本發(fā)明涉及使用銅導(dǎo)線(wire)、銀導(dǎo)線等的打線接合(wirebonding)裝置，尤其涉及可在銅導(dǎo)線的前端一面抑制氧化一面形成穩(wěn)定的大型的焊球(ball)的打線接合裝置。
背景技術(shù)：
：：在半導(dǎo)體的組裝步驟中，使用金導(dǎo)線的打線接合為主流，但正逐步進(jìn)行使用與金導(dǎo)線相比材料成本低的銅導(dǎo)線的接合(bonding)。然而，在使用銅導(dǎo)線的接合中，在通過火花放電(sparkdischarge)形成焊球時(shí)，銅與氧氣反應(yīng)而會(huì)形成氧化銅的銅焊球。氧化銅與銅相比硬度大，因此在銅焊球與集成電路(IntegratedCircuit，IC)芯片(chip)的焊盤(pad)的接合中，有時(shí)在焊盤下產(chǎn)生損傷。且，有時(shí)氧化的銅焊球產(chǎn)生變色或偏芯而對(duì)接合品質(zhì)造成不良影響。再者，將通過火花放電而形成在導(dǎo)線前端的焊球稱作無空氣焊球(freeairball)(以下稱為“FAB”)。為了排除這些不良影響而必須防止在FAB形成過程中混入氧氣。因此為了防止焊球氧化，首要的是在氮?dú)怏w、氬氣體等惰性氣體環(huán)境內(nèi)、或氮?dú)浠旌蠚怏w等氧化還原氣體環(huán)境內(nèi)形成FAB。以下，將惰性氣體及氧化還原氣體的總稱表述為氧化防止氣體。圖11是表示以往的打線接合裝置的氣體封入導(dǎo)管(tube)、瓷嘴(capillary)及點(diǎn)火桿(sparkrod)的位置關(guān)系的立體圖，圖12是表示以往的另一打線接合裝置的打線接合裝置的瓷嘴、夾持器(clamper)、內(nèi)置有點(diǎn)火桿的氣體排出裝置及夾具(jigtool)等的位置關(guān)系的說明圖。圖11是表示專利文獻(xiàn)1揭示的打線接合裝置的瓷嘴與點(diǎn)火桿及這些的周邊的立體圖，揭示使用氣體封入導(dǎo)管在氧化防止氣體環(huán)境內(nèi)形成焊球的打線接合裝置。專利文獻(xiàn)1揭示的以往的打線接合裝置如圖11所示那樣具有：瓷嘴3，自前端3a抽出銅導(dǎo)線74；氣體封入導(dǎo)管85，具有以瓷嘴3的前端3a可貫通的方式設(shè)置的上部開口86及下部開口87；及點(diǎn)火桿5，配置在氣體封入導(dǎo)管85的內(nèi)部，對(duì)自瓷嘴3的前端3a抽出的銅導(dǎo)線74的前端部74a進(jìn)行火花放電。在氣體封入導(dǎo)管85的內(nèi)部一面流動(dòng)氧化防止氣體一面形成氧化防止氣體環(huán)境，自點(diǎn)火桿5的前端5a對(duì)銅導(dǎo)線74的前端部74a進(jìn)行火花放電而形成FAB。如此在圖11的以往的打線接合裝置中，一面在氣體封入導(dǎo)管85內(nèi)流動(dòng)氧化防止氣體以在FAB形成步驟中防止氧氣混入，一面將瓷嘴3的前端自上部開口86插入至氣體封入導(dǎo)管85內(nèi)，對(duì)自瓷嘴3抽出的銅導(dǎo)線74的前端部74a自點(diǎn)火桿5的前端5a進(jìn)行火花放電而在氧化防止氣體環(huán)境內(nèi)形成FAB。且，由申請(qǐng)人提出有作為以往的另一接合裝置的圖12的專利文獻(xiàn)2的發(fā)明。圖12是表示專利文獻(xiàn)2揭示的打線接合裝置的瓷嘴、夾持器、內(nèi)置有點(diǎn)火桿(放電電極)的氣體排出裝置的位置關(guān)系的說明圖，揭示使用氣體排出導(dǎo)管在氧化防止氣體環(huán)境內(nèi)形成焊球的打線接合裝置。即，專利文獻(xiàn)2揭示的以往的打線接合裝置如圖12所示那樣具備：瓷嘴3，自前端抽出銅導(dǎo)線74；夾持器4，與作為接合臂(bondingarm)的超聲波喇叭(horn)2的上下動(dòng)作連動(dòng)而夾持或釋放導(dǎo)線74。且，在瓷嘴3的下方具備氣體排出裝置110，所述氣體排出裝置110是由設(shè)置成可使瓷嘴3的前端插通的第1氣體排出導(dǎo)管111、與第2氣體排出導(dǎo)管120這一對(duì)氣體排出導(dǎo)管，以各自的缺口部111a、缺口部120a相互對(duì)向的方式配置而成，所述第1氣體排出導(dǎo)管111在前端具備所述缺口部111a，且可將氧化防止氣體排出至內(nèi)部，所述第2氣體排出導(dǎo)管120在前端具備所述缺口部120a，且可將氧化防止氣體排出至內(nèi)部，且在上述第1氣體排出導(dǎo)管111的內(nèi)部?jī)?nèi)置有點(diǎn)火桿5。通過使各個(gè)缺口部111a、缺口部120a對(duì)向，而在一對(duì)氣體排出導(dǎo)管之間形成可使瓷嘴3插通的開口。且，第1氣體排出導(dǎo)管111a與第2氣體排出導(dǎo)管120a在相互的前端之間具有空隙(間隔(gap))，在氣體排出裝置110設(shè)置有調(diào)整所述空隙的大小的位置調(diào)整單元130。因此，導(dǎo)線74通過夾持器4的開閉機(jī)構(gòu)的夾持(clamp)面，并通過設(shè)置在瓷嘴3的孔(hole)而自瓷嘴3的前端抽出。且，在瓷嘴3的下側(cè)設(shè)置有可將氧化防止氣體排出至內(nèi)部的氣體排出裝置110，在氣體排出裝置110中內(nèi)置有點(diǎn)火桿5，因此在將瓷嘴3的前端及導(dǎo)線74的前端的兩者通過第1氣體排出導(dǎo)管111及第2氣體排出導(dǎo)管120的各個(gè)缺口部111a、缺口部120a而插入至氣體排出裝置110的內(nèi)部的狀態(tài)下，即在由氣體排出裝置110形成的氧化防止氣體環(huán)境中，通過火花放電而在導(dǎo)線74的前端形成FAB75。[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)]專利文獻(xiàn)1：US6234376專利文獻(xiàn)2：日本專利特開2011-40635技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：[發(fā)明要解決的問題]然而，圖11及圖12所示的接合裝置雖然如上述那樣使用在內(nèi)部流動(dòng)氧化防止氣體的氣體封入導(dǎo)管(圖11的85)、或氣體排出導(dǎo)管(圖12的111、120)(以下，將這些總稱為“導(dǎo)管”)而在氧化防止氣體環(huán)境內(nèi)形成FAB，但在現(xiàn)實(shí)中并不能有效地防止(或抑制)FAB氧化。妨礙FAB防止氧化的第一因素在于，流入含有氧氣的外界氣體(以下，僅稱為“外界氣體”)而破壞上述導(dǎo)管內(nèi)部的氧化防止氣體環(huán)境。即，排出至導(dǎo)管內(nèi)部的氧化防止氣體自在上下貫通導(dǎo)管的瓷嘴插通用的開口向?qū)Ч芡獠苛鞒?。流出的氧化防止氣體成為紊流而卷入存在于所述開口附近的外界氣體。而且，當(dāng)在所述狀態(tài)下因接合動(dòng)作而使瓷嘴上下移動(dòng)時(shí)，卷入有存在于上述開口附近的外界氣體的氧化防止氣體通過瓷嘴而被壓入至導(dǎo)管內(nèi)部。且，外界氣體除通過瓷嘴壓入以外，還通過超聲波喇叭2(參照?qǐng)D12)流入至導(dǎo)管內(nèi)部。在圖11及圖12所示的接合裝置中，瓷嘴的總長(zhǎng)以世界標(biāo)準(zhǔn)而規(guī)定為11.1mm，因此必須在所述總長(zhǎng)內(nèi)近接配置與瓷嘴的基端部連接的超聲波喇叭、用于IC器件的搬送及固定的治具(夾具)、及上述導(dǎo)管。因此，上述導(dǎo)管受到來自鄰接的超聲波喇叭2的活塞(piston)效應(yīng)而使得上述導(dǎo)管內(nèi)的氧化防止氣體的流動(dòng)被擾亂，從而流入外界氣體。如以上那樣，導(dǎo)管內(nèi)部的氧化防止氣體環(huán)境被破壞而導(dǎo)致FAB氧化。妨礙FAB防止氧化的第二因素在于，F(xiàn)AB在其形成過程中自瓷嘴的前端側(cè)向基端側(cè)，即向形成在導(dǎo)管上表面的瓷嘴插通用的開口移動(dòng)。FAB是通過火花放電使導(dǎo)線的前端連續(xù)性地熔融而形成，因此伴隨成長(zhǎng)(大徑化)，F(xiàn)AB自火花放電的開始時(shí)點(diǎn)的位置向瓷嘴前端側(cè)移動(dòng)，且在火花放電的完成時(shí)點(diǎn)(FAB的形成完成時(shí)點(diǎn))位于上述導(dǎo)管上表面的開口附近。上述導(dǎo)管上表面的開口附近因上述開口附近的氧化防止氣體的紊流所致的外界氣體的卷入或超聲波喇叭2的活塞效應(yīng)，而與上述導(dǎo)管內(nèi)部的中心相比成為氧氣濃度相對(duì)高的環(huán)境(氧化防止氣體的濃度低的環(huán)境)，因此在FAB的形成過程的最終階段FAB氧化。尤其，在欲使所要形成的FAB大徑化的情形時(shí)，熔融的導(dǎo)線長(zhǎng)變大，因此FAB自火花放電的開始時(shí)點(diǎn)的位置的移動(dòng)量變大，在火花放電的完成時(shí)點(diǎn)，F(xiàn)AB的上部(瓷嘴前端側(cè)的部分)自上述導(dǎo)管上表面的開口露出，因此與相對(duì)小徑的FAB相比氧化更甚。當(dāng)然，若在導(dǎo)管具有充分的厚度的情形時(shí)，或者形成相對(duì)小徑的FAB的情形時(shí)，可在導(dǎo)管內(nèi)部中的氧氣濃度低的導(dǎo)管內(nèi)部的中心附近區(qū)域完成FAB的形成。然而，由于如上述那樣規(guī)定了瓷嘴的總長(zhǎng)，因此在增大上述導(dǎo)管的厚度方面有極限，由此可形成的FAB的大小受限制。此意味著能夠接合的IC芯片的種類受限制。本發(fā)明的目的在于提供一種可抑制FAB的氧化并且可穩(wěn)定地形成焊球直徑大的FAB的打線接合方法及打線接合裝置。[解決問題的技術(shù)手段]為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的接合方法是一種打線接合方法，配置有氣體供給單元，所述氣體供給單元具有：供自前端抽出導(dǎo)線的瓷嘴插通的插通部及對(duì)所述插通部供給氧化防止氣體的氣體供給口；且將上述導(dǎo)線自上述插通部的入口插入并使所述導(dǎo)線的前端位于所述插通部?jī)?nèi)，在上述導(dǎo)線的前端位于上述插通部?jī)?nèi)的狀態(tài)下供給上述氧化防止氣體，并且在配置在所述插通部?jī)?nèi)的點(diǎn)火桿與上述導(dǎo)線之間產(chǎn)生火花放電而在所述導(dǎo)線的前端形成無空氣焊球，并通過上述無空氣焊球而將導(dǎo)線接合于基板；且所述打線接合方法的特征在于：在對(duì)上述插通部供給上述氧化防止氣體的同時(shí)，自設(shè)置在上述插通部外部的氣體供給噴嘴以覆蓋所述插通部的入口的方式供給氧化防止氣體，在使上述導(dǎo)線的前端位于上述插通部?jī)?nèi)，且使上述瓷嘴的前端位于上述插通部外的狀態(tài)下產(chǎn)生上述火花放電。且，本發(fā)明的接合方法的特征在于，上述火花放電進(jìn)行至形成在上述導(dǎo)線的前端的上述無空氣焊球的至少一部分自上述插通部的入口露出至外部為止。且，本發(fā)明的接合方法的特征在于，自對(duì)向配置的一對(duì)氣體供給口對(duì)上述插通部供給上述氧化防止氣體。且，本發(fā)明的接合方法的特征在于，上述氣體供給噴嘴沿與插通上述瓷嘴的方向正交的方向供給上述氧化防止氣體。且，本發(fā)明的接合裝置是一種打線接合裝置，具備：瓷嘴，自前端抽出導(dǎo)線；氣體供給單元，具有供上述瓷嘴插通的插通部及對(duì)所述插通部供給氧化防止氣體的氣體供給口；移動(dòng)單元，使上述瓷嘴與氣體供給單元相對(duì)移動(dòng)；及點(diǎn)火桿，配置在上述插通部的內(nèi)部；且在將上述導(dǎo)線自上述插通部的入口插入并使所述導(dǎo)線的前端位于所述插通部?jī)?nèi)的狀態(tài)下，對(duì)所述插通部供給上述氧化防止氣體，在上述點(diǎn)火桿與上述導(dǎo)線之間產(chǎn)生火花放電而在所述導(dǎo)線的前端形成無空氣焊球，通過所述無空氣焊球而將導(dǎo)線接合于基板；所述打線接合裝置的特征在于：設(shè)置有自上述插通部外部以覆蓋所述插通部的入口的方式供給氧化防止氣體的氣體供給噴嘴，在使上述導(dǎo)線的前端位于上述插通部?jī)?nèi)，并且使上述瓷嘴的前端位于上述插通部外的狀態(tài)下產(chǎn)生上述火花放電。且，本發(fā)明的接合裝置的特征在于，在上述插通部設(shè)置有對(duì)向配置的一對(duì)氣體供給口。且，本發(fā)明的接合裝置的特征在于，上述氣體供給噴嘴沿與插通上述瓷嘴的方向正交的方向供給上述氧化防止氣體。且，本發(fā)明的接合裝置的特征在于，上述氣體供給單元具有供設(shè)置上述插通部的入口的平面部，上述氣體供給噴嘴具有以包含上述氣體供給單元的平面部的方式形成的氣體供給通路，沿所述平面部供給上述氧化防止氣體。[發(fā)明的效果]根據(jù)本發(fā)明，除自氣體供給單元向插通部?jī)?nèi)部供給氧化防止氣體以外，還自設(shè)置于插通部外部的氣體供給噴嘴以覆蓋插通部的入口的方式供給氧化防止氣體，在使導(dǎo)線的前端位于插通部?jī)?nèi)，且使瓷嘴的前端位于插通部外的狀態(tài)下產(chǎn)生火花放電，由此可抑制FAB的氧化及實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定化，并且可形成焊球直徑大的FAB。且，本發(fā)明可通過自設(shè)置于插通部外部的氣體供給噴嘴以覆蓋插通部的入口的方式供給氧化防止氣體，而進(jìn)行火花放電直至形成在導(dǎo)線的前端的FAB的至少一部分自插通部的入口露出至外部為止，因此可防止自插通部的入口露出的FAB氧化，從而可在穩(wěn)定的狀態(tài)下形成必須使導(dǎo)線長(zhǎng)變大的大型FAB。且，即便在產(chǎn)生向插通部?jī)?nèi)卷入氣體的情形時(shí)，向插通部?jī)?nèi)卷入的氣體自身也為自氣體供給噴嘴供給的氧化防止氣體，從而可在不產(chǎn)生FAB的氧化的情況下以穩(wěn)定的狀態(tài)形成焊球直徑大的FAB。附圖說明圖1是表示打線接合裝置的構(gòu)成的框圖。圖2是表示打線接合裝置的瓷嘴、夾持器、內(nèi)置有點(diǎn)火桿的氣體排出裝置及夾具等的位置關(guān)系的說明圖。圖3是表示圖2的瓷嘴、夾持器、氣體排出裝置、半導(dǎo)體芯片及引線架(leadframe)的實(shí)際的位置關(guān)系的立體圖。圖4是表示氣體排出裝置的構(gòu)成的立體圖，(a)是整體立體圖，(b)是拆除螺栓的狀態(tài)的局部立體圖，(c)是擴(kuò)大空隙的狀態(tài)的局部立體圖。圖5是一對(duì)氣體排出導(dǎo)管的局部平面圖。圖6是表示一對(duì)氣體排出導(dǎo)管的缺口部周圍的前視圖，(a)是第1氣體排出導(dǎo)管的前視圖，(b)是表示第2氣體排出導(dǎo)管的前視圖。圖7(a)是瓷嘴的前視圖，(b)是將瓷嘴安裝于喇叭(horn)的狀態(tài)的側(cè)視圖，(c)是夾具的中央局部剖視圖。圖8是表示瓷嘴、超聲波喇叭及夾具與氣體排出裝置的位置關(guān)系的側(cè)視說明圖。圖9是表示使用氣體排出裝置形成FAB且表示瓷嘴及氣體排出裝置的位置關(guān)系的側(cè)視說明圖，(a)表示形成通常的FAB時(shí)，(b)表示形成焊球直徑大的FAB時(shí)。圖10是示意性地說明圖9的形成FAB的圖，左側(cè)表示火花放電前，右側(cè)表示火花放電后，(a)表示圖9(a)的形成通常的FAB時(shí)，(b)表示圖9(b)的形成焊球直徑大的FAB時(shí)。圖11是表示以往的打線接合裝置的氣體封入導(dǎo)管、瓷嘴及點(diǎn)火桿的位置關(guān)系的立體圖。圖12是表示以往的另一打線接合裝置的打線接合裝置的瓷嘴、夾持器、內(nèi)置有點(diǎn)火桿的氣體排出裝置及夾具等的位置關(guān)系的說明圖。具體實(shí)施方式以下參照附圖對(duì)用以實(shí)施本發(fā)明的打線接合方法及打線接合裝置的最佳形式進(jìn)行說明。再者，本發(fā)明的打線接合方法及打線接合裝置除自氣體供給單元向插通部?jī)?nèi)部供給氧化防止氣體以外，還自設(shè)置于插通部外部的氣體供給噴嘴以覆蓋插通部的入口的方式供給氧化防止氣體，在使導(dǎo)線的前端位于插通部?jī)?nèi)，且使瓷嘴的前端位于插通部外的狀態(tài)下產(chǎn)生火花放電，由此可抑制FAB的氧化及實(shí)現(xiàn)FAB的穩(wěn)定化，并且可形成焊球直徑大的FAB。[裝置構(gòu)成的概要]首先參照?qǐng)D1至圖3對(duì)打線接合裝置的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖1是表示打線接合裝置的構(gòu)成的框圖，圖2是表示打線接合裝置的瓷嘴、夾持器、內(nèi)置有點(diǎn)火桿的氣體排出裝置及夾具等的位置關(guān)系的說明圖，圖3是表示圖2的瓷嘴、夾持器、氣體排出裝置、半導(dǎo)體芯片及引線架的實(shí)際的位置關(guān)系的立體圖。如圖1所示那樣，打線接合裝置1具備：接合臂2(超聲波喇叭2)，由在前端安裝有作為接合工具(bondingtool)的瓷嘴3的超聲波喇叭(超聲波振動(dòng)子)所構(gòu)成；接合頭(bondinghead)6，具有線性馬達(dá)(linearmotor)(未圖示)，所述線性馬達(dá)作為將接合臂2向上下方向、即向Z方向驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)單元；XY臺(tái)(table)60，作為XY定位單元，搭載由接合臂2及接合頭6所構(gòu)成的接合單元并使所述接合單元向X方向及Y方向二維地相對(duì)移動(dòng)而進(jìn)行定位；加熱器部61，搭載半導(dǎo)體芯片70而進(jìn)行利用瓷嘴3、接合臂2及接合頭6的接合作業(yè)，且在架臺(tái)上具有加熱器板(heaterplate)；控制裝置63，具有進(jìn)行打線接合裝置1整體的控制的微型計(jì)算機(jī)(microcomputer)；及驅(qū)動(dòng)裝置62，根據(jù)來自所述控制裝置63的指令信號(hào)而向接合頭6及XY臺(tái)60發(fā)出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。鍵盤67連接于控制裝置63的微型計(jì)算機(jī)，進(jìn)行數(shù)據(jù)的輸入、執(zhí)行指示等。在控制裝置63的微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)裝置中內(nèi)置有程序，打線接合等的動(dòng)作通過執(zhí)行程序而進(jìn)行。且，安裝(mount)有半導(dǎo)體芯片70的引線架72搭載在加熱器部61的加熱器板上，利用加熱器部61的加熱器而加熱。[主要裝置的功能等]在向Z方向的上下驅(qū)動(dòng)接合臂2的接合頭6，具備檢測(cè)接合臂2的位置的位置檢測(cè)傳感器(sensor)7，位置檢測(cè)傳感器7將安裝于接合臂2前端的瓷嘴3相對(duì)于接合臂2的預(yù)先設(shè)定的原點(diǎn)位置的位置輸出至控制裝置63。且，接合頭6的線性馬達(dá)除通過控制裝置63將接合臂2向上下驅(qū)動(dòng)以外，還在接合時(shí)對(duì)瓷嘴3進(jìn)行負(fù)荷的大小、負(fù)荷的施加時(shí)間的控制。且，所述打線接合裝置1具備超聲波振蕩器65，且構(gòu)成為可對(duì)組入至超聲波喇叭2的振子施加電壓而使位于超聲波喇叭2的前端的瓷嘴3產(chǎn)生振動(dòng)，且接收來自控制裝置63的控制信號(hào)而對(duì)瓷嘴3施加超聲波振動(dòng)。且，瓷嘴3前端的焊球形成是控制焊球形成裝置66而進(jìn)行。焊球形成裝置66接收來自控制裝置63的控制信號(hào)，如圖2所示那樣通過對(duì)自瓷嘴3送出的導(dǎo)線的前端與內(nèi)置在氣體排出裝置10(氣體供給單元)的氣體排出導(dǎo)管11中的點(diǎn)火桿5(放電電極)之間施加高電壓而引起火花放電，且通過所述放電能量使導(dǎo)線的前端部熔融而在插通于瓷嘴3內(nèi)的導(dǎo)線的前端形成焊球。圖1至圖3所示的打線接合裝置1，一面對(duì)引線架72在由夾具8固定在加熱器部61的加熱器板上的狀態(tài)下加熱，一面通過夾具8的開口部8a通過瓷嘴3以導(dǎo)線連接半導(dǎo)體芯片70上的焊盤與引線架72等的引線之間。在焊盤或引線上的導(dǎo)線連接是對(duì)作為接合工具的瓷嘴3施加超聲波振動(dòng)及負(fù)荷而進(jìn)行。如圖2及圖3所示那樣，夾具8將引線架72固定在加熱器部61的加熱器板上，在搬送由半導(dǎo)體芯片70及引線架72所構(gòu)成的半導(dǎo)體器件時(shí)，夾具8向上方移動(dòng)而解除引線架72的固定，從而能夠搬送半導(dǎo)體器件。再者，位于搭載在XY臺(tái)60上的接合頭6的接合臂2的前端的瓷嘴3，構(gòu)成為可利用XY臺(tái)60移動(dòng)至XY軸上的位置及利用接合頭6移動(dòng)至Z軸上的位置，但也可設(shè)為如下構(gòu)成：將接合頭6固定在框體上，且將搭載被接合零件的加熱器部61搭載在XY臺(tái)60上，接合頭僅進(jìn)行Z軸方向的上下移動(dòng)，被接合零件搭載在XY臺(tái)上而使被接合零件相對(duì)于瓷嘴3進(jìn)行XY軸的二維的相對(duì)移動(dòng)。如圖2所示那樣，夾持器4與接合臂2(如圖1所示)的上下動(dòng)作連動(dòng)而由開閉機(jī)構(gòu)(未圖示)夾持或釋放導(dǎo)線74，且受控制裝置63控制。導(dǎo)線74通過夾持器4的開閉機(jī)構(gòu)的夾持面，并通過設(shè)置在瓷嘴3的孔而自瓷嘴3的前端抽出。且，在瓷嘴3的下側(cè)，設(shè)置有在由氧化防止氣體而形成的氧化防止用氣體環(huán)境中形成FAB的作為氣體供給單元的氣體排出裝置10。在氣體排出裝置10中內(nèi)置有點(diǎn)火桿5，通過在使導(dǎo)線74的前端位于氣體排出裝置10的內(nèi)部的狀態(tài)下進(jìn)行火花放電，而在自瓷嘴3的前端抽出的導(dǎo)線74的前端形成FAB75。再者，圖1至圖3所示的打線接合裝置的構(gòu)成表示一般的構(gòu)成，本發(fā)明并不限定于此。[氣體排出裝置的概要]其次，使用圖4至圖6詳述氣體排出裝置。氣體排出裝置通過安裝件(未圖示)安裝于接合頭6(圖1)，用以在由氧化防止氣體形成的氧化防止用氣體環(huán)境中形成FAB，而抑制FAB的氧化并且實(shí)現(xiàn)FAB的穩(wěn)定化。再者，由氧化防止氣體形成氧化防止用的環(huán)境，以下，將由氧化防止氣體形成的氧化防止用環(huán)境記為氧化防止氣體環(huán)境。圖4是表示氣體排出裝置的構(gòu)成的立體圖，(a)是整體立體圖，(b)是拆除螺栓的狀態(tài)的局部立體圖，(c)是擴(kuò)大空隙的狀態(tài)的局部立體圖，圖5是一對(duì)氣體排出導(dǎo)管的局部平面圖，圖6是表示一對(duì)氣體排出導(dǎo)管的缺口部周圍的前視圖，(a)是第1氣體排出導(dǎo)管的前視圖，(b)是表示第2氣體排出導(dǎo)管的前視圖。如圖4(a)所示那樣，氣體排出裝置10具備一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11，一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11由第1氣體排出導(dǎo)管12與第2氣體排出導(dǎo)管20所構(gòu)成。[第1氣體排出導(dǎo)管的構(gòu)造]首先，對(duì)第1氣體排出導(dǎo)管12進(jìn)行說明。如圖4(a)、圖5及圖6(a)所示那樣，第1氣體排出導(dǎo)管12設(shè)置有對(duì)內(nèi)部導(dǎo)入氧化防止氣體的中空的氣體導(dǎo)入孔15(參照?qǐng)D5)，在氣體導(dǎo)入孔15內(nèi)內(nèi)置有點(diǎn)火桿5，所述點(diǎn)火桿5對(duì)自瓷嘴3(如圖2所示)抽出的導(dǎo)線火花放電而形成焊球。且，第1氣體排出導(dǎo)管12在前端具有開口部13，開口部13具備弧狀的缺口部13a以防止所插入的瓷嘴3的前端接觸。且，如圖5所示那樣，氣體導(dǎo)入孔15的氣體供給口14位于開口部13的中心附近。如圖5所示那樣，第1氣體排出導(dǎo)管12以使內(nèi)置在氣體導(dǎo)入孔15中的點(diǎn)火桿5的前端5a自缺口部13a的面略突出的方式配置。且，第1氣體排出導(dǎo)管12的后端固定在圖4(a)所示的氣體排出導(dǎo)管保持部35，且具有使自氣體排出導(dǎo)管保持部35供給的氧化防止氣體流入的氣體流入口(未圖示)。氣體排出導(dǎo)管保持部35為了向第1氣體排出導(dǎo)管12供給氧化防止氣體而配置有氣體供給管35a，且在氣體排出導(dǎo)管保持部35的內(nèi)部與第1氣體排出導(dǎo)管12的氣體流入口連通。如箭頭所示那樣自外部向氣體排出導(dǎo)管保持部35供給氧化防止氣體。第1氣體排出導(dǎo)管12的內(nèi)部以氣體流入口與開口部13的氣體供給口14通過氣體導(dǎo)入孔15而連通的方式形成。自第1氣體排出導(dǎo)管12的氣體流入口供給的氧化防止氣體，通過氣體導(dǎo)入孔15并沿點(diǎn)火桿5的外周及氣體導(dǎo)入孔15流動(dòng)，且自氣體供給口14排出至缺口部13a所形成的空間。且，如圖4及圖6(a)所示那樣，第1氣體排出導(dǎo)管12在氣體排出導(dǎo)管12的上表面?zhèn)冗€具備管狀的氣體供給噴嘴40。氣體供給噴嘴40以覆蓋露出于瓷嘴的基端部側(cè)的缺口部13a的方式自第1氣體排出導(dǎo)管12外供給氧化防止氣體。所述氣體供給噴嘴40配置在第1氣體排出導(dǎo)管12的上表面?zhèn)鹊钠矫娌?8(圖4(a))，可自配置在缺口部13a附近的排出口40a利用缺口部13a的周圍成為平面部18而沿所述平面部18供給氧化防止氣體。氣體供給噴嘴40以利用平面部18堵住剖面字狀的槽狀構(gòu)件的打開部分的方式構(gòu)成筒狀通路。由此，氣體供給噴嘴40具有以包含平面部18的方式形成的氣體供給通路45作為其內(nèi)部空間(圖4(a))，沿平面部18以覆蓋插通部的入口的方式供給氧化防止氣體。且，構(gòu)成為管狀的氣體供給噴嘴40的后端如圖4(a)所示那樣連接于氣體排出導(dǎo)管保持部35，且自氣體排出導(dǎo)管保持部35供給氧化防止氣體。氣體排出導(dǎo)管保持部35為了向氣體供給噴嘴40供給氧化防止氣體而配置有氣體供給管35b，且在氣體排出導(dǎo)管保持部35的內(nèi)部與氣體供給噴嘴40的排出口40a連通。如箭頭所示那樣自外部向氣體排出導(dǎo)管保持部35供給氧化防止氣體。再者，第1氣體排出導(dǎo)管12由絕緣性、耐熱性優(yōu)異的陶瓷、耐熱玻璃、玻璃環(huán)氧樹脂等形成。且，缺口部13a為了防止與瓷嘴3的接觸而具有在俯視(圖5)下為弧狀的形狀，但也可為圓弧、三角形的斜邊、四邊形的3邊、梯形形狀的下底及斜邊中的任一形狀。進(jìn)而，缺口部13a在前視(圖6(a))下自第1氣體排出導(dǎo)管12的上表面至下表面為止在垂直方向上以弧狀相同地形成，但作為其他構(gòu)成，還可設(shè)為具有：第1氣體排出導(dǎo)管12的上下中央部分最為缺欠的弧狀的曲面形狀，而使由缺口部13a形成的空間為大致半球狀。如此，缺口部13a理想的是不使自氣體供給口14排出的氧化防止氣體的流動(dòng)產(chǎn)生紊亂的形狀。且，為了將氧化防止氣體均勻地?cái)U(kuò)散于缺口部13a的空間，也可使氣體供給口14的直徑大于氣體導(dǎo)入孔15的直徑，而使自氣體導(dǎo)入孔15至氣體供給口14為止的直徑慢慢增大。再者，氧化防止氣體使用氮?dú)怏w、氮?dú)浠旌蠚怏w或氬氣體等。[第2氣體排出導(dǎo)管的構(gòu)造]其次，說明一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的第2氣體排出導(dǎo)管20。第2氣體排出導(dǎo)管20與第1氣體排出導(dǎo)管12成對(duì)。如圖4(a)、圖5及圖6(b)所示那樣，第2氣體排出導(dǎo)管20設(shè)置在與第1氣體排出導(dǎo)管12的開口部13對(duì)向的位置。如圖5所示那樣，第2氣體排出導(dǎo)管20設(shè)置有對(duì)內(nèi)部導(dǎo)入氧化防止氣體的中空的氣體導(dǎo)入孔24，且在與氣體排出導(dǎo)管12的開口部13對(duì)向的位置具有開口部21。第2氣體排出導(dǎo)管20的開口部21為了防止瓷嘴3的前端的接觸而具備弧狀的缺口部21a。且，如圖5及圖6(b)所示那樣，氣體導(dǎo)入孔24的氣體供給口22位于開口部21的中心附近。氣體供給口22以與第1氣體排出導(dǎo)管12的氣體供給口14對(duì)向的方式配置而成為一對(duì)氣體供給口。如圖5所示那樣，在第2氣體排出導(dǎo)管20的側(cè)面?zhèn)染哂惺寡趸乐箽怏w流入的氣體流入口23，氣體流入口23與開口部21的氣體供給口22通過氣體導(dǎo)入孔24而連通。且，氣體流入口23通過連接部26而連接有供給氧化防止氣體的氣體供給管31。連接部26上的氣體流入口23與氣體供給管31的連接，為了改變第1氣體排出導(dǎo)管12的開口部13與第2氣體排出導(dǎo)管20的開口部21之間的距離(空隙33(圖5))，而可將連接部26隔著密封環(huán)(sealring)31a相對(duì)于氣體供給管31在軸向滑動(dòng)地形成。且，氣體供給管31的另一端固定在圖4(a)所示的氣體排出導(dǎo)管保持部35。氣體排出導(dǎo)管保持部35為了向氣體供給管31供給氧化防止氣體而配置有氣體供給管35c，且在氣體排出導(dǎo)管保持部35的內(nèi)部與氣體供給管31的另一端連通。如箭頭所示那樣自外部向氣體排出導(dǎo)管保持部35供給氧化防止氣體。第2氣體排出導(dǎo)管20的內(nèi)部以使連接部的氣體流入口23與開口部21的氣體供給口22通過氣體導(dǎo)入孔24連通的方式形成，因此自氣體供給管31供給的氧化防止氣體如圖5箭頭所示那樣自氣體流入口23沿氣體導(dǎo)入孔24流動(dòng)，并自氣體供給口22排出至缺口部21a所形成的空間。第2氣體排出導(dǎo)管20由絕緣性、耐熱性優(yōu)異的陶瓷、耐熱玻璃、玻璃環(huán)氧樹脂等形成。且，缺口部21a為了防止與瓷嘴3接觸而具有在俯視(圖5)下為弧狀的形狀，但也可為圓弧、三角形的斜邊、四邊形的3邊、梯形形狀的下底及斜邊中的任一形狀。進(jìn)而，缺口部21a在前視(圖6(b))下自第2氣體排出導(dǎo)管20的上表面至下表面為止在垂直方向上以弧狀相同地形成，但作為其他構(gòu)成，還可設(shè)為具有：第2氣體排出導(dǎo)管20的上下中央部分最為缺欠的弧狀的曲面形狀，而使由缺口部21a形成的空間為大致半球狀。如此，缺口部21a理想的是不使自氣體供給口22排出的氧化防止氣體的流動(dòng)產(chǎn)生紊亂的形狀。且，為了將氧化防止氣體均勻地?cái)U(kuò)散于缺口部21a的空間，也可使氣體供給口22的直徑大于氣體導(dǎo)入孔24的直徑而使自氣體導(dǎo)入孔24至氣體供給口22為止的直徑慢慢增大。再者，至于氧化防止氣體，通常對(duì)銀導(dǎo)線使用惰性氣體，且對(duì)銅導(dǎo)線使用氧化還原氣體。且，在銅導(dǎo)線的表面覆蓋有鈀的導(dǎo)線，與未被任何物質(zhì)覆蓋的銅導(dǎo)線(裸銅導(dǎo)線)相比更難以氧化，因此使用惰性氣體足矣。[一對(duì)氣體排出導(dǎo)管的關(guān)系]且，如圖5所示那樣，一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的第1氣體排出導(dǎo)管12及第2氣體排出導(dǎo)管20，成為以在各個(gè)開口部13、開口部21之間具有空隙(間隔)33的方式分離的構(gòu)成。如此，氣體排出導(dǎo)管11由第1氣體排出導(dǎo)管12及第2氣體排出導(dǎo)管20所構(gòu)成，這些氣體排出導(dǎo)管的開口部隔著瓷嘴3的前端而對(duì)向，各個(gè)開口部13、開口部21為了防止瓷嘴3的前端的接觸而具備弧狀的缺口部13a、缺口部21a，從而形成可供瓷嘴3插通的插通部32。由第1氣體排出導(dǎo)管12的弧狀的缺口部13a及第2氣體排出導(dǎo)管20的弧狀的缺口部21a形成的插通部32，具有瓷嘴3可在不接觸于缺口部13a、缺口部21a的情況下貫通的大小。且，在各個(gè)開口部13、開口部21的左右具有空隙(間隔)33。由此，在氣體排出導(dǎo)管11的第1氣體排出導(dǎo)管12及第2氣體排出導(dǎo)管20的各個(gè)開口部13、開口部21間，形成有氧化防止氣體環(huán)境的空間。且，在第1氣體排出導(dǎo)管12的開口部13及第2氣體排出導(dǎo)管20的開口部21的左右具有空隙(間隔)33，由此自第1氣體排出導(dǎo)管12及第2氣體排出導(dǎo)管20排出的氧化防止氣體流過開口部13的缺口部13a、開口部21的缺口部21a，且也在空隙(間隔)33流動(dòng)，因此可形成穩(wěn)定的氧化防止氣體的空間。以上說明的氣體排出導(dǎo)管11說明的是在第1氣體排出導(dǎo)管12中內(nèi)置有點(diǎn)火桿的構(gòu)成，及還在第1氣體排出導(dǎo)管12配置有氣體供給部40的構(gòu)成，但也可代替第1氣體排出導(dǎo)管12而在第2氣體排出導(dǎo)管20中內(nèi)置點(diǎn)火桿，且同樣地也可在第2氣體排出導(dǎo)管20配置氣體供給部40。[位置調(diào)整單元的構(gòu)造]其次，使用圖4對(duì)變更一對(duì)氣體排出導(dǎo)管的各個(gè)開口部間的距離的位置調(diào)整單元進(jìn)行詳述。位置調(diào)整單元用以對(duì)由第1氣體排出導(dǎo)管及第2氣體排出導(dǎo)管所構(gòu)成的一對(duì)氣體排出導(dǎo)管的各個(gè)開口部間的距離進(jìn)行變更。如圖4及圖5所示那樣，位置調(diào)整單元是將第1氣體排出導(dǎo)管12的開口部13與上述第2氣體排出導(dǎo)管20的開口部21以對(duì)向的方式連結(jié)者，且由以下所構(gòu)成：雌螺紋部17(圖5)，設(shè)置在第1氣體排出導(dǎo)管12；突出片28，設(shè)置在第2氣體排出導(dǎo)管20；長(zhǎng)孔28a，設(shè)置在突出片28；及螺栓27，螺合于雌螺紋部17。在第1氣體排出導(dǎo)管12的側(cè)面設(shè)置有作為位置調(diào)整單元的雌螺紋部17，并且在第2氣體排出導(dǎo)管20的側(cè)面設(shè)置有具有長(zhǎng)孔28a的突出片28，通過使螺栓27插通于長(zhǎng)孔28a并與雌螺紋部17螺合，而將第2氣體排出導(dǎo)管20固定于第1氣體排出導(dǎo)管12。因此，如圖4(b)及圖4(c)所示那樣，若擰松插通于長(zhǎng)孔28a的螺栓27，則可使第2氣體排出導(dǎo)管20在水平方向滑動(dòng)(slide)。因此，以第1氣體排出導(dǎo)管12的開口部13與第2氣體排出導(dǎo)管20的開口部21之間的間隔33(圖5)成為規(guī)定長(zhǎng)度的方式，使第2氣體排出導(dǎo)管20滑動(dòng)而定位，且使用螺栓27固定第1氣體排出導(dǎo)管12及第2氣體排出導(dǎo)管20。如此，通過位置調(diào)整單元使第2氣體排出導(dǎo)管20的位置滑動(dòng)，由此可改變第1氣體排出導(dǎo)管12的開口部13與第2氣體排出導(dǎo)管20的開口部21所形成的空間的大小。由此，可根據(jù)放電電流的大小而改變氧化防止氣體環(huán)境的空間，因此可獲得最佳的放電環(huán)境。且，可根據(jù)導(dǎo)線尺寸、FAB的大小等條件而容易地設(shè)定開口部間的距離，因此作業(yè)效率提高。[其他構(gòu)成要素]使用圖7對(duì)本發(fā)明的其他構(gòu)成要素進(jìn)行說明。圖7(a)是瓷嘴的前視圖，圖7(b)是將瓷嘴安裝于焊頭的狀態(tài)的側(cè)視圖，圖7(c)是夾具的中央局部剖視圖。如圖7(a)及圖7(b)所示那樣，瓷嘴3是被固持著位于上端側(cè)的基端部而固定在內(nèi)置超聲波喇叭的接合臂2(以下稱為超聲波喇叭2)。另一端側(cè)的下部構(gòu)成為向前端變窄狀，通過超聲波振動(dòng)及施加負(fù)荷而利用前端部在焊盤或引線上進(jìn)行導(dǎo)線連接。如圖7(a)的H1所示那樣，瓷嘴3的總長(zhǎng)(圖7(a)紙面上的總高)按世界標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定為11.1mm。且，如圖7(b)所示那樣，為了對(duì)于瓷嘴3放大及傳輸超聲波振動(dòng)，對(duì)于超聲波喇叭2，通過瓷嘴3的基端側(cè)前端接觸于以自超聲波喇叭2突出的方式配置的固定片2a，而固持著瓷嘴3的基端部將所述瓷嘴3定位固定于超聲波喇叭2。且，如圖7(c)所示那樣，夾具8將引線架72固定于加熱器部61的加熱器板上。[氣體排出裝置的總高]氣體排出裝置10的總高必須設(shè)為約3.6mm左右的非常小型。以下使用圖7及圖8對(duì)這一點(diǎn)進(jìn)行說明。圖8是表示瓷嘴、超聲波喇叭及夾具與氣體排出裝置的位置關(guān)系的側(cè)視說明圖。即，如圖7及圖8所示那樣，瓷嘴3的總長(zhǎng)H1按世界標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定為11.1mm。因此，在規(guī)定氣體排出裝置10的一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的總高H4時(shí)，必須考慮總高H2的超聲波喇叭2與開口部8a周圍的總高H3的夾具8的存在以防止對(duì)這些的干涉。且，為了防止超聲波喇叭2對(duì)一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的干涉、及對(duì)夾具8的干涉而必須在各構(gòu)成要素間設(shè)置間隙(clearance)，因此，例如即便在將間隙設(shè)為最小的0.2mm左右的情形時(shí)，根據(jù)一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11與超聲波喇叭2之間的間隙C1(0.2mm)、及一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11與夾具8之間的間隙C2(0.2mm)，而H1-C1-C2成為11.1mm-0.2mm-0.2mm＝10.7mm。必須使一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11(總高H4)、超聲波喇叭2(總高H2)及夾具8(在開口部8a周圍的總高H3)收斂在所述10.7mm以內(nèi)，若考慮三個(gè)構(gòu)成要素(11(H4)、2(H2)、8(H3))，并以3除應(yīng)收斂三個(gè)構(gòu)成要素的總高10.7mm，則成為即，一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的總高H4與超聲波喇叭2(總高H2)及夾具8(在開口部8a周圍的總高H3)相加，所述三個(gè)構(gòu)成要素的總高的合計(jì)必須成為10.7mm以內(nèi)，因此例如以的方式算出為3.6mm左右，從而必須形成為非常小型。再者，圖8是表示向半導(dǎo)體芯片70的焊盤連接導(dǎo)線時(shí)，因此還存在半導(dǎo)體芯片70的微細(xì)的厚度(S)，由此C1為對(duì)最小的間隙(例如0.2mm)加上半導(dǎo)體芯片70的厚度S而得的間隙。且，瓷嘴3利用導(dǎo)線連接半導(dǎo)體芯片70上的焊盤與引線架72的引線之間，因此還必須進(jìn)行向不存在半導(dǎo)體芯片70的厚度自身的引線的連接，由此在所述情形時(shí)，瓷嘴3進(jìn)而向下方移動(dòng)圖8中的半導(dǎo)體芯片70的厚度S的量。因此，在以往的接合方法及接合裝置中，必須使氣體排出裝置非常小型，因此在所需的FAB的焊球直徑大的情形時(shí)，雖然自瓷嘴的前端抽出的導(dǎo)線變長(zhǎng)，但若在火花放電后導(dǎo)線熔融進(jìn)而在瓷嘴前端附近形成的FAB的位置超過導(dǎo)管，則FAB暴露在外界氣體中而氧化，因此火花放電后的FAB無法形成需要如下導(dǎo)線長(zhǎng)度的大直徑的FAB，所述長(zhǎng)度為必須超過導(dǎo)管的程度。因此，本發(fā)明如圖2及圖4所示那樣具備氣體供給噴嘴40，自第1氣體排出導(dǎo)管12外以覆蓋露出于瓷嘴3的基端部側(cè)的插通部32的入口的方式供給氧化防止氣體，由此在火花放電前位于一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11內(nèi)部的導(dǎo)線74的前端，在火花放電完成后成為導(dǎo)線74熔融而成的FAB75，所述FAB75的至少一部分位于一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的外側(cè)，利用所述方法可形成FAB75，可抑制FAB75的氧化并且可實(shí)現(xiàn)FAB75的穩(wěn)定化，且可形成焊球直徑大的FAB75。[FAB的形成動(dòng)作]其次，參照?qǐng)D9及圖10對(duì)利用使用氣體排出裝置10的本發(fā)明的打線接合方法在氧化防止氣體環(huán)境中形成FAB進(jìn)行說明。圖9是表示使用氣體排出裝置形成FAB且表示瓷嘴及氣體排出裝置的位置關(guān)系的側(cè)視說明圖，圖9(a)是表示形成通常的FAB時(shí)，圖9(b)是表示形成焊球直徑大的FAB時(shí)。圖10是示意性地說明圖9的形成FAB的圖，左側(cè)表示火花放電前，右側(cè)表示火花放電后，圖10(a)表示圖9(a)的形成通常的FAB時(shí)，圖10(b)表示圖9(b)的形成焊球直徑大的FAB時(shí)。[FAB的形成動(dòng)作(形成通常的FAB時(shí))]首先，使用圖5、圖9(a)及圖10(a)對(duì)形成通常的FAB時(shí)進(jìn)行說明。首先，通過一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的位置調(diào)整單元而設(shè)定第1氣體排出導(dǎo)管12的開口部13與上述第2氣體排出導(dǎo)管20的開口部21之間的間隔33的長(zhǎng)度。間隔長(zhǎng)取決于基于放電電流的大小的放電空間的大小、導(dǎo)線前端與點(diǎn)火桿5之間的放電間隔長(zhǎng)等。且，在接合開始前將氧化防止氣體供給至第1氣體排出導(dǎo)管12及上述第2氣體排出導(dǎo)管20。由此，在第1氣體排出導(dǎo)管12的開口部13與上述第2氣體排出導(dǎo)管20的開口部21之間的空間(插通部32)形成氧化防止氣體環(huán)境。且，同樣，自氣體供給噴嘴40供給氧化防止氣體。由此，可利用氧化防止氣體覆蓋露出于瓷嘴3的基端部側(cè)的插通部32的入口，從而可防止外界氣體被卷入至插通部32及一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11內(nèi)部。在所述情形時(shí)，優(yōu)選為分別控制自第1氣體排出導(dǎo)管12、第2氣體排出導(dǎo)管20及氣體供給噴嘴40的氧化防止氣體的排出流量或流速，由此缺欠部13a、缺欠部21a處的一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的內(nèi)部及瓷嘴的基端部側(cè)外部(隔著插通部32的一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11內(nèi)部與氣體供給噴嘴40側(cè)的外部)的氧化防止氣體的流速等被控制為相等。由于隔著插通部32的一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11內(nèi)部與一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的氣體供給噴嘴40側(cè)的外部的氧化防止氣體的流速相等，因此可抑制有可能在隔著插通部32的一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11內(nèi)部與外部之間產(chǎn)生的紊流(卷入)。且，即便在產(chǎn)生卷入(紊流)的情形時(shí)，紊流也僅在來自一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的氧化防止氣體及來自氣體供給噴嘴40的氧化防止氣體的環(huán)境下產(chǎn)生，因此通過紊流而卷入的氣體自身為氧化防止氣體，不會(huì)產(chǎn)生FAB的氧化，可在穩(wěn)定的狀態(tài)下形成焊球直徑大的FAB。再者，自第1氣體排出導(dǎo)管12、第2氣體排出導(dǎo)管20及氣體供給噴嘴40供給氧化防止氣體至少在火花放電時(shí)進(jìn)行，由此還可節(jié)省氧化防止氣體的供給量。其次，自瓷嘴3的前端抽出所需長(zhǎng)度的導(dǎo)線，控制瓷嘴3而使瓷嘴3移動(dòng)至可進(jìn)行火花放電的位置為止，使導(dǎo)線74的前端部74a位于由一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的開口部13、開口部21形成的空間內(nèi)(插通部32內(nèi))。在所述情形時(shí)，在形成通常的FAB時(shí)，不過度需要形成FAB所需的導(dǎo)線長(zhǎng)，因此瓷嘴3的前端與導(dǎo)線74的前端74a同樣地位于插通部32內(nèi)。再者，為了穩(wěn)定地進(jìn)行火花放電，通常必須使導(dǎo)線74的前端盡量位于點(diǎn)火桿5前端的上方來進(jìn)行，因此，還考慮防止點(diǎn)火桿5與瓷嘴3的干涉而將導(dǎo)線74的前端部74a配置在點(diǎn)火桿5的斜上方，由此導(dǎo)線74的前端部74a相對(duì)性地存在于點(diǎn)火桿5前端的上方?？刂蒲b置63(圖1)控制焊球形成裝置66(圖1)而對(duì)內(nèi)置在一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的點(diǎn)火桿5與夾持器4(圖2)施加高電壓，通過瓷嘴3前端的導(dǎo)線與點(diǎn)火桿5的火花放電而在導(dǎo)線74的前端部74a形成FAB75(圖10(a))。在所述情形時(shí)，如圖10(a)所示那樣，導(dǎo)線74通過火花放電而熔融，因此導(dǎo)線74的前端部74a一面朝瓷嘴3的前端側(cè)接近一面形成FAB75，但由于由氣體供給噴嘴40以覆蓋插通部32的方式供給氧化防止氣體，因此可防止外界氣體卷入至插通部32及一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11內(nèi)部，從而可抑制FAB75的氧化并且實(shí)現(xiàn)FAB75的穩(wěn)定化，且可形成FAB。[FAB的形成動(dòng)作(形成焊球直徑大的FAB時(shí))]其次，使用圖5、圖9(b)及圖10(b)對(duì)形成焊球直徑大的FAB時(shí)進(jìn)行說明。首先，利用一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的位置調(diào)整單元而設(shè)定第1氣體排出導(dǎo)管12的開口部13與上述第2氣體排出導(dǎo)管20的開口部21之間的間隔33的長(zhǎng)度。間隔長(zhǎng)取決于基于放電電流的大小的放電空間的大小、導(dǎo)線前端與點(diǎn)火桿5之間的放電間隔長(zhǎng)等。且，在接合開始前將氧化防止氣體供給至第1氣體排出導(dǎo)管12及上述第2氣體排出導(dǎo)管20。由此，在第1氣體排出導(dǎo)管12的開口部13與上述第2氣體排出導(dǎo)管20的開口部21之間的空間(插通部32)形成氧化防止氣體環(huán)境。且，同樣，自氣體供給噴嘴40供給氧化防止氣體。由此，可利用氧化防止氣體覆蓋露出于瓷嘴3的基端部側(cè)的插通部32的入口，從而可防止外界氣體卷入至插通部32及一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11內(nèi)部。在所述情形時(shí)，優(yōu)選為分別控制來自第1氣體排出導(dǎo)管12、第2氣體排出導(dǎo)管20及氣體供給噴嘴40的氧化防止氣體的排出流量或流速，由此缺口部13a、缺口部21a處的一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的內(nèi)部及瓷嘴的基端部側(cè)外部(隔著插通部32的一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11內(nèi)部與氣體供給噴嘴40側(cè)的外部)的氧化防止氣體的流速被控制為相等。由于隔著插通部32的一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11內(nèi)部與一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的氣體供給噴嘴40側(cè)的外部的氧化防止氣體的流速相等，因此可抑制有可能在隔著插通部32的一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11內(nèi)部與外部之間產(chǎn)生的紊流(卷入)。且，即便在產(chǎn)生卷入(紊流)的情形時(shí)，紊流也僅在來自一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的氧化防止氣體及來自氣體供給噴嘴40的氧化防止氣體的環(huán)境下產(chǎn)生，因此通過紊流而卷入的氣體自身為氧化防止氣體，不會(huì)產(chǎn)生FAB的氧化而可在穩(wěn)定的狀態(tài)下形成焊球直徑大的FAB。再者，自第1氣體排出導(dǎo)管12、第2氣體排出導(dǎo)管20及氣體供給噴嘴40供給氧化防止氣體至少在火花放電時(shí)進(jìn)行，由此還可節(jié)省氧化防止氣體的供給量。其次，自瓷嘴3的前端抽出所需長(zhǎng)度的導(dǎo)線，控制瓷嘴3而使瓷嘴3移動(dòng)至可火花放電的位置為止，使導(dǎo)線74的前端部74a位于由一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的開口部13、開口部21而形成的空間內(nèi)。在所述情形時(shí)，在形成焊球直徑大的FAB時(shí)，由于形成FAB所需的導(dǎo)線長(zhǎng)大，因此瓷嘴3的前端與導(dǎo)線74的前端74a不同，是自插通部32冒出而位于一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11外。再者，在所述情形時(shí)，為了穩(wěn)定地進(jìn)行火花放電，通常必須使導(dǎo)線74的前端盡量位于點(diǎn)火桿5前端的上方，因此，還考慮防止點(diǎn)火桿5與瓷嘴3的干涉而將導(dǎo)線74的前端部74a配置在點(diǎn)火桿5的斜上方，由此導(dǎo)線74的前端部74a相對(duì)性地存在于點(diǎn)火桿5前端的上方。控制裝置63(圖1)控制焊球形成裝置66(圖1)而對(duì)內(nèi)置在一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11的點(diǎn)火桿5與夾持器4(圖2)施加高電壓，通過瓷嘴3前端的導(dǎo)線與點(diǎn)火桿5的火花放電而在導(dǎo)線74的前端部74a形成FAB75(圖10(b))。在所述情形時(shí)，如圖10(b)所示那樣，導(dǎo)線74通過火花放電而熔融，因此導(dǎo)線74的前端部74a一面朝瓷嘴3的前端側(cè)接近一面形成FAB75。因此，在形成焊球直徑大的FAB時(shí)，形成FAB所需的導(dǎo)線長(zhǎng)大，由此在火花放電后形成的FAB75的至少一部分自插通部32冒出而位于一對(duì)氣體排出導(dǎo)管11外。然而，由氣體供給噴嘴40以覆蓋插通部32的方式供給氧化防止氣體，自插通部32突出的FAB75也暴露在氧化防止氣體中，因此可抑制FAB75的氧化并且實(shí)現(xiàn)FAB75的穩(wěn)定化，且可形成焊球直徑大的FAB。再者，在對(duì)搭載有半導(dǎo)體芯片70(圖2)的引線架72(圖2)進(jìn)行自動(dòng)接合時(shí)，以規(guī)定的時(shí)序(timing)在導(dǎo)線的前端形成FAB。再者，關(guān)于打線接合的步驟為人所周知，因此省略說明。本發(fā)明可在不脫離其本質(zhì)特性的情況下以多種形式來具體化。由此，當(dāng)然上述實(shí)施方式只不過是用于說明者，并未限制本發(fā)明。[符號(hào)的說明]1：打線接合裝置2：超聲波喇叭(接合臂)2a：固定片3：瓷嘴(接合工具)3a：瓷嘴前端4：夾持器5：點(diǎn)火桿(放電電極)5a：點(diǎn)火桿的前端6：接合頭7：位置檢測(cè)傳感器8：夾具8a：開口部10：氣體排出裝置(氣體供給單元)11：一對(duì)氣體排出導(dǎo)管12：第1氣體排出導(dǎo)管13：開口部13a：缺口部14：氣體供給口15：氣體導(dǎo)入孔17：雌螺紋部18：平面部20：第2氣體排出導(dǎo)管21：開口部21a：缺口部22：氣體供給口23：氣體流入口24：氣體導(dǎo)入孔26：連接部27：螺栓28：突出片28a：長(zhǎng)孔31：氣體供給管31a：密封環(huán)32：插通部33：空隙(間隔)35：氣體排出導(dǎo)管保持部35a：氣體供給管35b：氣體供給管35c：氣體供給管40：氣體供給噴嘴40a：排出口45：氣體供給通路60：XY臺(tái)61：加熱器部62：驅(qū)動(dòng)裝置63：控制裝置65：超聲波振蕩器66：焊球形成裝置67：鍵盤70：半導(dǎo)體芯片(IC芯片)72：引線架74：導(dǎo)線(銅導(dǎo)線)74a：前端部75：無空氣焊球(FAB)110：氣體排出裝置111：第1氣體排出導(dǎo)管111a：缺口部120：第2氣體排出導(dǎo)管120a：缺口部130：位置調(diào)整單元當(dāng)前第1頁1 2 3 當(dāng)前第1頁1 2 3