技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括：半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)的阱區(qū)和至少一個(gè)注入窗口，從所述注入窗口注入的離子的類型與所述形成阱區(qū)的類型一致，所述類型為P型或N型；位于所述阱區(qū)上方的依次層疊的導(dǎo)電層和絕緣層；嵌入在所述絕緣層中的至少兩個(gè)接觸孔；及位于絕緣層上方的測(cè)試層；所述測(cè)試層通過(guò)在接觸孔中填充導(dǎo)電介質(zhì)與所述導(dǎo)電層電連接。該漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)的工藝與管芯工藝相同，在制作管芯時(shí)，會(huì)同時(shí)形成該漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)。當(dāng)管芯工藝存在缺陷時(shí)，會(huì)導(dǎo)致柵極存在空洞缺陷，該漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)也會(huì)形成同樣的空洞。通過(guò)對(duì)形成的漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)測(cè)試其電流，就能夠判斷半導(dǎo)體管芯工藝是否存在缺陷。

技術(shù)研發(fā)人員：李曉明;陳雪磊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司
文檔號(hào)碼：201510587359
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.15
技術(shù)公布日：2017.03.22