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一種室溫環(huán)境下激勵(lì)砷化鎵中金屬原子擴(kuò)散的方法與流程

文檔序號(hào):12788043閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種激勵(lì)砷化鎵中金屬原子擴(kuò)散的方法,是在室溫環(huán)境下對(duì)砷化鎵材料或砷化鎵器件進(jìn)行電感耦合等離子體(ICP)處理,激勵(lì)砷化鎵中的金屬原子發(fā)生擴(kuò)散。該方法簡單快捷,在室溫環(huán)境下實(shí)現(xiàn),不僅可用于改善砷化鎵材料的性能,還可用于改善砷化鎵器件的性能。

技術(shù)研發(fā)人員:秦國剛;李磊;侯瑞祥;姚利;徐萬勁
受保護(hù)的技術(shù)使用者:北京大學(xué)
文檔號(hào)碼:201510977322
技術(shù)研發(fā)日:2015.12.23
技術(shù)公布日:2017.06.30

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