本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶圓片盒顆粒檢測(cè)方法，屬于硅片加工技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

近年來，半導(dǎo)體用硅片使用率越來越高，用量也越來越大，硅片的尺寸也逐漸增大，到12英寸，甚至是18英寸。但是半導(dǎo)體集成電路中使用的硅片集成度加大，線寬減小，對(duì)硅片質(zhì)量的要求越來越嚴(yán)格。硅片的質(zhì)量參數(shù)主要包括表面顆?；蛘呷毕荨⒈砻娼饘俸?、體內(nèi)金屬(FE)含量、少子壽命、擴(kuò)散長(zhǎng)度等參數(shù)，在生產(chǎn)加工硅片過程中，要嚴(yán)格對(duì)這些參數(shù)性能的監(jiān)控和分析。

硅片表面的表面顆粒會(huì)影響集成電路中電學(xué)性能，顆粒過多硅片在后續(xù)加工外延，或者器件過程中，形成外延表面缺陷過多或器件失效、器件金屬線的斷裂、相鄰金屬線的短路，進(jìn)而導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量損失，造成產(chǎn)品成品率降低。這就需要嚴(yán)格控制硅片表面顆粒數(shù)量。

半導(dǎo)體晶圓廠硅片經(jīng)過加工，清洗檢測(cè)，顆粒數(shù)量滿足要求，裝入片盒，廠區(qū)傳遞或者出廠運(yùn)輸?shù)酵庋訌S家以及器件廠家。在運(yùn)輸和傳遞過程，要確保過程顆粒不會(huì)增加，這就要求晶圓片盒顆粒潔凈度良好，以避免片盒帶來的晶圓硅片的顆粒沾污。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體晶圓片盒顆粒檢測(cè)方法，以快速、高效、批量性獲得顆粒潔凈度高的晶圓片盒。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取以下技術(shù)方案：

一種半導(dǎo)體晶圓片盒顆粒檢測(cè)方法，包括以下步驟：

(1)準(zhǔn)備潔凈硅片，利用顆粒測(cè)試儀測(cè)試硅片表面顆粒數(shù)目，并記錄；

(2)將潔凈硅片放入待測(cè)片盒，自氣源通過帶有顆粒過濾器的氣路向待測(cè)片盒內(nèi)吹掃，氣壓約15～30psi，保持氣源吹掃1min；

(3)利用顆粒測(cè)試儀測(cè)試硅片表面顆粒數(shù)據(jù)，記錄數(shù)據(jù)，對(duì)比前后增加值，判斷半導(dǎo)體用晶圓片盒潔凈度。

其中，所述待測(cè)片盒為半導(dǎo)體硅片運(yùn)輸或傳遞所用片盒。

所述氣源供應(yīng)的氣體為壓縮空氣或者氮?dú)狻?/p>

所述氣路上的部件均為潔凈半導(dǎo)體用塑料管件。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：

本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓片盒顆粒檢測(cè)方法可以快速、高效、批量的檢測(cè)晶圓片盒顆粒潔凈度，及時(shí)地測(cè)試分析晶圓片盒是否潔凈，確保檢測(cè)合格的硅片在片盒內(nèi)的顆粒不會(huì)增加，從而確保半導(dǎo)體晶圓硅片不受片盒顆粒沾污。

附圖說明

圖1為半導(dǎo)體晶圓片盒顆粒檢測(cè)方法所用裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面通過附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明，但并不意味著對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制。

如圖1所示，本發(fā)明半導(dǎo)體晶圓片盒顆粒檢測(cè)方法中，需要準(zhǔn)備潔凈的硅片2、待測(cè)試的半導(dǎo)體用晶圓片盒1、氣路。氣路包括氣管3、顆粒過濾器4、開關(guān)5等，所涉及部件均為潔凈半導(dǎo)體用塑料管件。具體過程為：

1、準(zhǔn)備潔凈的硅片2，數(shù)量3片，分別用顆粒測(cè)試儀測(cè)試硅片的表面顆粒，記錄數(shù)據(jù)；

2、然后將硅片2分別裝入晶圓片盒1內(nèi)，硅片間隔放置，位于晶圓片盒兩端各一片，中間一片，如附圖1，然后在晶圓片盒的盒蓋上留有小間隙；

3、將帶有顆粒過濾器4的氣管3放入晶圓盒蓋的間隙內(nèi)，注意不要接觸硅片，打開氣源開關(guān)5，氣壓約15～30psi，保持氣源吹掃1min；關(guān)掉氣源開關(guān)5，拿出氣管，取出硅片，利用顆粒測(cè)試儀測(cè)試硅片2表面顆粒數(shù)目；

4、將硅片2表面顆粒數(shù)據(jù)進(jìn)行前后對(duì)比，看顆粒有無增加，判斷半導(dǎo)體用晶圓片盒潔凈度。

實(shí)施例

本實(shí)施例以可裝25片的12inch硅晶圓片盒為例說明。

1、取12片12inch拋光硅片，4個(gè)晶圓片盒(前開式晶圓盒或晶圓運(yùn)輸盒(FOUP/FOSB))；

2、利用表面顆粒測(cè)試儀KLA Tencor SP1測(cè)試12片12inch拋光硅片表面顆粒，記錄數(shù)據(jù)前值；

3、將12片12inch拋光硅片分為四組，分別裝入4個(gè)晶圓片盒(FOUP/FOSB)的兩端和中間位置，將片盒蓋子半蓋，留有一定間隙，然后分別將氣管放入四個(gè)晶圓片盒間隙中(注意不要接觸硅片)，打開開關(guān)，每個(gè)吹氣1min；

4、將12片12inch拋光硅片取出，再利用表面顆粒測(cè)試儀KLA Tencor SP1測(cè)試12片12inch拋光硅片表面顆粒，記錄數(shù)據(jù)后值；

5、將前后數(shù)據(jù)對(duì)比，如下：

6、增加值均小于3個(gè)，判定所測(cè)試半導(dǎo)體用晶圓盒潔凈度滿足要求。