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有機發(fā)光元件的制作方法

文檔序號:12142812閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種有機發(fā)光元件,其特征在于:包含滿足下述式(1)的主體材料、延遲熒光材料及發(fā)光材料,

式(1)ES1(H)>ES1(F)>ES1(D)

上式中,ES1(H)表示所述主體材料的最低激發(fā)單重態(tài)能級,ES1(F)表示所述延遲熒光材料的最低激發(fā)單重態(tài)能級,ES1(D)表示所述發(fā)光材料的最低激發(fā)單重態(tài)能級。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光元件,其特征在于:所述延遲熒光材料的最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)與77K的最低激發(fā)三重態(tài)狀態(tài)的能量差ΔEst為0.3eV以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光元件,其特征在于:所述延遲熒光材料的最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)與77K的最低激發(fā)三重態(tài)狀態(tài)的能量差ΔEst為0.08eV以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的有機發(fā)光元件,其特征在于:所述延遲熒光材料的從最低激發(fā)三重態(tài)狀態(tài)向最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)的速度常數(shù)kRISC為105/s以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的有機發(fā)光元件,其特征在于:所述發(fā)光材料是在從最低激發(fā)單重態(tài)能級恢復(fù)至基態(tài)能級時發(fā)射熒光的材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的有機發(fā)光元件,其中所述發(fā)光材料是發(fā)射放大的自發(fā)輻射的材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的有機發(fā)光元件,其特征在于:所述延遲熒光材料的含量小于所述主體材料的含量。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的有機發(fā)光元件,其特征在于:包含2種以上的化合物作為所述發(fā)光材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的有機發(fā)光元件,其具有包含滿足所述式(1)的主體材料、延遲熒光材料及發(fā)光材料的發(fā)光層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光元件,其中所述發(fā)光層為包含多層的多層構(gòu)成。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光元件,其中構(gòu)成所述發(fā)光層的多層的所述延遲熒光材料的含量不同。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的有機發(fā)光元件,其為光激發(fā)型有機發(fā)光元件。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的有機發(fā)光元件,其為有機半導(dǎo)體激光器。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光元件,其為載子注入型有機半導(dǎo)體激光器。

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