本發(fā)明是關(guān)于一種互連基板、其制作方法及垂直堆疊式半導(dǎo)體組件,尤指一種具有凹穴的互連基板,其中該凹穴被一系列垂直連接通道所環(huán)繞,且該些垂直連接通道由金屬柱及金屬化盲孔組合而成。
背景技術(shù):
多媒體裝置的市場(chǎng)趨勢(shì)傾向于更迅速且更薄型化的設(shè)計(jì)需求。其中一種方法是將多個(gè)元件堆疊于線路板上,以改善電性效能并達(dá)到最小外觀(form-factor)。如美國(guó)專利案號(hào)7,894,203即基于此目的而揭露一種具有凹穴的線路板,其凹穴周圍設(shè)有電鍍金屬柱。然而,由于很難通過(guò)電鍍形成具有高縱橫尺寸比(aspect ratio opening)的金屬柱(即高細(xì)的金屬柱),因此金屬柱處的空隙或接合強(qiáng)度不足皆可能導(dǎo)致未連接I/O、元件失效及生產(chǎn)合格率低等問(wèn)題。此外,美國(guó)專利案號(hào)7,989,950則是于基板上接置焊球以作為垂直連接通道,再以模封材包覆該些垂直連接通道,并形成凹穴。然而,由于焊球通常于回焊后會(huì)形成球狀,故符合所需高度的大顆焊球會(huì)導(dǎo)致線路板尺寸變大。因此,使用焊球作為垂直連接并無(wú)法滿足移動(dòng)裝置的嚴(yán)苛要求。
為了上述理由及以下所述的其他理由,目前亟需發(fā)展一種具有凹穴的新式線路板,以達(dá)到超高封裝密度、高信號(hào)完整度、小尺寸及高生產(chǎn)合格率的要求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的主要目的是提供一種互連基板,其具有一凹穴及多個(gè)設(shè)于凹穴周圍的垂直連接通道,適用于制作超薄的垂直堆疊式半導(dǎo)體組件。
本發(fā)明的另一目的是提供一種互連基板,其凹穴是由核心層中的凹口及加強(qiáng)層中的穿口組合而成,如此一來(lái)凹穴便可達(dá)到足以容納半導(dǎo)體元件的深度。
本發(fā)明的再一目的是提供一種互連基板,其設(shè)于凹穴周圍的一系列垂直連接通道由金屬柱及金屬化盲孔組合而成。由于金屬柱的高度加上盲孔的深度可符合或大于凹穴的深度,故該互連基板可對(duì)堆疊設(shè)置的元件提供垂直互連路由,且具有高生產(chǎn)合格率及低成本的優(yōu)點(diǎn)。
依據(jù)上述及其他目的,本發(fā)明提供一種互連基板,其包括一核心層、一增層電路、一加強(qiáng)層、一系列金屬柱及一凹穴。該核心層具有第一表面及相反第二表面。該增層電路設(shè)置于核心層的第一表面上,并具有背向核心層第一表面的一外表面。該加強(qiáng)層設(shè)置于核心層的第二表面上,并具有背向核心層第二表面的一外表面。所述金屬柱封埋于加強(qiáng)層中,并由加強(qiáng)層的外表面顯露,且通過(guò)核心層中的金屬化盲孔電性連接至增層電路。該凹穴包含加強(qiáng)層中的穿口及核心層中的凹口,且具有一底表面及側(cè)壁,該底表面背向增層電路的外表面,而該些側(cè)壁由底表面延伸至加強(qiáng)層的外表面。該穿口及該凹口相互對(duì)準(zhǔn)。該增層電路具有一系列接觸墊,且該些接觸墊由凹穴的底表面顯露。
在另一方面中,本發(fā)明提供一種垂直堆疊式半導(dǎo)體組件,其包括上述互連基板、一第一半導(dǎo)體元件及一第二半導(dǎo)體元件。該第一半導(dǎo)體元件設(shè)置于凹穴中,并通過(guò)從凹穴底表面顯露的接觸墊,電性耦接至互連基板。該第二半導(dǎo)體元件設(shè)置于增層電路的外表面或加強(qiáng)層的外表面上,并通過(guò)增層電路或金屬柱,電性耦接至互連基板。
在再一方面中,本發(fā)明提供一種互連基板的制作方法,其包括下述步驟:于一金屬載板的一表面上形成一金屬凸層;形成一核心層,其覆蓋該金屬凸層及該金屬載板的剩余表面,且該核心層具有背向金屬載板的第一表面及鄰近金屬載板的相反第二表面;移除金屬載板的一部分,以形成一系列金屬柱及一金屬塊,該金屬塊對(duì)準(zhǔn)該金屬凸層;由核心層的第一表面形成一增層電路,該第一增層電路具有背向核心層第一表面的一外表面;形成一加強(qiáng)層,其覆蓋核心層的第二表面及金屬塊與金屬柱的側(cè)壁,該加強(qiáng)層具有背向核心層第二表面的一外表面;以及移除金屬塊及金屬凸層,以形成一凹穴,該凹穴包含一穿口及一凹口,該穿口位于加強(qiáng)層中,而該凹口位于該核心層中,同時(shí)該凹穴具有一底表面及側(cè)壁,其側(cè)壁由該底表面延伸至加強(qiáng)層的外表面。
除非特別描述或必須依序發(fā)生的步驟,上述步驟的順序并無(wú)限制于以上所列,且可根據(jù)所需設(shè)計(jì)而變化或重新安排。
本發(fā)明的互連基板制作方法具有許多優(yōu)點(diǎn)。舉例來(lái)說(shuō),在核心層中形成凹口的作法是特別具有優(yōu)勢(shì)的,其原因在于,用于垂直連接的金屬柱,其可利用凹穴的深度以降低金屬柱所需的最小高度。由于第一半導(dǎo)體元件可設(shè)置于核心層的凹口處,并延伸至加強(qiáng)層的穿口,故無(wú)需為了達(dá)到超薄垂直堆疊半導(dǎo)體組件的特色而對(duì)第一半導(dǎo)體元件進(jìn)行額外的輪磨(grinding)或研磨(lapping)步驟。在核心層上形成金屬柱可提供進(jìn)行封裝疊加(package-on-package)互連工藝時(shí)所需的垂直路由,借此可將第二半導(dǎo)體元件設(shè)置于加強(qiáng)層上,并通過(guò)增層電路使第二半導(dǎo)體元件電性耦接至凹穴中的第一半導(dǎo)體元件。此外,第二半導(dǎo)體元件亦可接置于增層電路的外表面上,借此核心層第一表面上的增層電路可于第一及第二半導(dǎo)體元件間提供最短的互連距離。
本發(fā)明的上述及其他特征與優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)下述優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)敘述更加清楚明了。
附圖說(shuō)明
參考隨附附圖,本發(fā)明可通過(guò)下述優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)敘述更加清楚明了,其中:
圖1及2分別為本發(fā)明第一實(shí)施方面中,于金屬載板上形成金屬凸層的剖視圖及底部立體示意圖;
圖3為本發(fā)明第一實(shí)施方面中,圖1結(jié)構(gòu)上形成核心層及金屬層的剖視圖;
圖4及5分別為本發(fā)明第一實(shí)施方面中,圖3結(jié)構(gòu)上形成盲孔的剖視圖及頂部立體示意圖;
圖6為本發(fā)明第一實(shí)施方面中,圖4結(jié)構(gòu)上形成被覆層的剖視圖;
圖7及8分別為本發(fā)明第一實(shí)施方面中,將圖6結(jié)構(gòu)中的一部分金屬載板移除的剖視圖及頂部立體示意圖;
圖9及10分別為本發(fā)明第一實(shí)施方面中,圖7及8的結(jié)構(gòu)上形成加強(qiáng)層的剖視圖及頂部立體示意圖;
圖11及12分別為本發(fā)明第一實(shí)施方面中,圖9及10的結(jié)構(gòu)上形成導(dǎo)線的剖視圖及底部立體示意圖;
圖13及14分別為本發(fā)明第一實(shí)施方面中,圖11及12的結(jié)構(gòu)上形成凹穴,以制作完成互連基板的剖視圖及頂部立體示意圖;
圖15為本發(fā)明第一實(shí)施方面中,將第一半導(dǎo)體元件電性耦接至圖13互連基板的半導(dǎo)體組件剖視圖;
圖16為本發(fā)明第一實(shí)施方面中,將第二半導(dǎo)體元件電性耦接至圖15半導(dǎo)體組件的垂直堆疊式半導(dǎo)體組件剖視圖;
圖17為本發(fā)明第一實(shí)施方面中,將第二半導(dǎo)體元件電性耦接至圖15半導(dǎo)體組件的另一垂直堆疊式半導(dǎo)體組件剖視圖;
圖18為本發(fā)明第二實(shí)施方面中,金屬載板上形成金屬凸層及一系列輔助金屬墊的剖視圖;
圖19為本發(fā)明第二實(shí)施方面中,圖18結(jié)構(gòu)上形成核心層的剖視圖;
圖20為本發(fā)明第二實(shí)施方面中,圖19結(jié)構(gòu)上形成盲孔的剖視圖;
圖21為本發(fā)明第二實(shí)施方面中,圖20結(jié)構(gòu)上形成被覆層的剖視圖;
圖22為本發(fā)明第二實(shí)施方面中,由圖21結(jié)構(gòu)形成一金屬塊、金屬柱及導(dǎo)線的剖視圖;
圖23為本發(fā)明第二實(shí)施方面中,圖22的結(jié)構(gòu)上形成加強(qiáng)層的剖視圖;
圖24為本發(fā)明第二實(shí)施方面中,圖23的結(jié)構(gòu)上形成凹穴,以制作完成互連基板的剖視圖;
圖25為本發(fā)明第二實(shí)施方面中,將第一半導(dǎo)體元件電性耦接至圖24互連基板的半導(dǎo)體組件剖視圖;
圖26為本發(fā)明第二實(shí)施方面中,將第二半導(dǎo)體元件電性耦接至圖25半導(dǎo)體組件的垂直堆疊式半導(dǎo)體組件剖視圖;
圖27為本發(fā)明第二實(shí)施方面中,將第二半導(dǎo)體元件電性耦接至圖25半導(dǎo)體組件的另一垂直堆疊式半導(dǎo)體組件剖視圖;
圖28為本發(fā)明第三實(shí)施方面中,圖18的結(jié)構(gòu)上形成路由線的剖視圖;
圖29為本發(fā)明第三實(shí)施方面中,圖28結(jié)構(gòu)上形成核心層的剖視圖;
圖30為本發(fā)明第三實(shí)施方面中,圖29結(jié)構(gòu)上形成盲孔的剖視圖;
圖31為本發(fā)明第三實(shí)施方面中,圖30結(jié)構(gòu)上形成導(dǎo)線的剖視圖;
圖32為本發(fā)明第三實(shí)施方面中,由圖31結(jié)構(gòu)形成一金屬塊及金屬柱的剖視圖;
圖33為本發(fā)明第三實(shí)施方面中,圖32的結(jié)構(gòu)上形成加強(qiáng)層的剖視圖;
圖34為本發(fā)明第三實(shí)施方面中,圖33的結(jié)構(gòu)上形成凹穴,以制作完成互連基板的剖視圖;
圖35為本發(fā)明第三實(shí)施方面中,將第一半導(dǎo)體元件電性耦接至圖34互連基板的半導(dǎo)體組件剖視圖;
圖36為本發(fā)明第三實(shí)施方面中,將第二半導(dǎo)體元件電性耦接至圖35半導(dǎo)體組件的垂直堆疊式半導(dǎo)體組件剖視圖;
圖37為本發(fā)明第三實(shí)施方面中,將第二半導(dǎo)體元件電性耦接至圖35半導(dǎo)體組件的另一垂直堆疊式半導(dǎo)體組件剖視圖;
圖38為本發(fā)明第四實(shí)施方面中,圖1結(jié)構(gòu)上形成核心層且于核心層中形成盲孔的剖視圖;
圖39為本發(fā)明第四實(shí)施方面中,圖38結(jié)構(gòu)上形成第一導(dǎo)線的剖視圖;
圖40為本發(fā)明第四實(shí)施方面中,圖39結(jié)構(gòu)上形成介電層并于介電層中形成盲孔的剖視圖;
圖41為本發(fā)明第四實(shí)施方面中,圖40結(jié)構(gòu)上形成第二導(dǎo)線的剖視圖;
圖42為本發(fā)明第四實(shí)施方面中,由圖41結(jié)構(gòu)形成一金屬塊及金屬柱的剖視圖;
圖43為本發(fā)明第四實(shí)施方面中,圖42的結(jié)構(gòu)上形成加強(qiáng)層的剖視圖;
圖44為本發(fā)明第四實(shí)施方面中,圖43的結(jié)構(gòu)上形成凹穴的剖視圖;
圖45為本發(fā)明第四實(shí)施方面中,圖44的結(jié)構(gòu)上形成盲孔,以制作完成互連基板的剖視圖;
圖46為本發(fā)明第四實(shí)施方面中,將第一半導(dǎo)體元件電性耦接至圖45互連基板的半導(dǎo)體組件剖視圖;
圖47為本發(fā)明第四實(shí)施方面中,將第二半導(dǎo)體元件電性耦接至圖46半導(dǎo)體組件的垂直堆疊式半導(dǎo)體組件剖視圖;
圖48為本發(fā)明第四實(shí)施方面中,將第二半導(dǎo)體元件電性耦接至圖46半導(dǎo)體組件的另一垂直堆疊式半導(dǎo)體組件剖視圖;
圖49為本發(fā)明第五實(shí)施方面中,金屬柱凸出加強(qiáng)層的另一互連基板剖視圖;以及
圖50為本發(fā)明第六實(shí)施方面中,加強(qiáng)層中形成開(kāi)孔以顯露金屬柱的再一互連基板剖視圖。
【符號(hào)說(shuō)明】
互連基板100、200、300、400、500、600
金屬載板11
金屬塊111
金屬柱113
金屬凸層12
側(cè)壁121、503
輔助金屬墊13
凹口20
核心層21
第一表面212
盲孔213、313、323
第二表面214
增層電路30
外表面302、402
金屬層31
被覆層31’
路由線311
導(dǎo)線315
第一導(dǎo)線316
金屬化盲孔317
第一金屬化盲孔318
接觸墊319
介電層322
第二導(dǎo)線326
第二金屬化盲孔328
穿40
加強(qiáng)層41
開(kāi)孔413
凹穴50
底表面502
第一半導(dǎo)體元件61
第二半導(dǎo)體元件63
凸塊81、85
焊球83
樹(shù)脂密封元件91
具體實(shí)施方式
在下文中,將提供一實(shí)施例以詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方面。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)以及功效將通過(guò)本發(fā)明所揭露的內(nèi)容而更為顯著。在此說(shuō)明所附的附圖是簡(jiǎn)化過(guò)且作為例示用。附圖中所示的元件數(shù)量、形狀及尺寸可依據(jù)實(shí)際情況而進(jìn)行修改,且元件的配置可能更為復(fù)雜。本發(fā)明中也可進(jìn)行其他方面的實(shí)踐或應(yīng)用,且不偏離本發(fā)明所定義的精神及范疇的條件下,可進(jìn)行各種變化以及調(diào)整。
[實(shí)施例1]
圖1-14為本發(fā)明第一實(shí)施方面中,一種互連基板的制作方法圖,該互連基板包括一核心層、一增層電路、一加強(qiáng)層、一系列金屬柱及一凹穴。
圖1及2分別為金屬載板11上形成金屬凸層12的剖視圖及底部立體示意圖。金屬載板11及金屬凸層12通常由銅、鋁、鎳、不銹鋼、或其他金屬或合金制成。金屬凸層12的材料可與金屬載板11相同或相異。金屬載板11的厚度可為0.05毫米至0.5毫米(優(yōu)選為0.1毫米至0.2毫米),而金屬凸層12的厚度可為10微米至100微米。在本實(shí)施方面中,該金屬載板11由銅所制成并具有0.15毫米厚度,而金屬凸層12由銅所制成并具有30微米厚度。金屬凸層12可通過(guò)圖案化沉積法形成于金屬載板11的一表面上,如電鍍、無(wú)電電鍍、蒸鍍、濺射或其組合,或者通過(guò)刻蝕或機(jī)械刻蝕(carving)而形成。
圖3為金屬載板11與金屬凸層12上形成核心層21及金屬層31的剖視圖。該核心層21及該金屬層31通常通過(guò)層壓或涂布方式形成。核心層21可由環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、或其類似物所制成,而金屬層31通常為銅層。核心層21接觸金屬凸層12及金屬載板11的剩余表面,并由下方覆蓋并側(cè)向延伸于金屬凸層12及金屬載板11的剩余表面上,同時(shí)于側(cè)面方向上環(huán)繞且同形披覆金屬凸層12的側(cè)壁121。據(jù)此,核心層21的第一表面212背向金屬載板11及金屬凸層12,且其相對(duì)的第二表面214則鄰接并接觸金屬載板11。金屬層31接觸核心層21的第一表面212,并由下方覆蓋核心層21的第一表面212。
圖4及5分別為形成盲孔213的剖視圖及底部立體示意圖,以由下方顯露金屬載板11及金屬凸層12的選定部位。盲孔213可通過(guò)各種技術(shù)形成,其包括激光鉆孔、等離子體刻蝕、及光刻技術(shù),且通常具有50微米的直徑??墒褂妹}沖激光提高激光鉆孔效能。或者,可使用掃描激光束,并搭配金屬掩模。盲孔213延伸穿過(guò)核心層21及金屬層31,并對(duì)準(zhǔn)金屬載板11及金屬凸層12的選定部位。
圖6為金屬層31上及盲孔213內(nèi)形成被覆層31’的剖視圖。被覆層31’自金屬載板11及金屬凸層12朝下延伸,并填滿盲孔213,以形成直接接觸金屬載板11及金屬凸層12的金屬化盲孔317,同時(shí)側(cè)向延伸于核心層21上。
被覆層31’可通過(guò)各種技術(shù)沉積為單層或多層,如電鍍、無(wú)電電鍍、蒸鍍、濺射或其組合。舉例來(lái)說(shuō),首先通過(guò)將該結(jié)構(gòu)浸入活化劑溶液中,使核心層21與無(wú)電鍍銅產(chǎn)生催化劑反應(yīng),接著以無(wú)電電鍍方式被覆一薄銅層作為晶種層,然后以電鍍方式將所需厚度的第二銅層形成于晶種層上?;蛘?,在晶種層上沉積電鍍銅層前,該晶種層可通過(guò)濺射方式形成如鈦/銅的晶種層薄膜。
圖7及8分別為形成一金屬塊111及陣列式金屬柱113的剖視圖及頂部立體示意圖。在此,可通過(guò)如光刻技術(shù)及濕刻蝕方式,移除金屬載板11的選定部位,以形成金屬塊111及金屬柱113。金屬塊111對(duì)準(zhǔn)金屬凸層12,并由上方覆蓋金屬凸層12,而金屬柱113則位于核心層21的第二表面214上,并電性連接至金屬化盲孔317。
圖9及10分別為于核心層21的外露第二表面214上形成加強(qiáng)層41的剖視圖及頂部立體示意圖。加強(qiáng)層41通常通過(guò)樹(shù)脂密封材的印刷或模封(molding)工藝而形成,以由上方覆蓋核心層21的第二表面214,并于側(cè)面方向上環(huán)繞、同形披覆且覆蓋金屬塊111及金屬柱113的側(cè)壁。在此圖中,該加強(qiáng)層14的厚度與金屬塊111及金屬柱113的厚度相同。
圖11及12分別為通過(guò)金屬圖案化工藝形成導(dǎo)線315于核心層21上的剖視圖及底部立體示意圖。在此,可使用各種技術(shù),對(duì)金屬層31及被覆層31’進(jìn)行圖案化,以形成導(dǎo)線315,如濕刻蝕、電化學(xué)刻蝕、激光輔助刻蝕或其組合,并使用刻蝕掩模(圖未示),以定義出導(dǎo)線315,其中導(dǎo)線315包含有核心層21中的金屬化盲孔317,并側(cè)向延伸于核心層21的第一表面212上。因此,導(dǎo)線315可提供X及Y方向的水平信號(hào)路由以及穿過(guò)盲孔213的垂直路由。
此階段已制作完成的增層電路30包含有導(dǎo)線315,其中導(dǎo)線315通過(guò)核心層21中的金屬化盲孔317電性連接至金屬柱113。
圖13及14分別為移除金屬塊111及金屬凸層12的剖視圖及頂部立體示意圖。金屬塊111及金屬凸層12可通過(guò)各種技術(shù)移除,如濕刻蝕、電化學(xué)刻蝕或激光。因此,可形成一凹穴50,其由核心層21中的一凹口20及加強(qiáng)層41中的一穿口40所組成。該穿口40是對(duì)準(zhǔn)于凹口20,以顯露凹口20處的金屬化盲孔317。
據(jù)此,如圖13及14所示,已完成的互連基板100包括一系列金屬柱113、一核心層21、一增層電路30、一加強(qiáng)層41及一凹穴50。該增層電路30設(shè)置于核心層21的第一表面212上,其具有背向核心層21第一表面212的一外表面302,且包含位于核心層21中的金屬化盲孔317。一部分的金屬化盲孔317對(duì)準(zhǔn)并電性連接至金屬柱113,而其他金屬化盲孔317則對(duì)準(zhǔn)凹穴50,并具有從凹穴50顯露的表面,以作為連接元件用的接觸墊319。加強(qiáng)層41設(shè)置于核心層21的第二表面214上,且具有背向核心層21第二表面214的一外表面402。金屬柱113封埋于加強(qiáng)層41中,并由加強(qiáng)層41的外表面402顯露,且通過(guò)核心層21中的金屬化盲孔317電性連接至增層電路30。凹穴50具有一底表面502及側(cè)壁503,其中底表面502與增層電路30的外表面302保持距離,而側(cè)壁503由底表面502延伸至加強(qiáng)層41的外表面402。在此圖中,該凹穴50的底表面502與凹口20處的金屬化盲孔317的顯露表面呈實(shí)質(zhì)上共平面。然而,在某些實(shí)例中,凹口20處的金屬化盲孔317的顯露表面可能低于凹穴50的底表面502,這是由于移除金屬凸層12時(shí)可能稍微刻蝕到金屬化盲孔317。無(wú)論如何,增層電路30的接觸墊319會(huì)由凹穴50的底表面502顯露。
圖15為半導(dǎo)體組件的剖視圖,其是將第一半導(dǎo)體元件61電性耦接至圖13的互連基板100。第一半導(dǎo)體元件61設(shè)置于互連基板100的凹穴50中,并通過(guò)如熱壓、回焊、或熱超聲波接合技術(shù),經(jīng)由凸塊81電性耦接至增層電路30的接觸墊319。在此,凸塊81可為銅柱、錫柱、金柱或其他導(dǎo)電凸塊。此外,可選擇性提供一樹(shù)脂密封元件91,以覆蓋凹穴50的底表面502,且由凹穴50的底表面502延伸并填充第一半導(dǎo)體元件61未占據(jù)的空間。
圖16為垂直堆疊式半導(dǎo)體組件的剖視圖,其是將第二半導(dǎo)體元件63接置于圖15的半導(dǎo)體組件上。該第二半導(dǎo)體元件63設(shè)置于加強(qiáng)層41的外表面402上,并通過(guò)與金屬柱113接觸的焊球83電性耦接至互連基板100。據(jù)此,可制作完成封裝疊加(package-on-package)組件,其中第二半導(dǎo)體元件63通過(guò)金屬柱113及增層電路30電性連接至第一半導(dǎo)體元件61。
圖17為另一垂直堆疊式半導(dǎo)體組件的剖視圖,其是將第二半導(dǎo)體元件63接置于圖15的半導(dǎo)體組件上。該第二半導(dǎo)體元件63設(shè)置于增層電路30的外表面302上,并通過(guò)與增層電路30的導(dǎo)線315接觸的凸塊85電性耦接至互連基板100。據(jù)此,可制作完成面朝面組件,其中第二半導(dǎo)體元件63通過(guò)第一半導(dǎo)體元件61與第二半導(dǎo)體元件63間的增層電路30,而與第一半導(dǎo)體元件61面朝面地相互電性連接。
[實(shí)施例2]
圖18-24為本發(fā)明第二實(shí)施方面的互連基板制作方法圖,其核心層中更設(shè)有輔助金屬墊。
為了簡(jiǎn)要說(shuō)明的目的,上述實(shí)施例1中任何可作相同應(yīng)用的敘述皆并于此,且無(wú)須再重復(fù)相同敘述。
圖18為金屬載板11上形成金屬凸層12及陣列式輔助金屬墊13的剖視圖。金屬凸層12及輔助金屬墊13自金屬載板11的一表面朝向下方向延伸,且具有相同厚度。輔助金屬墊13的材料可與金屬凸層12的材料相同,且可通過(guò)圖案化沉積法形成,如電鍍、無(wú)電電鍍、蒸鍍、濺射或其組合,或者通過(guò)刻蝕或機(jī)械刻蝕而形成。
圖19為金屬載板11、金屬凸層12及輔助金屬墊13上形成核心層21的剖視圖。核心層21接觸金屬載板11、金屬凸層12及輔助金屬墊13,并由下方覆蓋金屬載板11、金屬凸層12及輔助金屬墊13,同時(shí)于側(cè)面方向上環(huán)繞且同形披覆金屬凸層12及輔助金屬墊13的側(cè)壁。
圖20為形成盲孔213以由下方顯露金屬凸層12及輔助金屬墊13選定部位的剖視圖。盲孔213延伸穿過(guò)核心層21,并對(duì)準(zhǔn)金屬凸層12及輔助金屬墊13的選定部位。
圖21為核心層21上及盲孔213內(nèi)形成被覆層31’的剖視圖。被覆層31’自金屬凸層12及輔助金屬墊13朝下延伸,并填滿盲孔213,以形成直接接觸金屬凸層12及輔助金屬墊13的金屬化盲孔317,同時(shí)側(cè)向延伸于核心層21的第一表面212上。
圖22為通過(guò)移除金屬載板11及被覆層31’選定部位而形成一金屬塊111、陣列式金屬柱113及導(dǎo)線315的剖視圖。金屬塊111對(duì)準(zhǔn)金屬凸層12,并由上方覆蓋金屬凸層12。金屬柱113對(duì)準(zhǔn)并電性連接至輔助金屬墊13。金屬柱113底面處的直徑可與輔助金屬墊13頂面處的直徑相同或相異。導(dǎo)線315包含有核心層21中的金屬化盲孔317,并側(cè)向延伸于核心層21的第一表面212上。
圖23為核心層21的外露第二表面214上形成加強(qiáng)層41的剖視圖。加強(qiáng)層41由上方覆蓋核心層21的第二表面214,并于側(cè)面方向上環(huán)繞、同形披覆且覆蓋金屬塊111及金屬柱113的側(cè)壁。
圖24為移除金屬塊111及金屬凸層12的剖視圖。借此,可形成一凹穴50,其是由核心層21中的一凹口20及加強(qiáng)層41中的一穿口40所組成。該凹口20的深度實(shí)質(zhì)上相等于輔助金屬墊13的厚度,且該穿口40是對(duì)準(zhǔn)于凹口20。
據(jù)此,如圖24所示,已完成的互連基板200包括一系列金屬柱113、一系列輔助金屬墊13、一核心層21、一增層電路30、一加強(qiáng)層41及一凹穴50。增層電路30包含有導(dǎo)線315,且導(dǎo)線315電性連接至輔助金屬墊13并具有從凹穴50顯露的選定部位,以作為連接元件用的接觸墊319,同時(shí)導(dǎo)線315側(cè)向延伸于核心層21的第一表面212上。加強(qiáng)層41設(shè)置于核心層21的第二表面214上,且覆蓋金屬柱113的側(cè)壁。輔助金屬墊13封埋于核心層21中,并電性連接至金屬柱113及金屬化盲孔317,且位于金屬柱113與金屬化盲孔317之間。
圖25為半導(dǎo)體組件的剖視圖,其是將第一半導(dǎo)體元件61電性耦接至圖24的互連基板200。第一半導(dǎo)體元件61設(shè)置于互連基板200的凹穴50中,并通過(guò)凸塊81電性耦接至增層電路30的接觸墊319。
圖26為垂直堆疊式半導(dǎo)體組件的剖視圖,其是將第二半導(dǎo)體元件63電性耦接至圖25的半導(dǎo)體組件。該第二半導(dǎo)體元件63是通過(guò)與金屬柱113接觸的焊球83接置于互連基板200上。據(jù)此,該第二半導(dǎo)體元件63通過(guò)金屬柱113、輔助金屬墊13及增層電路30電性連接至第一半導(dǎo)體元件61。
圖27為另一垂直堆疊式半導(dǎo)體組件的剖視圖,其是將第二半導(dǎo)體元件63電性耦接至圖25的半導(dǎo)體組件。該第二半導(dǎo)體元件63通過(guò)第一半導(dǎo)體元件61與第二半導(dǎo)體元件63間的增層電路30,而與第一半導(dǎo)體元件61面朝面地相互電性連接。
[實(shí)施例3]
圖28-34為本發(fā)明第三實(shí)施方面的互連基板制作方法圖,其設(shè)有從凹穴顯露的路由電路。
為了簡(jiǎn)要說(shuō)明的目的,上述實(shí)施例中任何可作相同應(yīng)用的敘述皆并于此,且無(wú)須再重復(fù)相同敘述。
圖28為圖18中的金屬凸層12上形成路由線311的剖視圖。所述路由線311通常由銅制成,且可經(jīng)由各種技術(shù)進(jìn)行圖案化沉積,如電鍍、無(wú)電電鍍、蒸鍍、濺射或其組合,或者通過(guò)薄膜沉積而后進(jìn)行金屬圖案化步驟而形成。
圖29為金屬載板11、金屬凸層12、輔助金屬墊13及路由線311上形成核心層21的剖視圖。核心層21接觸金屬載板11、金屬凸層12、輔助金屬墊13及路由線311,并由下方覆蓋金屬載板11、金屬凸層12、輔助金屬墊13及路由線311,同時(shí)于側(cè)面方向上環(huán)繞且同形披覆金屬凸層12、輔助金屬墊13及路由線311的側(cè)壁。
圖30為形成盲孔213以由下方顯露輔助金屬墊13及路由線311選定部位的剖視圖。盲孔213延伸穿過(guò)核心層21,并對(duì)準(zhǔn)輔助金屬墊13及路由線311的選定部位。
圖31為通過(guò)金屬沉積及金屬圖案化工藝形成導(dǎo)線315于核心層21上的剖視圖。導(dǎo)線315自輔助金屬墊13及路由線311朝下延伸,并填滿盲孔213,以形成直接接觸輔助金屬墊13及路由線311的金屬化盲孔317,同時(shí)側(cè)向延伸于核心層21的第一表面212上。
圖32為通過(guò)移除金屬載板11選定部位而形成一金屬塊111及陣列式金屬柱113的剖視圖。金屬塊111對(duì)準(zhǔn)金屬凸層12,并由上方覆蓋金屬凸層12。金屬柱113對(duì)準(zhǔn)并電性連接至輔助金屬墊13。
圖33為核心層21上形成加強(qiáng)層41的剖視圖。加強(qiáng)層41覆蓋核心層21的外露第二表面214,并于側(cè)面方向上環(huán)繞、同形披覆且覆蓋金屬塊111及金屬柱113的側(cè)壁。
圖34為移除金屬塊111及金屬凸層12的剖視圖。借此,可形成一凹穴50,其由核心層21中的一凹口20及加強(qiáng)層41中的一穿口40所組成。
據(jù)此,如圖34所示,已完成的互連基板300包括一系列金屬柱113、一系列輔助金屬墊13、一核心層21、一增層電路30、一加強(qiáng)層41及一凹穴50。于此圖中,該增層電路30包括有路由線311及導(dǎo)線311,其中路由線311是從凹穴50顯露,以提供連接元件用的接觸墊319,而導(dǎo)線315則電性連接至輔助金屬墊13及路由線311。
圖35為半導(dǎo)體組件的剖視圖,其是將第一半導(dǎo)體元件61電性耦接至圖34的互連基板300。第一半導(dǎo)體元件61設(shè)置于互連基板300的凹穴50中,并通過(guò)凸塊81電性耦接至增層電路30的接觸墊319。
圖36為垂直堆疊式半導(dǎo)體組件的剖視圖,其是將第二半導(dǎo)體元件63接置于圖35的半導(dǎo)體組件上。該第二半導(dǎo)體元件63是通過(guò)與金屬柱113接觸的焊球83電性耦接至互連基板300。
圖37為另一垂直堆疊式半導(dǎo)體組件的剖視圖,其是將第二半導(dǎo)體元件63接置于圖35的半導(dǎo)體組件上。該第二半導(dǎo)體元件63通過(guò)第一半導(dǎo)體元件61與第二半導(dǎo)體元件63間的增層電路30,而與第一半導(dǎo)體元件61面朝面地相互電性連接。
[實(shí)施例4]
圖38-45為本發(fā)明第四實(shí)施方面的互連基板制作方法圖,其設(shè)有多層結(jié)構(gòu)的增層電路。
為了簡(jiǎn)要說(shuō)明的目的,上述實(shí)施例中任何可作相同應(yīng)用的敘述皆并于此,且無(wú)須再重復(fù)相同敘述。
圖38為圖1的金屬載板11及金屬凸層12上形成核心層21且于核心層21中形成盲孔213的剖視圖。核心層21接觸金屬載板11及金屬凸層12,并由下方覆蓋金屬載板11及金屬凸層12,同時(shí)于側(cè)面方向上環(huán)繞且同形披覆金屬凸層12的側(cè)壁。盲孔213延伸穿過(guò)核心層21,并對(duì)準(zhǔn)金屬載板11的選定部位。
圖39為通過(guò)金屬沉積及金屬圖案化工藝形成第一導(dǎo)線316于核心層21上的剖視圖。第一導(dǎo)線316自金屬載板11朝下延伸,并填滿盲孔213,以形成直接接觸金屬載板11的第一金屬化盲孔318,同時(shí)側(cè)向延伸于核心層21上。
圖40為核心層21及第一導(dǎo)線316上形成介電層322且于介電層322中形成盲孔323的剖視圖。該介電層322通常是通過(guò)層壓或涂布方式形成,其接觸核心層21及第一導(dǎo)線316,并由下方覆蓋并側(cè)向延伸于核心層21及第一導(dǎo)線316上。介電層322通常具有50微米的厚度,且可由環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、或其類似物所制成。于設(shè)置介電層322后,形成延伸穿過(guò)介電層322的盲孔323,以顯露第一導(dǎo)線316的選定部位。
圖41為通過(guò)金屬沉積及金屬圖案化工藝形成第二導(dǎo)線326于介電層322上的剖視圖。第二導(dǎo)線326自第一導(dǎo)線316朝下延伸,并填滿盲孔323,以形成直接接觸第一導(dǎo)線316的第二金屬化盲孔328,同時(shí)側(cè)向延伸于介電層322上。
在此階段,已制作完成多層結(jié)構(gòu)的增層電路30,其包括第一導(dǎo)線316、介電層322及第二導(dǎo)線326。
圖42為通過(guò)移除金屬載板11選定部位而形成一金屬塊111及陣列式金屬柱113的剖視圖。金屬塊111對(duì)準(zhǔn)金屬凸層12,并由上方覆蓋金屬凸層12。金屬柱113通過(guò)第一金屬化盲孔318電性連接至增層電路30。
圖43為核心層21上形成加強(qiáng)層41的剖視圖。加強(qiáng)層41由上方覆蓋核心層21,并于側(cè)面方向上環(huán)繞、同形披覆且覆蓋金屬塊111及金屬柱113的側(cè)壁。
圖44為移除金屬塊111及金屬凸層12的剖視圖。借此,可形成一凹穴50,其由核心層21中的一凹口20及加強(qiáng)層41中的一穿口40所組成。
圖45為形成盲孔215以從凹穴50顯露第一導(dǎo)線316選定部位的剖視圖。所述盲孔215對(duì)準(zhǔn)第一導(dǎo)線316的選定部位,并由凹穴50的底表面502延伸入核心層21。因此,第一導(dǎo)線316的顯露部位可作為連接元件用的接觸墊319。
據(jù)此,如圖45所示,已完成的互連基板400包括金屬柱113、一核心層21、一增層電路30、一加強(qiáng)層41及一凹穴50。在此圖中,該增層電路30為多層結(jié)構(gòu),其包括第一導(dǎo)線316、一介電層322及第二導(dǎo)線326。
圖46為半導(dǎo)體組件的剖視圖,其是將第一半導(dǎo)體元件61電性耦接至圖45的互連基板400。第一半導(dǎo)體元件61設(shè)置于互連基板400的凹穴50中,并通過(guò)凸塊81電性耦接至增層電路30的接觸墊319。
圖47為垂直堆疊式半導(dǎo)體組件的剖視圖,其是將第二半導(dǎo)體元件63接置于圖46的半導(dǎo)體組件上。該第二半導(dǎo)體元件63是通過(guò)與金屬柱113接觸的焊球83墊性耦接至互連基板400。
圖48為另一垂直堆疊式半導(dǎo)體組件的剖視圖,其是將第二半導(dǎo)體元件63接置于圖46的半導(dǎo)體組件上。該第二半導(dǎo)體元件63通過(guò)第一半導(dǎo)體元件61與第二半導(dǎo)體元件63間的增層電路30,而與第一半導(dǎo)體元件61面朝面地相互電性連接。
[實(shí)施例5]
圖49為本發(fā)明第五實(shí)施方面的互連基板剖視圖。在本實(shí)施方面中,該互連基板500與實(shí)施例1所述相似,只是不同處在于,(i)該增層電路30為多層結(jié)構(gòu),且(ii)金屬柱113延伸超過(guò)加強(qiáng)層41的外表面402,并具有未被加強(qiáng)層41覆蓋且由加強(qiáng)層41外表面402凸出的選定部位。
[實(shí)施例6]
圖50為本發(fā)明第六實(shí)施方面的互連基板剖視圖。在本實(shí)施方面中,該互連基板600與實(shí)施例1所述相似,只是不同處在于,(i)該增層電路30為多層結(jié)構(gòu),且(ii)加強(qiáng)層41的厚度大于金屬柱113厚度,并具有開(kāi)孔413以顯露金屬柱113的選定部位。
上述互連基板及半導(dǎo)體組件僅為說(shuō)明范例,本發(fā)明尚可通過(guò)其他多種實(shí)施例實(shí)現(xiàn)。此外,上述實(shí)施例可基于設(shè)計(jì)及可靠度的考慮,彼此混合搭配使用或與其他實(shí)施例混合搭配使用。舉例來(lái)說(shuō),互連基板可包括多個(gè)排列成陣列形狀的凹穴,且每一凹穴中可容置一半導(dǎo)體元件。此外,增層電路亦可包括額外的接觸墊,其是由額外凹穴顯露,用以與額外的半導(dǎo)體元件電性連接。
如上述實(shí)施方面所示,本發(fā)明建構(gòu)出一種獨(dú)特的互連基板,其包括一核心層、一增層電路、一加強(qiáng)層、一系列金屬柱及一凹穴,且選擇性地還包括一系列輔助金屬墊。通過(guò)本發(fā)明的制法,該加強(qiáng)層/金屬柱與增層電路形成于核心層的兩相反側(cè)上,且加強(qiáng)層與增層電路間不具有黏著劑。為方便下文敘述,將核心層第一表面所面向的方向定義為第一方向,而核心層的相反第二表面所面向的方向定義為第二方向。核心層第一表面上的增層電路具有面向第一方向的外表面,而核心層第二表面上的加強(qiáng)層則具有面向第二方向的外表面。
金屬柱可于凹穴周圍提供垂直電性連接。在一優(yōu)選實(shí)施方面中,金屬柱通過(guò)移除一金屬載板的選定部位而形成,其中該金屬載板上設(shè)有一金屬凸層及選擇性的輔助金屬墊,且該移除步驟是于提供核心層于第一方向上覆蓋并接觸金屬載板及金屬凸層后進(jìn)行。據(jù)此,金屬柱即可設(shè)置于核心層的第二表面上,并接觸核心層中的選擇性輔助金屬墊或金屬化盲孔。
加強(qiáng)層覆蓋金屬柱的側(cè)壁,且其厚度相等于或不同于金屬柱的高度。例如,加強(qiáng)層的外表面可與金屬柱的顯露表面于第二方向上呈實(shí)質(zhì)上共平面?;蛘?,加強(qiáng)層的厚度可能大于或小于金屬柱的高度。于加強(qiáng)層具有較大厚度的方面中,該加強(qiáng)層中形成有開(kāi)孔,其由加強(qiáng)層的外表面延伸至金屬柱,以于第二方向上顯露金屬柱的選定部位。于加強(qiáng)層具有較小厚度的另一方面中,該些金屬柱是于第二方向上延伸超過(guò)加強(qiáng)層的外表面,并具有未被加強(qiáng)層覆蓋且凸出于加強(qiáng)層外表面的顯露部位。據(jù)此,金屬柱是由加強(qiáng)層的外表面顯露,以提供進(jìn)行下一級(jí)連接的電性接點(diǎn)。優(yōu)選為,該加強(qiáng)層是由任何具有足夠機(jī)械強(qiáng)度的材料所制成,且其側(cè)向延伸至互連基板的外圍邊緣。如此一來(lái),加強(qiáng)層可對(duì)互連基板提供機(jī)械支撐力,以避免彎翹。
凹穴的深度優(yōu)選是大于金屬柱的高度,且加強(qiáng)層與核心層側(cè)向環(huán)繞該凹穴。更具體地說(shuō),在凹穴朝上的方位中,該凹穴的底表面是低于金屬柱的底側(cè)。此外,凹穴可通過(guò)移除金屬凸層及金屬載板的對(duì)應(yīng)部位而形成。因此,凹穴包括有加強(qiáng)層中的穿口及核心層中的凹口。于一優(yōu)選實(shí)施方面中,凹口的深度是小于核心層的厚度,而穿口的深度則等于加強(qiáng)層的厚度。穿口與凹口可具有相同尺寸,且穿口的側(cè)壁可與凹口側(cè)壁齊平。然而,在某些方面中,穿口的尺寸可不同于凹口的尺寸。例如,穿口尺寸可大于凹口尺寸,且穿口是側(cè)向延伸超過(guò)凹口的邊緣。
在提供核心層前,選擇性的輔助金屬墊可于形成金屬凸層的同時(shí)沉積于金屬載板上,其中輔助金屬墊與金屬凸層的材料可為銅、鋁、鎳或其他金屬或合金。由于輔助金屬墊與金屬凸層可具有相同厚度,因此移除金屬凸層后所形成的凹口深度通常是實(shí)質(zhì)上相等于輔助金屬墊的厚度。此外,金屬柱與輔助金屬墊相互接觸處的金屬柱直徑可相等或相異于輔助金屬墊直徑。
增層電路包括有從凹穴顯露的選定部位以及電性連接至金屬柱的金屬化盲孔。據(jù)此,增層電路可提供金屬柱與設(shè)置于凹穴內(nèi)的半導(dǎo)體元件間的電性連接,且金屬柱與增層電路間的電性連接未使用焊接材料。在一優(yōu)選實(shí)施方面中,增層電路包括導(dǎo)線,其中導(dǎo)線直接接觸金屬柱或輔助金屬墊,并由金屬柱或輔助金屬墊延伸且填滿核心層中的盲孔,以形成金屬化盲孔,同時(shí)側(cè)向延伸于核心層的第一表面上,且該些導(dǎo)線具有從凹穴顯露的選定部位,以提供連接元件用的接觸墊?;蛘?,增層電路更可包括路由線,其中路由線是于提供核心層前沉積于金屬凸層上,并電性連接至導(dǎo)線,且在移除金屬凸層后而使路由線從凹穴顯露。據(jù)此,從凹穴顯露的路由線可提供連接元件用的接觸墊。
假如需要更多的信號(hào)路由,增層電路可進(jìn)一步包括一或多層的介電層、額外的盲孔于介電層中、以及額外的導(dǎo)線。介電層與導(dǎo)線可連續(xù)輪流形成,且需要的話可重復(fù)形成。增層電路的最外側(cè)導(dǎo)線可容置導(dǎo)電接點(diǎn),例如焊球,以與另一電性裝置電性傳輸及機(jī)械性連接。
本發(fā)明更提供一半導(dǎo)體組件,其中一第一半導(dǎo)體元件設(shè)置于互連基板的凹穴中,并通過(guò)從凹穴顯露的接觸墊電性耦接至互連基板。更具體地說(shuō),該第一半導(dǎo)體元件可以覆晶方式,通過(guò)接觸墊上的各種連接媒介(如凸塊),接置于接觸墊上。在此,第一半導(dǎo)體元件可為已封裝或未封裝芯片。例如,第一半導(dǎo)體元件可為裸芯片或晶圓級(jí)封裝晶粒等。或者,第一半導(dǎo)體元件可為堆疊式芯片。此外,可進(jìn)一步選擇性提供一樹(shù)脂密封元件,其覆蓋凹穴的底表面,并由凹穴的底表面延伸,且填充凹穴中未被第一半導(dǎo)體元件占據(jù)的至少一部分空間。另外,更可提供一第二半導(dǎo)體元件,其可通過(guò)金屬柱或增層電路最外側(cè)導(dǎo)線上的導(dǎo)電接點(diǎn)而電性耦接至互連基板。據(jù)此,本發(fā)明可提供一種封裝疊加組件,其包括一第一半導(dǎo)體元件于互連基板的凹穴中以及一第二半導(dǎo)體元件于加強(qiáng)層的外表面及第一半導(dǎo)體元件的非主動(dòng)面上。又,本發(fā)明亦提供一種面朝面組件,其包括一第一半導(dǎo)體元件于互連基板的凹穴中以及一第二半導(dǎo)體元件電性連接至第一導(dǎo)體元件,其中第一半導(dǎo)體元件與第二半導(dǎo)體元件是通過(guò)兩者間的增層電路面朝面地相互電性連接。
「覆蓋」一詞意指于垂直及/或側(cè)面方向上不完全以及完全覆蓋。例如,在凹穴向上的狀態(tài)下,增層電路可于下方覆蓋第一半導(dǎo)體元件,不論另一元件例如凸塊是否位于增層電路與第一半導(dǎo)體元件之間。同樣地,核心層可于第一方向上覆蓋凹穴。
「金屬載板的對(duì)應(yīng)部位」一詞意指于金屬載板的一選定部位,其是于第二方向上覆蓋金屬凸層。例如,在核心層第一表面向下的狀態(tài)下,金屬載板的對(duì)應(yīng)部位可由上方完全覆蓋金屬凸層,不論金屬載板的對(duì)應(yīng)部位是否側(cè)向延伸超過(guò)金屬凸層的外圍邊緣,或者是否側(cè)向延伸至與金屬凸層的外圍邊緣齊平。
「對(duì)準(zhǔn)」一詞意指元件間的相對(duì)位置,不論元件之間是否彼此保持距離或鄰接,或一元件插入且延伸進(jìn)入另一元件中。例如,當(dāng)假想的垂直線與金屬塊及金屬凸層相交時(shí),金屬塊即對(duì)準(zhǔn)于金屬凸層,不論金屬塊與金屬凸層之間是否具有其他與假想的水平線相交的元件,且不論是否具有另一與金屬塊相交但不與金屬凸層相交、或與金屬凸層相交但不與金屬塊相交的假想垂直線。同樣地,盲孔對(duì)準(zhǔn)于金屬柱或輔助金屬墊。
「電性連接」、以及「電性耦接」的詞意指直接或間接電性連接。例如,第一導(dǎo)線直接接觸并且電性連接至金屬柱或輔助金屬墊,而第二導(dǎo)線則與金屬柱或輔助金屬墊保持距離,并且通過(guò)第一導(dǎo)線,而電性連接至金屬柱或輔助金屬墊。
「第一方向」及「第二方向」并非取決于互連基板或半導(dǎo)體組件的定向,本領(lǐng)域技術(shù)人員即可輕易了解其實(shí)際所指的方向。例如,核心層的第一表面是面朝第一方向,而核心層的第二表面是面朝第二方向,此與互連基板或半導(dǎo)體組件是否倒置無(wú)關(guān)。因此,該第一及第二方向是彼此相反且垂直于側(cè)面方向。再者,在凹穴向上的狀態(tài),第一方向?yàn)橄蛳路较颍诙较驗(yàn)橄蛏戏较?;在凹穴向下的狀態(tài),第一方向?yàn)橄蛏戏较?,第二方向?yàn)橄蛳路较颉?/p>
本發(fā)明的互連基板具有許多優(yōu)點(diǎn)。舉例來(lái)說(shuō),可利用凹穴的深度以降低金屬柱的最小高度,借此得以設(shè)置更多的金屬柱。增層電路可提供具有簡(jiǎn)單電路圖案的信號(hào)路由,或具有復(fù)雜電路圖案的可撓性多層信號(hào)路由。由于半導(dǎo)體元件是通過(guò)凸塊接置于互連基板的增層電路上,而不是直接通過(guò)增層工藝電性連接,故此簡(jiǎn)化的作法有利于低制作成本。通過(guò)此方法制備成的互連基板可靠度高、價(jià)格低廉、且非常適合大量制造生產(chǎn)。
本發(fā)明的制作方法具有高度適用性,且是以獨(dú)特、進(jìn)步的方式結(jié)合運(yùn)用各種成熟的電性及機(jī)械性連接技術(shù)。此外,本發(fā)明的制作方法不需昂貴工具即可實(shí)施。因此,相比于傳統(tǒng)技術(shù),此制作方法可大幅提升產(chǎn)量、合格率、效能與成本效益。
在此所述的實(shí)施例是為例示之用,其中該些實(shí)施例可能會(huì)簡(jiǎn)化或省略本技術(shù)領(lǐng)域已熟知的元件或步驟,以免模糊本發(fā)明的特點(diǎn)。同樣地,為使附圖清晰,附圖亦可能省略重復(fù)或非必要的元件及元件符號(hào)。