技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及在氧化物襯底上的FinFET溝道和相關(guān)方法。本發(fā)明提供一種用于制造半導(dǎo)體組件的方法，所述組件具有基本上為零摻雜劑的溝道區(qū)域，所述方法包含從襯底處形成多個(gè)鰭。在各種實(shí)施例中，多個(gè)鰭中的每一個(gè)包含：襯底的一部分，在所述襯底部分上的第一磊晶層的一部分，和在第一磊晶層的所述部分上的第二磊晶層的一部分。氧化所述多個(gè)鰭中的每一個(gè)的所述第一磊晶層的所述部分，并且在所述多個(gè)鰭中的每一個(gè)之上形成襯墊層。然后，形成鄰接于所述襯墊層的凹陷的隔離區(qū)。在其后，可蝕刻所述襯墊層，以暴露殘余材料部分，所述殘余材料部分鄰接于所述多個(gè)鰭中的每一個(gè)的所述第二磊晶層的所述部分的底部，和移除所述殘余材料部分。

技術(shù)研發(fā)人員：江國(guó)誠(chéng);蔡慶威;梁英強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510851598
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.27
技術(shù)公布日：2017.01.11