本發(fā)明涉及一種具有權(quán)利要求1的前序部分的用于高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)線纜。

背景技術(shù)：

這種數(shù)據(jù)線纜例如由EP 2 112 669 A2得知。

在數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域中，例如在計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)中，為了數(shù)據(jù)傳輸使用到數(shù)據(jù)線纜，在其中，通常將多個(gè)數(shù)據(jù)導(dǎo)線組合在共同的線纜套中。在高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，分別使用經(jīng)屏蔽的芯線對(duì)作為數(shù)據(jù)導(dǎo)線，其中，兩個(gè)芯線尤其彼此平行地延伸或者替選地彼此扭絞。在此，各自的芯線由實(shí)際的導(dǎo)體構(gòu)成，例如分別被隔離部包圍的實(shí)心導(dǎo)體線材或者絞合線材。各自的數(shù)據(jù)導(dǎo)線的芯線對(duì)被(成對(duì))屏蔽部包圍。數(shù)據(jù)線纜通常具有多個(gè)這種經(jīng)屏蔽的芯線對(duì)，這些經(jīng)屏蔽的芯線對(duì)形成線路纜芯，并且被共同的外屏蔽物以及共同的線纜套包圍。這種數(shù)據(jù)線纜被用于高速數(shù)據(jù)連接，并且被構(gòu)造成用于大于5Gbit/s的、尤其是>14Ghz的數(shù)據(jù)速率。在此，外屏蔽物對(duì)于EMV以及EMI特性是重要的，它不輸送信號(hào)。與此相對(duì)，各自的成對(duì)屏蔽物決定了各自的芯線對(duì)的對(duì)稱(chēng)性和信號(hào)特性。

這種數(shù)據(jù)線纜通常指的是所謂的對(duì)稱(chēng)的數(shù)據(jù)導(dǎo)線，在其中，經(jīng)由其中一個(gè)芯線傳遞信號(hào)并且經(jīng)由其中另外的芯線傳遞反向信號(hào)。評(píng)估這兩個(gè)信號(hào)之間的差分的信號(hào)份額，從而消除作用于這兩個(gè)信號(hào)上的外部效應(yīng)。

這種數(shù)據(jù)線纜經(jīng)常預(yù)先集束地聯(lián)接到插塞器上。在應(yīng)用于高速傳輸?shù)那闆r下，插塞器在此經(jīng)常被構(gòu)造為所謂的小型可插拔(Small Form Pulggable)插塞器，簡(jiǎn)稱(chēng)SFP插塞器。在此還提供了例如所謂的SFP-、SFP+或者CXP-QSFP插塞器的不同的實(shí)施變型方案。這些插塞器具有特定的插塞器殼體，它們例如由WO 2011 072 869 A1或者WO 2011 089 003 A1得知。替選地，沒(méi)有插塞器的直接的所謂“背板(back plane)”接口也是可能的。

在內(nèi)部，這種插塞器殼體具有部分地帶電子裝置的電路板或者印刷電路板。在該印刷電路板上，各自的數(shù)據(jù)線纜聯(lián)接到插塞器后側(cè)上。在此，數(shù)據(jù)線纜的各個(gè)芯線被釬焊或焊接到印刷電路板上。在印刷電路板的相對(duì)置的端部上，該印刷電路板通常形成具有聯(lián)接觸點(diǎn)的插塞舌簧片，該插塞器舌簧片插入到對(duì)應(yīng)插塞器中。這種印刷電路板也稱(chēng)為“雙切換卡”(paddle card)。

各自的芯線對(duì)的對(duì)屏蔽部在此(例如由EP 2 112 669 A2得知)被構(gòu)造為縱向交疊的薄膜屏蔽部。因此，屏蔽部沿線纜的縱向方向延伸地圍繞芯線對(duì)交疊，其中，兩個(gè)端部在沿縱向方向延伸的重疊區(qū)域中重疊。被用于屏蔽的屏蔽薄膜指的是由至少一個(gè)能導(dǎo)電(金屬)覆層和隔離的覆層構(gòu)成的多覆層的屏蔽部。通常使用鋁覆層作為能導(dǎo)電的覆層并且使用PET薄膜作為隔離的覆層。PET薄膜被構(gòu)造為載體，在該載體上為了構(gòu)成能導(dǎo)電的覆層而施加有金屬的涂覆部。

在平行引導(dǎo)的成對(duì)件的情況下，除了縱向交疊的屏蔽部外原則上也提供了將這種屏蔽薄膜螺旋狀地圍繞芯線對(duì)卷繞的可行方案。然而，在大約15GHz起的較高的信號(hào)頻率的情況下，由于共振效應(yīng)，使得受結(jié)構(gòu)類(lèi)型限制而無(wú)法毫無(wú)問(wèn)題地用屏蔽薄膜對(duì)芯線對(duì)進(jìn)行這樣的纏繞。因此，對(duì)于這些高頻率，將屏蔽薄膜作為縱向交疊的薄膜進(jìn)行安置。

然而，這種縱向施加的薄膜卻伴隨著不期望的、負(fù)面的副作用。在縱向交疊的屏蔽覆層的情況下，所謂的共模(Common Mode)信號(hào)，也稱(chēng)為同節(jié)拍信號(hào)，不再像在用屏蔽薄膜進(jìn)行纏繞的情況下那樣以足夠的程度衰減。

在這種具有平行的成對(duì)件的對(duì)稱(chēng)的導(dǎo)線的情況下產(chǎn)生共模信號(hào)或者同節(jié)拍信號(hào)原則上是公知的。此外，通過(guò)如下方式使衰減該不期望的共模信號(hào)變得困難，即，該共模信號(hào)份額通常比實(shí)際上有意義的差分的信號(hào)份額更快地傳播。因此，相比纏繞的芯線要缺少的或者顯著降低地衰減該共模信號(hào)導(dǎo)致了所謂的偏移(Skew)或者所謂的模變換性能(Mode Conversion Performance)的變差。

在這種高速數(shù)據(jù)連接的情況下通常追求傳輸效率的提高。因此傳輸速率進(jìn)而是這樣的數(shù)據(jù)線纜的頻率范圍被越來(lái)越提高進(jìn)而也越來(lái)越加劇了與共模信號(hào)份額相關(guān)的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

由此出發(fā)，本發(fā)明的任務(wù)是，在這種高速數(shù)據(jù)連接的情況下能夠?qū)崿F(xiàn)經(jīng)改進(jìn)的具有大于10GHz的高信號(hào)頻率的數(shù)據(jù)傳輸。

根據(jù)本發(fā)明，該任務(wù)通過(guò)具有權(quán)利要求1的特征的裝置得以解決。優(yōu)選的改進(jìn)方案包含于從屬權(quán)利要求中。

被構(gòu)造成用于高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)線纜包括至少一個(gè)且優(yōu)選多個(gè)的由兩個(gè)沿縱向方向延伸的芯線構(gòu)成的芯線對(duì)，其中，各自的芯線對(duì)分別被薄膜狀的對(duì)屏蔽部包圍。該對(duì)屏蔽部具有第一內(nèi)屏蔽薄膜以及第二外屏蔽薄膜，其中，內(nèi)屏蔽薄膜圍繞芯線對(duì)卷繞。這兩個(gè)屏蔽薄膜彼此電接觸。

該設(shè)計(jì)方案基于如下思路，即，將螺旋狀卷繞的對(duì)屏蔽部的優(yōu)點(diǎn)與縱向交疊的對(duì)屏蔽部的優(yōu)點(diǎn)組合。該設(shè)計(jì)方案基于如下認(rèn)識(shí)，即，在高信號(hào)頻率的情況下在螺旋狀卷繞的對(duì)屏蔽部時(shí)存在的共振效應(yīng)，基于在通常多覆層地常規(guī)卷繞對(duì)屏蔽部時(shí)地，在卷繞的屏蔽部的重疊區(qū)域中使兩個(gè)傳導(dǎo)覆層彼此隔離并因此形成電容器。同時(shí)通過(guò)螺旋狀卷繞得到了線圈，從而整體上構(gòu)成了具有預(yù)定的共振頻率的振蕩回路，該預(yù)定的共振頻率由于設(shè)計(jì)上的措施而在常規(guī)結(jié)構(gòu)的情況下不再會(huì)向較高的頻率移動(dòng)。

由于通過(guò)兩個(gè)彼此電連接的層形成的對(duì)屏蔽部的結(jié)構(gòu)而可靠地防止了這樣的振蕩回路的產(chǎn)生，這是因?yàn)橛捎陔娺B接而不存在線圈狀的卷繞，因此，使線圈在一定程度上被短接。共振頻率為(1/(L*C))的方根。因?yàn)橐虼耸闺姼兄辽倜黠@地降低，所以可以將共振頻率容易地設(shè)定到大于15GHz。與此有區(qū)別的是，在以金屬薄膜進(jìn)行的常規(guī)纏繞的情況下，該共振頻率或極限頻率根據(jù)幾何形狀而定地向上被界定到大約15GHz。在這方面，縱向交疊的對(duì)屏蔽部的基本概念至少取自該功能上的結(jié)果。同時(shí)，通過(guò)卷繞(優(yōu)選具有重疊部)可靠地抑制了縱向交疊的對(duì)屏蔽部的缺點(diǎn)，即高的共模信號(hào)。因此通過(guò)這里所述的具有由兩個(gè)屏蔽薄膜構(gòu)成的結(jié)構(gòu)的對(duì)屏蔽部總體上實(shí)現(xiàn)了不具有干擾性的副作用的有效屏蔽。有效地避免了具有相應(yīng)地高的信號(hào)衰減的共振效應(yīng)以及(尤其是在內(nèi)部屏蔽薄膜重疊的情況下)對(duì)共模信號(hào)的僅僅不足的衰減。相比縱向交疊的薄膜，該結(jié)構(gòu)的特征還在于具有更簡(jiǎn)單的生產(chǎn)、更好的對(duì)稱(chēng)性以及提高的(彎曲)柔性。

各自的芯線對(duì)的芯線在此尤其彼此平行地延伸，因此不扭絞。

在合乎目的的設(shè)計(jì)方案中，內(nèi)部屏蔽薄膜具有重疊部地圍繞芯線對(duì)卷繞。通過(guò)重疊部以有利的方式可靠地實(shí)現(xiàn)了對(duì)共模信號(hào)的期望的衰減。

在此，根據(jù)第一變型方案，僅設(shè)定較小的重疊部。該重疊部?jī)?yōu)選位于小于內(nèi)部屏蔽薄膜的寬度的20％、尤其小于10％并且尤其小于5％的范圍內(nèi)。例如，它位于1％與5％的范圍內(nèi)。屏蔽薄膜的寬度通常位于4至6毫米的范圍內(nèi)。內(nèi)部屏蔽薄膜的重疊部區(qū)域的寬度因此位于0至最大0.6毫米的范圍內(nèi)，因而重疊部尤其為最大約10％。優(yōu)選地，它低于該比例。研究已表明，這種較小的重疊部對(duì)于所追求的特性來(lái)說(shuō)還是足夠的。相比較大的重疊部，該設(shè)計(jì)方案具有較高的頻率范圍(>20GHz)。共模信號(hào)同樣至少部分地被衰減。該變型方案具有特別高的數(shù)據(jù)線纜柔性以及高對(duì)稱(chēng)性的優(yōu)點(diǎn)。

與此相對(duì)，根據(jù)第二變型方案，將相對(duì)較大的重疊設(shè)定在寬度的20％至40％范圍內(nèi)。采用該變型方案雖然相比具有較小的重疊的變型方案達(dá)到了較小的極限頻率。然而同時(shí)改善了對(duì)共模信號(hào)份額的衰減，也就是說(shuō)更好地抑制了該不期望的信號(hào)份額。研究還表明，共振頻率可以借助第二外部屏蔽薄膜進(jìn)行精確設(shè)定，從而可以達(dá)到最高達(dá)例如正好20GHz的可用的頻帶。

作為對(duì)具有重疊部的卷繞的替選地，內(nèi)部屏蔽薄膜在沒(méi)有重疊部并且尤其是沒(méi)有間隙的情況下，也就是對(duì)接地圍繞芯線對(duì)進(jìn)行卷繞。由此可靠地避免并排除了電容器效應(yīng)。同時(shí)通過(guò)沒(méi)有間隙的情況下的卷繞獲得了可靠地封閉的圍繞屏蔽部。通過(guò)第二外部屏蔽薄膜，這在該情況下即使在彎曲時(shí)也確保了該可靠地封閉的圍繞屏蔽。

合乎目的地，至少一個(gè)并且優(yōu)選兩個(gè)屏蔽薄膜多覆層地構(gòu)造，其具有能導(dǎo)電的覆層并具有不導(dǎo)電的載體覆層。這兩個(gè)屏蔽薄膜在此尤其被構(gòu)造為所謂的Al-PET薄膜。外部薄膜原則上也可以被構(gòu)造為金屬薄膜或被構(gòu)造為Al-PET-Al薄膜，也就是具有在兩側(cè)設(shè)有導(dǎo)電覆層的載體覆層?？紤]到有效的電接觸，在此，兩個(gè)屏蔽薄膜以其能導(dǎo)電的覆層或者側(cè)來(lái)相互面對(duì)地布置。

此外，合乎符合目的地設(shè)置的是，同樣卷繞外部屏蔽薄膜并且尤其相對(duì)內(nèi)部屏蔽薄膜反向。由此可靠地實(shí)現(xiàn)良好的電接觸以及對(duì)內(nèi)部屏蔽薄膜的對(duì)接位置的橋接。對(duì)屏蔽部因此也可以被稱(chēng)為雙重卷繞的螺旋對(duì)屏蔽部。

因此，根據(jù)第一變型方案，外部屏蔽薄膜優(yōu)選地至少對(duì)接地并且尤其具有重疊部地卷繞，從而形成封閉的屏蔽層。

根據(jù)特別優(yōu)選的改進(jìn)方案，外部屏蔽薄膜具有間隙地卷繞，也就是說(shuō)相鄰的卷繞區(qū)段沿縱向方向彼此間隔。在此，間距，也就是間隙優(yōu)選處于屏蔽薄膜寬度的僅幾個(gè)百分比范圍內(nèi)，例如1至10％。該實(shí)施變型方案優(yōu)選與具有大的重疊(寬度的20-40％)地卷繞的內(nèi)部屏蔽薄膜組合地使用。通過(guò)第二屏蔽薄膜的結(jié)構(gòu)的特定選擇和卷繞，可以精確地設(shè)定共振頻率。此外仍保留有特別好的共模衰減的優(yōu)點(diǎn)。

此外，優(yōu)選地布置有至少一個(gè)輔助裸線芯，其與至少一個(gè)、優(yōu)選兩個(gè)屏蔽薄膜導(dǎo)電連接。這種輔助裸線芯例如被用于對(duì)屏蔽部在接觸部分上、例如在插塞器上的可靠的電接觸。根據(jù)第一變型方案，該輔助裸線芯布置在兩個(gè)屏蔽薄膜之間，并且尤其平行于各個(gè)芯線延伸，例如在楔形區(qū)域中。根據(jù)第二變型方案，輔助裸線芯在外部地接觸于外部屏蔽薄膜上。優(yōu)選地，通常將兩個(gè)輔助裸線芯相對(duì)于芯線對(duì)的對(duì)稱(chēng)平面對(duì)稱(chēng)地布置。在外部的輔助裸線芯的情況下，這些外部的輔助裸線芯位于芯線對(duì)的兩個(gè)導(dǎo)體的連接軸線上。

此外，在合乎目的的改進(jìn)方案中，對(duì)于各自的芯線對(duì)補(bǔ)充地圍繞對(duì)屏蔽部卷繞有固定薄膜。該固定薄膜尤其指的是粘合到對(duì)屏蔽部上的粘合薄膜。由此將對(duì)屏蔽部的屏蔽結(jié)構(gòu)固定。該固定薄膜尤其指的是隔離的薄膜，從而使得各自的對(duì)屏蔽部向外電隔離，尤其是例如相對(duì)于共同的外部屏蔽部。

通常，數(shù)據(jù)線纜在優(yōu)選的設(shè)計(jì)方案中具有線纜纜芯或者線纜芯子，其包括多個(gè)電導(dǎo)線組件，其中，至少一個(gè)并且優(yōu)選多個(gè)導(dǎo)線通過(guò)設(shè)有對(duì)屏蔽部的芯線對(duì)形成。

合乎目的地，線纜芯子僅包括這種芯線對(duì)。此外，線纜芯子被共同的外部屏蔽部包圍。該外部屏蔽部尤其多覆層地形成。它選擇性地或者也組合地作為組成部分具有編織物或者屏蔽薄膜，尤其是金屬化的薄膜等。通常圍繞外部屏蔽部地又布置有線纜外套。

通過(guò)這里所述的結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)線纜且尤其是對(duì)屏蔽部也適合用于將對(duì)屏蔽部特別有效地接觸接合在用于高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)牡湫筒迦?小型可插拔SFP+、SFP28、QSFP28….)的電路板(所謂的雙切換卡)上。在申請(qǐng)時(shí)未公開(kāi)的、標(biāo)題為“經(jīng)屏蔽的數(shù)據(jù)導(dǎo)線在印刷電路板上的接觸接合以及用于將多個(gè)經(jīng)屏蔽的數(shù)據(jù)導(dǎo)線接觸于印刷電路板上的方法”的DE 10 2013 225 794.5中記載了這樣的優(yōu)選的接觸接合。因此，在集束的狀態(tài)下數(shù)據(jù)線纜被聯(lián)接在這樣的插塞器上。

附圖說(shuō)明

下面將參照附圖更詳細(xì)地解釋本發(fā)明的實(shí)施例。

在此，這些附圖分別以簡(jiǎn)化圖的方式地：

圖1示出設(shè)有對(duì)屏蔽部的芯線對(duì)的橫截面圖；

圖2示出圖1中所示的芯線對(duì)的側(cè)視圖；

圖3示出重疊區(qū)域中的對(duì)屏蔽部的分區(qū)段的放大圖；

圖4示出根據(jù)第一實(shí)施變型方案的數(shù)據(jù)線纜的橫截面圖；

圖5示出根據(jù)第二實(shí)施變型方案的數(shù)據(jù)線纜的橫截面圖；

圖6示出圖表，在其中示出針對(duì)在對(duì)稱(chēng)的芯線對(duì)的情況下的不同的對(duì)屏蔽部的插入衰減I相對(duì)于單位GHz的頻率的關(guān)系。

在附圖中，具有同樣作用的部分配以相同的附圖標(biāo)記。

具體實(shí)施方式

圖1中示出了被用于高速數(shù)據(jù)線纜2(為此參見(jiàn)圖4、5)的芯線對(duì)4，該芯線對(duì)設(shè)有對(duì)屏蔽部6。在此，芯線對(duì)4由兩個(gè)芯線8構(gòu)成，芯線又分別通過(guò)中心的導(dǎo)體10形成，該中心的導(dǎo)體被隔離部12包套。導(dǎo)體10通常指的是實(shí)心的全導(dǎo)體。替選地也可以使用絞合導(dǎo)體。

兩個(gè)芯線8優(yōu)選彼此平行地延伸，因此不彼此扭絞。

芯線對(duì)4整體上被多層的對(duì)屏蔽部6包圍，該多層的對(duì)屏蔽部具有內(nèi)屏蔽薄膜14以及外屏蔽薄膜16。在此，對(duì)屏蔽部6尤其最后通過(guò)這兩個(gè)屏蔽薄膜14、16形成。對(duì)屏蔽部6最終還要被固定薄膜18包圍，尤其是卷繞，該固定薄膜尤其被構(gòu)造為粘合薄膜。固定薄膜18在此由合成材料構(gòu)成并且是不導(dǎo)電的，即電隔離的。

補(bǔ)充地，在圖1中還示例性地示出了任選的輔助裸線芯20，它優(yōu)選地被定位在兩個(gè)芯線8的楔形區(qū)域中。輔助裸線芯20還尤其布置在兩個(gè)屏蔽薄膜14、16之間。替選地，兩個(gè)輔助裸線芯20在外部與外屏蔽薄膜16接觸，如例如圖5中所示。在此，兩個(gè)輔助裸線芯20位于兩個(gè)導(dǎo)體10的假想的對(duì)稱(chēng)平面或者連線上。在至少一個(gè)輔助裸線芯20定位在外部的情況下，該輔助裸線芯尤其保持在外屏蔽薄膜16與固定薄膜18之間。

芯線對(duì)4與對(duì)屏蔽部6和固定薄膜18以及必要時(shí)的輔助裸線芯20一起地在下面被稱(chēng)為經(jīng)屏蔽的成對(duì)件30。

兩個(gè)屏蔽薄膜14、16優(yōu)選分別指的是涂覆有金屬的合成材料薄膜，尤其指的是所謂的AL-PET薄膜。這些合成材料薄膜分別具有構(gòu)造為隔離覆層的載體覆層22，在載體覆層上施加有能導(dǎo)電的覆層24(尤其參見(jiàn)圖3)。在輔助裸線芯位于外部的情況下，外屏蔽薄膜16的外側(cè)也必須構(gòu)造為能導(dǎo)電的覆層24。外屏蔽覆層16于是例如具有施加于兩側(cè)的能導(dǎo)電的覆層24的載體覆層22或者原則上在兩側(cè)具有能導(dǎo)電的覆層24的金屬薄膜。

在此，兩個(gè)屏蔽薄膜14、16以如下方式定向，即，它們的分別能導(dǎo)電的覆層24彼此面對(duì)并且尤其是相互碰觸，從而因此使兩個(gè)能導(dǎo)電的覆層24發(fā)生導(dǎo)電接觸。

如圖2所獲知，內(nèi)屏蔽薄膜14螺旋狀地圍繞芯線對(duì)4卷繞。在此，屏蔽薄膜14通常以很小的螺距，也就是很緊密地卷繞。螺距越小，不期望的共振效應(yīng)就越多地向更高的頻率移動(dòng)。通常，螺距僅僅為幾個(gè)mm，例如在2至6mm范圍內(nèi)，也就是說(shuō)每360°的卷繞屏蔽薄膜沿縱向方向28前進(jìn)2至6mm。

內(nèi)屏蔽薄膜14具有重疊26地卷繞，也就是說(shuō)沿縱向方向28彼此鄰接的卷繞區(qū)段相互覆蓋。根據(jù)優(yōu)選的設(shè)計(jì)方案，該重疊26為內(nèi)屏蔽薄膜14的寬度B的大約三分之一。

外屏蔽薄膜16優(yōu)選同樣地但卻相對(duì)內(nèi)屏蔽薄膜14反向地卷繞。它例如具有像內(nèi)屏蔽薄膜14那樣的相同的螺距。替選地，該螺距有所不同并且例如更小或者更大。外屏蔽薄膜16也可以具有重疊或者可以對(duì)接地卷繞。

然而在優(yōu)選的設(shè)計(jì)方案中，它具有間隙地卷繞，從而在兩個(gè)相鄰的卷繞區(qū)段之間構(gòu)成間距A。該間距A例如處于外屏蔽薄膜16的寬度B的1至5％范圍內(nèi)。

固定薄膜18尤其指的是設(shè)有粘合覆層的合成材料載體薄膜。該合成材料載體薄膜優(yōu)選也是卷繞的(圖2中未示出)。

參照重疊區(qū)域中的對(duì)屏蔽部6的根據(jù)圖3的放大的分區(qū)段的圖能夠看出的是，內(nèi)屏蔽薄膜14在其相對(duì)置的邊緣區(qū)域中，也就是在重疊區(qū)域26中以能導(dǎo)電的覆層24朝外部指向。因此，在邊緣區(qū)域中內(nèi)屏蔽薄膜14未被翻折。在重疊區(qū)域26中，內(nèi)屏蔽薄膜14因此具有在載體覆層22與導(dǎo)電覆層24之間的交替的覆層順序。因此，由此內(nèi)屏蔽薄膜14的能導(dǎo)電的覆層24的邊緣區(qū)域在重疊區(qū)域26中彼此隔離地分離，這導(dǎo)致開(kāi)篇所述的具有不期望的共振頻率的振蕩回路，由此尤其是在>5Ghz的較高頻率的情況下由于共振效應(yīng)而存在不期望的衰減。通過(guò)這里所述的外屏蔽薄膜16的附加的措施，至少減少了該不期望的效應(yīng)。同時(shí)通過(guò)圖3的實(shí)施例中所選擇的重疊26使不期望的共模信號(hào)得到衰減。

通常，在數(shù)據(jù)線纜2中，在線纜芯子32中組合了多個(gè)導(dǎo)線30，如圖4、5中所示。在這兩個(gè)變型方案中，導(dǎo)線分別指的是經(jīng)屏蔽的成對(duì)件30。然而除此之外也可以集成其他的導(dǎo)線類(lèi)型。

數(shù)據(jù)線纜2的在圖4、5中所示的變型方案尤其在各個(gè)經(jīng)屏蔽的成對(duì)件30的結(jié)構(gòu)方面有所區(qū)別。在根據(jù)圖4的變型方案中，使用了參照?qǐng)D1所述的經(jīng)屏蔽的成對(duì)件30。

在根據(jù)圖5的變型方案中，使用了替選的設(shè)計(jì)方案。在該設(shè)計(jì)方案中，兩個(gè)輔助裸線芯20在外部地布置在外屏蔽薄膜16與固定薄膜18之間。

在兩個(gè)變型方案中，優(yōu)選地(如在實(shí)施例中所示地)首先使兩個(gè)經(jīng)屏蔽的成對(duì)件30被塑料薄膜卷繞。該芯子區(qū)域隨后在圓周側(cè)被多個(gè)另外的、在實(shí)施例中為6個(gè)的經(jīng)屏蔽的成對(duì)件30包圍。

經(jīng)屏蔽的成對(duì)件30進(jìn)而是線纜芯子32優(yōu)選被多層的套結(jié)構(gòu)包圍。線纜芯子32在這種數(shù)據(jù)線纜2的情況下普遍地被共同的外屏蔽物34包圍。在該實(shí)施例中附加地還將由塑料薄膜構(gòu)成的內(nèi)層圍繞線纜芯子32卷繞。

在該實(shí)施例中，外屏蔽物34多層地構(gòu)造，其具有由薄膜屏蔽部36和例如編織屏蔽物38構(gòu)成的組合。最終，該外屏蔽物34被共同的線纜套40包圍。

在圖6中將不同類(lèi)型的不同屏蔽的成對(duì)件的所謂的插入衰減I相對(duì)于傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)的頻率(單位GHz)進(jìn)行對(duì)照。在此，曲線A和B示出了常規(guī)的實(shí)施變型方案。曲線A代表僅被單層的屏蔽薄膜卷繞的經(jīng)屏蔽的成對(duì)件。與之相對(duì)，曲線B代表用縱向交疊的屏蔽薄膜包圍的經(jīng)屏蔽的成對(duì)件。

此外，曲線B還趨勢(shì)性地提供了如其在此前所述的具有只具有較小的重疊26地卷繞的內(nèi)薄膜14的卷繞方案中所得到的變化曲線。

曲線C示出了提供了如其例如以Al-PET薄膜的卷繞的最短螺距例如在使用26AWG線材(美制電線標(biāo)準(zhǔn))的情況下的變化曲線。因此，通過(guò)極短的卷繞，使得極限頻率可以向較高的頻率移動(dòng)。

曲線D示出了如其在此前所述的第二變型方案中得到的變化曲線，在其中，外屏蔽薄膜16優(yōu)選地以例如屏蔽薄膜16的寬度的大約3％的范圍內(nèi)的小間距A具有間隙地卷繞，如參照?qǐng)D2所述。同時(shí)，內(nèi)屏蔽薄膜14優(yōu)選具有例如寬度的大約30％的大的重疊26地進(jìn)行卷繞。

可以很好看出，針對(duì)常規(guī)的設(shè)有卷繞的對(duì)屏蔽部的芯線對(duì)的插入衰減I(曲線A)從大約5GHz的信號(hào)頻率起急劇增長(zhǎng)。因此，這種數(shù)據(jù)線纜適合于較高的信號(hào)頻率，因此仍然是受限的。

與此相對(duì)，設(shè)有縱向交疊的屏蔽薄膜的芯線對(duì)4(曲線B)即使在>5GHz的較高的頻率情況下也呈現(xiàn)出衰減的明顯較小的增長(zhǎng)，直到遠(yuǎn)大于25GHz的高頻率區(qū)域。然而如開(kāi)篇所述，它的代價(jià)是所謂的共模信號(hào)的不期望的增長(zhǎng)。

通過(guò)這里所述的特定的對(duì)屏蔽部6，插入衰減的變化曲線接近于在縱向交疊的對(duì)屏蔽部(曲線B)的情況下獲得的變化曲線。因此，這種由兩個(gè)屏蔽薄膜14、16形成的對(duì)屏蔽部16即使在10GHz以上的較高的頻率的情況下也仍然呈現(xiàn)出可接受的衰減，從而這種數(shù)據(jù)線纜2也適合用于高頻率的數(shù)據(jù)信號(hào)的傳輸。

總而言之，通過(guò)這里所述的對(duì)屏蔽部6的特定結(jié)構(gòu)得到了如下優(yōu)點(diǎn)：共振效應(yīng)(它形成一種帶阻濾波器)被防止或者至少移動(dòng)向明顯較高的頻率。同時(shí)，通過(guò)重疊部26實(shí)現(xiàn)了對(duì)共模信號(hào)的有效抑制?？傮w上明顯降低了縱向交疊的對(duì)屏蔽部的缺點(diǎn)，同時(shí)將在盤(pán)繞的屏蔽部情況下不期望的共振效應(yīng)至少擴(kuò)展到大于10GHz并且優(yōu)選大于15或20GHz的非干擾性的頻率范圍。通過(guò)螺旋狀的卷繞也實(shí)現(xiàn)了簡(jiǎn)化的生產(chǎn)。在縱向交疊的對(duì)屏蔽部的情況下薄膜成型因?yàn)樾枰叩哪p。所以重疊部位置還產(chǎn)生了不對(duì)稱(chēng)性并且總體上成對(duì)件由于縱向薄膜而變得柔性較低。此外，縱向延伸的薄膜對(duì)于生產(chǎn)而言具有缺點(diǎn)。例如每個(gè)單個(gè)的尺寸需要自己的形狀單元。

附圖標(biāo)記列表

2 數(shù)據(jù)線纜

4 芯線對(duì)

6 對(duì)屏蔽部

8 芯線

10 導(dǎo)體

12 隔離部

14 內(nèi)屏蔽薄膜

16 外屏蔽薄膜

18 固定薄膜

20 輔助裸線芯

22 載體覆層

24 能導(dǎo)電的覆層

26 重疊

28 縱向方向

30 導(dǎo)線

32 線纜芯子

34 外屏蔽物

36 薄膜屏蔽部

38 編織屏蔽物

40 線纜套

B 寬度

A 間距