光刻工藝圖形缺陷檢測(cè)方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種光刻工藝中版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)方法，包括如下步驟：將設(shè)計(jì)目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為光刻目標(biāo)圖形；對(duì)光刻目標(biāo)圖形依次進(jìn)行第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正和第一次工藝偏差圖形模擬;對(duì)光刻目標(biāo)圖形進(jìn)行第一次工藝熱點(diǎn)檢測(cè)；若第一次工藝熱點(diǎn)檢測(cè)發(fā)現(xiàn)至少一個(gè)潛在工藝熱點(diǎn)，則對(duì)各潛在工藝熱點(diǎn)附近的光刻目標(biāo)圖形分別進(jìn)行第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正和第二次工藝偏差圖形模擬；根據(jù)第二次工藝偏差圖形模擬的結(jié)果對(duì)各檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行第二次工藝熱點(diǎn)檢測(cè)；其中，檢測(cè)區(qū)域與潛在工藝熱點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)，并根據(jù)潛在工藝熱點(diǎn)的位置而生成。該方法可縮短光刻工藝中版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)的耗時(shí)，實(shí)現(xiàn)對(duì)工藝熱點(diǎn)的快速準(zhǔn)確的查找，并減少軟件和硬件的使用成本。
【專利說(shuō)明】光刻工藝圖形缺陷檢測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工制造【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說(shuō)，涉及一種光刻工藝圖形缺陷檢測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]光刻是集成電路制造的主要工藝。其主要實(shí)現(xiàn)將掩膜板上的圖形向硅表面各層材料上的轉(zhuǎn)移，掩膜圖像對(duì)光波來(lái)說(shuō)，相當(dāng)于傳播路徑上的障礙，從而在硅片上得到與掩膜圖像相關(guān)的光刻圖形。
[0003]由于設(shè)計(jì)缺陷或分辨率增強(qiáng)技術(shù)等本身的限制，晶圓上的電路可能會(huì)出現(xiàn)夾斷、橋接、孔接觸不良等缺陷，版圖中可能導(dǎo)致這些缺陷的區(qū)域稱為光刻工藝熱點(diǎn)區(qū)域，熱點(diǎn)區(qū)域可能會(huì)影響最終電路的性能甚至導(dǎo)致功能的失效，因此應(yīng)在芯片生產(chǎn)之前找出并加以修正。為評(píng)估光刻工藝中版圖設(shè)計(jì)的友善性，確定版圖設(shè)計(jì)是否適用于現(xiàn)實(shí)的生產(chǎn)中，應(yīng)通過(guò)仿真模擬方法來(lái)模擬光刻工藝、檢測(cè)工藝熱點(diǎn)。
[0004]如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)提供的一種光刻工藝中版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)方法包括如下流程:步驟S10、將設(shè)計(jì)目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為光刻目標(biāo)圖形；步驟S11、對(duì)光刻目標(biāo)圖形進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正；步驟S12、對(duì)光刻目標(biāo)圖形進(jìn)行工藝偏差圖形模擬；步驟S13、根據(jù)工藝偏差圖形模擬的結(jié)果進(jìn)行工藝熱點(diǎn)檢測(cè)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)光刻工藝中版圖設(shè)計(jì)友善性的評(píng)估。
[0005]根據(jù)光波衍射和干涉原理，當(dāng)障礙的尺寸遠(yuǎn)大于光波波長(zhǎng)時(shí)，由衍射產(chǎn)生的圖形偏差可以忽略不計(jì)。但在超深壓微米工藝下，集成電路特征尺寸在0.09-0.13um以下，已經(jīng)接近甚至小于光波波長(zhǎng)，光的衍射效果將非常明顯；隨著集成電路特征尺寸的不斷減小，這種光刻圖形的變形與偏差將會(huì)越來(lái)越大，因此，對(duì)硅片上的光刻圖形與掩膜板圖形之間的偏差不能不考慮。
[0006]在圖形相互臨近的部位，例如線段頂端和圖形拐角處，光波干涉和衍射作用明顯，圖形偏差會(huì)相對(duì)較大，而線段頂端和圖形拐角處往往對(duì)電路的電學(xué)性能起至關(guān)重要的作用。這種由于光波衍射、干涉而使光刻圖形與掩膜板圖形之間產(chǎn)生偏差的現(xiàn)象稱為光學(xué)臨近效應(yīng)(optical proximity effect,簡(jiǎn)稱 ΟΡΕ)。
[0007]為消除或降低光學(xué)臨近效應(yīng)帶來(lái)的影響，在光刻工藝中，需要引入光學(xué)臨近效應(yīng)修正步驟，現(xiàn)有技術(shù)中常用的一種光學(xué)臨近效應(yīng)矯正方法(optical proximitycorrection,簡(jiǎn)稱0PC)，利用光學(xué)模型對(duì)掩膜板圖形進(jìn)行光刻模擬成像，迭代優(yōu)化圖形形狀，從而獲得矯正方案。該方案具有較高的矯正精度，但由于要模擬所有掩膜板圖像的成像情形，需要耗費(fèi)相當(dāng)?shù)臅r(shí)間。
[0008]上述現(xiàn)有技術(shù)中提供的光刻工藝中版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)方法，雖然可以檢測(cè)獲得各種圖形缺陷、工藝熱點(diǎn)，但由于對(duì)整個(gè)光刻目標(biāo)圖形進(jìn)行OPC工藝，耗時(shí)很長(zhǎng)，使得工藝效率下降、成本上升。
[0009]因此，業(yè)內(nèi)需要一種更加高效的光刻工藝中版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)方法。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的在于提供一種高效的光刻工藝中版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)方法。
[0011]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一技術(shù)方案如下:
[0012]一種光刻工藝中版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)方法，包括如下步驟:a)、將設(shè)計(jì)目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為光刻目標(biāo)圖形；b)、對(duì)光刻目標(biāo)圖形依次進(jìn)行第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正和第一次工藝偏差圖形模擬；c)、根據(jù)第一次工藝偏差圖形模擬的結(jié)果對(duì)光刻目標(biāo)圖形進(jìn)行第一次工藝熱點(diǎn)檢測(cè)；d)、若第一次工藝熱點(diǎn)檢測(cè)發(fā)現(xiàn)至少一個(gè)潛在工藝熱點(diǎn)，則對(duì)各潛在工藝熱點(diǎn)附近的光刻目標(biāo)圖形分別進(jìn)行第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正和第二次工藝偏差圖形模擬；
e)、根據(jù)第二次工藝偏差圖形模擬的結(jié)果對(duì)各檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行第二次工藝熱點(diǎn)檢測(cè)；其中，檢測(cè)區(qū)域與潛在工藝熱點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)，并根據(jù)潛在工藝熱點(diǎn)的位置而生成。
[0013]優(yōu)選地，第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中采用的迭代次數(shù)遠(yuǎn)低于第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中采用的迭代次數(shù)，第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中采用的反饋因子大于第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中采用的反饋因子。
[0014]優(yōu)選地，步驟d)中，第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正針對(duì)的范圍為各潛在工藝熱點(diǎn)位置周圍一個(gè)光暈范圍內(nèi)的光刻目標(biāo)圖形。
[0015]優(yōu)選地，步驟d)中，第二次工藝偏差圖形模擬與第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正針對(duì)相同范圍的光刻目標(biāo)圖形。
[0016]優(yōu)選地，各檢測(cè)區(qū)域是通過(guò)對(duì)相應(yīng)的潛在工藝熱點(diǎn)位置放大一設(shè)定尺寸而獲得。
[0017]本發(fā)明提供的光刻工藝中版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)方法，先對(duì)光刻目標(biāo)圖形進(jìn)行第一次簡(jiǎn)略、快速的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正，再通過(guò)工藝偏差圖形模擬獲得潛在工藝熱點(diǎn)，隨后，對(duì)潛在工藝熱點(diǎn)附近區(qū)域進(jìn)行第二次高精度的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正，并對(duì)根據(jù)潛在工藝熱點(diǎn)位置生成的檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行工藝熱點(diǎn)細(xì)查，該方法可縮短光刻工藝中版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)的耗時(shí)，實(shí)現(xiàn)對(duì)工藝熱點(diǎn)的快速的、準(zhǔn)確的查找，并減少軟件和硬件的使用成本。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中一種光刻工藝中版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)方法流程示意圖；
[0019]圖2示出本發(fā)明一實(shí)施例提供的光刻工藝中版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)方法流程示意圖；
[0020]圖3A-3F中示出本發(fā)明實(shí)施例提供的版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)方法中各步驟的具體示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
[0022]如圖2所示、并結(jié)合圖3A-3F，本發(fā)明一實(shí)施例提供的光刻工藝中版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)方法包括如下各步驟:
[0023]步驟S20、將設(shè)計(jì)目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為光刻目標(biāo)圖形。
[0024]具體地，設(shè)計(jì)目標(biāo)圖形如圖3A所示，該步驟S20中，把設(shè)計(jì)目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為光亥帽標(biāo)圖形，其包括小的凹槽或凸起的清理等，轉(zhuǎn)化后的光刻目標(biāo)圖形如圖3B所示。
[0025]步驟S21、對(duì)光刻目標(biāo)圖形依次進(jìn)行第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正和第一次工藝偏差圖形模擬。
[0026]具體地，對(duì)光刻目標(biāo)圖形進(jìn)行第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正，該第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正簡(jiǎn)略、快速，其應(yīng)具有以下特征:精度降低、速度加快，修正的迭代次數(shù)為正常光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中的一半或以下，例如在55nm工藝下，光學(xué)鄰近效應(yīng)修正通過(guò)采用的迭代次數(shù)10-12次，該步驟S21中采用過(guò)的迭代次數(shù)為5-6次；此外，該第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中，修正反饋因子高于正常光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中采用的反饋因子。通過(guò)降低迭代次數(shù)、增加反饋因子值來(lái)達(dá)到多數(shù)圖形的快速收斂。第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正之后獲得的一倍的光掩模目標(biāo)圖形如圖3C所示。
[0027]類似地，第一次工藝偏差圖形模擬在第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正之后進(jìn)行，其是對(duì)全部光刻目標(biāo)圖形進(jìn)行，其結(jié)果可在后續(xù)工藝中用于檢測(cè)工藝熱點(diǎn)，進(jìn)而對(duì)版圖設(shè)計(jì)的友善性進(jìn)行評(píng)估。
[0028]進(jìn)一步地，第一次工藝偏差圖形模擬中，軟件模擬產(chǎn)生工藝偏差虛擬圖形使用的像素間距為10nm。
[0029]步驟S22、根據(jù)第一次工藝偏差圖形模擬的結(jié)果對(duì)光刻目標(biāo)圖形進(jìn)行第一次工藝熱點(diǎn)檢測(cè)。
[0030]本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，友善性較差的版圖設(shè)計(jì)可能會(huì)出現(xiàn)夾斷、橋接、孔接觸不良等工藝熱點(diǎn)，在芯片生產(chǎn)之前，應(yīng)找出并加以糾正，該步驟S22即為快速地發(fā)現(xiàn)工藝熱點(diǎn)位置。
[0031]具體地，該步驟中，檢測(cè)規(guī)格及參數(shù)與后續(xù)工藝中進(jìn)行的第二次工藝熱點(diǎn)中不同，而需根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行優(yōu)化，以使版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)更具效率，從而獲得潛在工藝熱點(diǎn)位置，并在光刻目標(biāo)圖形中標(biāo)記出來(lái)，如圖3D所示，其中包括4個(gè)夾斷型熱點(diǎn)、I個(gè)孔接觸不良型熱點(diǎn)，圖3D中，I為夾斷，2為孔接觸不良；在后續(xù)工藝步驟中，則對(duì)潛在工藝熱點(diǎn)位置進(jìn)行進(jìn)一步的篩查，以保證工藝熱點(diǎn)檢查更加高效、準(zhǔn)確。
[0032]步驟S23、若第一次工藝熱點(diǎn)檢測(cè)發(fā)現(xiàn)至少一個(gè)潛在工藝熱點(diǎn)，則對(duì)各潛在工藝熱點(diǎn)附近的光刻目標(biāo)圖形分別進(jìn)行第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正和第二次工藝偏差圖形模擬。
[0033]該步驟S23中，先對(duì)上一步驟S22中檢測(cè)的結(jié)果進(jìn)行判斷，若未發(fā)現(xiàn)任何潛在工藝熱點(diǎn)，則版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)結(jié)束，并認(rèn)為該版圖設(shè)計(jì)適于應(yīng)用于光刻工藝中；若發(fā)現(xiàn)至少一個(gè)潛在工藝熱點(diǎn)，則繼續(xù)向下執(zhí)行，即，對(duì)各潛在工藝熱點(diǎn)附近的光刻目標(biāo)圖形分別進(jìn)行第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正和第二次工藝偏差圖形模擬。
[0034]具體地，第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正應(yīng)滿足簡(jiǎn)略、快速的基本要求，而第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正應(yīng)滿足高精度的基本要求，因此，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例，優(yōu)選情況下，第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中采用的迭代次數(shù)遠(yuǎn)低于第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中采用的迭代次數(shù)，此外，第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中采用的反饋因子大于第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中采用的反饋因子，例如，第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中采用的迭代次數(shù)約為第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中的一半，第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中采用的反饋因子為0.6，而第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中采用的反饋因子為0.4。第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正后一倍的光掩模目標(biāo)圖形如圖3E所
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[0035]為滿足第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正以及第二次工藝偏差圖形模擬中的高精度的要求，第二次工藝偏差圖形模擬中，軟件模擬產(chǎn)生工藝偏差虛擬圖形使用的像素間距為5nm。[0036]進(jìn)一步地，步驟S23中，各潛在工藝熱點(diǎn)附近是指各潛在工藝熱點(diǎn)周圍一定范圍之內(nèi)，優(yōu)選情況下，該范圍為在各潛在工藝熱點(diǎn)位置周圍一個(gè)光暈范圍內(nèi)的光刻目標(biāo)圖形，第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正以及第二次工藝偏差圖形模擬均以該范圍之內(nèi)的光刻目標(biāo)圖形為對(duì)象，從而大大縮小了參與運(yùn)算的光刻目標(biāo)圖形的范圍，對(duì)比于現(xiàn)有技術(shù)中采用的對(duì)整個(gè)光刻目標(biāo)圖形進(jìn)行OPC工藝的技術(shù)方案，該實(shí)施例提供的OPC方法在潛在工藝熱點(diǎn)附近具有同樣的精度，且整個(gè)工藝更加高效，大大節(jié)省了版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)的時(shí)間。
[0037]步驟S24、根據(jù)第二次工藝偏差圖形模擬的結(jié)果對(duì)各檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行第二次工藝熱點(diǎn)檢測(cè)。
[0038]其中，檢測(cè)區(qū)域與潛在工藝熱點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)，并分別根據(jù)各潛在工藝熱點(diǎn)的位置而生成。
[0039]進(jìn)一步地，各檢測(cè)區(qū)域是通過(guò)對(duì)相應(yīng)的潛在工藝熱點(diǎn)位置放大一設(shè)定尺寸而獲得。針對(duì)不同的工藝熱點(diǎn)，設(shè)定尺寸是變化的，以適應(yīng)于各種不同的實(shí)際情況。
[0040]具體地，若潛在工藝熱點(diǎn)為夾斷，則設(shè)定尺寸為最大檢測(cè)尺寸的一半、且小于隙的最小設(shè)計(jì)尺寸；若潛在工藝熱點(diǎn)為橋接，則設(shè)定尺寸為最大檢測(cè)尺寸的一半、且小于線的最小設(shè)計(jì)尺寸；若潛在工藝熱點(diǎn)為孔接觸不良，則設(shè)定尺寸為孔隙的最小設(shè)計(jì)尺寸的一半、且小于孔隙的最小設(shè)計(jì)尺寸。
[0041]第二次工藝熱點(diǎn)檢測(cè)中檢測(cè)規(guī)格及參數(shù)不同于第一次工藝熱點(diǎn)檢測(cè)，并可以根據(jù)不同的要求進(jìn)行變化，例如，滿足高精度、無(wú)遺漏的要求，或滿足對(duì)潛在工藝熱點(diǎn)快速篩選的要求。如圖3F所示，第二次工藝熱點(diǎn)檢測(cè)僅獲得I個(gè)工藝熱點(diǎn)3，其為孔接觸不良性熱點(diǎn)，而排除了第一次工藝熱點(diǎn)檢測(cè)獲得的4個(gè)夾斷型潛在工藝熱點(diǎn)。
[0042]在該實(shí)施例的一具體應(yīng)用中，針對(duì)三枚芯片，面積分別為10.368mm、7.884mm、33.321mm，現(xiàn)有技術(shù)提供的版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)方法所耗的CPU時(shí)間分別為268.25、，249.09、1044.23小時(shí)，而采用本發(fā)明后所耗CPU時(shí)間分別為173.49、155.57,754.25小時(shí)，可見(jiàn)，上述實(shí)施例提供的版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)方法所耗的CPU時(shí)間僅為原來(lái)的70%左右。
[0043]本發(fā)明該實(shí)施例提供的版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)方法可縮短光刻工藝中版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)的耗時(shí)，實(shí)現(xiàn)對(duì)工藝熱點(diǎn)的快速的、準(zhǔn)確的查找，并減少軟件和硬件的使用成本，便于在行業(yè)領(lǐng)域內(nèi)推廣應(yīng)用。
[0044]以上所述的僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，所述實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，因此凡是運(yùn)用本發(fā)明的說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等同結(jié)構(gòu)變化，同理均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種光刻工藝中版圖設(shè)計(jì)友善性檢測(cè)方法，包括如下步驟: a)、將設(shè)計(jì)目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為光刻目標(biāo)圖形； b)、對(duì)所述光刻目標(biāo)圖形依次進(jìn)行第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正和第一次工藝偏差圖形模擬； c)、根據(jù)所述第一次工藝偏差圖形模擬的結(jié)果對(duì)所述光刻目標(biāo)圖形進(jìn)行第一次工藝熱點(diǎn)檢測(cè)； d)、若所述第一次工藝熱點(diǎn)檢測(cè)發(fā)現(xiàn)至少一個(gè)潛在工藝熱點(diǎn)，則對(duì)各所述潛在工藝熱點(diǎn)附近的光刻目標(biāo)圖形分別進(jìn)行第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正和第二次工藝偏差圖形模擬； e)、根據(jù)所述第二次工藝偏差圖形模擬的結(jié)果對(duì)各檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行第二次工藝熱點(diǎn)檢測(cè)； 其中，所述檢測(cè)區(qū)域與所述潛在工藝熱點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)，并根據(jù)所述潛在工藝熱點(diǎn)的位置而生成。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中采用的迭代次數(shù)遠(yuǎn)低于所述第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中采用的迭代次數(shù)，所述第一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中采用的反饋因子大于所述第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中采用的反饋因子。
3.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述步驟d)中，所述第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正針對(duì)的范圍為各所述潛在工藝熱點(diǎn)位置周圍一個(gè)光暈范圍內(nèi)的所述光刻目標(biāo)圖形。
4.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述步驟d)中，所述第二次工藝偏差圖形模擬與所述第二次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正針對(duì)相同范圍的光刻目標(biāo)圖形。
5.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述步驟b)中，所述第一次工藝偏差圖形模擬中，軟件模擬產(chǎn)生工藝偏差虛擬圖形使用的像素間距為10nm。
6.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述步驟d)中，所述第二次工藝偏差圖形模擬中，軟件模擬產(chǎn)生工藝偏差虛擬圖形使用的像素間距為5nm。
7.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，各所述檢測(cè)區(qū)域是通過(guò)對(duì)相應(yīng)的潛在工藝熱點(diǎn)位置放大一設(shè)定尺寸而獲得。
8.如權(quán)利要求7所述的檢測(cè)方法，其特征在于，若所述潛在工藝熱點(diǎn)為夾斷，則所述設(shè)定尺寸為最大檢測(cè)尺寸的一半、且小于隙的最小設(shè)計(jì)尺寸；若所述潛在工藝熱點(diǎn)為橋接，則所述設(shè)定尺寸為最大檢測(cè)尺寸的一半、且小于線的最小設(shè)計(jì)尺寸；若所述潛在工藝熱點(diǎn)為孔接觸不良，則所述設(shè)定尺寸為孔隙的最小設(shè)計(jì)尺寸的一半、且小于孔隙的最小設(shè)計(jì)尺寸。
【文檔編號(hào)】G03F7/20GK103645612SQ201310631490
【公開日】2014年3月19日 申請(qǐng)日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】王偉斌, 季亮, 魏芳, 張旭昇 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司