本發(fā)明涉及集成電路封裝技術(shù)，特別是一種集成電路基板，所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。

背景技術(shù)：

由于新能源的大力發(fā)展，隔離應用要求越來越多和隔離電壓越來越高，而半導體隔離技術(shù)取代傳統(tǒng)光耦技術(shù)效率更高，集成度更高，支持更高傳輸速率,符合行業(yè)發(fā)展的需求。封裝基板正在成為集成電路封裝領(lǐng)域一個重要的和發(fā)展迅速的行業(yè),有機基板工藝大批量使用在BGA球陣列封裝，多芯片封裝工藝中?，F(xiàn)有技術(shù)中的采用微變壓器方案，電源功率只有0.5W,效率只有35％。由于電感量不夠大，信號傳輸不得不采用180MHz的調(diào)制信號，電路非常復雜，并且電路中的磁路不閉合，漏磁大，EMI電磁干擾空間輻射大。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，對于采用微變壓器方案的半導體隔離技術(shù)，由于微變壓器方案電感量，耦合系數(shù)太低，也增加了傳輸電路的復雜程度，集成的電源效率差。有的電容式隔離器，用戶需要外加變壓器。另外，電容式隔離不能內(nèi)部集成開關(guān)的電源，客戶使用不方便。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷或不足，提供一種集成電路基板，所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。

本發(fā)明技術(shù)方案如下：

一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結(jié)合于芯板表面的上覆銅層以及結(jié)合于芯板底面的下覆銅層，所述芯板上設置有開口朝上的環(huán)形槽，所述開口延伸至所述上覆銅層之外。

所述環(huán)形槽為控深銑槽，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口。

所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)。

沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設置有若干外過孔，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設置有若干內(nèi)過孔。

所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔。

所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔，所述若干內(nèi)過孔包括初級繞組內(nèi)過孔和次級繞組內(nèi)過孔。

初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成。

所述上覆銅層上壓合有半固化片。

所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對應處設置有開窗。

由印制線連接過孔繞制的磁環(huán)變壓器內(nèi)置于所述基板本體的絕緣體內(nèi)，沒有空氣爬電距離的路徑，能達到5.7千伏特的耐壓。

本發(fā)明技術(shù)效果如下：本發(fā)明一種集成電路基板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。

本發(fā)明具有的特點：通過實施本發(fā)明，能夠在集成電路有機基板本體內(nèi)采用埋磁技術(shù)預制一只或多只磁環(huán)，通過激光過孔技術(shù)實現(xiàn)變壓器，并且電感量和耦合系數(shù)都非常高，有利于電源的功率輸出和效率。再采用SIP工藝集成Die和分離器件來多種表面處理方式以方便引線鍵合,倒裝芯片或混合類型連接，完成整體功能，如隔離電源，隔離信號傳輸?shù)入娐饭δ堋?/p>

通過采用印制線及激光精確打過孔方式實現(xiàn)變壓器線圈的繞制，代替了人工繞制的困難，特別是直徑比較小的磁環(huán)變壓器，不支持機器繞制，只能人工費時繞制。本發(fā)明克服了繞制線圈的非一致性，離散性；方便出引腳，SMT焊接機械對位和一致性；人工繞制的變壓器還得有底托，并且引腳必須有寄托，還有就是SMT焊接不能吸取(由于磁環(huán)中空)。本發(fā)明節(jié)約了成本，與純銅漆包線繞制，整體節(jié)約50％成本。本發(fā)明由于將微變壓器內(nèi)置于絕緣體內(nèi)，沒有空氣爬電距離的路徑，在很小的空間內(nèi)實現(xiàn)了高耐壓初次級要達到5.7千伏特的耐壓。

附圖說明

圖1是實施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是圖1的俯視方向示意圖。

附圖標記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-第一磁環(huán)；5-第二磁環(huán)；6-第三磁環(huán)；7-第一環(huán)形槽；8-第二環(huán)形槽；9-第三環(huán)形槽；10-第一環(huán)初級繞組外過孔；11-第一環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；12-第一環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；13-第一環(huán)次級繞組外過孔；14-第二環(huán)初級繞組外過孔；15-第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；16-第二環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；17-第二環(huán)次級繞組外過孔；18-第三環(huán)初級繞組外過孔；19-第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；20-第三環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；21-第三環(huán)次級繞組外過孔。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖(圖1-圖2)對本發(fā)明進行說明。

圖1是實施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1表現(xiàn)的是截面結(jié)構(gòu)。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結(jié)合于芯板1表面的上覆銅層2以及結(jié)合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設置有開口朝上的環(huán)形槽(例如第一環(huán)形槽7；第二環(huán)形槽8；第三環(huán)形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔，將磁芯或者說磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內(nèi)側(cè)的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如，對應各環(huán)形槽的第一磁環(huán)4，第二磁環(huán)5，第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設置有若干外過孔(例如，第一環(huán)初級繞組外過孔10，第一環(huán)次級繞組外過13，第二環(huán)初級繞組外過14，第二環(huán)次級繞組外過孔17，第三環(huán)初級繞組外過18，第三環(huán)次級繞組外過孔21等)，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設置有若干內(nèi)過孔(例如，第一環(huán)次級繞組內(nèi)過孔11，第一環(huán)次級繞組內(nèi)過孔12，第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔15，第二環(huán)次級繞組內(nèi)過16，第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔19，第三環(huán)次級繞組內(nèi)過20等)。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術(shù)實現(xiàn)精確打孔)。

所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔(例如，第一環(huán)初級繞組外過孔10，第一環(huán)次級繞組外過13，第二環(huán)初級繞組外過14，第二環(huán)次級繞組外過孔17，第三環(huán)初級繞組外過18，第三環(huán)次級繞組外過孔21等)，所述若干內(nèi)過孔包括初級繞組內(nèi)過孔和次級繞組內(nèi)過孔(例如，第一環(huán)次級繞組內(nèi)過孔11，第一環(huán)次級繞組內(nèi)過孔12，第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔15，第二環(huán)次級繞組內(nèi)過16，第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔19，第三環(huán)次級繞組內(nèi)過20等)。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成(也就是說，本發(fā)明可以采用印制線及激光精確打過孔方式實現(xiàn)變壓器線圈的繞制)。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對應處設置有開窗(半固化片開窗，將磁芯所處于的覆銅芯板層之間的半固化片對應所述磁芯槽開窗，這樣可以采用厚度更厚的磁環(huán)；壓合，疊板時在磁芯槽和所述開窗中放入磁環(huán)，然后將覆銅芯板與半固化片壓合)。由印制線連接過孔繞制的磁環(huán)變壓器內(nèi)置于所述基板本體的絕緣體內(nèi)，沒有空氣爬電距離的路徑，能達到5.7千伏特的耐壓。

本發(fā)明能夠帶來以下優(yōu)點：實現(xiàn)了更大功率，更高效率的IC集成電源；以最少的通道實現(xiàn)了雙向信號的傳輸；基板集成封裝工藝一次成型，成本更低。

在此指明，以上敘述有助于本領(lǐng)域技術(shù)人員理解本發(fā)明創(chuàng)造，但并非限制本發(fā)明創(chuàng)造的保護范圍。任何沒有脫離本發(fā)明創(chuàng)造實質(zhì)內(nèi)容的對以上敘述的等同替換、修飾改進和/或刪繁從簡而進行的實施，均落入本發(fā)明創(chuàng)造的保護范圍。