技術(shù)總結(jié)
一種半導體裝置，具備半導體基板(10)，該半導體基板具有漂移層(11)、形成于漂移層的表層部的基極層(12)、以及形成于漂移層之中的與基極層側(cè)的相反側(cè)的集電極層(21)及陰極層(22)；半導體基板之中的作為IGBT元件來動作的IGBT區(qū)域(1a)與作為二極管元件來動作的二極管區(qū)域(1b)交替地重復形成，在二極管區(qū)域的表層部形成有損傷區(qū)域(24)，IGBT區(qū)域與二極管區(qū)域通過集電極層與陰極層的邊界被劃分，在IGBT區(qū)域的表層部，在與二極管區(qū)域的邊界側(cè)的部分，沿著半導體基板的面方向形成有半導體基板的厚度以上的損傷區(qū)域，在比邊界側(cè)的部分靠內(nèi)緣側(cè)的部分沒有形成所述損傷區(qū)域。

技術(shù)研發(fā)人員：河野憲司
受保護的技術(shù)使用者：株式會社電裝
文檔號碼：201580015532
技術(shù)研發(fā)日：2015.01.29
技術(shù)公布日：2016.11.16