/37568和WO2011/089343中?；牡牡谝槐砻娴拇植诙瓤梢酝ㄟ^任何已知的適當(dāng)手段獲得，例如通過酸蝕刻(氫氟酸)，噴砂或磨蝕。(制造的)基材的第一散射表面的紋理優(yōu)選是非周期性的，特別是隨機(jī)的，用于白光應(yīng)用?；牡拇植诙韧ㄟ^熟知的粗糙度參數(shù)Ra進(jìn)行表征，其是輪廓的算術(shù)平均偏差，定量平均幅度。Ra可根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)ISO4287進(jìn)行定義并通過原子力顯微鏡進(jìn)行測量。通常Ra為微米級，優(yōu)選小于5μm，甚至小于3μm。當(dāng)形容詞“散射(性)”用于定性第一散射面和/或附加散射層時，將優(yōu)選地理解的是，(由玻璃基材和光提取層和任選的部分結(jié)構(gòu)化層的整體)的霧度為至少60％，更好為70，甚至80％或90％。使用霧度計(如由BYK出售的那些)和通過在標(biāo)準(zhǔn)ASTMD1003中定義的方案測量該霧度，其有時被稱為“陰影”。當(dāng)基材不具有散射功能(通過粗糙的第一散射表面)時，優(yōu)選其具有低于5％，更好地低于2％，甚至低于1％的霧度。此外，優(yōu)選：-基材和光提取層的組件具有至少40％，甚至50％的透光率TL，優(yōu)選最多5％，甚至3％的吸收率；和-甚至對于基材-光提取層(優(yōu)選由玻璃質(zhì)材料/釉質(zhì)制成)-部分結(jié)構(gòu)化層(優(yōu)選由玻璃質(zhì)材料制成，更好是釉質(zhì)并直接位于光提取層上)組件具有至少40％，甚至50％的TL為，并且優(yōu)選最多5％，甚至3％的吸收率。根據(jù)本發(fā)明的部分結(jié)構(gòu)化層可以在大面積，例如大于或等于0.005m2或甚至大于或等于0.5m2或1m2的面積上延伸。根據(jù)本發(fā)明的柵格可以在大面積，例如大于或等于0.02m2，甚至大于或等于0.5m2或大于或等于1m2的面積上延伸。典型地可以加入堿金屬阻擋層：-在無機(jī)玻璃基材的第一表面(使該表面是散射的或是平面表面，任選地拋光)與附加散射層之間；和/或-在無機(jī)玻璃基材的第一表面(該表面被散射或是常規(guī)的平面的拋光表面)和優(yōu)選電絕緣的部分結(jié)構(gòu)化層之間。例如通過物理氣相沉積(PVD)沉積的層通常具有與基材的表面、與下鄰的表面共形的表面，因此其不起平面化作用(或起很小的平面化作用)。堿金屬阻擋層可以基于氮化硅，碳氧化硅，氮氧化硅，碳氮氧化硅，或二氧化硅，氧化鋁，氧化鈦，氧化錫，氮化鋁，氮化鈦或Ti(Zr)O，例如具有小于或等于100nm或甚至小于或等于30nm，優(yōu)選大于或等于3nm或甚至大于或等于5nm的厚度。它可以是多層。在選擇為塑料的基材(具有制成散射性的表面或平面表面)上可以添加水分阻擋層。阻擋層可以基于氮化硅，碳氧化硅，氮氧化硅，碳氮氧化硅，二氧化硅，氧化鋁，氧化鈦，氧化錫，氮化鋁或氮化鈦，例如具有小于或等于10nm，優(yōu)選大于或等于3nm或甚至大于或等于5nm的厚度。它可以是多層。在本發(fā)明中，所有的折射指數(shù)在550nm進(jìn)行定義。根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電載體可以用于底部發(fā)射(英文為"bottomemission")的有機(jī)電致發(fā)光器件或由頂部和底部發(fā)射的有機(jī)電致發(fā)光器件中。在本發(fā)明中，所有電介質(zhì)層可以是摻雜的。術(shù)語“摻雜”通常理解為表示該元素的存在量小于層中金屬元素的10重量％。金屬氧化物或氮化物可以特別地?fù)诫s到0.5-5％之間。根據(jù)本發(fā)明的任何金屬氧化物層可以是簡單氧化物或混合氧化物，任選地被摻雜。在本發(fā)明中，當(dāng)明確提到層或涂層(包括一個或多個層)被直接沉積在另一沉積物下方或被直接沉積在另一沉積物上方時，即，在這兩個沉積物之間不能插入其它層。導(dǎo)電載體可以包括導(dǎo)電涂層，該導(dǎo)電涂層優(yōu)選直接覆蓋非導(dǎo)電區(qū)和金屬柵格，尤其該導(dǎo)電涂層具有小于或等于500nm的厚度e5，小于20Ω·cm，甚至小于10Ω·cm或低于1Ω·cm，甚至低于10-1Ω·cm且高于金屬柵格的電阻率的ρ5，以及具有為至少1.55，更好至少1.6，甚至更好至少1.7的給定折射指數(shù)n5。電阻率優(yōu)選根據(jù)線帶之間的距離進(jìn)行調(diào)節(jié)。當(dāng)B為越大時，它是更小的。例如，對于B=1000μm和e5=100nm，優(yōu)選小于0.1Ω·cm的電阻率。對于200μm的B和e5=100nm，優(yōu)選小于1Ω.cm的電阻率。根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電涂層有助于更好的電流分布。導(dǎo)電涂層的表面優(yōu)選用于與OLED的有機(jī)層接觸：該有機(jī)層尤其是空穴注入層(英文為“HIL”)或空穴傳輸層(英文為“HTL”)或形成HIL或HTL的一部分，或起HTL或HIL的作用。此外，導(dǎo)電涂層的(外)表面可以還具有非常大尺度的，通常大于0.1mm的起伏。此外，基材可以是彎曲的。導(dǎo)電涂層優(yōu)選是單層而不是多層。涂層的表面，特別是通過氣相沉積獲得的表面，可以再現(xiàn)柵格的表面粗糙度。涂層在中心區(qū)域上方可以從高表面向下移。該涂層可以具有功函數(shù)匹配層，該功函數(shù)匹配層例如可以具有從4.5eV開始的或更優(yōu)選大于或等于5eV的功函數(shù)Ws。因此，導(dǎo)電涂層可以包括具有在1.7-2.3之間的折射指數(shù)na的無機(jī)層(或優(yōu)選由其組成)，優(yōu)選地其是該涂層的最后一層(即離基材最遠(yuǎn)的層)，尤其是功函數(shù)的調(diào)節(jié)層，優(yōu)選具有低于150nm的厚度，基于簡單或混合的透明導(dǎo)電氧化物：-特別地基于至少一種以下任選摻雜的金屬氧化物：氧化錫，氧化銦，氧化鋅，氧化鉬MoO3，氧化鎢WO3，氧化釩V2O5；-(優(yōu)選)ITO，例如基于氧化錫鋅SnZnO或基于氧化銦鋅(IZO)或基于氧化銦錫鋅(ITZO)的(特別是無定形)層。優(yōu)選地，基于氧化鋅的層摻雜有鋁和/或鎵(AZO或GZO)。由ZnO氧化物制成的層優(yōu)選地?fù)诫s有Al(AZO)和/或Ga(GZO)，其中Zn+Al或Zn+Ga或Zn+Ga+Al或Zn+其它摻雜劑(優(yōu)選選自B，Sc或Sb或甚至來自Y，F(xiàn)，V，Si，Ge，Ti，Zr，Hf，甚至In)的重量百分比總和為金屬總重量的至少90％，更好是至少95％，甚至至少97。對于根據(jù)本發(fā)明的AZO層，可優(yōu)選：鋁的重量百分比相對于鋁和鋅的重量百分比之和，即Al/(Al+Zn)低于10％，和優(yōu)選低于或等于5％。為此，可以并優(yōu)選使用氧化鋁和氧化鋅的陶瓷靶，使得氧化鋁的重量百分比相對于氧化鋅和氧化鋁的重量百分比之和，典型地Al2O3/(Al2O3+ZnO)，低于14％，優(yōu)選低于或等于7％。對于根據(jù)本發(fā)明的GZO層，優(yōu)選的是，在鋅和鎵的重量百分比之和中鎵的重量百分比，換句話說Ga/(Ga+Zn)低于10％并且優(yōu)選小于或等于5％。為了實現(xiàn)這一點(diǎn)，可以并優(yōu)選使用鋅和鎵氧化物的陶瓷靶，使得氧化鎵在氧化鋅和氧化鎵的重量百分比的總和中的重量百分比，典型地Ga2O3/(Ga2O3+ZnO)，低于11％，優(yōu)選低于或等于5％。在選擇為基于氧化錫鋅(SnZnO)的層中，Sn金屬總重量百分比優(yōu)選為20至90％(對于Zn優(yōu)選為80至10％)，特別是30至80％(對于Zn優(yōu)選為70至20)，Sn/(Sn+Zn)重量比優(yōu)選為20至90％，特別是30至80％。無機(jī)層，優(yōu)選由ITO或基于氧化鋅制成的無機(jī)層，優(yōu)選具有小于或等于60nm，50nm甚至40nm或甚至30nm以及甚至小于或等于10nm的厚度，并且具有低于10-1Ω.cm的電阻率。優(yōu)選地，選擇通過物理氣相沉積，特別地通過磁控濺射沉積的層，其選自ITO和ZnO(AZO，GZO，AGZO)或甚至MoO3，WO3或V2O5。術(shù)語“氧化銦錫”(或“錫摻雜的氧化銦”或術(shù)語“ITO”)將優(yōu)選地理解為是指由銦(III)氧化物(In2O3)和錫(IV)氧化物(SnO2)獲得的混合氧化物或混合物，優(yōu)選地，對于第一氧化物的重量比為70至95％，對于第二氧化物為5至20％。典型的重量比例為約90重量％的In2O3，對于約10重量％的SnO2。導(dǎo)電涂層可以由其折射指數(shù)na在1.7-2.3之間(這時等于n5)的無機(jī)層組成。導(dǎo)電涂層可以至少包括最遠(yuǎn)離基材的(涂層的)最后層，由(導(dǎo)電)聚合物制成的有機(jī)層(具有亞微米厚度e'5和至少為1.55，更好地1.6的折射指數(shù)nb)或由它們組成，這種聚合物層可以起有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)的空穴傳輸層(HTL)或空穴注入層(HIL)的作用。導(dǎo)電涂層可以由具有在1.7和2.3之間(這時等于n5)的折射指數(shù)nb的有機(jī)層組成。例如，它是來自聚噻吩類的一種或多種(導(dǎo)電)聚合物的層，例如PEDOT，即聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)或PEDOT/PSS，即與聚(苯乙烯磺酸鹽)混合的聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)。作為銷售的PEDOT或PEDOT:PSS，可以提及由Heraeus銷售的以下產(chǎn)品：-小于10-2ohm.cm的ρ的Clevios?FET；或-具有約10ohm.cm的ρ的Clevios?HIL1.1。(導(dǎo)電)聚合物形成電極的一部分并且還任選地用作空穴注入層(HIL)。導(dǎo)電涂層可以是多層的并且包括，(優(yōu)選直接地)在上述無機(jī)層(特別是最后層)或上述有機(jī)層(特別是最后層)下方，直接在金屬柵格(單層或多層?xùn)鸥?上方的第一層，該第一層由厚度e'5小于200nm且折射指數(shù)n'5在1.7-2.3之間的透明導(dǎo)電氧化物制成，n'5-n3的差值絕對值優(yōu)選小于0.1，該層特別地選自：-優(yōu)選基于尤其摻雜有鋁和/或鎵的氧化鋅(AZO或GZO)或任選地ITZO的層；和/或-例如基于氧化錫鋅SnZnO(優(yōu)選具有小于100nm的厚度)或基于氧化銦鋅(表示為IZO)或基于氧化銦錫鋅(表示為ITZO)的層(特別是無定形層)。AZO或GZO層可以例如允許無機(jī)層，特別是ITO層的厚度減小到小于50nm。導(dǎo)電載體還可以包括臨時(可移除)保護(hù)層，例如無機(jī)層，例如由氧化物或氮化物制成，或聚合物層，以便允許載體被運(yùn)輸?shù)綄?dǎo)電涂層的沉積地點(diǎn)，該地點(diǎn)與柵格的沉積地點(diǎn)不同?；目梢允瞧矫娴幕驈澢?，此外可以是剛性的，柔性的或半柔性的。其主面可以是矩形，正方形或甚至任何其它形狀(圓形，橢圓形，多邊形等)。這種基材可以具有大尺寸，例如具有大于0.02m2或甚至0.5m2或1m2的面積，并且下電極基本上占據(jù)該面積(不包括結(jié)構(gòu)化區(qū))?；目梢允腔就该鞯?，由無機(jī)材料或塑料材料(例如聚碳酸酯PC，聚甲基丙烯酸甲酯PMMA或甚至PET，聚乙烯醇縮丁醛PVB，聚氨酯PU，聚四氟乙烯PTFE等)制成?；膬?yōu)選由無機(jī)玻璃制成，特別是通過浮法工藝獲得的鈉-鈣-硅玻璃，浮法工藝在于將熔融玻璃傾倒在熔融錫浴上。基材優(yōu)選是無色的，并且(單獨(dú))具有至少80％，甚至90％的在標(biāo)準(zhǔn)EN410:1998意義上的光透射系數(shù)?；目梢杂欣厥窃贠LED輻射波長下具有低于2.5m-1，優(yōu)選低于0.7m-1的吸收系數(shù)的玻璃。例如選擇含有小于0.05％的FeIII或Fe2O3的鈉鈣硅玻璃，特別是來自Saint-GobainGlass的Diamant玻璃，來自Pilkington的Optiwhite玻璃和來自Schott的B270玻璃?？梢赃x擇在文獻(xiàn)WO04/025334中描述的任何超透明玻璃組合物。玻璃基材的厚度可以為至少0.1mm，并且優(yōu)選在0.1至6mm，特別是0.3至3mm的范圍內(nèi)。如上所定義的載體還可以包括沉積(優(yōu)選直接地沉積)在導(dǎo)電涂層上的有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)，任選地包括空穴傳輸層HTL或空穴注入層HIL。本發(fā)明還涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，其包括如上所定義的載體、具有形成“下”電極的金屬柵格的電極，即最接近基材的電極，通常為陽極，特別地覆蓋有由有機(jī)電致發(fā)光材料制成的電致發(fā)光層，所述電致發(fā)光層由上電極(通常陰極)覆蓋。對于上電極，可以使用(反射，半反射等)金屬層，例如由Ag、Al、Pd、Cu、Pd、Pt、In、Mo、Au制成。OLED器件可以產(chǎn)生單色光，特別是藍(lán)色和/或綠色和/或紅色光，或者適合于產(chǎn)生白光。為了產(chǎn)生白光，多種方法是可能的：將化合物(發(fā)射紅色，綠色，藍(lán)色光)混合在單層中；可以在電極的表面上堆疊三個有機(jī)結(jié)構(gòu)(發(fā)射紅色，綠色，藍(lán)色光)或兩個有機(jī)結(jié)構(gòu)(黃色和藍(lán)色)，三個相鄰有機(jī)結(jié)構(gòu)(發(fā)射紅色，綠色，藍(lán)色光)的系列；發(fā)射單一顏色的有機(jī)結(jié)構(gòu)在電極的表面上，而合適的發(fā)光體層放置在另一個表面上。OLED器件可以包括多個相鄰的有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)，每個發(fā)射白光或者紅、綠和藍(lán)光三者的系列，所述系統(tǒng)例如串聯(lián)連接。每行可以例如按照給定的顏色發(fā)射。根據(jù)所使用的有機(jī)材料，OLED通常分為兩個大家族。如果電致發(fā)光層由小分子形成，則該器件被稱為小分子有機(jī)發(fā)光二極管(SM-OLED)。薄層的有機(jī)電致發(fā)光材料由蒸發(fā)的分子組成，例如絡(luò)合物AlQ3(三(8-羥基喹啉)鋁)，DPVBi(4,4'-二苯基亞乙烯基)聯(lián)苯，DMQA(二甲基喹吖啶酮)或DCM(4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃)。發(fā)射層還可以例如是摻雜有fac-三(2-苯基吡啶)銥(Ir(ppy)3)的4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)層。通常，SM-OLED的結(jié)構(gòu)由HIL(空穴注入層)，HTL(空穴傳輸層)，發(fā)射層和ETL(電子傳輸層)的堆疊體構(gòu)成。有機(jī)電致發(fā)光堆疊體的實例例如描述在文獻(xiàn)US6645645中。如果有機(jī)電致發(fā)光層是聚合物，則稱為PLED(聚合物發(fā)光二極管)。優(yōu)選地，導(dǎo)電涂層耐受以下OLED制造步驟：-在200℃穩(wěn)定1小時；-耐在13的pH值(清潔溶液)；-耐在1.5-2的pH值(特別地如果沉積聚合物用于導(dǎo)電涂層時，在沉積OLED系統(tǒng)之前)；和-抗分層(透明膠帶試驗)。光提取裝置也可以位于基材的外表面上，即在與擔(dān)載柵格電極的第一主表面相對的表面上。它可以是微透鏡或微錐體陣列，如在JapaneseJournalofAppliedPhysics，Vol.46，No.7A，第4125-4137頁(2007)中描述，或甚至軋光整理，例如通過用氫氟酸蝕刻獲得的軋光整理。最后，本發(fā)明涉及用于制造如上所定義的導(dǎo)電載體的方法，該方法以下順序包括以下步驟：-提供所述基材，包括：-光提取層，其優(yōu)選由基材的第一散射表面形成和/或由(優(yōu)選直接地)位于基材的第一表面上的附加散射層形成；和-在光提取層上，由具有所述折射指數(shù)n3的組合物制成的“高折射指數(shù)”層，該層包含所述玻璃質(zhì)材料(優(yōu)選不含散射顆粒)，并且該層任選地含有孔類型元件濃度，孔類型元件的體積濃度低于0.5％，優(yōu)選低于0.2％，特別是低于0.1％，優(yōu)選地，所述高折射指數(shù)層使光提取層平面化；-在所述高折射指數(shù)層中形成稱為“空腔”的盲孔，從而形成所述部分結(jié)構(gòu)化層，其包含：-在高指數(shù)層上產(chǎn)生具有給定通孔(線和/或網(wǎng))排列的不連續(xù)掩模層(樹脂層，例如感光樹脂層，特別是正性或負(fù)性感光樹脂層)；和-通過掩模層中的通孔濕法蝕刻高折射指數(shù)層，尤其是大開口的通孔(在與基材相反的方向上擴(kuò)大)，掩模層的側(cè)壁相對于空腔的側(cè)壁突出并因此限定掩模層的朝向空腔的表面部分(稱為內(nèi)表面)，所述孔的寬度W0小于空腔的寬度Wc(在高表面的水平面處)；和-形成金屬柵格(在稱為非導(dǎo)電區(qū)的高表面和金屬柵格的表面之間具有間隔H)，其包括：-濕法沉積第一金屬，其部分地填充空腔的柵格，優(yōu)選地自催化濕法沉積，該沉積優(yōu)選地對于金屬柵格是唯一沉積，直接沉積在空腔的底部上，甚至沉積在覆蓋空腔的全部或一部分的電介質(zhì)(非金屬)下層(下連接層等)上，該第一材料沉積在空腔的底部，空腔的側(cè)壁上并且完全在掩模層的內(nèi)表面上，從而形成與高表面齊平的線帶的側(cè)方區(qū)域，并且比線帶束的中心區(qū)域(其面向孔)更低粗糙的；和-去除掩模層(優(yōu)選使用濕法甚至在超聲下進(jìn)行)，優(yōu)選地去除掩模層在柵格表面上方不產(chǎn)生高度至少10nm的突起。使用濕法蝕刻方法進(jìn)行該蝕刻。通過溶液的濃度，溶液類型，蝕刻的時間長度和溶液的溫度來控制空腔的深度。掩模層，優(yōu)選為(感光)樹脂這時是耐蝕刻溶液的?？涨痪哂醒嘏c基材相反的方向擴(kuò)張的側(cè)壁(隨著遠(yuǎn)離基材而進(jìn)一步擴(kuò)大)。橫截面可以是杯形或甚至半球形(類型)。特別地可以與由玻璃質(zhì)材料(優(yōu)選釉質(zhì))制成的部分結(jié)構(gòu)化層一起使用酸溶液，并且優(yōu)選地，掩模層是(感光)樹脂，特別是正性感光樹脂。用濕的特別是酸的溶液獲得的蝕刻是垂直和側(cè)向的，因為(特別是酸)蝕刻溶液在每個方向上侵蝕(切割)。蝕刻輪廓可以是杯形或半球形。接下來，在第一金屬材料之前沉積任選的粘結(jié)層。有利地，濕法沉積(優(yōu)選地，對于金屬柵格來說是唯一沉積)可以是鍍銀，并且優(yōu)選地柵格是單層，甚至第一金屬(其基于銀)直接沉積在空腔的底部上?；蛘?，金屬柵格的形成包括柵格的第二金屬材料在第一金屬材料上方或在第一金屬材料下方的其它沉積。如果在濕法沉積(例如鍍銀)之后進(jìn)行該其它沉積，它可以是電沉積銀。如果在濕法沉積(例如鍍銀)之前進(jìn)行該其它沉積，它可以是銀的陰極濺射。當(dāng)使用相同金屬(例如優(yōu)選銀)的兩種不同沉積方法(陰極濺射和鍍銀，鍍銀和電沉積)獲得柵格時，銀層可以通過它們的性質(zhì)，特別地通過可辨別的界面進(jìn)行區(qū)分。用于鍍銀步驟的溶液可以包含銀鹽，用于還原銀離子的試劑，甚至螯合劑。鍍銀步驟可以根據(jù)在反射鏡制造領(lǐng)域中通常使用的并且例如在由Mallory，GlennO.；Hajdu，JuanB.編輯的著作“ElectrolessPlating-FundamentalsandApplications”，(1990)WilliamAndrewPublishing/Noyes的第17章中描述的常規(guī)操作模式進(jìn)行實施。在優(yōu)選的實施方案中，鍍銀步驟包括使具有光提取層的基材，部分結(jié)構(gòu)化層和含通孔的掩模層(優(yōu)選(感光)樹脂)與兩種水溶液(一種含有金屬鹽，例如硝酸銀，另一種含有金屬離子(Ag+離子)的還原劑，例如鈉，鉀，醛，醇或糖)的混合物接觸(通過浸入浴中或通過噴涂溶液)。最常用的還原劑是羅謝爾鹽(酒石酸鉀鈉KNaC4H4O6·4H2O)，葡萄糖，葡萄糖酸鈉和甲醛。優(yōu)選地，在進(jìn)行這種接觸之前，鍍銀步驟包括(空腔表面的)敏化步驟，優(yōu)選包括用錫鹽的處理，和/或(空腔表面的)活化步驟，優(yōu)選包括用鈀鹽的處理。這些處理的功能主要是促進(jìn)隨后的金屬化(通過銀)和增加形成的銀金屬層(在空腔中)的粘附性。對于這些敏化和活化步驟的詳細(xì)描述，可以例如參考專利申請US2001/033935。更確切地，可以通過將具有光提取層，部分結(jié)構(gòu)化層和含通孔的掩模層(優(yōu)選(感光)樹脂)的基材浸入槽中來進(jìn)行鍍銀操作，每個槽按以下順序包含以下三種溶液之一：-第一SnCl2水溶液(敏化)，優(yōu)選進(jìn)行攪拌(優(yōu)選少于5分鐘，例如0.5-3分鐘)，隨后在(蒸餾)水中漂洗；-第二PdCl2水溶液(活化)，優(yōu)選進(jìn)行攪拌(優(yōu)選少于5分鐘，例如0.5-3分鐘)，隨后在(蒸餾)水中漂洗；和-第三溶液，其為銀鹽(優(yōu)選硝酸銀)的溶液和銀還原劑(優(yōu)選葡萄糖酸鈉)的溶液的混合物，優(yōu)選進(jìn)行攪拌(優(yōu)選少于15分鐘甚至少于5分鐘，例如0.5-3分鐘)，隨后在(蒸餾)水中漂洗。然后將涂覆和這樣鍍銀的基材從最后一個浴中取出并在(蒸餾)水中漂洗。另一個實施方案在于以與上述相同的順序噴涂三種前述溶液，而不是浸沒具有光提取層，部分結(jié)構(gòu)化層和含通孔的掩模層(優(yōu)選為(感光)樹脂)的基材。優(yōu)選使用濕法，特別地通過在溶劑(丙酮等)的超聲浴中除去掩模層(優(yōu)選例如樹脂層，更好地感光樹脂層)。高折射指數(shù)層優(yōu)選包含釉質(zhì)(更好地由釉質(zhì)組成)，所述層特別是由基于玻璃料的第一組合物獲得。優(yōu)選地，任選的附加散射層包括含有散射元件的釉質(zhì)(更好地由其組成)，散射元件由另一種基于玻璃料的組合物(其特別與第一組合物相同)獲得。包含玻璃質(zhì)材料的高折射指數(shù)層優(yōu)選是通過以下方法獲得的釉質(zhì)，其中：-將具有折射指數(shù)n3的玻璃料與有機(jī)介質(zhì)混合，以形成“平面化”糊料，優(yōu)選不添加散射顆粒；-沉積所述糊料，例如通過絲網(wǎng)印刷；-優(yōu)選直接在無機(jī)玻璃片材(具有散射表面)上或在無機(jī)阻擋層(其在無機(jī)玻璃片材(具有散射表面))上或甚至在附加散射層上沉積；和-烘烤該組件。包括玻璃質(zhì)材料的附加散射層優(yōu)選是通過以下方法獲得的釉質(zhì)，其中：-將玻璃料與有機(jī)介質(zhì)混合，并優(yōu)選與散射顆?；旌弦孕纬伞吧⑸洹焙?；-沉積所述糊料，優(yōu)選直接沉積在(平面的、拋光或紋理化、散射性)的無機(jī)玻璃片材上，或沉積于在無機(jī)玻璃片材上的無機(jī)阻擋層上；和-烘烤該組件。附加散射層可以通過在沉積“平面化”糊料之前烘烤該散射糊料來形成，或者可以一起烘烤這兩種糊料(減少一個烘烤步驟)。在一種結(jié)構(gòu)中，使用具有相同組成(特別是相同的玻璃料，不同在于存在或不存在散射顆粒)的散射糊料和平面化糊料。有機(jī)介質(zhì)典型地選自醇，二醇和萜品醇酯。介質(zhì)的重量比例優(yōu)選在10至50％的范圍內(nèi)。(散射和/或平面化)糊料的沉積特別地可以通過絲網(wǎng)印刷，輥涂，浸涂，刮涂，通過噴涂，旋涂，流涂(nappagevertical)或甚至借助于狹縫模的涂布進(jìn)行實施。在絲網(wǎng)印刷的情況下，優(yōu)選使用為織物或金屬網(wǎng)眼形式的網(wǎng)屏，流動涂布工具和刮刀，通過選擇網(wǎng)屏的網(wǎng)眼及其張力，通過選擇在玻璃片材(或附加散射層)和網(wǎng)屏之間距離，通過刮刀的壓力和移動速度來控制厚度。沉積物典型地在100至150℃的溫度下在紅外或紫外輻射下進(jìn)行干燥，這取決于介質(zhì)的性質(zhì)。通常，使玻璃料(70-80重量％)與20-30重量％的有機(jī)介質(zhì)(乙基纖維素和有機(jī)溶劑)混合?？梢允购辖?jīng)受在120℃-200℃的范圍內(nèi)的溫度的熱處理，例如以便固化糊料。接下來，可以使糊料經(jīng)受350-440℃的熱處理以除去有機(jī)介質(zhì)。用于形成釉質(zhì)的烘烤高于典型地在低于600℃，優(yōu)選低于570℃的溫度的Tg。高表面和柵格可以在導(dǎo)電涂層沉積之前或?qū)щ娡繉映练e之后拋光。該方法還可以包括，在被所述柵格材料覆蓋的掩模層(樹脂，特別是感光樹脂)已經(jīng)被去除之后，直接在柵格上和(直接)在部分結(jié)構(gòu)化層上沉積導(dǎo)電涂層(單層或多層導(dǎo)電涂層)的步驟：-通過物理氣相沉積，特別是通過陰極濺射，包括任選的SnZnO或AZO的第一沉積，以及ITO或基于(摻雜的)ZnO或甚至MoO3，WO3或V2O5的第二沉積物或最后沉積，或優(yōu)選ITO或基于(摻雜的)ZnO或甚至MoO3，WO3或V2O5的唯一沉積；和/或-通過濕法，例如(導(dǎo)電)聚合物的沉積，優(yōu)選地，選擇單層導(dǎo)電涂層的唯一沉積?？梢詢?yōu)選地，所有的沉積操作都通過濕法沉積進(jìn)行實施。該方法可以包括在沉積導(dǎo)電涂層之前在高于180℃，優(yōu)選在250℃-450℃之間，特別是在250℃-350℃之間的溫度下的加熱(電極)步驟，時間長度優(yōu)選為5分鐘至120分鐘，特別是15至90分鐘。和/或，該方法可以包括在沉積由無機(jī)(優(yōu)選ITO)層或基于(摻雜的)ZnO的層組成的導(dǎo)電涂層之后的加熱步驟，該加熱的溫度高于180℃，優(yōu)選在250℃-450℃之間，特別是在250℃-350℃之間，持續(xù)時間優(yōu)選在5分鐘-120分鐘，特別是在15分鐘-90分鐘。該加熱使得可以改善柵格的R方塊和/或降低ITO類型無機(jī)層的吸收。現(xiàn)在將借助于非限制性實施例和附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明。-附圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施方案的用于OLED的導(dǎo)電載體的示意性橫截面圖；-附圖1a是圖1的詳細(xì)視圖；-附圖1b示出了用于圖1中的載體中的柵格的示意性俯視圖，附圖1c是該柵格的變型的示意性俯視圖；-附圖1d是根據(jù)本發(fā)明的實施例1的用于OLED的導(dǎo)電載體(沒有導(dǎo)電涂層)的掃描電子顯微照片，顯示高表面和柵格的線帶；-附圖1e示出了作為HTL厚度的函數(shù)的由實施例1和對比OLED制成的OLED的外部量子效率；-附圖1f是顯示在第一比較例中的高表面和柵格線帶的用于OLED的導(dǎo)電載體(沒有導(dǎo)電涂層)的掃描電子顯微照片；-附圖1g是顯示了在由申請人實施的第二比較例中的高表面和柵格線帶的用于OLED的導(dǎo)電載體(沒有導(dǎo)電涂層)的掃描電子顯微照片，；-附圖1h是通過本申請人生產(chǎn)的第二比較例的線帶的部分結(jié)構(gòu)化層的空腔的橫截面的示意性詳圖；-附圖2是根據(jù)本發(fā)明的第二種實施方式的用于OLED的導(dǎo)電載體的示意性橫截面圖；-附圖3a至3g是用于制造附圖1中的導(dǎo)電載體的工藝的示意圖；-附圖4是具有部分結(jié)構(gòu)化層的空腔的橫截面的掃描電子顯微照片。應(yīng)當(dāng)注意，為了清楚起見，所示對象的各種元件不按比例。附圖1示意性地示出了用于穿過基材發(fā)射的有機(jī)電致發(fā)光器件OLED的散射性導(dǎo)電載體100的橫截面。該載體100包括由具有1.3至1.6的折射指數(shù)ns的有機(jī)玻璃或優(yōu)選無機(jī)玻璃制成的平面或彎曲的玻璃基材1(其是光滑的或甚至是紋理化的以便為散射性的)，具有稱為第一表面的第一主面11，按這種遠(yuǎn)離該基材的順序擔(dān)載有：-如果為無機(jī)玻璃，則有任選的堿金屬阻擋層(未示出)，或者如果為有機(jī)玻璃，則有濕氣阻擋層，例如氮化硅或Ti(Zr)Ox層；-由具有散射元件的附加散射層形成的電絕緣的光提取層41，優(yōu)選為無機(jī)層，該層優(yōu)選由具有為1.7至2.3，優(yōu)選1.80至2.10，特別是1.85至2.00的折射指數(shù)n4的高折射指數(shù)的玻璃質(zhì)材料制成，玻璃質(zhì)材料，如含有如散射顆粒4'和孔4"(或作為變體，這兩種中僅一種)的散射元件的釉質(zhì)，該層具有給定的厚度e4且優(yōu)選微米尺寸，甚至最多30μm的厚度e4；-高折射指數(shù)的電絕緣的在厚度中部分結(jié)構(gòu)化無機(jī)層3，具有為1.7至2.3，優(yōu)選1.80至2.10，特別是1.85至2.00的折射指數(shù)n3，優(yōu)選為高折射指數(shù)玻璃質(zhì)材料，優(yōu)選釉質(zhì)，其厚度e3優(yōu)選為微米級甚至最多20μm，在高折射指數(shù)玻璃質(zhì)材料中不添加散射顆粒，該層3覆蓋該附加散射層的表面，其包含：-稱為低區(qū)域30的區(qū)域(連續(xù)的，非紋理化的)，其在這里直接位于附加散射層上，具有給定(優(yōu)選微米的)厚度e'3，其覆蓋該附加散射層的表面；和-突起和凹陷狀的結(jié)構(gòu)化區(qū)域31，所述突起限定平坦的高表面31'，所述空腔或凹陷由底部32'(限定低表面)和側(cè)壁32限定，所述空腔具有在中間取的高度ec，優(yōu)選為最多1500nm并大于200nm，空腔沿著給定的規(guī)則或不規(guī)則的布置(不連續(xù)的帶，網(wǎng)等)延伸，高表面是局部平面的；-電極2，其包括以柵格20形式布置的層，稱為金屬柵格，柵格由金屬材料，優(yōu)選銀單層制成，柵格在這里是由錨定在空腔中的線帶20(又稱為“軌道”)形成的單層，所述線帶具有小于50μm，更好地小于或等于30μm(并且至少1μm)的寬度A并且間隔有小于或等于5000μm的距離B，所述柵格具有為至少100nm，優(yōu)選小于1500nm的在線帶表面中間定義的厚度e2，所述柵格具有小于20Ω/□，甚至小于10Ω/□或者小于5Ω/□的方塊電阻；和-導(dǎo)電涂層5，優(yōu)選為單層，具有小于或等于100nm，更優(yōu)選小于或等于60nm的厚度e5，具有小于20Ω.cm并且高于金屬柵格電阻率的電阻率ρ5，并且具有至少1.55的給定折射指數(shù)n5，其由在柵格2上和在高表面31'上優(yōu)選由ITO(或AZO或GZO，AGZO)制成的無機(jī)層組成，或作為變型由是高折射指數(shù)導(dǎo)電聚合物層(如通過濕法沉積的PEDOT/PSS)組成，其具有例如為約10-1ohm.cm的電阻率ρ1和約100nm或更大的厚度。為了表征該空腔，如在圖1a(圖1的詳細(xì)視圖)中所示，在空腔底部定義寬度Ac，Bc被定義為兩個空腔相鄰底部之間的距離。ec是從空腔底部的中心開始的高度。由于在形成部分結(jié)構(gòu)化層期間的濕法蝕刻層的工藝，空腔具有傾斜的側(cè)壁，其細(xì)節(jié)在下面給出。側(cè)壁是擴(kuò)張的(它們隨著遠(yuǎn)離基材而進(jìn)一步擴(kuò)寬)，定義在X和Y之間的水平距離L使得X是側(cè)壁的最高點(diǎn)，Y是在空腔的底部的端部處的點(diǎn)。獲得大于ec的L，L≤2ec并且甚至L≤1.4ec。高表面31'和空腔中心處的金屬柵格2的表面之間的間隔H大于100nm，更好地大于150nm。線帶具有由于鍍銀沉積而為粗糙的中心區(qū)域21和寬度為L1的光滑的側(cè)方區(qū)域22,22'。因此，中心區(qū)域Ac的寬度等于A-2L1。ITO涂層5通過磁控陰極濺射進(jìn)行沉積，其表面與下鄰表面(部分結(jié)構(gòu)化層的表面，側(cè)方區(qū)域，中心區(qū)域)共形。部分結(jié)構(gòu)化層3是局部平面的，并且不含散射顆粒。部分結(jié)構(gòu)化層不含孔，或至少很少在表面上開口的孔。無論如何，部分結(jié)構(gòu)化層不包含易于散射光的孔和/或產(chǎn)生局部過大的表面粗糙度的孔。為了制造OLED器件，然后添加簡單或多結(jié)(串聯(lián)等)有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)和反射(或半反射)上電極，特別是金屬的，例如基于銀或鋁的上電極。附圖1b是用于附圖1的載體100中的柵格的示意性俯視圖。柵格2由具有在高表面處的水平面的寬度A和在高表面的水平面處的距離B的不連續(xù)的線狀線帶20(因此在形成不連續(xù)的線狀槽紋的空腔中)。圖案間距離B對應(yīng)于相鄰線帶之間的最大距離。附圖1c是具有互連的線帶20的柵格的變型，線帶形成例如蜂窩形狀或任何其它幾何(正方形等)或非幾何形狀的封閉網(wǎng)格或圖案。圖案間距離B對應(yīng)于網(wǎng)格的兩點(diǎn)之間的最大距離。在關(guān)于附圖1的實施例1中，選擇以下特征。玻璃1是平面的，具有低于1％的霧度，由透明的鈉鈣玻璃，例如浮法玻璃制成，具有為約1.5的折射指數(shù)，例如為0.7mm的厚度，為至少90％的TL。具有等于10μm的厚度e4的附加散射層4是由富含鉍(例如至少55重量％，優(yōu)選低于85重量%)的玻璃基質(zhì)組成的高折射指數(shù)釉質(zhì)(n4=1.95，在λ=550nm)，該玻璃基質(zhì)具有低于500℃的Tg，并且包含TiO2(平均直徑400nm)或作為變型SiO2(平均直徑300nm)的散射顆粒，顆粒密度對于TiO2為約5×108顆粒/mm3，對于SiO2顆粒為約2×106顆粒/mm3。直接沉積在散射層4上的部分結(jié)構(gòu)化層3由不添加散射顆粒的具有為9至12μm(例如10μm)的厚度e3的富含鉍的相同基質(zhì)(在λ=550nm處的n3=1.95)組成。厚度ec為500nm。如上所述，通過酸蝕刻獲得釉質(zhì)層3的空腔。部分結(jié)構(gòu)化層3是局部平面的。高表面31'的粗糙度由低于1nm的Ra進(jìn)行定義。在沉積基于玻璃料和散射顆粒的糊料(和任選的干燥)之后和在沉積不含散射顆粒的相同的玻璃料的糊料之后，例如進(jìn)行一次高于Tg的烘烤(甚至用于除去有機(jī)介質(zhì)的烘烤)。由玻璃1、散射層4和部分結(jié)構(gòu)化層3組成的組件的TL為57％，霧度為85％，吸收率小于2％。柵格2是通過鍍銀直接沉積在空腔中的銀單層。銀部分地填充空腔，其中e2等于約200nm。因此，H等于300nm。為網(wǎng)格的該柵格的圖案是六邊形。寬度A等于12μm，最大距離B為560μm。覆蓋率T為4.5％。對于為約200nm的厚度e2，根據(jù)以下操作模式將銀層沉積在部分結(jié)構(gòu)化層3中：-根據(jù)以下方式稀釋鍍銀溶液(由DR.-ING.SCHMITT，GMBHDieselstr.16，64807Dieburg/GERMANY提供的稀釋溶液)：o在250cm3燒瓶中的100μl的Miraflex?1200(SnCl2溶液)(溶液No.1)；o在250cm3燒瓶中的200μl的Miraflex?PD(PdCl2溶液)(溶液No.2)；o在250cm3燒瓶中的15ml的Miraflex?RV(還原劑葡萄糖酸鈉溶液)(溶液No.3)；和o在250cm3燒瓶中的15ml的Miraflex?S(硝酸銀溶液)(溶液No.4)；-將基材(具有釉質(zhì)層4,3)放置在一個槽中，將溶液No.1的內(nèi)容物倒入其中并攪拌1分鐘，然后在蒸餾水中漂洗；-將基材(具有釉質(zhì)層4,3)置于第二個槽中，將溶液No.2的內(nèi)容物倒入其中并攪拌1分鐘，然后在蒸餾水中漂洗；-將基材(具有釉質(zhì)層4,3)放置最后一個槽中，在槽中倒入溶液No.3和4的內(nèi)容物，攪拌2分鐘，然后在蒸餾水中漂洗。導(dǎo)電涂層5由50nm厚的氧化銦錫ITO層組成，該氧化銦錫ITO層的折射指數(shù)為約2，電阻率ρ5低于10-1Ω·cm。在2×10-3毫巴的壓力下，使用由氧化銦(90重量％)和氧化錫(10重量％)制成的陶瓷靶，在氬氣和氧氣的混合物(O2/(Ar+O2)為1%)下，ITO通過磁控陰極濺射進(jìn)行沉積。通過常規(guī)的4點(diǎn)探針法測量的在600℃下退火20分鐘后的組件的R方塊為約2.5歐姆/平方。附圖1d是在沉積導(dǎo)電涂層之前在部分結(jié)構(gòu)化層中的銀柵格2的原子力顯微照片，示出了部分結(jié)構(gòu)化釉質(zhì)層3的高表面31和具有平面?zhèn)确絽^(qū)域22和更粗糙的中心區(qū)21的柵格線帶20。還看到空腔的側(cè)壁32。附圖1e示出了在空氣中測量的外部量子效率EQE空氣作為使用實施例No.1制備的OLED(曲線8)和對比OLED(曲線8')的HTL厚度的函數(shù)的依賴性。比較OLED由申請人使用相同的玻璃和相同的附加散射層進(jìn)行制造，在附加散射層上覆蓋有與部分結(jié)構(gòu)化層相同厚度和相同材料的非結(jié)構(gòu)化層，并且具有作為電極的與涂層5相同的ITO層，該ITO層的厚度等于50nm，R方塊為100歐姆/平方，因此遠(yuǎn)高于實施例No.1的OLED的R方塊值。該電致發(fā)光系統(tǒng)包括：-具有可變厚度(在約200-600nm之間)的HTL層；-10nm的電子阻擋層(EBL)；-發(fā)射橙色的10nm厚的層；-發(fā)射藍(lán)色的25nm厚的層；-10nm的空穴阻擋層(HBL)；和-40nm的電子傳輸層(ETL)。陰極是100nm的鋁層。在積分球內(nèi)測量EQE空氣。根據(jù)本發(fā)明的OLED的EQE空氣是令人滿意的(在11％-12％之間)，并且?guī)缀醯扔趯Ρ萇LED的EQE空氣。約5％的差異是由于銀柵格的表面遮擋(覆蓋率T為4.5％)。相反，由于對比陽極的較低R方塊，實施例No.1中制備的OLED具有比對比OLED的發(fā)光效率高約20％的發(fā)光效率。此外，實施例1中制備的OLED具有比用玻璃(沒有光提取層)和基于ITO的電極制造的OLED的EQE空氣(其EQE空氣為約7.5至8％)更高。附圖1f是掃描電子顯微照片，其顯示通過鍍銀獲得的柵格2'的線帶20'，但是其中心區(qū)域21與部分結(jié)構(gòu)化釉質(zhì)層3的高表面31'相差小于100nm，這是由申請人作為比較實施例進(jìn)行的實施例。觀察到沿光滑側(cè)表面22的內(nèi)邊緣和粗糙中心表面21的外邊緣出現(xiàn)約50nm高度的突起23(在這里是連續(xù)的)。這些突起23產(chǎn)生泄漏電流。圖1g是掃描電子顯微照片，顯示了通過磁控陰極濺射而不是鍍銀獲得的柵格2"的線帶20"的頂部，并且示出了層3的高表面31。銀通過磁控陰極在氬氣下在8×10-3毫巴的壓力下用由銀制成的靶進(jìn)行濺射。由于掩模層的遮蔽作用，線帶的側(cè)方區(qū)域22a是杯形的。這些杯產(chǎn)生泄漏電流。因此，附圖1h示出了這種類型的銀柵格2"的線帶20"的輪廓曲線和細(xì)節(jié)的示意性橫截面，該線帶材位于部分結(jié)構(gòu)化層3的空腔中。側(cè)方區(qū)域22a和22b產(chǎn)生了形態(tài)斷裂(其產(chǎn)生泄漏電流)。附圖2示意性地示出了在本發(fā)明的第二實施例中的用于穿過基材發(fā)射(或底部發(fā)射)的有機(jī)電致發(fā)光器件OLED的導(dǎo)電載體2000的橫截面。下面僅詳細(xì)描述了相對于載體100的修改。光提取層42由玻璃1的第一表面形成，該表面是粗糙的散射性的。因此，部分結(jié)構(gòu)化層3直接位于玻璃的第一散射表面上。在關(guān)于附圖2的實施例No.2中，選擇以下特征。通過例如使用氫氟酸使玻璃粗糙化而獲得第一散射表面11的粗糙度42。粗糙基材的實例是由LaVenecianadeSaint-Gobain公司生產(chǎn)的稱為Satinavo?Mate的玻璃。粗糙化的基材的突起例如基本上是棱錐形的和隨機(jī)分布的，各向同性地散射光。下表給出了粗糙度參數(shù)Ra，Rz和霧度(haze)。對于高折射指數(shù)的部分結(jié)構(gòu)化層3，選擇如對于實施例1的層所述的釉質(zhì)，厚度e3為20μm。或者，可以選擇通過如在專利申請WO2014/048927的實施例1至5中所述的研磨獲得的散射表面。圖3a至3g是用于通過酸蝕刻制造部分結(jié)構(gòu)化層的方法的示意圖(不按比例)，以及關(guān)于附圖1通過鍍銀制造銀柵格的示意圖(未按比例)。在圖3a中所示的第一步驟在于，從涂覆有由在基材上的附加散射層(其由含有散射顆粒的無機(jī)材料制成)形成的光提取層4的玻璃1開始：-在光提取層上形成包括具有所述折射指數(shù)n3的玻璃質(zhì)材料(優(yōu)選釉質(zhì))的高折射指數(shù)層3a；和-在層3a上施加液態(tài)掩模材料的層60，在這里為正性光敏樹脂，常規(guī)AZ1505樹脂。然后在對流烘箱中在100℃下將感光樹脂烘烤二十分鐘。感光樹脂的厚度為800nm。附圖3b所示的第二步驟在于產(chǎn)生感光樹脂圖案。為此，將含有不連續(xù)部分71的光刻掩模70施加到樹脂60上，并且在旨在根據(jù)不均勻或均勻的排列轉(zhuǎn)變成通孔(不連續(xù)(平行)條帶形式或互連(對于柵格)形式)的區(qū)域中，使用Hg燈穿過不連續(xù)部分在20mW/cm2的UV(在365nm)照射樹脂60持續(xù)10秒。附圖3c中所示的第三步驟在于在感光樹脂60中產(chǎn)生通孔。被照射區(qū)域通過溶解在基于四甲基氫氧化銨(TMAH)的特定顯影溶液中并且在去離子水中漂洗被去除，從而形成穿過感光樹脂的通孔。限定通孔的感光樹脂的側(cè)壁61是傾斜的并隨著遠(yuǎn)離玻璃而擴(kuò)張。因此，在感光樹脂60的外表面或上表面63的水平面處，每個通孔的寬度大于高表面31'的水平面位置的寬度W0?；蛘?，可以使用負(fù)性感光樹脂和反轉(zhuǎn)光刻掩模(去除未照射區(qū)域以形成開孔)。在附圖3d中所示的第四步驟在于在連續(xù)的高折射指數(shù)電介質(zhì)層3a(如由釉質(zhì)制成的層)中產(chǎn)生空腔。部分結(jié)構(gòu)化層優(yōu)選通過濕法蝕刻而不是干法蝕刻形成，例如通過在室溫下的酸蝕刻。選擇的樹脂60因此是耐蝕刻溶液(其為pH2.1的乙酸)的。然后通過蝕刻的時間長度(這里為35nm.min-1)來控制蝕刻深度。蝕刻形成具有傾斜側(cè)壁32的具有深度ec的空腔，其隨著遠(yuǎn)離玻璃1而擴(kuò)張并是彎曲的。蝕刻溶液，在這里是酸性的，在所有方向上侵蝕(蝕刻)：垂直和側(cè)向。蝕刻輪廓是杯形的。每個空腔具有比寬度W0更大的寬度Wc，留下面向空腔的相對于高表面突出的正性感光樹脂的表面部分62,62'，被稱為內(nèi)表面。內(nèi)表面62,62'的寬度L0基本上等于L?？涨坏牡撞?2'是平的。附圖4是顯示部分結(jié)構(gòu)化釉質(zhì)層3和具有底部32'和彎曲側(cè)壁32的空腔的局部橫截面視圖的EMB顯微照片。在附圖3e中所示的第五步驟在于使用濕法且更精確地自催化沉積技術(shù)并因此優(yōu)選通過鍍銀來沉積柵格2的材料。通過在空腔中的感光樹脂60(耐酸蝕刻)的孔61進(jìn)行沉積，以部分地填充空腔。銀沉積在空腔的底部，空腔的側(cè)壁上，感光樹脂的內(nèi)表面62,62'上，感光樹脂的側(cè)壁(并且不存在于層3的高表面)上，以及在上表面或稱為不連續(xù)外表面63的表面上。更精確地，鍍銀部分地填充每個空腔并沉積在底部上，側(cè)壁上并且完全地在掩模層的內(nèi)表面62,62'上，從而形成線帶23,23'的與高表面齊平的并比線帶的中心區(qū)域24(面向通孔)更低粗糙性的側(cè)方區(qū)域。每個側(cè)方區(qū)域22,23'的寬度L1大致等于L0+e2。中心區(qū)域和平面的側(cè)方區(qū)域的粗糙度參數(shù)的實例在下表中作為厚度e2的函數(shù)進(jìn)行比較。線帶的面積e2(nm)Rq(nm)Rmax(nm)側(cè)方區(qū)域2001.58中心區(qū)域20020200側(cè)方區(qū)域300210中心區(qū)域30030300側(cè)方區(qū)域450210中心區(qū)域45035450附圖3f所示的第六步驟在于使用利用丙酮溶劑和使用超聲的濕法處理來去除感光樹脂。在附圖3g中所示的第七步驟在于通過陰極濺射來沉積由ITO或AZO，GZO或AGZO制成的導(dǎo)電涂層5。或者，它涉及這些材料或甚至導(dǎo)電聚合物的濕法沉積。當(dāng)前第1頁1 2 3