1.一種修調(diào)電路組件的方法，包括：
在襯底上設(shè)置組件；
將所述襯底放置在板上；
將所述板加熱到在環(huán)境溫度之上的升高的溫度，由此將熱量從所述板傳遞到所述襯底和所述組件，由此將所述組件加熱到在所述環(huán)境溫度之上的第二溫度；以及
在所述升高的溫度處修調(diào)所述組件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述襯底加熱到在所述環(huán)境溫度之上的第三溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第三溫度高于所述第二溫度.
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括將目標(biāo)組件參數(shù)鍵入到控制程序中：
在加熱之后，當(dāng)所述組件處于所述第二溫度時(shí)，測(cè)試所述組件參數(shù)；以及
將所測(cè)試的參數(shù)與所述目標(biāo)參數(shù)進(jìn)行比較.
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括在所述第二溫度處修調(diào)所述組件，直到所測(cè)試的參數(shù)等于所述目標(biāo)參數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括在修調(diào)之后將所述板冷卻到所述環(huán)境溫度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括將所述板從加熱區(qū)域移動(dòng)到修調(diào)區(qū)域；以及
將所述板從所述修調(diào)區(qū)域移動(dòng)到冷卻區(qū)域.
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中由所述控制程序控制所述加熱、測(cè)試、修調(diào)、比較和移動(dòng)步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中由傳送器完成所述移動(dòng)步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述修調(diào)區(qū)域?yàn)樾拚{(diào)室.
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過(guò)使用修調(diào)激光來(lái)完成所述修調(diào)步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述升高的溫度近似為180攝氏度.
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述組件為電阻器.
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述組件為熱敏電阻。
15.一種修調(diào)電路組件的方法，包括：
在襯底上設(shè)置組件；
將所述襯底放置在板上；
將所述板冷卻到低于環(huán)境溫度的第一溫度，由此，由于從所述襯底和所述組件到所述板的熱傳遞，所述板將所述組件冷卻到低于所述環(huán)境溫度的第二溫度；以及
在所述第二溫度處修調(diào)所述組件。
16.一種激光修調(diào)電阻器的方法，包括：
在板上放置具有電阻器的襯底，并且將所述板傳遞到加熱區(qū)域中；
將所述板加熱到第一溫度，由此，所述板將熱量傳遞到所述襯底和所述電阻器，由此導(dǎo)致所述電阻器被加熱到在環(huán)境溫度之上的第二溫度；
在所述第二溫度處測(cè)試所述電阻器的電阻；以及
在所述第二溫度處測(cè)量所述電阻時(shí)對(duì)所述電阻器進(jìn)行激光修調(diào)，直到所述電阻器達(dá)到指定的電阻。
17.一種激光修調(diào)電阻器的方法，包括：
在板上放置具有電阻器的襯底，并且將所述板傳遞到冷卻區(qū)域中；
將所述板冷卻到在環(huán)境溫度之下的第一溫度，由此，熱量從所述襯底和所述電阻器傳遞到所述板，直到所述電阻器達(dá)到低于所述環(huán)境溫度的第二溫度；
在所述第二溫度處測(cè)試所述電阻器的電阻；以及
在所述第二溫度處測(cè)量所述電阻時(shí)對(duì)所述電阻器進(jìn)行激光修調(diào)，直到所述電阻器達(dá)到指定的電阻。