本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法。

背景技術(shù)：

所有的計算和通信系統(tǒng)都需要供電傳輸系統(tǒng)。供電傳輸系統(tǒng)會將電源的高電壓轉(zhuǎn)換成系統(tǒng)中離散器件所需的許多不同的低電壓。供電傳輸系統(tǒng)的效率決定了向下轉(zhuǎn)換的電力損失，而供電軌道數(shù)決定了可支持的離散電壓供應(yīng)或器件的數(shù)量。

目前的供電技術(shù)面臨著如下挑戰(zhàn)：

一、隨著過程中節(jié)點的收縮，設(shè)備電壓的減小，電力輸送的效率會隨之降低，使功率消耗更大。

二、添加更多的供電軌道需要復(fù)制更多的供電組件，如增加元件數(shù)量、增大電路板尺寸、增加電路板的層數(shù)、加大系統(tǒng)體積、成本和重量。

三、由于再布線層的線距、線寬的限制，需要增加封裝尺寸。

因此，如何提高電力輸送效率，增加不同電壓軌道的可用數(shù)量，已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個重要技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的目的在于提供一種集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的種種問題。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種上述集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法，所述封裝方法包括以下步驟：

1)提供一載體；

2)采用引線鍵合工藝在所述載體表面金屬引線；

3)將有源模塊及無源模塊設(shè)置于所述載體形成有所述金屬引線的表面上，并在所述有源模塊及所述無源模塊表面形成金屬連接柱；

4)使用塑封材料將所述金屬引線、所述有源模塊、所述無源模塊及所述金屬連接柱封裝成型，并去除部分所述塑封材料以裸露出所述金屬引線及所述金屬連接柱；

5)在所述塑封材料表面形成再布線層，所述再布線層將所述金屬引線、所述有源模塊及所述無源模塊電連接；所述有源模塊、所述無源模塊及所述再布線層共同構(gòu)成供電傳輸系統(tǒng)；所述供電傳輸系統(tǒng)適于將外部電源提供的高電壓轉(zhuǎn)換成多個不同的低電壓，并提供多條低電壓供電軌道；

6)提供用電芯片，將所述用電芯片設(shè)置于所述再布線層表面，所述用電芯片經(jīng)由多個微凸塊實現(xiàn)與所述低電壓供電軌道的對接；

7)剝離所述載體，形成與所述金屬引線相連接的焊料凸塊。

可選地，步驟1)與步驟2)之間還包括在所述載體表面形成剝離層的步驟；步驟2)中，所述金屬引線形成于所述剝離層表面；步驟3)中，所述有源模塊及所述無源模塊設(shè)置于所述剝離層表面；步驟7)中通過去除所述剝離層以剝離所述載體。

可選地，采用引線鍵合工藝在所述載體表面金屬引線包括如下步驟：

2-1)在所述載體表面需要形成所述金屬引線的位置或在所述載體表面需要形成所述金屬引線的位置及需要設(shè)置有源模塊及無源模塊的位置形成虛擬焊墊；

2-2)采用引線鍵合工藝在對應(yīng)于需要形成所述金屬引線的所述虛擬焊墊上形成所述金屬引線。

可選地，步驟3)中，所述有源模塊的背面及所述無源模塊的背面為與所述載體相結(jié)合的結(jié)合面。

可選地，所述有源模塊包括控制器及降壓變換器；所述無源模塊包括電容、電感及電阻。

可選地，步驟4)中，使用塑封材料將所述金屬引線、所述有源模塊、所述無源模塊及所述金屬連接柱封裝成型的方法包括：壓縮成型、傳遞模塑、液壓成型、真空層壓或旋涂。

可選地，步驟5)中形成的所述再布線層包括：金屬連線、金屬插塞及設(shè)置于所述金屬連線及金屬插塞周圍的介電層，所述金屬連線用于實現(xiàn)所述金屬引線、所述有源模塊及所述無源模塊的電連接，所述金屬插塞用于實現(xiàn)各層之間的所述金屬連線之間的層間連接。

可選地，形成所述金屬連線的方法包括電鍍、化學鍍及絲網(wǎng)印刷中的至少一種。

可選地，所述再布線層表面設(shè)置有與所述金屬連線電連接的凸塊金屬層，所述金屬引線、所述有源模塊、所述無源模塊及所述用電芯片經(jīng)由所述凸塊金屬層與所述再布線層相連接。

可選地，步驟6)與步驟7)之間還包括在所述用電芯片底部的所述微凸塊之間的區(qū)域進行底部填充的步驟，以將所述用電芯片固定于所述再布線層上。

可選地，在所述用電芯片底部所述微凸塊之間的區(qū)域進行底部填充之后，還包括在所述用電芯片周圍及底部填充的底部填充材料周圍形成塑封材料層的步驟。

如上所述，本發(fā)明的集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法，具有以下有益效果：

(1)采用現(xiàn)有的有源元件和無源元件形成有源2.5D中介板，然后通過微凸塊或其它凸塊結(jié)構(gòu)將用電芯片集成在有源2.5D中介板上，得到三維堆疊結(jié)構(gòu)；其中，所述用電芯片可以是專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit，簡稱ASIC)。

(2)在三維堆疊結(jié)構(gòu)中，有源2.5D中介板作為功率傳輸功率芯片，緊密集成于在用電芯片下方，解決了功率傳輸?shù)膯栴}。

(3)整個系統(tǒng)電路板的功率傳輸系統(tǒng)由所述功率傳輸芯片實現(xiàn)，所述功率傳輸芯片包括控制器、降壓變換器(buck converter)、電容(CAP(3T))，電感(L(2T))和電阻，從而消除了系統(tǒng)板上所有的無源元件。

(4)所述功率傳輸芯片中的降壓變換器可以產(chǎn)生成千上萬低電壓功率傳輸軌道(供電軌道)，這些低電壓功率傳輸軌道通過微凸塊對接用電芯片。

(5)本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)由于集成了包含無源元件的功率傳輸芯片，可以消除封裝基板例如PCB板上的寄生電阻，從而提高了功率傳輸效率，改善了功率控制的響應(yīng)時間。

(6)通過減少壓降和噪聲提高了保真度，從而改善了響應(yīng)時間。由于需要更少的設(shè)計余量，可以獲得更好的保真度性能改善。

附圖說明

圖1顯示為本發(fā)明的集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法的流程示意圖。

圖2～圖12顯示為本發(fā)明的集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法中各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。

元件標號說明

11 載體

12 金屬引線

13 剝離層

14 有源模塊

15 無源模塊

151 電容

152 電感

16 金屬連接柱

17 塑封材料

18 再布線層

181 金屬連線

182 介電層

19 用電芯片

20 微凸塊

21 底部填充材料

22 塑封材料層

23 焊料凸塊

具體實施方式

以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。

請參閱圖1至圖12。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，雖圖示中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的形態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

請參閱圖1，本發(fā)明提供一種集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法，所述封裝方法包括以下步驟：

1)提供一載體；

2)采用引線鍵合工藝在所述載體表面金屬引線；

3)將有源模塊及無源模塊設(shè)置于所述載體形成有所述金屬引線的表面上，并在所述有源模塊及所述無源模塊表面形成金屬連接柱；

4)使用塑封材料將所述金屬引線、所述有源模塊、所述無源模塊及所述金屬連接柱封裝成型，并去除部分所述塑封材料以裸露出所述金屬引線及所述金屬連接柱；

5)在所述塑封材料表面形成再布線層，所述再布線層將所述金屬引線、所述有源模塊及所述無源模塊電連接；所述有源模塊、所述無源模塊及所述再布線層共同構(gòu)成供電傳輸系統(tǒng)；所述供電傳輸系統(tǒng)適于將外部電源提供的高電壓轉(zhuǎn)換成多個不同的低電壓，并提供多條低電壓供電軌道；

6)提供用電芯片，將所述用電芯片設(shè)置于所述再布線層表面，所述用電芯片經(jīng)由多個微凸塊實現(xiàn)與所述低電壓供電軌道的對接；

7)剝離所述載體，形成與所述金屬引線相連接的焊料凸塊。

在步驟1)中，請參閱圖1中的S1步驟及圖2，提供一載體11。

作為示例，所述載體11的材料可以選自玻璃、不銹鋼、硅、氧化硅、金屬或陶瓷中的一種或多種，或其他類似物。所述載體11可以為平板型。例如，所述載體11可以為但不僅限于具有一定厚度的玻璃圓形平板。

請參閱圖3，步驟1)之后還包括在所述載體11表面形成剝離層13的步驟。

作為示例，所述剝離層13用于黏附固定后續(xù)要形成的結(jié)構(gòu)。具體地，所述剝離層13可以為膠水層或膠帶。后續(xù)去除所述載體11時，剝離層13也一并去除。例如，剝離層13可以是采用加熱或UV解膠的雙面膠帶，剝離時可以一面采用UV解膠另一面采用加熱解膠，或者一面采用加熱解膠另一面直接撕去，兩面膠帶解除粘性的方法不同?；蛘撸瑒冸x層13也可以是鐳射解膠的犧牲層，形成這層犧牲層后，在犧牲層上涂膠水可以黏附固定后續(xù)要形成的結(jié)構(gòu)；剝離時，可采用鐳射去除犧牲層，然后再清除膠水。犧牲層可以在載體11上采用CVD沉積，也可以涂覆LTHC(light to heat)材料得到，膠水可以采用化學試劑清除。

在步驟2)中，請參閱圖1中的S2步驟及圖4，采用引線鍵合(wire bond)工藝在所述載體11表面金屬引線12。

需要說明的是，當所述載體11表面形成有所述剝離層13時，所述金屬引線12及后續(xù)提到的形成與所述載體11表面的結(jié)構(gòu)均形成于所述剝離層13的表面。

作為示例，用引線鍵合工藝在所述載體11表面金屬引線12包括如下步驟：

2-1)在所述載體11表面需要形成所述金屬引線12的位置或在所述載體11表面需要形成所述金屬引線12的位置及需要設(shè)置有源模塊及無源模塊的位置形成虛擬焊墊(未示出)；

2-2)采用引線鍵合工藝在對應(yīng)于需要形成所述金屬引線12的所述虛擬焊墊上形成所述金屬引線12。

作為示例，步驟2-1)中，在所述載體11表面需要形成所述金屬引線12的位置或在所述載體11表面需要形成所述金屬引線12的位置及需要設(shè)置有源模塊及無源模塊的位置形成所述虛擬焊墊包括如下步驟：

2-1-1)采用金屬濺射或化學鍍在所述載體11表面形成金屬層；

2-1-2)在所述金屬層表面形成光刻膠層，通過曝光、顯影在所述光刻膠層內(nèi)形成通孔，所述通孔定義出所述虛擬焊墊之外的區(qū)域；

2-1-3)采用刻蝕工藝去除暴露的所述金屬層，去除所述光刻膠層即得到所述虛擬焊墊。

需要說明的是，步驟3)涉及的所述有源模塊14及所述無源模塊15可以有兩種類型，一種為所述有源模塊14的正面與背面及所述無源模塊15的正面與背面均設(shè)有與其內(nèi)部結(jié)構(gòu)相連接的金屬焊墊，另一種為只有所述有源模塊14的正面及所述無源模塊15的正面設(shè)有與其內(nèi)部結(jié)構(gòu)相連接的金屬焊墊，所述有源模塊14的背面及所述無源模塊15的背面沒有設(shè)置金屬焊墊。當所述有源模塊14所述有源模塊14的正面與背面及所述無源模塊15的正面與背面均設(shè)有與其內(nèi)部結(jié)構(gòu)相連接的金屬焊墊時，步驟2-1)中，在所述載體11表面需要形成所述金屬引線12的位置及需要設(shè)置有源模塊及無源模塊的位置同時形成虛擬焊墊；當只有所述有源模塊14的正面及所述無源模塊15的正面設(shè)有與其內(nèi)部結(jié)構(gòu)相連接的金屬焊墊，即所述有源模塊14的背面及所述無源模塊15的背面沒有設(shè)置金屬焊墊時，步驟2-1)中只需在所述載體11表面需要形成所述金屬引線12的位置形成所述虛擬焊墊即可。

作為示例，所述金屬引線12的材料可以包括Cu、Al、Ag、Au、Sn、Ni、Ti、Ta中的一種或多種，或其他適合的導(dǎo)電金屬材料。所述虛擬焊墊的材料同樣可以包括Cu、Al、Ag、Au、Sn、Ni、Ti、Ta中的一種或多種，或其他適合的導(dǎo)電金屬材料。例如，所述金屬引線12的材料可以為Cu，所述虛擬焊墊的材料可以為Ti/Cu。

作為示例，所述金屬引線12可以為豎直柱狀，所述金屬引線12可以為多根。由于采用引線鍵合的打線方法，每次打的金屬絲比較細，因此需要打多條金屬絲作為一根所述金屬引線12以便于與后續(xù)的再布線層相連接，即每根所述金屬引線12可以包括多條金屬絲，這些金屬絲可采用引線鍵合工藝鍵合于所述載體11上；譬如，可以在一處打多條金絲、銅絲或銅金合金絲作為一根所述金屬引線12。

在步驟3)中，請參閱圖1中的S1步驟及圖5，將有源模塊14及無源模塊15設(shè)置于所述載體11形成有所述金屬引線12的表面上，并在所述有源模塊14及所述無源模塊15表面形成金屬連接柱16。

作為示例，所述有源模塊14可以包括控制器和降壓變換器，所述無源模塊15可以包括電容151、電感152和電阻(未示出)，所述有源模塊14與所述電容151、所述電感152級所述電阻等無源模塊15可以橫向地排列在同一平層中，便于與后續(xù)形成的再布線層的電連接和布圖設(shè)計，當然，所述有源模塊14余所述無源模塊15的具體排布的位置可以根據(jù)實際需要進行設(shè)計，本發(fā)明對此不作限制。

需要說明的是，該步驟中，所述有源模塊14的背面及所述無源模塊15的背面為與所述載體11相結(jié)合的結(jié)合面，即所述有源模塊14及所述無源模塊15正面朝上放置，所述金屬連接柱16與所述有源模塊14及所述無源模塊15正面的所述焊墊相連接，以便于與后續(xù)形成的再布線層的電連接。

需要進一步說明的是，當所述有源模塊14的背面及所述無源模塊15的背面均設(shè)有金屬焊墊時，可以借助助焊劑，并利用高溫回流工藝形成合金層，以實現(xiàn)所述有源模塊14的背面及所述無源模塊15的背面的所述金屬焊墊與所述虛擬焊墊的焊接固定，從而將所述有源模塊14及所述無源模塊15固定于所述載體11上；當所述有源模塊14的背面及所述無源模塊15的背面均沒有金屬焊墊時，可以借助膠水或雙面膠等粘合物將所述有源模塊14及所述無源模塊15固定于所述載體11上。

在步驟4)中，請參閱圖1中的S4步驟及圖6及圖7，使用塑封材料17將所述金屬引線12、所述有源模塊14、所述無源模塊15及所述金屬連接柱16封裝成型，并去除部分所述塑封材料17以裸露出所述金屬引線12及所述金屬連接柱16。

作為示例，可以采用壓縮成型、傳遞模塑、液壓成型、真空層壓或旋涂等工藝將所述金屬引線12、所述有源模塊14、所述無源模塊15及所述金屬連接柱16封裝成型。所述塑封材料17可以為環(huán)氧類樹脂、液體型熱固性環(huán)氧樹脂、塑料成型化合物或類似物。

作為示例，可以采用機械研磨、化學拋光或刻蝕中的一種或多種去除部分所述塑封材料17。

在步驟5)中，請參閱圖1中的S5步驟及圖8，在所述塑封材料17表面形成再布線層18，所述再布線層18將所述金屬引線12、所述有源模塊14及所述無源模塊15電連接；所述有源模塊14、所述無源模塊15及所述再布線層18共同構(gòu)成供電傳輸系統(tǒng)；所述供電傳輸系統(tǒng)適于將外部電源提供的高電壓轉(zhuǎn)換成多個不同的低電壓，并提供多條低電壓供電軌道。

需要說明的是，此處所述的“高電壓”是指高于后續(xù)提到的用電芯片所需電壓的電壓，此處所述的“低電壓”是指低于所述“高電壓”的電壓，亦即所述用電芯片所需的電壓。

作為示例，所述再布線層18包括：金屬連線182、金屬插塞及設(shè)置于所述金屬連線182及金屬插塞周圍的介電層181，所述金屬連線182用于實現(xiàn)所述金屬引線12、所述有源模塊14及所述無源模塊15的電連接，所述金屬插塞用于實現(xiàn)各層之間的所述金屬連線182之間的層間連接。

作為示例，所述金屬連線182的材料包括Cu、Al、Ag、Au、Sn、Ni、Ti、Ta中的一種或多種，或其他適合的導(dǎo)電金屬材料。例如，所述金屬連線182可以為Cu線，制作Cu線的種子層可以為Ti/Cu層。形成所述金屬連線182的方法可以包括電解鍍、化學鍍、絲網(wǎng)印刷中的一種或多種，或其他適合的金屬沉積工藝?？梢韵韧ㄟ^激光鉆孔、機械鉆孔、反應(yīng)離子刻蝕、納米壓印或其他適合的開孔方法在所述介電層181內(nèi)形成通孔，然后再所述通孔內(nèi)填充金屬材料即可形成所述金屬插塞；所述金屬插塞的材料可以為焊料或Cu，填充方法可以為電解鍍、化學鍍、絲網(wǎng)印刷、引線鍵合或其他適合在通孔中填充導(dǎo)電材料的方法。

作為示例，所述再布線層18表面設(shè)置有與所述金屬連線182電連接的凸塊金屬層(未示出)，所述金屬引線12、所述有源模塊14、所述無源模塊15及后續(xù)用到的用電芯片均經(jīng)由所述凸塊金屬層與所述再布線層18相連接，具體的，所述金屬引線12、所述有源模塊14、所述無源模塊15及用電芯片均經(jīng)由所述凸塊金屬層與所述再布線層18中的所述金屬連線182相連接。

在步驟6)中，請參閱圖1中的S6步驟及圖9，提供用電芯片19，將所述用電芯片19設(shè)置于所述再布線層18表面，所述用電芯片19經(jīng)由多個微凸塊20實現(xiàn)與所述低電壓供電軌道的對接。

作為示例，可以采用超聲鍵合、熱壓鍵合或普通的回流焊等工藝將所述用電芯片19經(jīng)由多個微凸塊20焊接于所述再布線層18上。

作為示例，所述用電芯片19可以為但不僅限于專用集成電路裸芯(ASIC Die)。

請參閱圖10，步驟6)之后還包括在所述用電芯片19底部的所述微凸塊20之間的區(qū)域進行底部填充的步驟，以將所述用電芯片19固定于所述再布線層18上。具體的，通過在所述用電芯片19底部的所述微凸塊20之間的區(qū)域填充底部填充材料21將所述用電芯片19固定于所述再布線層18上，所述填充材料可以為但不僅限于底部填充膠。

具體的，所述底部填充可以為毛細管底部填充(CUF，Capillary Underfill)或成型材料底部填充(MUF，Molding UnderFill)。

作為示例，在所述用電芯片19底部所述微凸塊20之間的區(qū)域進行底部填充之后，還包括在所述用電芯片19周圍及底部填充的底部填充材料21周圍形成塑封材料層22的步驟。

在步驟7)中，請參閱圖1中的S7步驟及圖11及圖12，剝離所述載體11，形成與所述金屬引線12相連接的焊料凸塊23。

作為示例，可以采用機械研磨、化學拋光、刻蝕、紫外線剝離、機械剝離中的一種或多種剝離所述載體11；優(yōu)選地，本實施例中，可以通過去除所述剝離層13以剝離所述載體11。剝離所述載體11之后的結(jié)構(gòu)如圖11所示。

作為示例，所述焊料凸塊23可以為焊錫球，優(yōu)選地，本實施例中，所述焊料凸塊23采用球柵陣列結(jié)構(gòu)(Ball Grid Array，BGA)。所述封裝件通過所述焊料凸塊23與外部電源相連接。形成與所述金屬引線12相連接的焊料凸塊23的結(jié)構(gòu)如圖12所示。

綜上所述，本發(fā)明提供一種集成有供電傳輸系統(tǒng)的封裝件的封裝方法，所述封裝方法包括如下步驟：1)提供一載體；2)采用電鍍工藝在所述載體表面金屬引線；3)將有源模塊及無源模塊設(shè)置于所述載體形成有所述金屬引線的表面上，并在所述有源模塊及所述無源模塊表面形成金屬連接柱；4)使用塑封材料將所述金屬引線、所述有源模塊、所述無源模塊及所述金屬連接柱封裝成型，并去除部分所述塑封材料以裸露出所述金屬引線及所述金屬連接柱；5)在所述塑封材料表面形成再布線層，所述再布線層將所述金屬引線、所述有源模塊及所述無源模塊電連接；所述有源模塊、所述無源模塊及所述再布線層共同構(gòu)成供電傳輸系統(tǒng)；所述供電傳輸系統(tǒng)適于將外部電源提供的高電壓轉(zhuǎn)換成多個不同的低電壓，并提供多條低電壓供電軌道；6)提供用電芯片，將所述用電芯片設(shè)置于所述再布線層表面，所述用電芯片經(jīng)由多個微凸塊實現(xiàn)與所述低電壓供電軌道的對接；7)剝離所述載體，形成與所述金屬引線相連接的焊料凸塊。本發(fā)明具有以下有益效果：(1)采用現(xiàn)有的有源元件和無源元件形成有源2.5D中介板，然后通過微凸塊或其它凸塊結(jié)構(gòu)將用電芯片集成在有源2.5D中介板上，得到三維堆疊結(jié)構(gòu)；其中，所述用電芯片可以是專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit，簡稱ASIC)；(2)在三維堆疊結(jié)構(gòu)中，有源2.5D中介板作為功率傳輸功率芯片，緊密集成于在用電芯片下方，解決了功率傳輸?shù)膯栴}；(3)整個系統(tǒng)電路板的功率傳輸系統(tǒng)由所述功率傳輸芯片實現(xiàn)，所述功率傳輸芯片包括控制器、降壓變換器(buck converter)、電容(CAP(3T))，電感(L(2T))和電阻，從而消除了系統(tǒng)板上所有的無源元件；(4)所述功率傳輸芯片中的降壓變換器可以產(chǎn)生成千上萬低電壓功率傳輸軌道(供電軌道)，這些低電壓功率傳輸軌道通過微凸塊對接用電芯片；(5)本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)由于集成了包含無源元件的功率傳輸芯片，可以消除封裝基板例如PCB板上的寄生電阻，從而提高了功率傳輸效率，改善了功率控制的響應(yīng)時間；(6)通過減少壓降和噪聲提高了保真度，從而改善了響應(yīng)時間。由于需要更少的設(shè)計余量，可以獲得更好的保真度性能改善。

上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。