本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
：電致發(fā)光(EL)裝置是一種自發(fā)光裝置，其優(yōu)點(diǎn)在于其提供較寬的視角、較大的對(duì)比率以及較快的響應(yīng)時(shí)間。有機(jī)EL裝置最初由伊士曼柯達(dá)(EastmanKodak)通過(guò)使用芳香族二胺小分子和鋁絡(luò)合物作為用于形成發(fā)光層的材料而開(kāi)發(fā)[《應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)(Appl.Phys.Lett.)》51,913,1987]。當(dāng)將電力施加到一種或多種有機(jī)發(fā)光材料時(shí)，有機(jī)EL裝置將電能轉(zhuǎn)化成光。一般來(lái)說(shuō)，有機(jī)EL裝置具有包含陽(yáng)極、陰極以及安置于陽(yáng)極與陰極之間的有機(jī)層的結(jié)構(gòu)。有機(jī)EL裝置的有機(jī)層包含空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、電子緩沖層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等。取決于其功能，用于形成有機(jī)層的材料可分類(lèi)為空穴注入材料、空穴傳輸材料、電子阻擋材料、發(fā)光材料、電子緩沖材料、空穴阻擋材料、電子傳輸材料、電子注入材料等。當(dāng)將電壓施加到有機(jī)EL裝置時(shí)，空穴和電子分別從陽(yáng)極和陰極注入到發(fā)光層。具有高能量的激子通過(guò)空穴與電子之間的重組形成。激子的能量將有機(jī)發(fā)光化合物置于激發(fā)態(tài)中，并且激發(fā)態(tài)的衰減導(dǎo)致使得能級(jí)弛豫到基態(tài)中，伴隨著發(fā)射光。決定有機(jī)EL裝置的發(fā)光效率的最重要因素是發(fā)光材料。發(fā)光材料需要具有較量子效率、高電子遷移率和高空穴遷移率。此外，由發(fā)光材料形成的發(fā)光層需要為均勻并且穩(wěn)定的。取決于光發(fā)射觀測(cè)到的顏色，發(fā)光材料可以分類(lèi)為藍(lán)光、綠光或紅光發(fā)射材料，并且其中可以另外包括黃光或橙光發(fā)射材料。取決于其功能，發(fā)光材料可以分類(lèi)為主體材料和摻雜劑材料。近來(lái)，開(kāi)發(fā)具有高效率和長(zhǎng)壽命的有機(jī)EL裝置是一緊迫問(wèn)題。具體來(lái)說(shuō)，考慮OLED的中等或大尺寸面板的EL特征需求，必須迫切地開(kāi)發(fā)特征比常規(guī)材料好的材料。主體材料以固態(tài)充當(dāng)溶劑并且傳遞能量，并且因此需要具有高純度和適于真空沉積的分子量。此外，主體材料需要具有實(shí)現(xiàn)熱穩(wěn)定性的高玻璃轉(zhuǎn)移溫度和高熱分解溫度；實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)壽命的高電-化學(xué)穩(wěn)定性；容易形成非晶形薄膜；與相鄰層的材料良好粘合以及不電子遷移到其它層。為了增強(qiáng)色彩純度、發(fā)光效率以及穩(wěn)定性，發(fā)光材料可以用作主體和摻雜劑的混合物。一般來(lái)說(shuō)，顯示良好的電致發(fā)光特征的裝置具有包含發(fā)光層的結(jié)構(gòu)，在所述發(fā)光層中摻雜劑摻雜于主體中。在摻雜劑/主體材料系統(tǒng)中，裝置的效率和壽命非常受主體材料影響，并且因此對(duì)主體材料的選擇是重要的。許多在先技術(shù)文獻(xiàn)如WO2013/168688A1、WO2009/060757A1以及日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)卦S公開(kāi)號(hào)2013-183036A公開(kāi)了一種采用雙咔唑衍生物作為主體材料的有機(jī)電致發(fā)光裝置。但是，其未專(zhuān)門(mén)公開(kāi)一種采用咔唑的氮原子分別連接到芳基的雙咔唑衍生物和咔唑的氮原子連接到含氮雜芳基的咔唑衍生物作為多種主體材料，并且采用咔唑的氮原子分別連接到芳基的雙咔唑衍生物作為空穴傳輸材料的有機(jī)電致發(fā)光裝置。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種顯示高效率和長(zhǎng)壽命的有機(jī)電致發(fā)光裝置。問(wèn)題的解決方案本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)以上目標(biāo)可以通過(guò)一種包含陽(yáng)極、陰極以及陽(yáng)極與陰極之間的有機(jī)層的有機(jī)電致發(fā)光裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)，其中有機(jī)層包含一個(gè)或多個(gè)發(fā)光層和一個(gè)或多個(gè)空穴傳輸層；一個(gè)或多個(gè)發(fā)光層中的至少一個(gè)包含一種或多種摻雜劑化合物和兩種或更多種主體化合物；主體化合物的第一主體化合物由下式1表示；第二主體化合物由下式2表示；并且一個(gè)或多個(gè)空穴傳輸層中的至少一個(gè)包含由下式3表示的化合物：其中A1和A2各自獨(dú)立地表示被取代或未被取代的(C6-C30)芳基，前提是含氮雜芳基不是A1和A2的取代基；L1表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C30)亞芳基；X1到X16各自獨(dú)立地表示氫、氘、鹵素、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C2-C30)烯基、被取代或未被取代的(C2-C30)炔基、被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基、被取代或未被取代的(C6-C60)芳基、被取代或未被取代的3到30元雜芳基、被取代或未被取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、被取代或未被取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基或被取代或未被取代的單或二(C6-C30)芳基氨基；或可以連接到相鄰的一個(gè)或多個(gè)取代基以形成被取代或未被取代的(C3-C30)單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)，其一個(gè)或多個(gè)碳原子可以被至少一個(gè)選自氮、氧以及硫的雜原子置換；其中Ma表示被取代或未被取代的含氮5到11元雜芳基；La表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C30)亞芳基；Xa到Xh各自獨(dú)立地表示氫、氘、鹵素、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C2-C30)烯基、被取代或未被取代的(C2-C30)炔基、被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基、被取代或未被取代的(C6-C60)芳基、被取代或未被取代的3到30元雜芳基、被取代或未被取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、被取代或未被取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基或被取代或未被取代的單或二(C6-C30)芳基氨基；或可以連接到相鄰的一個(gè)或多個(gè)取代基以形成被取代或未被取代的(C3-C30)單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)，其一個(gè)或多個(gè)碳原子可以被至少一個(gè)選自氮、氧以及硫的雜原子置換；其中A3表示被取代或未被取代的(C6-C30)芳基；L2表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C30)亞芳基；l和m各自獨(dú)立地表示0或1的整數(shù)，l+m是1或2；R1到R4各自獨(dú)立地表示氫、氘、鹵素、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C2-C30)烯基、被取代或未被取代的(C2-C30)炔基、被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基、被取代或未被取代的(C6-C60)芳基、被取代或未被取代的3到30元雜芳基、被取代或未被取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、被取代或未被取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基或被取代或未被取代的單或二(C6-C30)芳基氨基；或可以連接到相鄰的一個(gè)或多個(gè)取代基以形成被取代或未被取代的(C3-C30)單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)，其可以形成螺結(jié)構(gòu)，并且所述環(huán)的一個(gè)或多個(gè)碳原子可以被至少一個(gè)選自氮、氧以及硫的雜原子置換；r1到r4各自獨(dú)立地表示1到4的整數(shù)；并且所述雜芳基含有至少一個(gè)選自B、N、O、S、Si以及P的雜原子。本發(fā)明的有利效應(yīng)根據(jù)本發(fā)明，提供一種具有高效率和長(zhǎng)壽命的有機(jī)電致發(fā)光裝置。另外，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置可以用于制造顯示系統(tǒng)或照明系統(tǒng)。本發(fā)明的模式在下文中，將對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。但是，以下描述旨在解釋本發(fā)明，并且不以任何方式意味著限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置的詳情如下。根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置的一個(gè)實(shí)施例，式1化合物可以由下式4、5、6以及7中的任一個(gè)表示。其中A1、A2、L1和X1到X16如以上式1中所定義。在式1中，A1和A2各自獨(dú)立地表示被取代或未被取代的(C6-C30)芳基。A1和A2可以各自獨(dú)立地優(yōu)選地表示被取代或未被取代的(C6-C18)芳基；并且更優(yōu)選地表示未被取代或被氰基、鹵素、(C1-C6)烷基、(C6-C12)芳基或三(C6-C12)芳基硅烷基取代的(C6-C18)芳基。具體來(lái)說(shuō)，A1和A2可以各自獨(dú)立地選自由以下各者組成的群組：被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的聯(lián)二苯、被取代或未被取代的聯(lián)三苯、被取代或未被取代的萘基、被取代或未被取代的芴基、被取代或未被取代的苯并芴基、被取代或未被取代的菲基、被取代或未被取代的蒽基、被取代或未被取代的茚基、被取代或未被取代的三亞苯基、被取代或未被取代的芘基、被取代或未被取代的并四苯基、被取代或未被取代的苝基、被取代或未被取代的屈基、被取代或未被取代的苯基萘基、被取代或未被取代的萘基苯基以及被取代或未被取代的熒蒽基。本文中，被取代的苯基等的取代基可以是氰基、鹵素、(C1-C6)烷基、(C6-C12)芳基或三(C6-C12)芳基硅烷基。另外，A1和A2可以相同或不同。在式1中，X1到X16各自獨(dú)立地表示氫、氘、鹵素、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C2-C30)烯基、被取代或未被取代的(C2-C30)炔基、被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基、被取代或未被取代的(C6-C60)芳基、被取代或未被取代的3到30元雜芳基、被取代或未被取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、被取代或未被取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基或被取代或未被取代的單或二(C6-C30)芳基氨基；或可以連接到相鄰的一個(gè)或多個(gè)取代基以形成被取代或未被取代的(C3-C30)單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)，其一個(gè)或多個(gè)碳原子可以被至少一個(gè)選自氮、氧以及硫的雜原子置換。優(yōu)選地，X1到X16可以各自獨(dú)立地表示氫、氰基、被取代或未被取代的(C1-C10)烷基、被取代或未被取代的(C6-C20)芳基、被取代或未被取代的5到20元雜芳基或被取代或未被取代的三(C6-C12)芳基硅烷基。更優(yōu)選地，X1到X16可以各自獨(dú)立地表示氫；氰基；(C1-C10)烷基；未被取代或被氰基、(C1-C10)烷基或三(C6-C12)芳基硅烷基取代的(C6-C20)芳基；未被取代或被(C1-C10)烷基、(C6-C15)芳基或三(C6-C12)芳基硅烷基取代的5到20元雜芳基；或未被取代或被(C1-C10)烷基取代的三(C6-C12)芳基硅烷基。具體地說(shuō)，X1到X16可以各自獨(dú)立地表示氫；氰基；(C1-C6)烷基；未被取代或被氰基、(C1-C6)烷基或三苯基硅烷基取代的苯基、聯(lián)二苯、聯(lián)三苯或萘基；未被取代或被(C1-C6)烷基、苯基、聯(lián)二苯、萘基或三苯基硅烷基取代的二苯并噻吩或二苯并呋喃；或未被取代或被(C1-C6)烷基取代的三苯基硅烷基。在式1中，L1表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C30)亞芳基。優(yōu)選地，L1可以表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C15)亞芳基。L1可以表示選自下式8到20的基團(tuán)。其中Xi到Xp各自獨(dú)立地表示氫、氘、鹵素、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C2-C30)烯基、被取代或未被取代的(C2-C30)炔基、被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基、被取代或未被取代的(C6-C60)芳基、被取代或未被取代的3到30元雜芳基、被取代或未被取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、被取代或未被取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基或被取代或未被取代的單或二(C6-C30)芳基氨基；或可以連接到相鄰的一個(gè)或多個(gè)取代基以形成被取代或未被取代的(C3-C30)單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)，其一個(gè)或多個(gè)碳原子可以被至少一個(gè)選自氮、氧以及硫的雜原子置換；并且表示與母核的結(jié)合位點(diǎn)。Xi到Xp可以各自獨(dú)立地優(yōu)選地表示氫、鹵素、氰基、(C1-C10)烷基、(C3-C20)環(huán)烷基、(C6-C12)芳基、(C1-C6)烷基二(C6-C12)芳基硅烷基或三(C6-C12)芳基硅烷基；并且更優(yōu)選地表示氫、氰基、(C1-C6)烷基或三(C6-C12)芳基硅烷基。在式2中，Ma表示被取代或未被取代的含氮5到11元雜芳基。Ma可以?xún)?yōu)選地表示被取代或未被取代的含氮6到10元雜芳基；并且更優(yōu)選地表示被以下各者取代的含氮6到10元雜芳基：未被取代的(C6-C18)芳基、被氰基取代的(C6-C12)芳基、被(C1-C6)烷基取代的(C6-C12)芳基、被三(C6-C12)芳基硅烷基取代的(C6-C12)芳基或6到15元雜芳基。具體地說(shuō)，Ma可以表示選自由以下各者組成的群組的被取代或未被取代的單環(huán)型雜芳基：被取代或未被取代的吡咯基、被取代或未被取代的咪唑基、被取代或未被取代的吡唑基、被取代或未被取代的三嗪基、被取代或未被取代的四嗪基、被取代或未被取代的三唑基、被取代或未被取代的四唑基、被取代或未被取代的吡啶基、被取代或未被取代的吡嗪基、被取代或未被取代的嘧啶基以及被取代或未被取代的噠嗪基；或選自由以下各者組成的群組的被取代或未被取代的稠環(huán)型雜芳基：被取代或未被取代的苯并咪唑基、被取代或未被取代的異吲哚基、被取代或未被取代的吲哚基、被取代或未被取代的吲唑基、被取代或未被取代的苯并噻二唑基、被取代或未被取代的喹啉基、被取代或未被取代的異喹啉基、被取代或未被取代的噌啉基、被取代或未被取代的喹唑啉基、被取代或未被取代的萘啶基以及被取代或未被取代的喹喔啉基。優(yōu)選地，Ma可以表示被取代或未被取代的三嗪基、被取代或未被取代的嘧啶基、被取代或未被取代的吡啶基、被取代或未被取代的喹啉基、被取代或未被取代的異喹啉基、被取代或未被取代的喹唑啉基、被取代或未被取代的萘啶基或被取代或未被取代的喹喔啉基。用于Ma的經(jīng)取代吡咯基等的取代基可以是(C6-C18)芳基、被氰基取代的(C6-C12)芳基、被(C1-C6)烷基取代的(C6-C12)芳基、被三(C6-C12)芳基硅烷基、氰基、(C1-C6)烷基、三(C6-C12)芳基硅烷基或6到15元雜芳基取代的(C6-C12)芳基；并且具體地說(shuō)，苯基、聯(lián)二苯、聯(lián)三苯、萘基、苯基萘基、萘基苯基、菲基、蒽基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基，以上者未被取代或被氰基、(C1-C6)烷基或三苯基硅烷基取代。在式2中，La表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C30)亞芳基；并且優(yōu)選地表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C12)亞芳基。具體地說(shuō)，La可以表示單鍵或式8到20中的任一個(gè)。在式2中，Xa到Xh各自獨(dú)立地表示氫、氘、鹵素、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C2-C30)烯基、被取代或未被取代的(C2-C30)炔基、被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基、被取代或未被取代的(C6-C60)芳基、被取代或未被取代的3到30元雜芳基、被取代或未被取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、被取代或未被取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基或被取代或未被取代的單或二(C6-C30)芳基氨基；或可以連接到相鄰的一個(gè)或多個(gè)取代基以形成被取代或未被取代的(C3-C30)單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)，其一個(gè)或多個(gè)碳原子可以被至少一個(gè)選自氮、氧以及硫的雜原子置換。優(yōu)選地，Xa到Xh可以各自獨(dú)立地表示氫、氰基、被取代或未被取代的(C6-C15)芳基、被取代或未被取代的10到20元雜芳基或被取代或未被取代的三(C6-C10)芳基硅烷基，或可以連接到相鄰的一個(gè)或多個(gè)取代基以形成被取代或未被取代的(C6-C20)單環(huán)或多環(huán)的芳環(huán)，其一個(gè)或多個(gè)碳原子可以被至少一個(gè)選自氮、氧以及硫的雜原子置換。更優(yōu)選地，Xa到Xh可以各自獨(dú)立地表示氫、氰基、未被取代或被三(C6-C10)芳基硅烷基取代的(C6-C15)芳基，或未被取代或被(C6-C12)芳基取代的10到20元雜芳基，或可以連接到相鄰的一個(gè)或多個(gè)取代基以形成被取代或未被取代的苯、被取代或未被取代的吲哚、被取代或未被取代的苯并吲哚、被取代或未被取代的茚、被取代或未被取代的苯并呋喃或被取代或未被取代的苯并噻吩。在式3中，A3表示被取代或未被取代的(C6-C30)芳基；優(yōu)選地被取代或未被取代的(C6-C18)芳基；并且更優(yōu)選地未被取代或被氰基、(C6-C12)芳基、5到15元雜芳基或三(C6-C12)芳基硅烷基取代的(C6-C18)芳基。具體地說(shuō)，A3可以選自由以下各者組成的群組：被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的聯(lián)二苯、被取代或未被取代的聯(lián)三苯、被取代或未被取代的萘基以及被取代或未被取代的三亞苯基。本文中，經(jīng)取代苯基等的取代基可以是氰基、(C6-C12)芳基、5到15元雜芳基或三(C6-C12)芳基硅烷基。在式3中，L2表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C30)亞芳基；并且優(yōu)選地表示單鍵或被取代或未被取代的(C6-C12)亞芳基。在式3中，R1到R4各自獨(dú)立地表示氫、氘、鹵素、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C2-C30)烯基、被取代或未被取代的(C2-C30)炔基、被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基、被取代或未被取代的(C6-C60)芳基、被取代或未被取代的3到30元雜芳基、被取代或未被取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、被取代或未被取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基或被取代或未被取代的單或二(C6-C30)芳基氨基；或可以連接到相鄰的一個(gè)或多個(gè)取代基以形成被取代或未被取代的(C3-C30)單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)，其可以形成螺結(jié)構(gòu)，并且所述環(huán)的一個(gè)或多個(gè)碳原子可以被至少一個(gè)選自氮、氧以及硫的雜原子置換。優(yōu)選地，R1到R4可以各自獨(dú)立地表示氫、氰基、被取代或未被取代的(C6-C18)芳基、被取代或未被取代的10到20元雜芳基或被取代或未被取代的三(C6-C10)芳基硅烷基；或可以連接到相鄰的一個(gè)或多個(gè)取代基以形成被取代或未被取代的(C6-C21)單環(huán)或多環(huán)的芳環(huán)，其可以形成螺結(jié)構(gòu)，并且所述環(huán)的一個(gè)或多個(gè)碳原子可以被至少一個(gè)選自氮、氧以及硫的雜原子置換。更優(yōu)選地，R1到R4可以各自獨(dú)立地表示氫、氰基、未被取代或被(C1-C6)烷基取代的(C6-C18)芳基或未被取代的10到20元雜芳基；或可以連接到相鄰的一個(gè)或多個(gè)取代基以形成被取代或未被取代的苯、被取代或未被取代的吲哚、被取代或未被取代的茚、被取代或未被取代的苯并茚、被取代或未被取代的苯并呋喃、被取代或未被取代的苯并噻吩、被取代或未被取代的螺[環(huán)戊烷-茚]、被取代或未被取代的螺[環(huán)己烷-茚]或被取代或未被取代的螺[芴-茚]。本文中，“(C1-C30)烷基”指示具有1到30個(gè)、優(yōu)選1到20個(gè)并且更優(yōu)選1到10個(gè)構(gòu)成鏈的碳原子的直鏈或分支鏈烷基鏈，并且包括甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基等?！?C2-C30)烯基”指示具有2到30個(gè)、優(yōu)選2到20個(gè)并且更優(yōu)選2到10個(gè)構(gòu)成鏈的碳原子的直鏈或分支鏈烯基鏈，并且包括乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲基丁-2-烯基等?！?C2-C30)炔基”指示具有2到30個(gè)、優(yōu)選2到20個(gè)并且更優(yōu)選2到10個(gè)構(gòu)成鏈的碳原子的直鏈或分支鏈炔基鏈，并且包括乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、1-甲基戊-2-炔基等。“(C3-C30)環(huán)烷基”指示具有3到30個(gè)、優(yōu)選3到20個(gè)并且更優(yōu)選3到7個(gè)環(huán)主鏈碳原子的單環(huán)或多環(huán)烴，并且包括環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基等?！?到7元雜環(huán)烷基”指示具有3到7個(gè)、優(yōu)選5到7個(gè)環(huán)主鏈原子(包括至少一個(gè)選自B、N、O、S、Si以及P，優(yōu)選O、S以及N的雜原子)的環(huán)烷基，并且包括四氫呋喃、吡咯烷、硫雜環(huán)戊烷、四氫吡喃，此外，“(C6-C30)芳基(亞)”指示來(lái)源于芳香族烴并且具有6到30個(gè)、優(yōu)選6到20個(gè)并且更優(yōu)選6到15個(gè)環(huán)主鏈碳原子的單環(huán)或稠環(huán)類(lèi)基團(tuán)，并且包括苯基、聯(lián)二苯、聯(lián)三苯、萘基、聯(lián)萘、苯基萘基、萘基苯基、芴基、苯基芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、苯基菲基、蒽基、茚基、三亞苯基、芘基、并四苯基、苝基、屈基、稠四苯基、熒蒽基等。“3到30元雜芳基”指示具有3到30個(gè)環(huán)主鏈原子(包括至少一個(gè)、優(yōu)選1到4個(gè)選自由B、N、O、S、Si以及P組成的群組的雜原子)的芳基；可以是單環(huán)或與至少一個(gè)苯環(huán)稠合的稠環(huán)；可以是部分飽和的；可以是通過(guò)使至少一個(gè)雜芳基或芳基經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)單鍵連接到雜芳基所形成的基團(tuán)；并且包括單環(huán)型雜芳基，如呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噻二唑基、異噻唑基、異噁唑基、噁唑基、噁二唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、呋吖基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基等，和稠環(huán)型雜芳基，如苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并異噻唑基、苯并異噁唑基、苯并噁唑基、異吲哚基、吲哚基、苯并吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、異喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、咔唑基、啡噁嗪基、啡啶基、苯并間二氧雜環(huán)戊烯基等?！昂?到30元雜芳基”指示具有5到30個(gè)、優(yōu)選5到20個(gè)并且更優(yōu)選5到15個(gè)環(huán)主鏈原子(包括至少一個(gè)、優(yōu)選1到4個(gè)氮作為雜原子)的雜芳基；可以是單環(huán)或與至少一個(gè)苯環(huán)稠和的稠環(huán)；可以是部分飽和的；可以是通過(guò)使至少一個(gè)雜芳基或芳基經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)單鍵連接到雜芳基所形成的基團(tuán)；并且包括單環(huán)型雜芳基，如吡咯基、咪唑基、吡唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基等，和稠環(huán)型雜芳基，如苯并咪唑基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、異喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、咔唑基、啡啶基等。此外，“鹵素”包括F、Cl、Br以及I。本文中，表述“被取代或未被取代的”中的“被取代的”意味著某一官能團(tuán)中的氫原子被另一個(gè)原子或基團(tuán)(即取代基)置換。在本發(fā)明中，式1到3中，A1、A2、L1、X1到X16、Ma、La、Xa到Xh、A3、L2以及R1到R4的被取代的烷基、被取代的烯基、被取代的炔基、被取代的環(huán)烷基、被取代的芳基(亞)、被取代的雜芳基、被取代的三烷基硅烷基、被取代的三芳基硅烷基、被取代的二烷基芳基硅烷基、被取代的烷基二芳基硅烷基、被取代的單或二芳基氨基、被取代的含氮雜芳基以及被取代的單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)族或芳香族環(huán)的取代基各自獨(dú)立地是選自由以下各者組成的群組的至少一者：氘；鹵素；氰基；羧基；硝基；羥基；(C1-C30)烷基；鹵基(C1-C30)烷基；(C2-C30)烯基；(C2-C30)炔基；(C1-C30)烷氧基；(C1-C30)烷基硫基；(C3-C30)環(huán)烷基；(C3-C30)環(huán)烯基；3到7元雜環(huán)烷基；(C6-C30)芳氧基；(C6-C30)芳基硫基；未被取代或被(C6-C30)芳基取代的3到30元雜芳基；未被取代或被氰基、3到30元雜芳基或三(C6-C30)芳基硅烷基取代的(C6-C30)芳基；三(C1-C30)烷基硅烷基；三(C6-C30)芳基硅烷基；二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基；(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基；氨基；單或二(C1-C30)烷基氨基；單或二(C6-C30)芳基氨基；(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基；(C1-C30)烷基羰基；(C1-C30)烷氧基羰基；(C6-C30)芳基羰基；二(C6-C30)芳基硼基；二(C1-C30)烷基硼基；(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硼基；(C6-C30)芳基(C1-C30)烷基以及(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基，并且優(yōu)選是鹵素；氰基；(C1-C6)烷基；5到15元雜芳基；未被取代或被氰基或三(C6-C12)芳基硅烷基取代的(C6-C18)芳基；三(C6-C12)芳基硅烷基以及(C1-C6)烷基(C6-C12)芳基。在式1中，式1中的X1到X16的三芳基硅烷基優(yōu)選是三苯基硅烷基。由式1表示的第一主體化合物包括以下各項(xiàng)，但不限于此。由式2表示的第二主體化合物包括以下各項(xiàng)，但不限于此：由式3表示的空穴傳輸化合物包括以下各項(xiàng)，但不限于此：本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置包含陽(yáng)極、陰極以及陽(yáng)極與陰極之間的有機(jī)層，其中有機(jī)層包含一個(gè)或多個(gè)發(fā)光層和一個(gè)或多個(gè)空穴傳輸層；一個(gè)或多個(gè)發(fā)光層中的至少一個(gè)包含一種或多種摻雜劑化合物和兩種或更多種主體化合物；主體化合物的第一主體化合物由式1表示；第二主體化合物由式2表示；并且一個(gè)或多個(gè)空穴傳輸層中的至少一個(gè)包含由式3表示的化合物。發(fā)光層指示發(fā)出光的層。優(yōu)選的是，按發(fā)光層中主體化合物和摻雜劑化合物的總量計(jì)，摻雜劑化合物的摻雜量小于20wt％。在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，發(fā)光層中第一主體材料與第二主體材料之間的重量比可以在1:99到99:1范圍內(nèi)。除發(fā)光層和空穴傳輸層以外，有機(jī)層可以包含至少一個(gè)選自空穴注入層、電子傳輸層、電子注入層、電子緩沖層、夾層、空穴阻擋層以及電子阻擋層的層。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置中包含的摻雜劑優(yōu)選是至少一種磷光摻雜劑。用于本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置的磷光摻雜劑材料不受限制，但可以?xún)?yōu)選地選自銥(Ir)、鋨(Os)、銅(Cu)或鉑(Pt)的金屬化絡(luò)合化合物，更優(yōu)選地選自銥(Ir)、鋨(Os)、銅(Cu)或鉑(Pt)的鄰位金屬化絡(luò)合化合物，并且甚至更優(yōu)選地是鄰位金屬化銥絡(luò)合化合物。磷光摻雜劑可以?xún)?yōu)選地選自由下式101到103表示的化合物組成的群組。其中L選自以下結(jié)構(gòu)：R100表示氫、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基或被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基；R101到R109和R111到R123各自獨(dú)立地表示氫、氘、鹵素、未被取代或被氘或鹵素取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C6-C30)芳基、氰基、被取代或未被取代的(C1-C30)烷氧基、或被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基；R106到R109的相鄰取代基可以彼此連接以形成被取代或未被取代的稠環(huán)，例如，未被取代或被烷基取代的芴、未被取代或被烷基取代的二苯并噻吩或未被取代或被烷基取代的二苯并呋喃；R120到R123的相鄰代基可以彼此連接以形成被取代或未被取代的稠環(huán)，例如，未被取代或被鹵素、烷基或芳基取代的喹啉；R124到R127各自獨(dú)立地表示氫、氘、鹵素、被取代或未被取代的(C1-C30)烷基或被取代或未被取代的(C6-C30)芳基；并且R124到R127的相鄰取代基可以彼此連接以形成被取代或未被取代的稠環(huán)，例如，未被取代或被烷基取代的芴、未被取代或被烷基取代的二苯并噻吩或未被取代或被烷基取代的二苯并呋喃；R201到R211各自獨(dú)立地表示氫、氘、鹵素、未被取代或被氘或鹵素取代的(C1-C30)烷基、被取代或未被取代的(C3-C30)環(huán)烷基或被取代或未被取代的(C6-C30)芳基；并且R208到R211的相鄰取代基可以彼此連接以形成被取代或未被取代的稠環(huán)，例如，未被取代或被烷基取代的芴、未被取代或被烷基取代的二苯并噻吩或未被取代或被烷基取代的二苯并呋喃；r和s各自獨(dú)立地表示1到3的整數(shù)；當(dāng)r或s是2或更大的整數(shù)時(shí)，每個(gè)R100可以相同或不同；并且e表示1到3的整數(shù)。具體來(lái)說(shuō)，磷光摻雜劑材料包括以下各項(xiàng)：在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，有機(jī)層可以進(jìn)一步包含至少一種選自由芳胺類(lèi)化合物和苯乙烯基芳基胺類(lèi)化合物組成的群組的化合物。在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，有機(jī)層可進(jìn)一步包含至少一種選自由以下各者組成的群組的金屬：周期表的第1族金屬、第2族金屬、第4周期的過(guò)渡金屬、第5周期的過(guò)渡金屬、鑭系元素和d-過(guò)渡元素的有機(jī)金屬，或至少一種包含所述金屬的絡(luò)合化合物。在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，至少一個(gè)層(在下文中“表面層”)優(yōu)選地可以置于一個(gè)或兩個(gè)電極的內(nèi)表面(一個(gè)或兩個(gè))上，選自硫族化物層、金屬鹵化物層以及金屬氧化物層。具體來(lái)說(shuō)，硅或鋁的硫族化合物(包括氧化物)層優(yōu)選地置于電致發(fā)光中間層的陽(yáng)極表面上，并且金屬鹵化物層或金屬氧化物層優(yōu)選地置于電致發(fā)光中間層的陰極表面上。這類(lèi)表面層為有機(jī)電致發(fā)光裝置提供操作穩(wěn)定性。優(yōu)選地，硫族化物包括SiOX(1≤X≤2)、AlOX(1≤X≤1.5)、SiON、SiAlON等；金屬鹵化物包括LiF、MgF2、CaF2、稀土金屬氟化物等；并且金屬氧化物包括Cs2O、Li2O、MgO、SrO、BaO、CaO等。除空穴傳輸層以外，空穴注入層、電子阻擋層或其組合可以安置于陽(yáng)極與發(fā)光層之間?？昭ㄗ⑷雽涌梢杂蓛蓪踊蚋鄬咏M成，以便降低從陽(yáng)極向空穴傳輸層或電子阻擋層注入空穴的能壘(或注入空穴的電壓)。所述層中的每一層可以包含兩種或更多種化合物。電子阻擋層可以由兩層或更多層組成。電子緩沖層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層或其組合可以安置于發(fā)光層與陰極之間。電子緩沖層可以由兩層或更多層組成，以便控制電子注入并且改進(jìn)發(fā)光層與電子注入層之間的界面特征。所述層中的每一層可以包含兩種或更多種化合物?？昭ㄗ钃鯇踊螂娮觽鬏攲涌梢杂蓛蓪踊蚋鄬咏M成，并且所述層中的每一層可以包含兩種或更多種化合物。在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，電子傳輸化合物和還原性摻雜劑的混合區(qū)、或空穴傳輸化合物和氧化性摻雜劑的混合區(qū)可以置于一對(duì)電極的至少一個(gè)表面上。在這種情況下，電子傳輸化合物被還原為陰離子，并且因此變得更容易從混合區(qū)注入并且傳輸電子到電致發(fā)光媒介。此外，空穴傳輸化合物被氧化為陽(yáng)離子，并且因此變得更容易從混合區(qū)注入并且傳輸空穴到電致發(fā)光媒介。優(yōu)選地，氧化性摻雜劑包括各種路易斯酸(Lewisacid)和受體化合物；并且還原性摻雜劑包括堿金屬、堿金屬化合物、堿土金屬、稀土金屬以及其混合物。還原性摻雜劑層可以用作電荷產(chǎn)生層以制備具有兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光層并且發(fā)射白光的電致發(fā)光裝置。為了形成本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置的每一層，可以使用干式成膜方法，如真空蒸發(fā)、濺鍍、等離子體以及離子電鍍方法；或濕式成膜方法，如噴墨印刷、噴嘴印刷、狹縫涂布、旋轉(zhuǎn)涂布、浸漬涂布以及流動(dòng)涂布方法。在用本發(fā)明的第一主體化合物和第二主體化合物形成層時(shí)，可以將其共蒸發(fā)或混合蒸發(fā)。當(dāng)使用濕式成膜方法時(shí)，薄膜可以通過(guò)將形成每一層的材料溶解或擴(kuò)散到任何合適的溶劑中來(lái)形成，所述溶劑如乙醇、氯仿、四氫呋喃、二噁烷等。所述溶劑可以是形成每一層的材料可以溶解或擴(kuò)散于其中并且不存在成膜能力問(wèn)題的任何溶劑。在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，用于發(fā)光層的兩種或更多種主體化合物可以共蒸發(fā)或混合蒸發(fā)。在本文中，共蒸發(fā)指示用于使兩種或更多種材料以混合物形式沉積的方法，通過(guò)將所述兩種或更多種材料中的每一種引入相應(yīng)坩堝單元中，并且向所述單元施加電流以便所述材料中的每一種蒸發(fā)來(lái)進(jìn)行。在本文中，混合蒸發(fā)指示用于使兩種或更多種材料以混合物形式沉積的方法，通過(guò)將所述兩種或更多種材料在一個(gè)坩堝單元中混合，隨后沉積，并且向所述單元施加電流以便使所述混合物蒸發(fā)來(lái)進(jìn)行。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置可以用于制造顯示系統(tǒng)或照明系統(tǒng)。在下文中，包含本發(fā)明的主體化合物和空穴傳輸化合物的裝置的制備方法以及其發(fā)光特性將參照以下實(shí)例詳細(xì)闡述。[裝置實(shí)例1-1到1-4]通過(guò)蒸發(fā)本發(fā)明的空穴傳輸化合物并且共蒸發(fā)本發(fā)明的第一主體化合物和第二主體化合物而制備的OLED如下制備包含本發(fā)明的發(fā)光材料的有機(jī)電致發(fā)光裝置(OLED)。將OLED(吉奧馬(Geomatec))的玻璃襯底上的透明電極氧化銦錫(ITO)薄膜(10Ω/sq)依序用丙酮、乙醇以及蒸餾水進(jìn)行超聲洗滌，并且接著儲(chǔ)存于異丙醇中。接著將ITO襯底安裝在真空氣相沉積設(shè)備的襯底固持器上。將N4,N4'-二苯基-N4,N4'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-[1,1'-聯(lián)二苯]-4,4'-二胺(化合物HI-1)引入真空氣相沉積設(shè)備的一單元中，并且接著將設(shè)備腔室中的壓力控制到10-6托。此后，向所述單元施加電流以蒸發(fā)HI-1，從而在ITO襯底上形成厚度是80nm的第一空穴注入層。接著，將1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲-六甲腈(化合物HI-2)引入真空氣相沉積設(shè)備的另一個(gè)單元中，并且通過(guò)向所述單元施加電流來(lái)蒸發(fā)，從而在第一空穴注入層上形成厚度是3nm的第二空穴注入層。將N-([1,1'-聯(lián)二苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(化合物H3-3)引入真空氣相沉積設(shè)備的一個(gè)單元中，并且通過(guò)向所述單元施加電流來(lái)蒸發(fā)，從而在第二空穴注入層上形成厚度是10nm的第一空穴傳輸層。接著將展示于下表1中的第二空穴傳輸層的化合物引入真空氣相沉積設(shè)備的另一個(gè)單元中，并且通過(guò)向所述單元施加電流來(lái)蒸發(fā)，從而在第一空穴傳輸層上形成厚度是30nm的第二空穴傳輸層。分別將作為主體材料的化合物H1-34和H2-31引入真空氣相沉積設(shè)備的兩個(gè)單元中。將D-25作為摻雜劑引入另一個(gè)單元中。兩種主體化合物以1:1的相同速率蒸發(fā)，而摻雜劑以與主體化合物不同的速率蒸發(fā)，使得摻雜劑以按主體和摻雜劑的總量計(jì)15wt％的摻雜量沉積，以在空穴傳輸層上形成厚度是40nm的發(fā)光層。分別將2,4-雙(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-6-(萘-2-基)-1,3,5-三嗪(化合物ET-1)和喹啉鋰(化合物EI-1)引入真空氣相沉積設(shè)備的兩個(gè)單元中，并且以4:6的相同速率蒸發(fā)，從而在發(fā)光層上形成厚度是35nm的電子傳輸層。在電子傳輸層上沉積喹啉鋰(化合物EI-1)作為厚度為2nm的電子注入層后，接著通過(guò)另一個(gè)真空氣相沉積設(shè)備在所述電子注入層上沉積厚度是80nm的Al陰極。[比較實(shí)例1-1]通過(guò)蒸發(fā)作為第二空穴傳輸層的化合物的化合物HTL-A而制備的OLED以與裝置實(shí)例1-1到1-4中相同的方式制備OLED，例外為將下文展示的化合物HTL-A用作第二空穴傳輸層的化合物。測(cè)量OLED的1,000nit下的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光效率、CIE顏色座標(biāo)以及15,000nit和恒定電流(T97壽命)下亮度從100％降低到97％所耗的時(shí)間。裝置實(shí)例1-1到1-4和比較實(shí)例1-1中所制備的有機(jī)電致發(fā)光裝置的特征展示于下表1中。[表1]裝置實(shí)例編號(hào)第二空穴傳輸層電壓(V)效率(cd/A)顏色座標(biāo)(x,y)T97壽命[h]裝置實(shí)例1-1H3-32.952.10.299,0.65728裝置實(shí)例1-2H3-1643.460.10.298,0.65811裝置實(shí)例1-3H3-1773.558.70.298,0.65714裝置實(shí)例1-4H3-283.157.70.298,0.65715比較實(shí)例1-1HTL-A3.551.60.301,0.6603如以上裝置實(shí)例中所確認(rèn)，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置通過(guò)包含特定空穴傳輸化合物和多種主體具有比常規(guī)裝置更好的壽命特征。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3