1.一種半導(dǎo)體元件的制作方法，包括：
在一半導(dǎo)體基底的一存儲器區(qū)上形成多個選擇柵極；
在兩相鄰的選擇柵極之間形成兩電荷存儲結(jié)構(gòu)；
在該半導(dǎo)體基底中形成一源極區(qū)，其中該源極區(qū)形成于該兩相鄰的選擇柵極之間；
形成一絕緣塊，該絕緣塊形成于該兩電荷存儲結(jié)構(gòu)之間以及該源極區(qū)上；以及
在該絕緣塊上形成一存儲柵極，其中該存儲柵極與該兩電荷存儲結(jié)構(gòu)連接。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中各該電荷存儲結(jié)構(gòu)包括：
第一氧化物層；
氮化物層，形成于該第一氧化物層上；以及
第二氧化物層，形成于該氮化物層上，其中該第二氧化物層以及該絕緣塊由同一氧化制作工藝所形成。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，還包括：
在該半導(dǎo)體基底的一邏輯區(qū)上形成一虛置柵極。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該虛置柵極以及該存儲柵極由一多晶硅層所形成。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，還包括：
對該存儲柵極進行一掘入制作工藝；以及
在該掘入制作工藝之后，在該存儲柵極上形成一自對準硅化物(self-aligned silicide)。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，還包括：
移除該邏輯區(qū)的該虛置柵極并以一金屬柵極取代該虛置柵極，其中移除該虛置柵極并以該金屬柵極取代該虛置柵極的方法包括一替換性金屬柵極(replacement metal gate，RMG)制作工藝。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，還包括：
在該半導(dǎo)體基底的該邏輯區(qū)以及該存儲器區(qū)上形成一高介電常數(shù)介電 層；以及
在該高介電常數(shù)介電層上形成一阻障層，其中部分的該高介電常數(shù)介電層以及部分的該阻障層形成于該兩相鄰的選擇柵極之間。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該高介電常數(shù)介電層于該虛置柵極被移除之前形成。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該高介電常數(shù)介電層以及該阻障層于該虛置柵極被移除之后形成。
10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中至少部分的該高介電常數(shù)介電層以及至少部分的該阻障層位于該存儲柵極以及該電荷存儲結(jié)構(gòu)之間。
11.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該存儲柵極以及該邏輯區(qū)的該金屬柵極由該替換性金屬柵極制作工藝所形成，且該存儲柵極包括一金屬導(dǎo)電材料。
12.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該選擇柵極以及該邏輯區(qū)的該金屬柵極由該替換性金屬柵極制作工藝所形成，且該選擇柵極包括一金屬導(dǎo)電材料。
13.一種半導(dǎo)體元件，包括：
半導(dǎo)體基底，具有一存儲器區(qū)；
多個選擇柵極，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該存儲器區(qū)上；
兩電荷存儲結(jié)構(gòu)設(shè)置于兩相鄰的選擇柵極之間；
源極區(qū)，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底中且設(shè)置于該兩相鄰的選擇柵極之間；
絕緣塊，設(shè)置于該源極區(qū)上且設(shè)置于該兩電荷存儲結(jié)構(gòu)之間；以及
存儲柵極，設(shè)置于該絕緣塊上，其中該存儲柵極與該兩電荷存儲結(jié)構(gòu)連接。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，其中各該電荷存儲結(jié)構(gòu)包括：
第一氧化物層；
氮化物層，設(shè)置于該第一氧化物層上；以及
第二氧化物層，設(shè)置于該氮化物層上。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，其中該存儲柵極以及該多個選擇柵極由多晶硅構(gòu)成，且該半導(dǎo)體元件還包括一自對準硅化物設(shè)置于該存儲柵極以及至少一個該選擇柵極上。
16.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，還包括：
高介電常數(shù)介電層，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該存儲器區(qū)以及一邏輯區(qū)上；以及
阻障層，設(shè)置于該高介電常數(shù)介電層上，其中部分的該高介電常數(shù)介電層以及部分的該阻障層設(shè)置于該兩相鄰的選擇柵極之間。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件，其中至少部分的該高介電常數(shù)介電層以及至少部分的該阻障層設(shè)置于該存儲柵極以及該電荷存儲結(jié)構(gòu)之間。
18.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件，其中位于該邏輯區(qū)上的該高介電常數(shù)介電層以及位于該存儲器區(qū)上的該高介電常數(shù)介電層分別包括一U型高介電常數(shù)結(jié)構(gòu)。
19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體元件，其中該選擇柵極包括一金屬導(dǎo)電材料，且該金屬導(dǎo)電材料被該存儲器區(qū)的該U型高介電常數(shù)結(jié)構(gòu)圍繞。
20.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體元件，其中該存儲柵極包括一金屬導(dǎo)電材料，且該金屬導(dǎo)電材料被該存儲器區(qū)的該U型高介電常數(shù)結(jié)構(gòu)圍繞。