技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成III-V族半導(dǎo)體材料層；

對(duì)所述III-V族半導(dǎo)體材料層進(jìn)行氮化處理，直至部分厚度的所述III-V族半導(dǎo)體材料層形成氮化物層；

在所述氮化處理后，在所述氮化物層上形成柵介質(zhì)層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述氮化處理為去耦等離子體氮化處理、氮離子注入處理或者氮等離子體處理。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述氮化處理后，還包括：對(duì)所述III-V族半導(dǎo)體材料層進(jìn)行氮化后退火。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述氮化后退火采用的退火溫度為500℃～1100℃。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)層為高K介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層的材料為Al₂O₃，HfO₂，La₂O₃。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述氮化物層的厚度范圍為

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述氮化處理?yè)饺胨鯥II-V族半導(dǎo)體材料層的氮元素劑量為1E14atoms/cm²～1E16atoms/cm²。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述III-V族半導(dǎo)體材料層的材料為N、P、As、Al、Sb、B、In、Ga或者它們之間組成的化合物。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用外延生長(zhǎng)方法在所述半導(dǎo)體襯底上形成所述III-V族半導(dǎo)體材料層。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括：在所述柵介質(zhì)層上形成金屬柵極。