一種三氯氫硅合成裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種三氯氫硅合成裝置，包括反應(yīng)裝置，所述反應(yīng)裝置的上方安裝有清水儲(chǔ)備槽，所述反應(yīng)裝置的內(nèi)部設(shè)置有保溫裝置，且保溫裝置與清水儲(chǔ)備槽通過導(dǎo)管連接所述智能控制閉水閥的下方安裝有三氯氫硅儲(chǔ)備裝置，所述三氯氫硅儲(chǔ)備裝置內(nèi)部的左右兩側(cè)設(shè)置有三氯氫硅濃度感應(yīng)器，所述三氯氫硅儲(chǔ)備裝置的底部設(shè)置有出料口，本實(shí)用新型，可以控制反應(yīng)裝置內(nèi)的溫度，使其保持均衡，裝置的左側(cè)設(shè)置有氯氣緩存裝置，且其上安裝有控制面板，可以精確的控制氯氣的通入量，從而很好的控制三氯氫硅的生成量，大大增大了精確度。
【專利說明】
一種三氯氫娃合成裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及合成裝置技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種三氯氫硅合成裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]又稱硅氯仿，甲硅烷的三氯代物，為一種易流動(dòng)的無色液體，密度1.34克/厘米3;能溶于苯、氯仿和二硫化碳，液體用玻璃瓶或金屬桶盛裝，容器要存放在室外陰涼干燥通風(fēng)良好之處或在易燃液體專用庫內(nèi)，要與氧化劑、堿類、酸類隔開，遠(yuǎn)離火種、熱源，避光，庫溫不宜超過25 °C，可用氨水探漏。
[0003]三氯氫硅合成裝置的出現(xiàn)大大增加了三氯氫硅的合成時(shí)的安全，和合成效率，但是目前階段的三氯氫硅合成裝置存在諸多的不足之處，例如，三氯氫硅的提純比較繁瑣，且效果不好，裝置內(nèi)無法控制溫度，使其保持均衡，裝置的內(nèi)硅粉無法和氯氣充分迅速反應(yīng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種三氯氫硅合成裝置，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的三氯氫硅的提純比較繁瑣，且效果不好和裝置的內(nèi)硅粉無法和氯氣充分迅速反應(yīng)問題。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:一種三氯氫硅合成裝置，包括反應(yīng)裝置，所述反應(yīng)裝置的上方安裝有清水儲(chǔ)備槽，所述反應(yīng)裝置的內(nèi)部設(shè)置有保溫裝置，且保溫裝置與清水儲(chǔ)備槽通過導(dǎo)管連接，所述保溫裝置的內(nèi)部安裝有加熱裝置，所述反應(yīng)裝置的左側(cè)安裝有氯氣緩存裝置，所述氯氣緩存裝置的上設(shè)置有控制面板，所述反應(yīng)裝置的右側(cè)安裝有硅粉儲(chǔ)備裝置，所述硅粉儲(chǔ)備裝置的上方安裝有密封蓋，所述密封蓋與硅粉儲(chǔ)備裝置通過鉸鏈轉(zhuǎn)動(dòng)連接，所述硅粉儲(chǔ)備裝置的左側(cè)安裝有吸塵器，所述吸塵器的左側(cè)安裝有粉塵輸送管道，所述粉塵輸送管道的內(nèi)部設(shè)置有雙向風(fēng)扇，所述粉塵輸送管道的下方安裝有噴孔式連接轉(zhuǎn)動(dòng)管，所述噴孔式連接轉(zhuǎn)動(dòng)管的下方設(shè)置有轉(zhuǎn)動(dòng)控制器，所述轉(zhuǎn)動(dòng)控制器的內(nèi)部安裝有雙向風(fēng)扇，所述反應(yīng)裝置的底部安裝有三氯氫硅吸收沉淀裝置，三氯氫硅吸收沉淀裝置上設(shè)置有三氯氫硅吸附裝置，所述三氯氫硅吸收沉淀裝置的下方安裝有智能控制閉水閥，所述智能控制閉水閥的下方安裝有三氯氫硅儲(chǔ)備裝置，所述三氯氫硅儲(chǔ)備裝置內(nèi)部的左右兩側(cè)設(shè)置有三氯氫硅濃度感應(yīng)器，所述三氯氫硅儲(chǔ)備裝置的底部設(shè)置有出料口。
[0006]優(yōu)選的，所述反應(yīng)裝置為圓柱形結(jié)構(gòu)。
[0007]優(yōu)選的，所述保溫裝置共設(shè)置有三個(gè)，且三個(gè)保溫裝置分別安裝在反應(yīng)裝置的內(nèi)部的左右兩側(cè)和頂部位置。
[0008]優(yōu)選的，所述三氯氫硅吸收沉淀裝置共設(shè)置有兩個(gè)，且兩個(gè)三氯氫硅吸收沉淀裝置分別安裝在反應(yīng)裝置的底部的左右兩側(cè)。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:該一種三氯氫硅合成裝置的內(nèi)部安裝有保溫裝置，通過其可以控制反應(yīng)裝置內(nèi)的溫度，使其保持均衡，且裝置的左側(cè)設(shè)置有氯氣緩存裝置，且其上安裝有控制面板，可以精確的控制氯氣的通入量，從而很好的控制三氯氫硅的生成量，大大增大了精確度，且裝置右側(cè)的設(shè)置有硅粉儲(chǔ)備裝置，硅粉儲(chǔ)備裝置的安裝有吸塵器，可以將硅粉吸入裝置內(nèi)，且吸塵器的左側(cè)安裝有粉塵輸送管道和其下方安裝有噴孔式連接轉(zhuǎn)動(dòng)管，使硅粉可以在轉(zhuǎn)動(dòng)的情況下均勻分散的噴灑出去，使其可以和通入的氯氣充分接觸，大大增加了反應(yīng)速率，且增加了生成效果，在裝置內(nèi)部的底部還安裝有三氯氫硅吸附裝置，可以直接將反應(yīng)生成的三氯氫硅直接吸附到三氯氫硅吸收沉淀裝置內(nèi)，解決了提純比較麻煩的難題。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實(shí)用一種三氯氫硅合成裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011 ]圖中:1-清水儲(chǔ)備槽;2-保溫裝置;3-氯氣緩存裝置;4-控制面板;5-加熱裝置;6-三氯氫硅吸收沉淀裝置;7-智能控制閉水閥；8-三氯氫硅儲(chǔ)備裝置;9-出料口； 10-反應(yīng)裝置；11 -密封蓋；12-鉸鏈；13-硅粉儲(chǔ)備裝置；14-吸塵器；15-粉塵輸送管道；16-雙向風(fēng)扇；17-噴孔式連接轉(zhuǎn)動(dòng)管；18-轉(zhuǎn)動(dòng)控制器;19-三氯氫硅濃度感應(yīng)器;20-三氯氫硅吸附裝置。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例，基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0013]請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型提供的一種實(shí)施例:一種三氯氫硅合成裝置，包括反應(yīng)裝置10，反應(yīng)裝置10的上方安裝有清水儲(chǔ)備槽I，反應(yīng)裝置10的內(nèi)部設(shè)置有保溫裝置2，且保溫裝置2與清水儲(chǔ)備槽I通過導(dǎo)管連接，保溫裝置2的內(nèi)部安裝有加熱裝置5，反應(yīng)裝置10的左側(cè)安裝有氯氣緩存裝置3，氯氣緩存裝置3的上設(shè)置有控制面板4，反應(yīng)裝置10的右側(cè)安裝有硅粉儲(chǔ)備裝置13，硅粉儲(chǔ)備裝置13的上方安裝有密封蓋11，密封蓋11與硅粉儲(chǔ)備裝置(13)通過鉸鏈12轉(zhuǎn)動(dòng)連接，硅粉儲(chǔ)備裝置13的左側(cè)安裝有吸塵器14，吸塵器14的左側(cè)安裝有粉塵輸送管道15，粉塵輸送管道15的內(nèi)部設(shè)置有雙向風(fēng)扇16，粉塵輸送管道15的下方安裝有噴孔式連接轉(zhuǎn)動(dòng)管17，噴孔式連接轉(zhuǎn)動(dòng)管17的下方設(shè)置有轉(zhuǎn)動(dòng)控制器18，轉(zhuǎn)動(dòng)控制器18的內(nèi)部安裝有雙向風(fēng)扇16，反應(yīng)裝置10的底部安裝有三氯氫硅吸收沉淀裝置6，三氯氫硅吸收沉淀裝置6上設(shè)置有三氯氫硅吸附裝置20，三氯氫硅吸收沉淀裝置6的下方安裝有智能控制閉水閥7，智能控制閉水閥7的下方安裝有三氯氫硅儲(chǔ)備裝置8，三氯氫硅儲(chǔ)備裝置8內(nèi)部的左右兩側(cè)設(shè)置有三氯氫硅濃度感應(yīng)器19，三氯氫硅儲(chǔ)備裝置8的底部設(shè)置有出料口 9，反應(yīng)裝置10為圓柱形結(jié)構(gòu)，保溫裝置2共設(shè)置有三個(gè)，且三個(gè)保溫裝置2分別安裝在反應(yīng)裝置10的內(nèi)部的左右兩側(cè)和頂部位置，三氯氫硅吸收沉淀裝置6共設(shè)置有兩個(gè)，且兩個(gè)三氯氫硅吸收沉淀裝置6分別安裝在反應(yīng)裝置10的底部的左右兩側(cè)。
[0014]工作原理;該設(shè)備在使用時(shí)，通過氯氣緩存裝置3上的控制面板4控制氯氣通入發(fā)生裝置10內(nèi)，通過吸塵器14將硅粉吸入粉塵輸送管道15內(nèi)，通過雙向風(fēng)扇16將硅粉吸入噴孔式連接轉(zhuǎn)動(dòng)管17內(nèi)，通過轉(zhuǎn)動(dòng)控制器18控制噴孔式連接轉(zhuǎn)動(dòng)管17轉(zhuǎn)動(dòng)，打開加熱裝置5，反應(yīng)生成的三氯氫硅通過三氯氫硅吸附裝置20將其吸附到三氯氫硅吸收沉淀裝置6內(nèi)，通過智能控制閉水閥7控制其進(jìn)入三氯氫硅儲(chǔ)備裝置8內(nèi)，通過三氯氫硅濃度感應(yīng)器19感應(yīng)其濃度，從而控制智能控制閉水閥7關(guān)閉，將三氯氫硅由出料口 9排出。
[0015]對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本實(shí)用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型，因此，無論從哪一點(diǎn)來看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實(shí)用新型內(nèi)，不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種三氯氫硅合成裝置，包括反應(yīng)裝置(10)，其特征在于:所述反應(yīng)裝置(10)的上方安裝有清水儲(chǔ)備槽(1)，所述反應(yīng)裝置(10)的內(nèi)部設(shè)置有保溫裝置(2)，且保溫裝置(2)與清水儲(chǔ)備槽(I)通過導(dǎo)管連接，所述保溫裝置(2)的內(nèi)部安裝有加熱裝置(5)，所述反應(yīng)裝置(10)的左側(cè)安裝有氯氣緩存裝置(3)，所述氯氣緩存裝置(3)的上設(shè)置有控制面板(4)，所述反應(yīng)裝置(10)的右側(cè)安裝有硅粉儲(chǔ)備裝置(13)，所述硅粉儲(chǔ)備裝置(13)的上方安裝有密封蓋(11)，所述密封蓋(11)與硅粉儲(chǔ)備裝置(13)通過鉸鏈(12)轉(zhuǎn)動(dòng)連接，所述硅粉儲(chǔ)備裝置(13)的左側(cè)安裝有吸塵器(14)，所述吸塵器(14)的左側(cè)安裝有粉塵輸送管道(15)，所述粉塵輸送管道(15)的內(nèi)部設(shè)置有雙向風(fēng)扇(16)，所述粉塵輸送管道(15)的下方安裝有噴孔式連接轉(zhuǎn)動(dòng)管(17)，所述噴孔式連接轉(zhuǎn)動(dòng)管(17 )的下方設(shè)置有轉(zhuǎn)動(dòng)控制器(18),所述轉(zhuǎn)動(dòng)控制器(18)的內(nèi)部安裝有雙向風(fēng)扇(16)，所述反應(yīng)裝置(10)的底部安裝有三氯氫硅吸收沉淀裝置(6)，三氯氫硅吸收沉淀裝置(6)上設(shè)置有三氯氫硅吸附裝置(20)，所述三氯氫硅吸收沉淀裝置(6)的下方安裝有智能控制閉水閥(7)，所述智能控制閉水閥(7)的下方安裝有三氯氫硅儲(chǔ)備裝置(8)，所述三氯氫硅儲(chǔ)備裝置(8)內(nèi)部的左右兩側(cè)設(shè)置有三氯氫硅濃度感應(yīng)器(19)，所述三氯氫硅儲(chǔ)備裝置(8)的底部設(shè)置有出料口(9)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三氯氫硅合成裝置，其特征在于:所述反應(yīng)裝置(10)為圓柱形結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三氯氫硅合成裝置，其特征在于:所述保溫裝置(2)共設(shè)置有三個(gè)，且三個(gè)保溫裝置(2)分別安裝在反應(yīng)裝置(10)的內(nèi)部的左右兩側(cè)和頂部位置。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三氯氫硅合成裝置，其特征在于:所述三氯氫硅吸收沉淀裝置(6)共設(shè)置有兩個(gè)，且兩個(gè)三氯氫硅吸收沉淀裝置(6)分別安裝在反應(yīng)裝置(10)的底部的左右兩側(cè)。
【文檔編號(hào)】C01B33/107GK205634909SQ201620461809
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年5月20日
【發(fā)明人】付海潮, 李龍, 文生雷
【申請(qǐng)人】河南硅烷科技發(fā)展股份有限公司