1.一種多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)，包含有:
基底，其中設有一導電區(qū)域，位于一電容形成區(qū)域內(nèi)；
金屬層間介電層，設于該基底上，并覆蓋該電容形成區(qū)域；
電容溝槽，位于該電容形成區(qū)域內(nèi)，貫穿該金屬層間介電層，顯露出部分該導電區(qū)域；
呈同心圓排列的電容下電極結(jié)構(gòu)，設于該電容溝槽內(nèi)，該電容下電極結(jié)構(gòu)包括第一下電極以及第二下電極，其中該第一下電極環(huán)繞著該第二下電極，且該第一下電極直接接觸該導電區(qū)域；
導電支撐底座，位于該電容溝槽內(nèi)，其固定住并電連接該第一下電極以及該第二下電極的底部；
電容介電層，順形的設置在該第一下電極、該第二下電極以及該導電支撐底座的表面上；以及
電容上電極，設置在該電容介電層上。
2.如權(quán)利要求1所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)，其中在該電容形成區(qū)域以外的該金屬層間層中，另有設有一金屬內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)，其中該電容形成區(qū)域位于一邏輯電路區(qū)域內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)，其中該電容溝槽的寬度小于該導電區(qū)域的寬度。
5.如權(quán)利要求1所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)，其中該電容上電極填滿該第一下電極與該第二下電極之間的空隙。
6.如權(quán)利要求5所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)，其中該電容上電極包含銅、鋁、鈦、氮化鈦、鎢。
7.如權(quán)利要求1所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)，其中該第一下電極與該第二下電極由鈦、氮化鈦所構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求7所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)，其中該導電支撐底座由鎢金屬所構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求1所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)，其中該電容下電極結(jié)構(gòu)還包含第三下電極，其中該第二下電極環(huán)繞著該第三下電 極。
10.如權(quán)利要求9所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)，其中該導電支撐底座固定住并且電連接該第一下電極、該第二下電極、該第三下電極的底部，使得該第一下電極、該第二下電極、該第三下電極不會倒塌。
11.如權(quán)利要求10所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)，其中該第一下電極不直接接觸到該第二下電極，該第二下電極不直接接觸到該第三下電極。
12.如權(quán)利要求10所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)，其中該第三下電極的底部高于該第二下電極的底部，且該第二下電極的底部高于該第一下電極的底部。
13.如權(quán)利要求1所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)，其中該電容介電層覆蓋在該金屬層間介電層的一上表面上。
14.如權(quán)利要求13所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)，其中該第一下電極與該第二下電極的最頂端與該金屬層間介電層的該上表面切齊。
15.如權(quán)利要求1所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)，其中該第一下電極直接接觸該金屬層間介電層。
16.一種多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)的制作方法，包含有:
提供一基底，其中設有一導電區(qū)域，位于一電容形成區(qū)域內(nèi)；
在該基底上沉積一金屬層間介電層，覆蓋該電容形成區(qū)域；
在該金屬層間介電層中形成一電容溝槽，位于該電容形成區(qū)域內(nèi)，貫穿該金屬層間介電層，顯露出部分該導電區(qū)域；
在該電容溝槽內(nèi)形成一呈同心圓排列的電容下電極結(jié)構(gòu)，其中該電容下電極結(jié)構(gòu)包括第一下電極以及第二下電極，其中該第一下電極環(huán)繞著該第二下電極，且該第一下電極直接接觸該導電區(qū)域；
在該電容溝槽內(nèi)形成一導電支撐底座，固定住并電連接該第一下電極以及該第二下電極的底部；
順形的在該第一下電極、該第二下電極以及該導電支撐底座的表面上形成一電容介電層；以及
在該電容介電層上形成一電容上電極。
17.如權(quán)利要求16所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)的制 作方法，其中于該金屬層間介電層中形成該電容溝槽之前，先在該電容形成區(qū)域以外的該金屬層間層中，形成一金屬內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。
18.如權(quán)利要求16所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該電容上電極填滿該第一下電極與該第二下電極之間的空隙。
19.如權(quán)利要求18所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該電容上電極包含銅、鋁、鈦、氮化鈦、鎢。
20.如權(quán)利要求16所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該第一下電極與該第二下電極由鈦、氮化鈦所構(gòu)成。
21.如權(quán)利要求20所述的多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該導電支撐底座由鎢金屬所構(gòu)成。