技術(shù)編號(hào)：11891371
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體裝置相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)基于2014年3月25日提出的日本申請(qǐng)?zhí)?014－61813號(hào)，在此引用其記載內(nèi)容。技術(shù)分野本發(fā)明涉及具有IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor、絕緣柵雙極型晶體管)區(qū)域和二極管(FreeWheelingDiode、續(xù)流二極管)區(qū)域的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)以往以來(lái)，作為例如逆變器等中使用的開關(guān)元件，提出了具有形成有IGBT元件的IGBT區(qū)域和形成有二極管元件的二極管區(qū)域的半導(dǎo)體裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。具體而言，該半導(dǎo)體裝置中，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。