一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，解決了現(xiàn)有的陣列基板上數(shù)據(jù)線電壓波動(dòng)影響像素電極顯示的問題。一種陣列基板，包括：襯底、設(shè)置在所述襯底上的柵金屬層、源漏金屬層以及透明導(dǎo)電層；其中，所述柵金屬層包括：公共電極線，所述源漏金屬層包括：數(shù)據(jù)線；透明導(dǎo)電層包括：像素電極；其中，陣列基板還包括：第一導(dǎo)電圖案，所述第一導(dǎo)電圖案與數(shù)據(jù)線位置對應(yīng)，并至少在數(shù)據(jù)線對應(yīng)像素電極的部分與數(shù)據(jù)線形成垂直電場。
【專利說明】一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的液晶顯示面板，包括陣列基板、彩膜基板以及設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶。
[0003]以應(yīng)用于TN(Twist Nematic，扭曲向列)型液晶顯示器中的陣列基板為例，陣列基板包括:多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，其中柵線和數(shù)據(jù)線縱橫交錯(cuò)形成多個(gè)像素單元，如圖1所示，每一所述像素單元對應(yīng)設(shè)置有一個(gè)薄膜晶體管3以及一個(gè)像素電極5，其中，薄膜晶體管3包括柵極31、源極32和漏極33，柵極31和柵線I相連，源極32和數(shù)據(jù)線2相連，漏極33和像素電極5相連。且所述陣列基板還設(shè)置有公共電極線4，其與設(shè)置在彩膜基板上的公共電極電連接，提供公共電壓。
[0004]參照圖1所示，其工作原理為，當(dāng)柵線I向柵極31提供掃描信號(hào)，數(shù)據(jù)線2向源極32提供數(shù)據(jù)信號(hào)，則對應(yīng)的漏極33導(dǎo)通，向像素電極傳輸電壓信號(hào)，像素電極和彩膜基板的公共電極形成電場，以驅(qū)動(dòng)液晶實(shí)現(xiàn)顯示。但當(dāng)柵極停止提供掃描信號(hào)，由于液晶電容和存儲(chǔ)電容，如圖2所示，像素電極5會(huì)保持一定電壓到下一周期，此時(shí)數(shù)據(jù)線2會(huì)繼續(xù)向其他行的像素單元提供數(shù)據(jù)信號(hào)，數(shù)據(jù)線2上的信號(hào)不斷變換，進(jìn)而會(huì)影響像素電極5的顯示，影響顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，所述陣列基板上的數(shù)據(jù)線的電壓變化不會(huì)影響像素電極的電壓，提升了顯示效果。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括:襯底設(shè)置在所述襯底上的柵金屬層、源漏金屬層以及透明導(dǎo)電層；其中，所述柵金屬層包括:公共電極線，所述源漏金屬層包括:數(shù)據(jù)線；透明導(dǎo)電層包括:像素電極；其中，陣列基板還包括:第一導(dǎo)電圖案，所述第一導(dǎo)電圖案與數(shù)據(jù)線位置對應(yīng)，并至少在數(shù)據(jù)線對應(yīng)像素電極的部分與數(shù)據(jù)線形成垂直電場。
[0008]可選的，所述第一導(dǎo)電圖案與數(shù)據(jù)線形成垂直電場。
[0009]可選的，所述第一導(dǎo)電圖案與公共電極線電連接。
[0010]可選的，所述柵金屬層還包括:第一導(dǎo)電圖案，且所述第一導(dǎo)電圖案與公共電極線直接接觸電連接。
[0011]可選的，所述透明導(dǎo)電層還包括:第一導(dǎo)電圖案，且所述第一導(dǎo)電圖案與所述公共電極線通過過孔電連接。
[0012]可選的，所述陣列基板在柵金屬層和第一導(dǎo)電圖案之間還包括:柵絕緣層和鈍化層，且所述柵絕緣層和/或所述鈍化層的介電常數(shù)在7以下。
[0013]可選的，所述第一導(dǎo)電圖案的寬度大于所述數(shù)據(jù)線的寬度。[0014]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括:在襯底上形成柵金屬層，其中，所述柵金屬層包括:公共電極線；在襯底上形成源漏金屬層，其中，所述源漏金屬層包括:數(shù)據(jù)線；在襯底上形成透明導(dǎo)電層，其中，所述透明導(dǎo)電層包括:像素電極:還包括:至少在襯底與數(shù)據(jù)線對應(yīng)像素電極的對應(yīng)位置處形成第一導(dǎo)電圖案。
[0015]可選的，在襯底的與數(shù)據(jù)線對應(yīng)的位置處形成第一導(dǎo)電圖案。
[0016]可選的，形成所述柵金屬層具體包括形成公共電極線以及第一導(dǎo)電圖案，且所述第一導(dǎo)電圖案與公共電極線直接接觸電連接。
[0017]可選的，形成所述透明導(dǎo)電層包括:形成像素電極以及第一導(dǎo)電圖案，且所述第一導(dǎo)電圖案與所述公共電極線通過過孔電連接。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的任一所述的陣列基板。
[0019]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，所述陣列基板上還設(shè)置有第一導(dǎo)電圖案，所述第一導(dǎo)電圖案與數(shù)據(jù)線的位置對應(yīng)，且至少在數(shù)據(jù)線對應(yīng)像素電極的部分與數(shù)據(jù)線形成垂直電場，則數(shù)據(jù)線電壓變化對像素電極的影響很小，減小像素電極的電壓波動(dòng)，進(jìn)而可以提升顯示效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1為現(xiàn)有的陣列基板俯視結(jié)構(gòu)不意圖；
[0021]圖2為圖1所示陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4為圖3所示陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法示意圖。
[0026]附圖標(biāo)記:
[0027]I)柵線；2)數(shù)據(jù)線；3)薄膜晶體管；31)柵極；32)源極；33)漏極；4)公共電極線；5)像素電極；6)第一導(dǎo)電圖案；7)鈍化層；8)柵絕緣層；10)透明基板。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。
[0029]在本發(fā)明所有實(shí)施例中，需要闡明“層”以及“圖案”的定義，以及之間的關(guān)系。其中，所“層”即通過一次構(gòu)圖工藝形成的一層薄膜，其可以包括至少一個(gè)薄膜“圖案”。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括:襯底、設(shè)置在所述襯底上的柵金屬層、源漏金屬層以及透明導(dǎo)電層；其中，所述柵金屬層包括:公共電極線，所述源漏金屬層包括:數(shù)據(jù)線；透明導(dǎo)電層包括:像素電極；其中，陣列基板還包括:第一導(dǎo)電圖案，所述第一導(dǎo)電圖案與數(shù)據(jù)線位置對應(yīng)，并至少在數(shù)據(jù)線對應(yīng)像素電極的部分與數(shù)據(jù)線形成垂直電場。
[0031]需要說明的是，所述柵金屬層還可以包括柵線和柵極，所述源漏金屬層還可以包括源級(jí)和漏極。所述第一導(dǎo)電圖案用于與數(shù)據(jù)線形成垂直電場，則所述第一導(dǎo)電圖案在垂直方向上絕緣。且所述第一導(dǎo)電圖案可以是設(shè)置在所述源漏金屬層的上面，也可以是設(shè)置在所述源漏金屬層的下面。所述第一導(dǎo)電圖案至少在數(shù)據(jù)線對應(yīng)像素電極的部分與數(shù)據(jù)線形成垂直電場，即第一導(dǎo)電圖案可以是如圖3所示，僅在數(shù)據(jù)線對應(yīng)像素電極的部分與第一導(dǎo)電圖案形成垂直電場。所述襯底可以是透明基板、還可以是在透明基板上設(shè)置有其他薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)等，本發(fā)明實(shí)施例以所述襯底為透明基板為例進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0032]具體的，如圖3、圖4所示，所述陣列基板包括透明基板10以及設(shè)置在所述透明基板10上面的柵金屬層、源漏金屬層以及透明導(dǎo)電層；其中所述柵金屬層包括:柵線1、柵極31和公共電極線4 ;源漏金屬層包括:數(shù)據(jù)線2、源極32和漏極33 ;透明導(dǎo)電層包括:像素電極5 ;且陣列基板還包括第一導(dǎo)電圖案6，如圖4所示，所述第一導(dǎo)電圖案6設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線2的上方，在數(shù)據(jù)線2對應(yīng)像素電極的部分與數(shù)據(jù)線2形成垂直電場。
[0033]需要說明的是，陣列基板還包括其他薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)，例如，在柵金屬層的上一層還設(shè)置有柵絕緣層，在源漏金屬層和透明導(dǎo)電層之間還可以設(shè)置鈍化層等。本發(fā)明實(shí)施例僅列舉與本發(fā)明的發(fā)明點(diǎn)相關(guān)的薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，所述陣列基板上還設(shè)置有第一導(dǎo)電圖案，所述第一導(dǎo)電圖案與數(shù)據(jù)線的位置對應(yīng)，且至少在數(shù)據(jù)線對應(yīng)像素電極的部分與數(shù)據(jù)線形成垂直電場，則數(shù)據(jù)線電壓變化對像素電極的影響很小，減小像素電極的電壓波動(dòng)，進(jìn)而可以提升顯示效果。
[0035]可選的，所述第一導(dǎo)電圖案與數(shù)據(jù)線形成垂直電場。即所述第一導(dǎo)電圖案與數(shù)據(jù)線對應(yīng)形成多排，每一條數(shù)據(jù)線對應(yīng)一條第一導(dǎo)電圖案。這樣可以進(jìn)一步減小整條數(shù)據(jù)線電壓波動(dòng)對像素電極的影響。
[0036]可選的，所述第一導(dǎo)電圖案與公共電極線電連接。具體的，如圖4所示，第一導(dǎo)電圖案6與公共電極線4電連接，通過公共電極線4提供電壓從而與數(shù)據(jù)線2形成垂直電場。
[0037]可選的，所述柵金屬層還包括:第一導(dǎo)電圖案，且所述第一導(dǎo)電圖案與公共電極線直接接觸電連接。具體的，如圖5所示，所述柵金屬層包括第一導(dǎo)電圖案6，且所述第一導(dǎo)電圖案6與所述公共電極4直接接觸電連接。
[0038]可選的，所述透明導(dǎo)電層還包括:第一導(dǎo)電圖案，且所述第一導(dǎo)電圖案與所述公共電極線通過過孔電連接。具體的，如圖4所示，所述透明導(dǎo)電層包括:像素電極5以及第一導(dǎo)電圖案6，且所述第一導(dǎo)電圖案6與所述像素電極5絕緣，第一導(dǎo)電圖案6通過過孔與公共電極線4電連接。
[0039]可選的，所述陣列基板在柵金屬層和第一導(dǎo)電圖案之間還包括:柵絕緣層和鈍化層，且所述柵絕緣層和/或所述鈍化層的介電常數(shù)在7以下。具體的，如圖4所示，在柵金屬層和第一導(dǎo)電圖案6之間還包括柵絕緣層8和鈍化層9，所述第一導(dǎo)電圖案6與所述公共電極線4通過柵絕緣層8以及鈍化層7上的過孔與公共電極線4電連接。且柵絕緣層和/或所述鈍化層的介電常數(shù)在7以下，且柵絕緣層和/或所述鈍化層的介電常數(shù)包括7，這樣進(jìn)一步的第一導(dǎo)電圖案與數(shù)據(jù)線形成的電場較小，對像素電極的影響更小。
[0040]可選的，所述柵絕緣層的厚度為4000人。如圖4所示，所述柵絕緣層的厚度為
4000A,通過增加?xùn)沤^緣層的厚度，即增大了數(shù)據(jù)線和像素電極的距離，可以進(jìn)一步減小數(shù)據(jù)線電壓對像素電極的影響。[0041]可選的，所述鈍化層的厚度為6000A。如圖4所示，所述鈍化層的厚度為6000A,
通過增加鈍化層的厚度，即增大了數(shù)據(jù)線和像素電極的距離，可以進(jìn)一步減小數(shù)據(jù)線電壓對像素電極的影響。
[0042]可選的，所述第一導(dǎo)電圖案的寬度大于所述數(shù)據(jù)線的寬度。如圖4、圖5所示，這樣形成的第一導(dǎo)電圖案包裹所述數(shù)據(jù)線，以屏蔽掉其信號(hào)變化對像素電極影響。
[0043]在本發(fā)明所有實(shí)施例中，需要闡明“層”以及“圖案”的定義，以及之間的關(guān)系。其中，“層”是指利用某一種材料在基板上利用沉積或其他工藝制作出的一層薄膜。還可以是對該“薄膜”采用構(gòu)圖工藝使其包含至少一個(gè)薄膜“圖案”。本發(fā)明實(shí)施例中的“上”、“下”以制造陣列基板時(shí)的先后順序?yàn)闇?zhǔn)，例如，在上的圖案是指相對在后形成的圖案，在下的圖案是指相對在先形成的圖案。
[0044]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，如圖6所示，包括:
[0045]步驟101、在襯底上形成柵金屬層。
[0046]其中，所述襯底可以是透明基板，所述在襯底上形成柵金屬層即在透明基板上形成柵金屬層。其中，所述柵金屬層包括:公共電極線。還可以包括柵線和柵極等。
[0047]步驟102、在襯底上形成源漏金屬層。
[0048]其中，所述襯底即形成有柵金屬層的透明基板，所述在襯底上形成源漏金屬層即在所述柵金屬層上形成源漏金屬層。其中，所述源漏金屬層包括:數(shù)據(jù)線。還可以包括源級(jí)和漏極等。
[0049]步驟103、在襯底上形成透明導(dǎo)電層。
[0050]其中，所述襯底即形成有柵金屬層以及源漏金屬層的透明基板，所述在襯底上形成透明導(dǎo)電層即在源漏金屬層的上面形成透明導(dǎo)電層。其中，所述透明導(dǎo)電層包括:像素電極。
[0051]步驟104、至少在襯底與數(shù)據(jù)線對應(yīng)像素電極的對應(yīng)位置處形成第一導(dǎo)電圖案。
[0052]即所述第一導(dǎo)電圖案至少在數(shù)據(jù)線對應(yīng)像素電極的部分與數(shù)據(jù)線形成垂直電場。且優(yōu)選的使得所述第一導(dǎo)電圖案的寬度大于所述數(shù)據(jù)線的寬度。如圖4、圖5所示，這樣形成的第一導(dǎo)電圖案包裹所述數(shù)據(jù)線，以屏蔽掉其信號(hào)變化對像素電極影響。
[0053]需要說明的是，通過上述步驟形成所述第一導(dǎo)電圖案，則所述第一導(dǎo)電圖案可以是通過一次構(gòu)圖工藝形成。
[0054]另外，所述第一導(dǎo)電圖案也可以是通過其他步驟形成的。且所述第一導(dǎo)電圖案用于與數(shù)據(jù)線形成垂直電場，則所述第一導(dǎo)電圖案在垂直方向上絕緣。所述第一導(dǎo)電圖案可以是在制作源漏金屬層之前形成，則所述第一導(dǎo)電圖案設(shè)置在所述源漏金屬層的下面；還可以是在制作源漏金屬層之后制作所述第一導(dǎo)電圖案，則所述第一導(dǎo)電圖案設(shè)置在所述源漏金屬層的上面。所述第一導(dǎo)電圖案至少在數(shù)據(jù)線對應(yīng)像素電極的部分與數(shù)據(jù)線形成垂直電場，即第一導(dǎo)電圖案可以是如圖3所示，僅在數(shù)據(jù)線對應(yīng)像素電極的部分形成第一導(dǎo)電圖案。
[0055]需要說明的是，陣列基板還可以包括其他薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)，則陣列基板的制作方法也不僅限于上述步驟。本發(fā)明實(shí)施例僅以與本發(fā)明的發(fā)明點(diǎn)相關(guān)的制作步驟為例說明第一導(dǎo)電圖案的制作方法。
[0056]可選的，在襯底的與數(shù)據(jù)線對應(yīng)的位置處形成第一導(dǎo)電圖案。即所述第一導(dǎo)電圖案與數(shù)據(jù)線形成垂直電場。這樣第一導(dǎo)電圖案與數(shù)據(jù)線對應(yīng)形成多排，可以進(jìn)一步減小整條數(shù)據(jù)線電壓波動(dòng)對像素電極的影響。
[0057]可選的，形成所述柵金屬層具體包括形成公共電極線以及第一導(dǎo)電圖案，且所述第一導(dǎo)電圖案與公共電極線直接接觸電連接。即無需上述步驟104，在步驟101形成所述柵金屬層的同時(shí)在柵金屬層對應(yīng)數(shù)據(jù)線的位置處形成所述第一導(dǎo)電圖案。且所述柵金屬層包括第一導(dǎo)電圖案和公共電極線，可以使得所述第一導(dǎo)電圖案與公共電極線直接接觸電連接，從而通過公共電極線向所述第一導(dǎo)電圖案提供電壓。
[0058]可選的，形成所述透明導(dǎo)電層包括:形成像素電極以及第一導(dǎo)電圖案，且所述第一導(dǎo)電圖案與所述公共電極線通過過孔電連接。即無需上述步驟104，在步驟103形成所述透明導(dǎo)電層的同時(shí)在透明導(dǎo)電層對應(yīng)數(shù)據(jù)線的位置處形成所述第一導(dǎo)電圖案，且所述透明導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電圖案需要通過在源漏金屬層設(shè)置過孔與柵金屬層的公共電極線電連接，通過公共電極線向所述第一導(dǎo)電圖案提供電壓。
[0059]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的任一所述的陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶顯示器等顯示器件以及包括這些顯示器件的電視、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0060]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:襯底、設(shè)置在所述襯底上的柵金屬層、源漏金屬層以及透明導(dǎo)電層；其中，所述柵金屬層包括:公共電極線，所述源漏金屬層包括:數(shù)據(jù)線；透明導(dǎo)電層包括:像素電極；其特征在于，陣列基板還包括:第一導(dǎo)電圖案，所述第一導(dǎo)電圖案與數(shù)據(jù)線位置對應(yīng)，并至少在數(shù)據(jù)線對應(yīng)像素電極的部分與數(shù)據(jù)線形成垂直電場。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電圖案與數(shù)據(jù)線形成垂直電場。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電圖案與公共電極線電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述柵金屬層還包括:第一導(dǎo)電圖案，且所述第一導(dǎo)電圖案與公共電極線直接接觸電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層還包括:第一導(dǎo)電圖案，且所述第一導(dǎo)電圖案與所述公共電極線通過過孔電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板在柵金屬層和第一導(dǎo)電圖案之間還包括:柵絕緣層和鈍化層，且所述柵絕緣層和/或所述鈍化層的介電常數(shù)在7以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1一6任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電圖案的寬度大于所述數(shù)據(jù)線的寬度。
8.—種陣列基板的制作方法，包括:在襯底上形成柵金屬層，其中，所述柵金屬層包括:公共電極線；在襯底上形成源漏金屬層，其中，所述源漏金屬層包括:數(shù)據(jù)線；在襯底上形成透明導(dǎo)電層，其中，所述透明導(dǎo)電層包括:像素電極；其特征在于，還包括: 至少在襯底與數(shù)據(jù)線對應(yīng)像素電極的對應(yīng)位置處形成第一導(dǎo)電圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，在襯底與數(shù)據(jù)線對應(yīng)的位置處形成第一導(dǎo)電圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述柵金屬層具體包括形成公共電極線以及第一導(dǎo)電圖案，且所述第一導(dǎo)電圖案與公共電極線直接接觸電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述透明導(dǎo)電層包括:形成像素電極以及第一導(dǎo)電圖案，且所述第一導(dǎo)電圖案與所述公共電極線通過過孔電連接。
12.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1一7任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK103681692SQ201310632256
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】裴揚(yáng), 李鑫, 王振偉, 唐磊, 任健, 王靜 申請人:北京京東方光電科技有限公司