技術(shù)特征：
1.一種制造FinFET的方法，包括：在半導(dǎo)體襯底上形成脊?fàn)钗?，在遮擋該脊?fàn)钗镏袑⒂糜谛纬砂雽?dǎo)體鰭片的部分的情況下，經(jīng)由脊?fàn)钗锏奈凑趽醪糠值谋┞秱?cè)面通過氣相推入摻雜劑或者傾斜離子注入摻雜劑然后進(jìn)行熱處理以形成摻雜穿通阻止層；利用脊?fàn)钗镂挥趽诫s穿通阻止層上方的部分形成半導(dǎo)體鰭片；形成橫跨半導(dǎo)體鰭片的柵堆疊，該柵堆疊包括柵極電介質(zhì)和柵極導(dǎo)體，并且柵極電介質(zhì)將柵極導(dǎo)體和半導(dǎo)體鰭片隔開；形成圍繞柵極導(dǎo)體的柵極側(cè)墻；以及在半導(dǎo)體鰭片位于柵堆疊兩側(cè)的部分中形成源區(qū)和漏區(qū)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中遮擋脊?fàn)钗锏膶⒂糜谛纬砂雽?dǎo)體鰭片的部分包括：遮擋脊?fàn)钗锏捻敳亢蛡?cè)壁的上部。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，形成脊?fàn)钗锏姆椒òǎ涸诎雽?dǎo)體襯底上形成頂部保護(hù)層，然后圖案化半導(dǎo)體襯底以形成脊?fàn)钗铮辉谛纬蓳诫s穿通阻止層之前該方法還包括：在脊?fàn)钗锏纳喜康膫?cè)面上形成側(cè)壁保護(hù)層；在形成摻雜穿通阻止層之后該方法還包括：去除頂部保護(hù)層和側(cè)壁保護(hù)層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中摻雜的步驟包括：通過氣相推入使得摻雜劑從脊?fàn)钗锏南虏康谋┞秱?cè)面向內(nèi)部擴(kuò)散直至連通，從而形成摻雜穿通阻止層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中傾斜離子注入的步驟包括：通過傾斜離子注入在脊?fàn)钗锏奈凑趽醪糠值谋┞秱?cè)面形成摻雜劑層，以及熱處理的步驟包括：將摻雜劑從摻雜劑層向內(nèi)推入脊?fàn)钗镆孕纬蓳诫s穿通阻止層。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中在形成脊?fàn)钗锏牟襟E和形成側(cè)壁保護(hù)層的步驟之間還包括：通過高密度等離子體化學(xué)氣相沉積形成第一絕緣層；以及回蝕刻第一絕緣層以暴露脊?fàn)钗锏纳喜康膫?cè)面。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中在形成側(cè)壁保護(hù)層的步驟和摻雜的步驟之間還包括：進(jìn)一步回蝕刻第一絕緣層以提供脊?fàn)钗锏南虏康谋┞秱?cè)面。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述FinFET是N型的，并且在對(duì)穿通阻止層摻雜的步驟中使用P型摻雜劑。9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述FinFET是P型的，并且在對(duì)穿通阻止層摻雜的步驟中使用N型摻雜劑。10.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法，其中形成源區(qū)和漏區(qū)的步驟包括：采用柵極側(cè)墻和柵極導(dǎo)體作為硬掩模，通過蝕刻去除半導(dǎo)體鰭片的暴露部分，并且進(jìn)一步蝕刻摻雜穿通阻止層的一部分，使得在柵極導(dǎo)體兩側(cè)形成到達(dá)摻雜穿通阻止層的開口；在開口內(nèi)形成應(yīng)力作用層，該應(yīng)力作用層由與半導(dǎo)體鰭片不同的材料組成；以及在應(yīng)力作用層中形成源區(qū)和漏區(qū)。11.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法，其中在形成源區(qū)和漏區(qū)之后還包括：去除柵極導(dǎo)體；以及形成替代柵極導(dǎo)體。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在去除柵極導(dǎo)體的步驟和形成替代柵極導(dǎo)體的步驟之間，還包括：去除柵極電介質(zhì)；以及形成替代柵極電介質(zhì)。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述P型摻雜劑包括B。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述N型摻雜劑包括P或As。