本發(fā)明公開TSOP封裝引線框防分層結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

TSOP封裝形式是目前IC封裝中應(yīng)用非常廣泛的一種封裝形式，所用引線框架為銅，銅片經(jīng)過沖壓或者蝕刻構(gòu)成IC封裝所需要的引線框架結(jié)構(gòu)，供IC信號的導(dǎo)入導(dǎo)出，引線框架由于是將整片的銅片沖切成鏤空形式，整體抗應(yīng)力能力變差，易變形，會在框架上貼上膠帶保持其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，由于成本原因通常會將這層膠帶做成分開的條狀，除了固定引線框外還供置放晶圓IC，封裝時(shí)將晶圓IC貼在框架固定膠帶上；引線框架與晶圓IC之間由于框架固定膠帶的間隔會造成晶圓IC下面部分懸空，由于焊線工藝對作業(yè)材料固定精度要求很高，則晶圓IC下面框架部分應(yīng)盡可能多的被焊線機(jī)的真空吸板吸牢以減少作業(yè)時(shí)晶圓IC上下跳動(dòng)，這樣會要求引線框架盡可能保留大面積未沖切區(qū)域供吸板吸附，而大面積的銅片面積又容易造成注塑時(shí)其和樹脂之間獨(dú)立面積過大，因不同材質(zhì)的收縮率不同產(chǎn)生較大的收縮力差，易分層造成產(chǎn)品可靠性問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，提供了在引線框上設(shè)計(jì)真空吸盤結(jié)構(gòu)，在保證吸盤面積的情況下，剩余大面積銅區(qū)域增加沖切面積，減小大面積銅片存在的TSOP封裝引線框防分層結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的具體方案為：TSOP封裝引線框防分層結(jié)構(gòu)，包括晶圓，膠帶，引線框和懸空區(qū)，所述引線框上設(shè)有大面積銅區(qū)域，所述晶圓IC位置下的引線框上覆蓋膠帶，所述懸空區(qū)設(shè)在膠帶之間，所述引線框設(shè)在膠帶底面，所述引線框上設(shè)有的大面積銅區(qū)域上設(shè)有方形銅片，所述大面積銅區(qū)域的剩余大面積銅區(qū)域設(shè)有鏤空，其通過樹脂注塑到鏤空部內(nèi)，樹脂穿過引線框與晶圓形成結(jié)合。

以下為本發(fā)明的附屬技術(shù)方案：

優(yōu)選的，所述方形銅片的面積大小為0.8×0.8mm。

優(yōu)選的，所述引線框上供設(shè)置方形銅片的位置設(shè)有多個(gè)。

本發(fā)明的有益技術(shù)效果：本發(fā)明的TSOP封裝引線框防分層結(jié)構(gòu)，在引線框上設(shè)計(jì)真空吸盤結(jié)構(gòu)，在保證吸盤面積的情況下，剩余大面積銅區(qū)域增加沖切面積，減小大面積銅片的存在，保證了焊線工藝的真空固定，又減小注塑后分層的可能性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例TSOP封裝引線框防分層結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有設(shè)計(jì)的俯視圖。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例TSOP封裝引線框防分層結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有設(shè)計(jì)的仰視圖。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例TSOP封裝引線框防分層結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。

圖4是本發(fā)明實(shí)施例TSOP封裝引線框防分層結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖中：晶圓IC1，大面積銅區(qū)域2，膠帶3，引線框4，懸空區(qū)5，樹脂7，方形銅片8，鏤空部9。

具體實(shí)施方式

如圖1和圖2所示，本發(fā)明的TSOP封裝形式引線框防分層結(jié)構(gòu)的與現(xiàn)有分層結(jié)構(gòu)的對比在于：現(xiàn)有分層結(jié)構(gòu)的大面積銅片區(qū)域(如圖1所示)，其能很好的被焊線機(jī)吸板吸附，但會造成注塑分層的問題，在注塑后樹脂面之間聯(lián)通較少，與引線框結(jié)合面面積比較大，造成兩個(gè)獨(dú)立體因不同的收縮率產(chǎn)生較大的應(yīng)力差，從而造成分層(如圖2所示)。

如圖3和圖4所示，本發(fā)明的TSOP封裝引線框防分層結(jié)構(gòu)，包括晶圓IC1，膠帶3，引線框4和懸空區(qū)5，所述晶圓IC1位置下面的引線框上上設(shè)有大面積銅區(qū)域2，所述晶圓IC1下覆蓋膠帶3，所述懸空區(qū)4設(shè)在膠帶3之間，所述引線框4設(shè)在膠帶3底面，所述晶圓IC1位置下面的引線框上設(shè)有的大面積銅區(qū)域2上設(shè)有方形銅片8，所述方形銅片8的面積大小為0.8×0.8mm，所述大面積銅區(qū)域2的剩余大面積銅區(qū)域設(shè)有鏤空部9，其通過樹脂7注塑到鏤空部9內(nèi)，樹脂7穿過引線框4與晶圓1形成結(jié)合.

進(jìn)一步地，本發(fā)明的TSOP封裝引線框防分層結(jié)構(gòu)，在大面積銅片上保留0.8x0.8mm的方形銅片面積供焊線機(jī)真空板吸附，剩余大面積銅的鏤空部，供注塑時(shí)樹脂通過，樹脂穿過引 線框與晶圓結(jié)合，樹脂和引線框之間起到較好的結(jié)合效果，將結(jié)合面分散開來，相互之間收縮應(yīng)力差也因分散變小，樹脂和引線框交互結(jié)合，這樣降低樹脂和引線框之間分層的風(fēng)險(xiǎn)。

如圖4所示，所述引線框4上可供設(shè)置真空吸盤8的位置設(shè)有多個(gè)，方形銅片面積大小設(shè)計(jì)0.8x0.8mm，位置和數(shù)量可以根據(jù)不同形式的引線框設(shè)定，如果晶圓較大，而引線框上可供設(shè)置吸盤的位置較多，可多設(shè)幾個(gè)為保證焊線工藝的品質(zhì)，尤其是目前晶圓變得越來越薄，層數(shù)越來越多，焊線時(shí)材料的固定要求更是明顯，吸盤的設(shè)置尤其重要。

本發(fā)明的TSOP封裝引線框防分層結(jié)構(gòu)，在引線框上設(shè)計(jì)真空吸盤結(jié)構(gòu)，在保證吸盤面積的情況下，剩余大面積銅區(qū)域增加沖切面積，減小大面積銅片的存在，保證了焊線工藝的真空固定又減小注塑后分層的可能性。需要指出的是，上述較佳實(shí)施例僅為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。