顯示裝置和制造該顯示裝置的方法
【專利摘要】公開了顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。在一個方面中，所述方法包括在載體基板之上形成犧牲層，形成鈍化阻擋層以覆蓋所述犧牲層的上面和側(cè)面，以及在所述鈍化阻擋層之上形成薄膜晶體管層。所述方法還包括在所述薄膜晶體管層之上放置掩模以便暴露所述鈍化阻擋層的邊緣部分，其中所述邊緣部分在所述顯示裝置的深度維度上不與所述掩模重疊。所述方法進一步包括去除所述鈍化阻擋層的邊緣部分以便形成阻擋層、以及通過所述犧牲層從所述阻擋層分離所述載體基板。
【專利說明】
顯示裝置和制造該顯示裝置的方法
技術領域
[0001 ]所描述的技術總地涉及顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。
【背景技術】
[0002] 諸如液晶顯示器(IXD)、有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器和電泳顯示器之類的顯示 裝置包括電場生成電極和電光有源層。例如，OLED顯示器包括作為電光有源層的有機發(fā)射 層，并且電場生成電極連接到諸如薄膜晶體管之類的開關以接收數(shù)據(jù)信號，并且電光有源 層將數(shù)據(jù)信號轉(zhuǎn)換成光信號以顯示圖像。
[0003] OLED顯示器具有諸如低功率消耗、快速響應速度、高視角和高對比度之類的良好 特性。
[0004] 不像如LCD技術使用濾色器，OLED顯示器包括諸如紅色像素、藍色像素、綠色像素 和白色像素之類的多顏色自發(fā)射子像素組，并且通過組合來自子像素的光可表現(xiàn)全色域。 每個像素包括薄膜晶體管和連接到薄膜晶體管的至少一個電場生成電極。
[0005] 顯示裝置使用重且易碎的玻璃基板時，在其便攜性和實現(xiàn)劃算的大尺寸屏幕顯示 器的能力上存在限制。因此，OLED顯示器使用至少一個柔性基板作為基底基板，因為柔性基 板重量輕、抗沖擊并且是柔性的。通常，柔性基板由諸如聚酰亞胺之類的塑料材料形成。
[0006] 柔性基板很薄并且具有良好的柔性特性，但是在顯示裝置的制造期間可能容易被 損壞。因而，柔性基板在附接到載體基板的同時經(jīng)歷薄膜晶體管工藝，并且隨后載體基板與 柔性基板分離。在這種情況下，在制造工藝的工藝期間，可使用用于從顯示裝置容易地分離 載體基板的犧牲層。
[0007] 然而，對柔性基板進行薄膜涂布的工藝或?qū)⑤d體基板與柔性基板結合的工藝會施 加熱（熱處理），這增加了制造時間和生產(chǎn)成本。進一步，在熱處理期間，柔性基板可能因載 體基板和柔性基板之間的熱膨脹系數(shù)的差異而變形。
[0008] 在本【背景技術】部分公開的以上信息僅用來加強對所描述的技術的背景的理解，并 且因而，其可能包含不構成在該國中本領域的普通技術人員已知曉的現(xiàn)有技術的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] -個創(chuàng)造性的方面涉及通過最小化顯示裝置的制造工藝所使用的柔性基板的數(shù) 量或去除柔性基板，從而簡化用于制造顯示裝置的工藝并降低材料成本。
[0010] 另一個方面是防止用于分離在制造顯示裝置的工藝期間使用的載體基板的犧牲 層在分離載體基板的工藝之前被損壞。
[0011] 另一個方面是用于制造顯示裝置的方法，該方法包括:在載體基板上形成犧牲層； 在所述犧牲層和所述載體基板上形成用于覆蓋所述犧牲層的上面和側(cè)面的鈍化阻擋層;在 所述鈍化阻擋層上形成薄膜晶體管層;通過在形成有所述薄膜晶體管層的所述載體基板上 設置掩模來暴露所述鈍化阻擋層的邊緣部分;通過去除所述鈍化阻擋層的未被所述掩模覆 蓋的邊緣部分來形成阻擋層；以及通過所述犧牲層從所述阻擋層分離所述載體基板。
[0012]所述犧牲層可包括金屬氧化物和氧化石墨烯中的至少一種，所述金屬氧化物包括 氧化鉬(MoOx)、氧化錯(AlOx)和氧化鈦(TiOx)中的至少一種。
[0013] 所述鈍化阻擋層可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)中的至 少一種。
[0014] 所述鈍化阻擋層的邊緣部分可包括覆蓋所述犧牲層的邊緣部分的側(cè)面和所述載 體基板的上面的部分。
[0015] 所述方法可進一步包括:在所述薄膜晶體管層上形成封裝器，其中所述鈍化阻擋 層的邊緣部分包括不與所述封裝器重疊的部分。
[0016] 所述方法可進一步包括:形成在所述薄膜晶體管層和所述封裝器之間提供的發(fā)光 元件層，其中所述封裝器封裝所述發(fā)光元件層。
[0017] 從所述阻擋層分離所述載體基板可包括向所述犧牲層照射激光束。
[0018] 從所述阻擋層分離所述載體基板可包括利用蝕刻劑蝕刻所述犧牲層并去除所述 犧牲層。
[0019] 形成所述犧牲層可包括:通過濺射在所述載體基板上沉積金屬或石墨烯，以及氧 化所沉積的金屬或石墨稀。
[0020] 所述犧牲層的厚度可等于或小于大約3000A [0021 ]所述掩?？砂幱把谀！?br>[0022]所述方法可進一步包括:在所述載體基板被分離后，將下基板附接到所述阻擋層 的下面。
[0023]所述下基板可以是柔性的。
[0024]所述阻擋層的邊緣可被提供在所述犧牲層的上面。
[0025]另一個方面是顯示裝置，該顯示裝置包括:下基板;在所述下基板上提供的至少一 個阻擋層;在所述阻擋層上提供的薄膜晶體管層；以及在所述阻擋層和所述下基板之間提 供的殘余犧牲層，所述殘余犧牲層包括金屬氧化物和氧化石墨烯中的至少一種、和/或它們 的還原材料，所述金屬氧化物包括氧化鉬(MoOx)、氧化錯(AlOx)和氧化鈦(TiOx)中的至少 一種。
[0026] 所述阻擋層可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)中的至少一 種。
[0027] 所述顯示裝置可進一步包括在所述薄膜晶體管層上提供的發(fā)光元件層，以及在所 述發(fā)光元件層上提供的封裝器。
[0028] 所述阻擋層的邊緣可被布置成與所述封裝器的邊緣對齊，或者可被提供在所述封 裝器的邊緣的外部。
[0029] 所述殘余犧牲層可包括M〇02和/或M〇03。
[0030]所述下基板可以是柔性的。
[0031]另一個方面是制造顯示裝置的方法，該方法包括:在載體基板之上形成犧牲層;形 成鈍化阻擋層以覆蓋所述犧牲層的上面和側(cè)面;在所述鈍化阻擋層之上形成薄膜晶體管 層;在所述薄膜晶體管層之上放置掩模以便暴露所述鈍化阻擋層的邊緣部分，其中所述邊 緣部分在所述顯示裝置的深度維度上不與所述掩模重疊;去除所述鈍化阻擋層的邊緣部分 以便形成阻擋層；以及通過所述犧牲層從所述阻擋層分離所述載體基板。
[0032] 在上面的方法中，所述犧牲層由金屬氧化物和氧化石墨烯中的至少一種形成，并 且其中所述金屬氧化物包括氧化鉬(MoOx)、氧化鋁(AlOx)和氧化鈦(TiOx)中的至少一種。 在上面的方法中，所述鈍化阻擋層由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)中 的至少一種形成。在上面的方法中，所述鈍化阻擋層的邊緣部分包括覆蓋所述犧牲層的邊 緣部分的側(cè)面和所述載體基板的上面的部分。上面的方法進一步包括:在所述薄膜晶體管 層之上形成封裝器，其中所述鈍化阻擋層的邊緣部分在所述顯示裝置的深度維度上不與所 述封裝器重疊。
[0033] 上面的方法進一步包括：在所述薄膜晶體管層和所述封裝器之間形成發(fā)光元件 層，其中所述封裝器封裝所述發(fā)光元件層。在上面的方法中，所述分離包括將激光束照射到 所述犧牲層上。在上面的方法中，所述分離包括利用蝕刻劑蝕刻所述犧牲層以及去除所述 犧牲層。在上面的方法中，形成所述犧牲層包括:通過濺射在所述載體基板上沉積金屬或石 墨??；以及氧化所沉積的金屬或石墨稀。
[0034] 在上面的方法中，所述犧牲層的厚度基本上等于或小于大約3000A,,在上面的方 法中，所述掩模包括陰影掩模。上面的方法進一步包括:在所述載體基板被分離后，將下基 板附接到所述阻擋層的下面。在上面的方法中，所述下基板是柔性的。在上面的方法中，所 述阻擋層的邊緣被形成在所述犧牲層的上面。
[0035]另一方面是顯示裝置，該顯示裝置包括:下基板;形成在所述下基板之上的至少一 個阻擋層;形成在所述阻擋層之上的薄膜晶體管層；以及置于所述阻擋層和所述下基板之 間的犧牲層，其中所述犧牲層由金屬氧化物和氧化石墨烯中的至少一種、和/或它們的還原 材料形成，并且其中所述金屬氧化物包括氧化鉬(MoOx)、氧化鋁(AlOx)和氧化鈦(TiOx)中 的至少一種。
[0036] 在上面的顯示裝置中，所述阻擋層由氮化硅（SiNx)、氧化硅（SiOx)和氧氮化硅 (SiOxNy)中的至少一種形成。上面的顯示裝置進一步包括:形成在所述薄膜晶體管層之上 的發(fā)光元件層；以及形成在所述發(fā)光元件層之上的封裝器。在上面的顯示裝置中，所述阻擋 層的邊緣與所述封裝器的邊緣對齊，或者所述阻擋層的邊緣被形成在所述封裝器的邊緣的 外部。在上面的顯示裝置中，所述犧牲層由M〇02和M〇03中的至少一種形成。在上面的顯示裝 置中，所述下基板是柔性的。
[0037]另一個方面是制造顯示裝置的方法，該方法包括:在具有上表面的載體基板之上 形成犧牲層，其中所述犧牲層不覆蓋所述載體基板的上表面的一部分;形成鈍化阻擋層以 覆蓋所述犧牲層的上面和側(cè)面，其中所述鈍化阻擋層覆蓋所述載體基板的上表面的一部 分;在所述鈍化阻擋層之上形成薄膜晶體管層以便部分地覆蓋所述鈍化阻擋層，其中所述 薄膜晶體管層具有小于所述犧牲層的寬度，并且其中所述寬度被定義在垂直于所述顯示裝 置的深度維度的方向上;在所述薄膜晶體管層之上放置掩模以便暴露所述鈍化阻擋層的邊 緣部分，其中所述邊緣部分在所述顯示裝置的深度維度上不與所述掩模重疊；以及去除所 述鈍化阻擋層的邊緣部分以便形成阻擋層。
[0038]在上面的方法中，所述阻擋層的寬度大于所述薄膜晶體管層的寬度并且小于所述 犧牲層的寬度。
[0039]根據(jù)至少一個公開的實施例，通過最小化用于制造顯示裝置的工藝中所使用的柔 性基板的數(shù)量或去除柔性基板，能夠簡化用于制造顯示裝置的工藝并且能夠降低材料成 本。
[0040]進一步，通過防止用于分離在顯示裝置的制造工藝中使用的載體基板的犧牲層在 分離載體基板之前被損壞，防止了載體基板在制造工藝期間被分離。
【附圖說明】
[0041 ]圖1示出了根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。
[0042]圖2至圖8示出了根據(jù)示例性實施例的用于制造顯示裝置的方法的多個工藝的剖 視圖。
【具體實施方式】
[0043] 在下文中，將參照其中示出本發(fā)明的示例性實施例的附圖，更全面地描述所描述 的技術。如本領域的技術人員會意識到的，所描述的實施例可以以各種不同的方式修改，這 些方式都不脫離所描述的技術的精神和范圍。
[0044] 在附圖中，為了清楚起見，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。貫穿說明書，相似的 附圖標記標示相似的元件。應理解，在諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱為在另一元 件"上"時，其可直接在另一元件上，或也可存在中間元件。相反，在元件被稱為"直接在"另 一元件"上"時，不存在中間元件。
[0045] 為了使描述清楚，未示出與示例性實施例的描述不相關的部分，并且貫穿說明書 相似的附圖標記標示相似的元件。
[0046] 貫穿本說明書和隨后的權利要求書，在描述為元件"聯(lián)接"到另一元件時，該元件 可"直接聯(lián)接"到另一元件，或通過第三元件"聯(lián)接"到另一元件。另外，除非有明確的相反描 述，否則詞語"包括"和諸如"包含"或"含有"之類的變形將理解為暗示包含提及的元件，但 不排除任何其他元件。在本公開中，術語"基本上"在一些應用下以及根據(jù)本領域技術人員 理解，包括完全的、幾乎完全的或任何很大程度的意義。術語"連接的"可包括電連接。
[0047]現(xiàn)在將參照附圖描述根據(jù)示例性實施例的顯示裝置和用于制造該顯示裝置的方 法。
[0048]現(xiàn)在將參照圖1描述根據(jù)示例性實施例的顯示裝置。
[0049] 圖1示出了根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。
[0050] 參照圖1，顯示裝置包括顯示面板(未示出），并且顯示面板包括用于顯示圖像的顯 示區(qū)域和提供在顯示區(qū)域附近的外圍區(qū)域。在顯示區(qū)域中提供像素 PX的矩陣以及連接到像 素 PX且傳輸驅(qū)動信號的多個顯不信號線(未不出）。
[0051] 顯示信號線包括用于傳輸柵信號的多個柵信號線（未示出）和用于傳輸數(shù)據(jù)信號 的多個數(shù)據(jù)線(未示出）。柵信號線和數(shù)據(jù)線可延伸以彼此交叉。顯示信號線可延伸到外圍 區(qū)域以形成焊盤(未示出）。
[0052]像素 PX可基本上以矩陣形式設置，但本實施例不限于此。每個像素 PX可包括連接 到柵信號線和數(shù)據(jù)線的至少一個開關元件(未示出），以及連接到開關元件的像素電極(未 示出）。開關元件可以是三端元件，諸如集成在顯示面板上的薄膜晶體管。開關元件可通過 由柵信號線傳輸?shù)臇判盘柎蜷_或關閉以選擇性地向像素電極傳輸由數(shù)據(jù)線傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信 號。
[0053] 為了實現(xiàn)顏色顯示，每個像素可顯示基色中的一個基色，并且可通過組合基色來 識別期望的顏色?；氖纠砂ㄈ蛩幕T如紅色、綠色、藍色等等。
[0054]參照圖1，根據(jù)示例性實施例的顯示裝置包括下基板110。下基板110可由玻璃或塑 料形成。在柔性顯示裝置的情況下，下基板110可以是膜并且可以是柔性的。在這種情況下， 下基板110可由塑料、金屬薄膜或極薄玻璃形成，塑料諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚 萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚醚砜(PES)或 聚酰亞胺(PI)。
[0055] 至少一個阻擋層30a被提供在下基板110上。阻擋層30a可防止外部雜質(zhì)通過下基 板Iio被提供到上部。阻擋層30a可包括無機層和有機層中的至少一種。例如，阻擋層30a由 氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)中的至少一種形成。
[0056]殘余犧牲層20a可被提供在下基板110和阻擋層30a之間。殘余犧牲層20a可由無機 材料形成，例如由金屬氧化物和氧化石墨烯中的至少一種形成，金屬氧化物諸如氧化鉬 (MoOx)、氧化鋁(AlOx)和氧化鈦(TiOx)。例如，在殘余犧牲層20a包括鉬時，殘余犧牲層20a 由M〇02和/或M〇03形成。殘余犧牲層20a還可包括諸如金屬氧化物或氧化石墨烯之類的材料 的還原材料，例如，諸如鉬之類的金屬和石墨烯。
[0057]在一些實施例中，不提供殘余犧牲層20a。
[0058]盡管未示出，粘合層可進一步被提供在下基板110和殘余犧牲層20a之間。
[0059]阻擋層111可被提供在阻擋層30a上。以與阻擋層30a相似的方式，阻擋層111可防 止外部雜質(zhì)通過下基板110被提供到上部。阻擋層111可包括無機層和有機層中的至少一 種。例如，阻擋層111由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)中的至少一種形 成。阻擋層111可被省略。
[0060]多個半導體154被提供在阻擋層111上。半導體154可包括溝道區(qū)152以及提供在溝 道區(qū)152的相應側(cè)上并且通過摻雜形成的源區(qū)153和漏區(qū)155。半導體154可包括非晶硅、多 晶硅或氧化物半導體。
[0061 ]由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成的柵絕緣層140被提供在半導體154上。
[0062]多個柵信號線(未示出）和包括柵電極124的多個柵導體被提供在柵絕緣層140上。 柵電極124可與半導體154的至少一部分(具體是溝道區(qū)152)重疊。
[0063]第一鈍化層180a被提供在柵絕緣層140和柵導體上。第一鈍化層180a和柵絕緣層 140可包括用于暴露半導體154的源區(qū)153的接觸孔183和用于暴露漏區(qū)155的接觸孔185。
[0064] 包括多個數(shù)據(jù)線171、多個輸入電極173和多個輸出電極175的多個數(shù)據(jù)導體被提 供在第一鈍化層180a上。數(shù)據(jù)線171可傳輸數(shù)據(jù)信號并且可與柵信號線交叉。輸入電極173 連接到數(shù)據(jù)線171。輸出電極175與數(shù)據(jù)線171分離。輸入電極173在半導體154上面對輸出電 極 175。
[0065] 輸入電極173和輸出電極175可通過接觸孔183和接觸孔185分別連接到半導體154 的源區(qū)153和漏區(qū)155。
[0066]柵電極124、輸入電極173和輸出電極175與半導體154構成驅(qū)動薄膜晶體管QcL驅(qū) 動薄膜晶體管Qd的結構不限于上面的描述，并且可以以各種方式修改。
[0067]第二鈍化層180b可被提供在數(shù)據(jù)導體上。第二鈍化層180b可由諸如氮化硅或氧化 硅之類的無機絕緣體形成。第二鈍化層180b可包括用于暴露輸出電極175的接觸孔185b。
[0068]為了方便起見，從阻擋層111到第二鈍化層180b的層將被稱為薄膜晶體管層 (TFL)。
[0069]多個像素電極191被提供在第二鈍化層180b上。
[0070]每個像素 PX的像素電極191通過第二鈍化層180b的接觸孔185b物理地且電地連接 到輸出電極175。像素電極191可由半透導電材料或反光導電材料形成。
[0071]像素限定層(也被稱作隔墻)360可被提供在第二鈍化層180b上。像素限定層360包 括用于暴露像素電極191的多個開口。用于暴露像素電極191的像素限定層360的開口可限 定供像素 PX發(fā)光的顯示區(qū)域。像素限定層360可被省略。
[0072]發(fā)射構件370被提供在像素限定層360和像素電極191上。發(fā)射構件370可包括順序 沉積的第一有機公共層371、多個發(fā)射層373和第二有機公共層375。
[0073]第一有機公共層371可示例性地包括順序沉積的空穴注入層和空穴傳輸層中的至 少一個。第一有機公共層371可形成在其中布置像素 PX的顯示區(qū)域的整個表面之上，或第一 有機公共層371可形成在像素 PX中。
[0074]發(fā)射層373可被提供在對應像素 PX的像素電極191上。發(fā)射層373可由用于正確地 發(fā)射基色的光的有機材料形成，基色諸如紅色、綠色和藍色，并且發(fā)射層373可具有其中沉 積有用于發(fā)射不同顏色的光的多個有機材料層的結構。
[0075]第二有機公共層375可示例性地包括順序沉積的電子傳輸層和電子注入層中的至 少一個。第二有機公共層375可形成在其中布置有像素 PX的顯示區(qū)域的整個表面上，或第二 有機公共層375可形成在每個像素 PX中。
[0076]第一有機公共層371和第二有機公共層375用于改善發(fā)射層373的發(fā)射效率，并且 第一有機公共層371和第二有機公共層375中的一個可被省略。
[0077] 用于傳輸公共電壓的對置電極270被提供在發(fā)射構件370上。對置電極270可由透 明導電材料形成。例如，對置電極270由透明導電材料形成或通過沉積薄金屬形成，使得其 可以是可透射光的，薄金屬諸如鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)或銀(Ag)。
[0078] 像素 PX的像素電極191、發(fā)射構件370和對置電極270構成發(fā)光元件，像素電極191 和對置電極270中的一個是陰極，并且另一個是陽極。
[0079] 為了方便起見，從像素限定層360和像素電極191到對置電極270的層被稱為發(fā)光 元件層(EL)。
[0080] 根據(jù)示例性實施例的顯示裝置可以是輸出由發(fā)射構件370在向上方向上提供的光 并顯示圖像的頂部發(fā)射型。
[0081] 封裝器380被提供在對置電極270上。通過對發(fā)光元件層(EL)，即發(fā)射構件370和對 置電極270進行封裝，封裝器380可防止?jié)駳夂?或氧氣從外部滲入。
[0082] 封裝器380可包括多個封裝薄膜層（380_1、380_2、…380_n)。封裝薄膜層（380_1、 380_2、…380_n)包括可交替沉積的至少一個無機層和至少一個有機層。有機層由有機材料 形成，并且可具有平坦化特性。無機層可由諸如氧化鋁（AlOx)、氧化硅（SiOx)或氮化硅 (SiNx)之類的無機材料形成。
[0083]參照圖1，提供在封裝薄膜層(380_1、380_2、中的最底部的位置處的封裝 薄膜層380_1可以是無機層或有機層。提供在封裝薄膜層(380_1、380_2、…380_n)中的最上 部的位置處的封裝薄膜層380_1!可以是無機層或有機層。當提供在最上部的位置處的封裝 薄膜層380_n是無機層時，其可很好地防止對封裝器380的滲入。
[0084]阻擋層30a的邊緣可被提供在封裝器380的邊緣的外部，或可基本上與封裝器380 的邊緣對齊。
[0085]多個圖案可被提供在封裝器380上。多個圖案可示例性地包括用于檢測觸摸的觸 摸電極410。
[0086] 在本示例性實施例中，已經(jīng)將OLED顯示器描述為顯示裝置，但是，根據(jù)示例性實施 例，顯示裝置不限于此。顯示裝置可以是諸如液晶顯示器的各種種類的顯示裝置中的一種， 并且在這種情況下，薄膜晶體管層(TFL)和發(fā)光元件層(EL)可根據(jù)相應的顯示裝置而具有 不同的結構。
[0087]現(xiàn)在將參照圖1以及圖2至圖8,描述根據(jù)示例性實施例的用于制造顯示裝置的方 法。
[0088]圖2至圖8示出了根據(jù)示例性實施例的用于制造顯示裝置的方法的多個工藝的剖 視圖。
[0089] 參照圖2，載體基板10由硬且耐熱的材料形成。例如，載體基板10由石英玻璃或耐 熱玻璃形成。載體基板10的耐熱溫度可大于用于制造薄膜晶體管的工藝中的最高溫度。載 體基板10的激光透射率可大于大約50%。
[0090] 犧牲層20形成在載體基板10上。犧牲層20可包括金屬氧化物或氧化石墨烯，金屬 氧化物諸如氧化鉬(MoOx)、氧化鋁(AlOx)或氧化鈦(TiOx)。例如，犧牲層20通過在載體基板 10上通過濺射來沉積諸如鉬(Mo)之類的金屬或石墨烯并且隨后將它們氧化而形成。在通過 濺射沉積諸如鉬(Mo)之類的金屬時，可使用氬氣(Ar)和氧氣(O 2)。氬氣(Ar)和氧氣(O2)的體 積比可以是大約1:2,濺射設置溫度可以是大約150°C，并且濺射腔中的實際溫度可以大于 大約80°C。用于形成犧牲層20的濺射條件不限于此。
[0091] 犧牲層20可等于或小于大約3000 A的厚度，但不限于此。
[0092]參照圖3,用于覆蓋犧牲層20的鈍化阻擋層30形成在犧牲層20和載體基板10上。在 一些實施例中，鈍化阻擋層30可覆蓋犧牲層20的上面和側(cè)面使得犧牲層20不被暴露。鈍化 阻擋層30可包括無機材料和有機材料中的至少一種。例如，鈍化阻擋層30由氮化硅(SiNx)、 氧化娃(SiOx)和氧氮化娃(SiOxNy)形成。
[0093]在犧牲層20接觸在用于制造薄膜晶體管層(TFL)的工藝中使用的氣體或液體的蝕 刻劑或者諸如等離子體氣體之類的雜質(zhì)時，犧牲層20可被還原。例如，在諸如水(H2O)和氫 氣(H 2)之類的含氫(H)的材料或者諸如酸基蝕刻劑之類的雜質(zhì)接觸犧牲層20時，犧牲層20 被還原并損壞，并且提供在犧牲層20下方的載體基板10可被分離。然而，在根據(jù)示例性實施 例用鈍化阻擋層30覆蓋犧牲層20且執(zhí)行后續(xù)的工藝時，可防止犧牲層20與諸如水(H 2O)和 氫氣(H2)之類的含氫(H)的材料、以及諸如酸基蝕刻劑之類的雜質(zhì)接觸，從而防止犧牲層20 損壞并且防止載體基板10在分離載體基板10的階段之前的制造工藝中提前分離。
[0094]參照圖4,薄膜晶體管層(TFL)通過在鈍化阻擋層30上沉積多個薄膜而形成。薄膜 晶體管層(TFL)可包括多個薄膜晶體管和至少一個絕緣層。例如，參照圖1，薄膜晶體管層 (TFL)包括順序向上提供的阻擋層111、多個半導體154、柵絕緣層140、包括柵電極124的柵 導體、第一鈍化層180a、多個數(shù)據(jù)線171、包括多個輸入電極173和多個輸出電極175的數(shù)據(jù) 導體、以及第二鈍化層180b。已經(jīng)描述了示例性的構成元件，因此將不再提供詳細描述。
[0095]參照圖5,發(fā)光元件層(EL)形成在薄膜晶體管層(TFL)上。例如，參照圖1，發(fā)光元件 層(EL)包括順序向上提供的多個像素電極191、像素限定層360、發(fā)射構件370和對置電極 270。已經(jīng)描述了示例性的構成元件，因此將不再提供詳細描述?？墒÷园l(fā)光元件層(EL)的 形成，并且可針對不同類型的顯示裝置添加其他工藝。
[0096] 封裝器380可形成在發(fā)光元件層(EL)上。封裝器380可通過交替沉積有機材料層和 無機材料層而形成。已經(jīng)描述了封裝器380的詳細示例，因此將不再提供對封裝器380的詳 細描述。可省略封裝器380的形成，并且可針對不同類型的顯示裝置添加其他工藝。
[0097]參照圖6,掩模500被設置在其上形成有薄膜晶體管層(TFL)的載體基板10上，以暴 露鈍化阻擋層30的邊緣部分35。掩模500可與載體基板10分開預定的距離，并且可包括用于 暴露鈍化阻擋層30的邊緣部分35的開口。
[0098]未被掩模500覆蓋的鈍化阻擋層30的邊緣部分35可沿著載體基板10的邊緣形成， 并且可包括犧牲層20的邊緣部分的側(cè)面和用于覆蓋載體基板10的上面的部分。犧牲層20的 邊緣部分的側(cè)面可表示連接到載體基板10的上面的部分的表面。
[0099]未被掩模500覆蓋的鈍化阻擋層30的邊緣部分35可包括未被封裝器380覆蓋且不 與封裝器380重疊的部分。掩模500可覆蓋封裝器380。掩模500的邊緣可基本上與封裝器380 的邊緣對齊。
[0100]未被掩模500覆蓋的鈍化阻擋層30的邊緣部分35被去除。在這種情況下，可通過干 法蝕刻去除鈍化阻擋層30的邊緣部分35。干法蝕刻氣體可使用各種類型的傳統(tǒng)已知的氣 體，并且可通過干法蝕刻去除未被掩模500覆蓋的鈍化阻擋層30的邊緣部分35。
[0101]掩模500可以是具有開口的陰影掩模，并且被掩模500覆蓋的部分可被覆蓋使得干 法蝕刻氣體無法觸及該部分。
[0102] 參照圖7,鈍化阻擋層30的邊緣部分35被去除以形成阻擋層30a。阻擋層30a的邊緣 可被提供在封裝器380的邊緣之外或可基本上與封裝器380的邊緣對齊。阻擋層30a的邊緣 還可被提供在犧牲層20的上面。
[0103] 載體基板10通過犧牲層20與阻擋層30a分離。在此，犧牲層20可被損壞，并且可存 在多種用于依據(jù)該損壞來分離載體基板10的方法。
[0104] 例如，如圖7中所示，通過照射由激光束裝置600提供的激光束(LB)，載體基板10被 附接到犧牲層20或與犧牲層20分開。激光束(LB)通過載體基板10傳輸并且被照射到犧牲層 20。激光束(LB)的源可示例性地是以下之一：具有大約308nm波長的準分子激光束、具有大 約343nm波長的Yb: YAG激光束、具有大約355nm波長的Nd: YAG激光束和具有大約532nm波長 的綠色激光束，但本實施例不限于此。準分子激光束不損壞載體基板10和薄膜晶體管層 (TFL)，但輸出具有短波長的高能量，因此犧牲層20可在短時間內(nèi)被去除。
[0105] 犧牲層20的一部分可留在分離的載體基板10的上面，并且還可留在分離的阻擋層 30a的下面。留在阻擋層30a的下面的犧牲層20將被稱為殘余犧牲層20a。殘余犧牲層20a可 包括用于構成犧牲層20的材料和/或其還原材料。例如，在犧牲層20包括氧化鉬(MoOx)時， 殘余犧牲層20a包括M〇02和/或M〇03。
[0106] 可在后續(xù)階段去除或留下殘余犧牲層20a。
[0107] 為了分離載體基板10,可使用不同于使用激光束的方法的方法。
[0108] 例如，參照圖8,通過沖洗或蝕刻經(jīng)由去除鈍化阻擋層30的邊緣部分35而暴露的犧 牲層20來分離載體基板10。用于沖洗或蝕刻犧牲層20的蝕刻劑可融化或還原構成犧牲層20 的材料。例如，蝕刻劑包括諸如水(H20)或氟化氫(HF)之類的基于酸的蝕刻劑。在這種情況 下，犧牲層20的一部分可留在載體基板10的上面并且可留在阻擋層30a的下面。留在阻擋層 30a下面的犧牲層20將被稱為殘余犧牲層20a。
[0109] 參照圖1，包括各種類型的塑料、金屬薄膜或極薄玻璃的下基板110被附接到殘余 犧牲層20a或阻擋層30a的下面以完成顯示裝置，塑料諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚 萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚醚砜(PES)或 聚酰亞胺(PI)。
[0110] 根據(jù)示例性實施例，用于分離載體基板1〇的犧牲層20由鈍化阻擋層30覆蓋，使得 犧牲層20在制造顯示裝置的工藝期間不會被損壞，從而防止在制造顯示裝置的工藝期間載 體基板10被分離。 Com] 進一步，可最小化供應到用于制造柔性顯示裝置的工藝的柔性基板(諸如聚酰亞 胺膜(PD)的數(shù)量，或不需要柔性基板，從而簡化用于制造顯示裝置的工藝并且降低材料成 本。
[0112]雖然已經(jīng)結合目前被認為是實用的示例性實施例敘述了所描述的技術，但應理 解，本發(fā)明不限于所公開的實施例，而是相反，意在覆蓋包括在所附權利要求的精神和范圍 內(nèi)的各種修改和等同設置。
【主權項】
1. 一種制造顯示裝置的方法，包括： 在載體基板之上形成犧牲層； 形成鈍化阻擋層以覆蓋所述犧牲層的上面和側(cè)面； 在所述鈍化阻擋層之上形成薄膜晶體管層； 在所述薄膜晶體管層之上放置掩模以便暴露所述鈍化阻擋層的邊緣部分，其中所述邊 緣部分在所述顯示裝置的深度維度上不與所述掩模重疊； 去除所述鈍化阻擋層的所述邊緣部分以便形成阻擋層；以及 通過所述犧牲層從所述阻擋層分離所述載體基板。2. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述犧牲層由金屬氧化物和氧化石墨烯中的至少 一種形成，并且其中所述金屬氧化物包括氧化鉬、氧化鋁和氧化鈦中的至少一種。3. 根據(jù)權利要求2所述的方法，其中所述鈍化阻擋層由氮化硅、氧化硅和氧氮化硅中的 至少一種形成。4. 根據(jù)權利要求2所述的方法，其中所述鈍化阻擋層的所述邊緣部分包括覆蓋所述犧 牲層的邊緣部分的側(cè)面和所述載體基板的上面的部分。5. 根據(jù)權利要求4所述的方法，進一步包括:在所述薄膜晶體管層之上形成封裝器，其 中所述鈍化阻擋層的所述邊緣部分在所述顯示裝置的深度維度上不與所述封裝器重疊。6. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述形成犧牲層包括： 通過濺射在所述載體基板上沉積金屬或石墨烯；以及 氧化所沉積的金屬或石墨烯。7. -種顯示裝置，包括： 下基板； 形成在所述下基板之上的至少一個阻擋層； 形成在所述阻擋層之上的薄膜晶體管層；以及 置于所述阻擋層和所述下基板之間的犧牲層， 其中所述犧牲層由金屬氧化物和氧化石墨烯中的至少一種、和/或它們的還原材料形 成，并且其中所述金屬氧化物包括氧化鉬、氧化鋁和氧化鈦中的至少一種。8. 根據(jù)權利要求7所述的顯示裝置，其中所述阻擋層由氮化硅、氧化硅和氧氮化硅中的 至少一種形成。9. 根據(jù)權利要求7所述的顯示裝置，進一步包括： 形成在所述薄膜晶體管層之上的發(fā)光元件層；以及 形成在所述發(fā)光元件層之上的封裝器。10. 根據(jù)權利要求9所述的顯示裝置，其中所述阻擋層的邊緣與所述封裝器的邊緣對 齊，或者所述阻擋層的邊緣形成在所述封裝器的邊緣的外部。
【文檔編號】H01L27/12GK106067443SQ201610084510
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2016年2月14日 公開號201610084510.0, CN 106067443 A, CN 106067443A, CN 201610084510, CN-A-106067443, CN106067443 A, CN106067443A, CN201610084510, CN201610084510.0
【發(fā)明人】姜秀馨, 車光民, 鄭敞午
【申請人】三星顯示有限公司