技術(shù)特征：

1.一種顯示裝置，包括：

形成在基板上的柵極線、公共線和附加數(shù)據(jù)線(ADL)；

形成在所述柵極線的一部分和所述ADL的一部分上的柵極絕緣層；

形成在所述柵極絕緣層的至少一部分上的半導(dǎo)體層；

形成在所述ADL的未被所述柵極絕緣層覆蓋的部分上的數(shù)據(jù)線；

形成在所述柵極線的未被所述柵極絕緣層覆蓋的部分上的附加?xùn)艠O線(AGL)；

形成在所述公共線上的附加公共線(ACL)；以及

晶體管，所述晶體管包括耦接至所述柵極線的柵極、漏極、耦接至所述數(shù)據(jù)線的源極、以及所述半導(dǎo)體層的至少部分地位于所述源極與所述漏極之間的部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述數(shù)據(jù)線和所述ADL的組合厚度在至之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述柵極線和所述AGL的組合厚度在至之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述公共線和所述ACL的組合厚度在至之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述柵極線的寬度是40μm或更小，以及所述數(shù)據(jù)線的寬度是5μm或更小。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述柵極線、所述公共線以及所述ADL由相同的柵極材料形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述數(shù)據(jù)線、所述AGL以及所述ACL由相同的數(shù)據(jù)材料形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線由包括多個金屬層、多個合金層、或者包含至少一個金屬層和至少一個合金層的多層的堆疊結(jié)構(gòu)形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中所述堆疊結(jié)構(gòu)包括鉬鈦合金層以及銅或鋁的層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述ADL沿所述數(shù)據(jù)線以多個段形成，以及其中所述段之一設(shè)置在柵極線與相鄰柵極線之間或者柵極線與公共線之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述AGL的底表面的大部分物理接觸所述柵極線的頂表面的大部分。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述ADL的底表面的大部分物理接觸所述數(shù)據(jù)線的頂表面的大部分。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述柵極線和所述ADL的大部分未被所述柵極絕緣層覆蓋。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述半導(dǎo)體層形成在形成有所述柵極絕緣層之處。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述半導(dǎo)體層僅形成在形成有所述晶體管之處。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中在所述公共線和所述數(shù)據(jù)線彼此交叉的點處，形成有所述柵極絕緣層而未形成有所述半導(dǎo)體層。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中所述柵極絕緣層和所述半導(dǎo)體層兩者形成在所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線彼此交叉的點處。

18.一種方法，包括：

利用第一掩模工藝在基板上沉積柵極材料以形成柵極線、公共線、晶體管的柵極，以及附加數(shù)據(jù)線(ADL)；

利用第二掩模工藝沉積柵極絕緣層，所述第二掩模工藝在晶體管所在處以及數(shù)據(jù)線與所述柵極線或所述公共線交叉處形成所述柵極絕緣層；

利用所述第二掩模工藝沉積半導(dǎo)體層；

利用第三掩模工藝沉積數(shù)據(jù)材料以在所述半導(dǎo)體層上形成晶體管的源極、在所述半導(dǎo)體層上形成晶體管的漏極、在所述ADL上形成數(shù)據(jù)線、在所述柵極線上形成附加?xùn)艠O線(AGL)以及在所述公共線上形成附加公共線(ACL)。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，包括：

在所述基板上沉積鈍化層；

利用第四掩模工藝對所述鈍化層進行圖案化以在所述鈍化層中形成 接觸孔；以及

利用第五掩模工藝在所述鈍化層上沉積電極材料以形成電耦接至所述漏電極的像素電極、電耦接至所述公共線的公共電極、電耦接至所述柵極線的柵極焊盤端子，以及電耦接至所述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)焊盤端子。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，

其中所述數(shù)據(jù)線和所述ADL沿所述基板的表面在豎直方向延伸，以及

其中所述柵極線、所述AGL、所述公共線和所述ACL沿所述基板的表面在水平方向延伸。

21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，

其中所述柵極在所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線彼此交叉的位置處從所述柵極線分支；

其中所述數(shù)據(jù)線在所述基板上的被所述柵極絕緣層覆蓋的位置處交叉所述柵極線和所述公共線。