技術(shù)編號：11925383
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體元件以及其制作方法，尤其是涉及一種以一個存儲柵極與兩個電荷存儲結(jié)構(gòu)對應(yīng)設(shè)置以提升單元密度的半導體元件以及其制作方法。背景技術(shù)半導體存儲器為電腦或電子產(chǎn)品中用于存儲數(shù)據(jù)的半導體元件，其可概分為揮發(fā)性存儲器(volatile)與非揮發(fā)性存儲器，其中非揮發(fā)性存儲器由于具有不因電源供應(yīng)中斷而造成存儲數(shù)據(jù)遺失的特性，而被廣泛地使用。作為非揮發(fā)性存儲器的其中一種，SONOS存儲器結(jié)構(gòu)主要是具有一氮化物層，夾設(shè)于兩層氧化物層之間，此一氮化物層作為電子或電動的電荷捕捉層(chargetrap...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。