2015年8月28日提交的日本專利申請No.2015-169323的公開(包括說明書、附圖和摘要)通過引用將其全部內(nèi)容并入此處。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，以及，例如有效地應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片通過多個導(dǎo)線被耦接至多個引線的半導(dǎo)體裝置的技術(shù)。

背景技術(shù)：

日本未經(jīng)審查的專利申請公開No.2013-120768和日本未經(jīng)審查的專利申請公開No.2009-44114中的每一個描述了框架狀(環(huán)形)條帶材料附著至耦接至半導(dǎo)體芯片的多個引線的導(dǎo)線結(jié)合區(qū)域的外部的結(jié)構(gòu)。

此外，日本未經(jīng)審查的專利申請公開No.2010-278308和日本未經(jīng)審查的專利申請公開No.2006-332241中的每一個描述了使用彼此分開的多個部件配置附著至引線的條帶的結(jié)構(gòu)。

存在以下技術(shù)，其中跨越多個引線和與引線相鄰布置的懸置引線來附著條帶以抑制制造過程期間的引線變形。具體地，如果在與導(dǎo)線耦接的導(dǎo)線連接部分附近附著條帶，則可以抑制導(dǎo)線連接部分周圍的變形。

在此，將對用于抑制引線變形的條帶的獲取效率進(jìn)行檢驗。將使用以框架形狀形成的一個條帶的情況與使用不以框架形狀形成的多個條帶(即，以近似條形形狀形成的條帶)的情況進(jìn)行比較，在后一種情況中的獲取效率更高。

然而，在使用多個條帶的情況下，為了使條帶可靠地附著至引線中的每一個，有必要防止條帶彼此重疊。作為防止條帶彼此重疊的方法，存在使條帶附著至引線同時彼此隔開的方法。

在此，為了縮短耦接至引線的每個導(dǎo)線的長度，優(yōu)選地將導(dǎo)線耦接至引線的尖端部分。因此，為了抑制導(dǎo)線連接部分周圍的變形，優(yōu)選地將條帶附著在每個引線的尖端部分附近。

然而，有必要將條帶中的至少一個附著在與引線的尖端部分(即，上面描述的方法中的導(dǎo)線連接部分(耦接點))隔開的位置處。

應(yīng)當(dāng)注意，作為防止條帶彼此重疊的另一個方法，存在例如增大布置在引線之間的懸置引線或者懸置引線的一部分的寬度以使每個條帶的端部部分附著至懸置引線或者懸置引線的一部分的方法。然而，在該情況下，由于懸置引線的寬度增大而很難對半導(dǎo)體裝置縮小尺寸?；蛘撸茈y增加可以布置在一個半導(dǎo)體裝置中的引線數(shù)量。即，懸置引線寬度的增大導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置的每單位面積的端子數(shù)量減少。

其它目的和新穎特征將通過說明書描述和附圖而變得明顯。

根據(jù)實施例的半導(dǎo)體裝置具有包括多個第一引線的第一引線組、包括多個第二引線的第二引線組和布置在第一引線組與第二引線組之間的第一懸置引線。此外，半導(dǎo)體裝置具有附著至第一引線中的每一個、第一懸置引線和第二引線中的一些的第一條帶以及附著至第二引線中的每一個的第二條帶。此外，第一條帶具有附著至第一引線中的每一個的第一部分和附著至第一懸置引線和第二引線中的一些的第二部分，以及第二部分附著至比第一部分更遠(yuǎn)離導(dǎo)線連接部分的位置。

根據(jù)上面描述的實施例，可以提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。

附圖說明

圖1是根據(jù)實施例的半導(dǎo)體裝置的俯視圖；

圖2是沿著圖1的線A-A的截面視圖；

圖3是用于示出看穿圖1所示的密封主體的狀態(tài)中半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的透視平面視圖；

圖4是用于示出圖3所示的多個導(dǎo)線和半導(dǎo)體芯片的焊盤被去除的狀態(tài)的透視平面視圖；

圖5是用于示出圖3所示的多個懸置引線中的一個的周邊同時將它們放大的放大平面視圖；

圖6是用于示出圖5所示的端部部分引線的周邊同時將它們進(jìn)一步放大的放大平面視圖；

圖7是用于示出圖5所示的條帶的相對側(cè)上的端部部分的周邊同時將它們放大的放大平面視圖；

圖8是用于示出使用圖1至圖7描述的半導(dǎo)體裝置的組裝過程的流程的解釋性視圖；

圖9是用于示出圖8所示的基底材料制備過程中制備的引線框架的放大平面視圖；

圖10是用于示出在沿著圖9的線A-A的截面中條帶附著至多個引線的狀態(tài)的放大截面視圖；

圖11是用于示出在沿著圖9的線B-B的截面中條帶附著至引線的狀態(tài)的放大截面視圖；

圖12是用于示出半導(dǎo)體芯片安裝在圖9所示的引線框架的管芯焊盤上的狀態(tài)的放大平面視圖；

圖13是用于示出圖12所示的半導(dǎo)體芯片和引線通過導(dǎo)線彼此電氣地耦接的狀態(tài)的放大平面視圖；

圖14是用于示出圖13所示的半導(dǎo)體芯片的焊盤和引線通過導(dǎo)線彼此電氣地耦接的狀態(tài)的放大截面視圖；

圖15是用于示出在圖13所示的多個裝置形成部分中的每一個中形成用于密封半導(dǎo)體芯片的密封主體的狀態(tài)的放大平面視圖；

圖16是用于示出在圖15所示的引線的暴露的表面上形成金屬膜以及將金屬膜切割隨后進(jìn)行成型的狀態(tài)的放大平面視圖；

圖17是用于示出圖16所示的懸置引線被切割以獲得半導(dǎo)體封裝的狀態(tài)的放大平面視圖；

圖18是用于示出作為圖4的修改的示例的半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的透視平面視圖；

圖19是圖18所示的半導(dǎo)體裝置的放大平面視圖；

圖20是用于示出作為圖4的另一個修改的示例的半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的透視平面視圖；

圖21是用于示出作為圖20的修改的示例的半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的透視平面視圖；以及

圖22是圖20或者圖21所示的半導(dǎo)體裝置的放大平面視圖。

具體實施方式

(本申請中的描述形式和基本術(shù)語以及使用的解釋)

為了方便起見，如有必要，會通過將實施例劃分成多個章節(jié)以在本申請中描述實施例。然而，各章節(jié)并非彼此獨立和分開(除非指定并非如此)，而是不論描述的前面部分和后面部分如何，一個章節(jié)的單個示例的每個部分與細(xì)節(jié)的一部分或者其它章節(jié)的修改的示例等等的一部分或者全部相對應(yīng)。此外，原則上不重復(fù)地解釋相同部分。此外，除構(gòu)成元件的數(shù)量理論上被限于指定數(shù)量的情況以外以及除相應(yīng)的構(gòu)成元件從上下文來看明顯必不可少的情況以外，實施例中的相應(yīng)的構(gòu)成元件并非必不可少(除非指定并非如此)。

同樣地，在實施例等等的描述中，除非指定并非如此以及除“由A制成的X”明顯排除包括除A以外的元素的那些材料、組成等等的情況以外，關(guān)于材料、組成等等的“由A制成的X”不排除包括除A以外的元素的那些材料、組成等等。例如，在組件的情況下，這適用于“主要包括A的X”的意思。例如，顯然，“硅部件”等等并不限于純粹的硅，而是包括包含SiGe(硅-鍺)合金、主要包括硅的多元合金或者其它添加物的部件。此外，金鍍層、Cu層、鎳鍍層等等不僅包括純粹的金鍍層、Cu層、鎳鍍層等等而且還包括主要包括金、Cu、鎳等等的部件(除非指定并非如此)。

此外，當(dāng)提到特定值或者數(shù)量時，除了值理論上被限于特定值的情況以外以及除了從上下文來看值明顯不小于或者大于特定值的情況以外，值可以小于或者大于特定值(除非指定并非如此)。

此外，在實施例的每個附圖中，相同或者相似部分由相同或者相似符號或者參考數(shù)字表示，以及原則上不重復(fù)對它們的解釋。

此外，在附圖中，在一些情況下，甚至在被陰影線復(fù)雜化或者空隙被清楚地辨別時的截面視圖中將陰影線等等省略。與此結(jié)合，即使在平面視圖中的封閉孔的情況下，在從解釋等等顯而易見的一些情況下也將背景的輪廓省略。此外，為了清楚地指定沒有空隙或者清楚地指定甚至除截面視圖以外的附圖中的區(qū)域之間邊界，在一些情況下圖示陰影線或者點圖案。

<半導(dǎo)體裝置的概述>

首先，將使用圖1至圖4對根據(jù)實施例的半導(dǎo)體裝置PKG1的配置的概述進(jìn)行描述。圖1是根據(jù)實施例的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。此外，圖2是沿著圖1的線A-A的截面視圖。此外，圖3是用于示出看穿圖1所示的密封主體的狀態(tài)中半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的透視平面視圖。此外，圖4是用于示出圖3所示的多個導(dǎo)線和半導(dǎo)體芯片的焊盤被去除的狀態(tài)的透視平面視圖。

如圖1至圖4所示，半導(dǎo)體裝置PKG1具有半導(dǎo)體芯片CP(參見圖2和圖3)、圍繞半導(dǎo)體芯片CP布置的作為外部端子的多個引線以及作為使半導(dǎo)體芯片CP電氣地耦接至引線LD的導(dǎo)電部件的多個導(dǎo)線BW(參見圖2)。此外，半導(dǎo)體芯片CP和導(dǎo)線BW被用密封主體(樹脂體)MR密封。此外，引線LD中的每一個的內(nèi)引線部分ILD(參見圖2)被用密封主體MR密封，以及引線LD中的每一個的外引線部分OLD從密封主體MR露出。

如圖1所示，半導(dǎo)體裝置PKG1中包括的密封主體MR的平面形狀是四邊形形狀。密封主體MR具有上表面MRt、與上表面MRt相對的下表面(背表面或者安裝表面)MRb(參見圖2)以及位于上表面MRt與下表面MRb之間的多個(四個)側(cè)表面MRs(參見圖1和圖2)。

此外，如圖1和圖3所示，在平面視圖中，密封主體MR具有沿著X方向延伸(伸展)的側(cè)面(主要側(cè)面)S1和沿著與X方向相交(在圖1中，正交)的Y方向延伸的側(cè)面(主要側(cè)面)S2。此外，密封主體MR具有與側(cè)面S1相對并且沿著X方向延伸的側(cè)面S3，以及與側(cè)面S2相對并且沿著Y方向延伸的側(cè)面S4。如圖1所示，沿著密封主體MR的相應(yīng)的側(cè)面布置密封主體MR中包括的四個側(cè)表面MRs。此外，在圖1所示的示例中，密封主體MR的相應(yīng)的側(cè)面彼此相交的角部分MRc是倒角的。

在此，密封主體MR的每個角部分MRc包括作為密封主體MR的四個側(cè)面(四個主要側(cè)面)當(dāng)中彼此相交的任意兩個側(cè)面(兩個主要側(cè)面)的交點的角的外圍區(qū)域。嚴(yán)格地，應(yīng)當(dāng)注意，如圖1和圖3所示(圖1示出了錐度加工的示例，但是可以是R加工)，密封主體MR的每個角部分MRc是倒角的，并且因此在相對于密封主體MR的每個角部分MRc的外側(cè)面上布置主要側(cè)面的交點。然而，倒角部分與主要側(cè)面的長度相比足夠地小，并且因此在本申請的描述中，倒角部分的中心被看作密封主體MR的角。即，在本申請中，在密封主體MR的四個側(cè)面(四個主要側(cè)面)當(dāng)中的任意兩個側(cè)面(兩個主要側(cè)面)彼此相交的區(qū)域是倒角的情況下，倒角部分與角部分MRc相對應(yīng)。在區(qū)域不是倒角的情況下，任意兩個側(cè)面(兩個主要側(cè)面)的交點與角部分MRc相對應(yīng)。在下文中，除非指定含義和內(nèi)容是不同的，否則當(dāng)在本申請中解釋密封主體MR的角部分MRc時，含義和內(nèi)容與上面的描述相同。

此外，沿著密封主體MR的每個側(cè)面(每個主要側(cè)面)布置引線LD，該密封主體MR在半導(dǎo)體裝置PKG1中在平面形狀中是四邊形。引線LD由金屬材料制成，以及在實施例中，是主要包括例如銅(Cu)的金屬部件。

如圖2所示，引線LD的外引線部分OLD在密封主體MR的側(cè)表面MRs中朝密封主體MR的外側(cè)伸出。此外，在每個引線LD的外引線部分OLD的暴露的表面上，在例如主要包括銅的基底材料的表面上形成金屬膜(外部鍍敷膜)MC。金屬膜MC由金屬材料(諸如，對于焊料的可潤濕性比作為基底材料的銅優(yōu)秀的焊料)制成，以及該金屬膜MC是涂敷作為基底材料的銅部件的表面的金屬涂敷膜。在每個引線LD的外引線部分OLD處形成由焊料等等制成的金屬膜MC，每個引線LD的外引線部分OLD是半導(dǎo)體裝置PKG1的外部端子。因此，當(dāng)在安裝襯底上安裝半導(dǎo)體裝置PKG1時，可以提高作為導(dǎo)電耦接材料的焊料材料的可潤濕性。相應(yīng)地，引線LD與焊料材料之間的結(jié)合面積增大，并且因此可以提高安裝襯底側(cè)面上的端子與引線LD之間的結(jié)合強度。

金屬膜MC是例如包括鉛(Pb)的Sn-Pb焊料材料，或者由基本上不包括Pb的所謂無鉛焊料制成的焊料材料。作為無鉛焊料的示例，有例如錫(Sn)、錫-鉍(Sn-Bi)、錫-銅-銀(Sn-Cu-Ag)或者錫-銅(Sn-Cu)。在該情況下，無鉛焊料意指具有0.1wt％或者更低的鉛(Pb)含量的焊料，以及根據(jù)RoHS(有害物質(zhì)限制)指令的標(biāo)準(zhǔn)對含量進(jìn)行定義。

應(yīng)當(dāng)注意，圖2示出了通過鍍敷方法在每個引線LD的外引線部分OLD的暴露的表面上形成金屬膜MC(焊料膜)的示例。然而，存在金屬膜MC的各種修改的示例。例如，金屬膜MC可以是主要包括鎳(Ni)的金屬膜和主要包括鈀(Pd)的金屬膜的疊層膜。替換地，例如，主要包括金(Au)的金屬膜還可以疊層在主要包括鈀的金屬膜的表面上。此外，在使用除焊料以外的材料配置金屬膜MC的情況下，可以將金屬膜MC形成為覆蓋引線LD的內(nèi)引線部分ILD和外引線部分OLD的表面。

此外，如圖2和圖3所示，半導(dǎo)體芯片CP被密封在密封主體MR內(nèi)部。如圖3所示，半導(dǎo)體芯片CP在平面視圖中具有四邊形形狀，以及沿著配置頂表面CPt的外邊緣的四個側(cè)面在頂表面CPt上設(shè)置多個焊盤(接合焊盤)PD。此外，半導(dǎo)體芯片CP(具體地，半導(dǎo)體襯底)例如由硅(Si)制成。盡管在附圖中未示出，多個半導(dǎo)體元件(電路元件)形成在半導(dǎo)體芯片CP的主表面(具體地，在半導(dǎo)體芯片CP的半導(dǎo)體襯底的上表面上設(shè)置的半導(dǎo)體元件形成區(qū)域)上。另外，焊盤PD通過在布置在半導(dǎo)體芯片CP內(nèi)部(具體地，在頂表面CPt與半導(dǎo)體元件形成區(qū)域(未示出)之間)的布線層中形成的布線(未示出)電氣地耦接至半導(dǎo)體元件。

此外，覆蓋半導(dǎo)體芯片CP的襯底和布線的絕緣膜在半導(dǎo)體芯片CP的頂表面CPt上形成，以及焊盤PD中的每一個的表面在絕緣膜中形成的開口中從絕緣膜露出。此外，焊盤PD由金屬制成，以及在實施例中例如由鋁(Al)制成。

此外，例如，圍繞半導(dǎo)體芯片CP(換句話說，圍繞管芯焊盤DP)布置引線LD。另外，從半導(dǎo)體芯片CP的頂表面CPt露出的焊盤(接合焊盤)PD通過導(dǎo)線(導(dǎo)電部件)BW電氣地耦接至位于密封主體MR內(nèi)部的引線LD的內(nèi)引線部分ILD。導(dǎo)線BW例如由金(Au)或者銅(Cu)制成，每個導(dǎo)線BW的一部分(例如，一個端部部分)結(jié)合到焊盤PD，以及另一個部分(例如，另一個端部部分)結(jié)合至每個內(nèi)引線部分ILD的接合區(qū)域(每個導(dǎo)線BW的一部分耦接的區(qū)域)WBR(參見圖2)。

在實施例的示例中，金屬膜(鍍敷膜或者鍍金屬膜)BM(參見圖2)形成在每個內(nèi)引線部分ILD的接合區(qū)域WBR上。如圖2所示，金屬膜BM部分地形成在每個內(nèi)引線部分ILD的一部分(最接近半導(dǎo)體芯片CP的尖端部分的上表面LDt)處。金屬膜BM由主要例如包括銀(Ag)、金或者鈀的材料(例如，薄金膜形成在鈀膜上的疊層結(jié)構(gòu))制成。由主要包括銀、金或者鈀的材料制成的金屬膜BM形成在每個內(nèi)引線部分ILD的接合區(qū)域WBR的表面上，以使得可以提高對于由金制成的導(dǎo)線BW的結(jié)合強度。

應(yīng)當(dāng)注意，存在形成金屬膜BM的區(qū)域的各種修改的示例。例如，可以將金屬膜BM形成為覆蓋內(nèi)引線部分ILD和外引線部分OLD的整個暴露的表面。在該情況下，由于外引線部分OLD覆蓋有金屬膜BM，因此沒有必要形成圖2所示的金屬膜MC。

此外，如圖2和圖4所示，半導(dǎo)體芯片CP安裝在作為芯片安裝部分的管芯焊盤DP上。在圖4所示的示例中，管芯焊盤DP的上表面(芯片安裝表面)DPt具有四邊形形狀，該四邊形形狀的面積大于半導(dǎo)體芯片CP的頂表面CPt的面積。管芯焊盤DP是用于支撐半導(dǎo)體芯片CP的支撐部件，以及除圖4所示的示例以外，存在各種修改的示例。例如，管芯焊盤DP的平面形狀可以是圓形形狀。此外，例如，管芯焊盤DP的上表面DPt的面積可以小于半導(dǎo)體芯片CP的頂表面CPt的面積。

此外，如圖4所示，圍繞管芯焊盤DP布置多個懸置引線HL。懸置引線HL是用于在半導(dǎo)體裝置PKG1的制造過程中在引線框架的支撐部分(框架部分)處支撐管芯焊盤DP的部件，以及每個懸置引線HL的一個端部部分耦接至管芯焊盤DP。在圖4所示的示例中，從管芯焊盤DP的一部分朝密封主體MR的相應(yīng)的四個角部分MRc延伸的四個懸置引線HL耦接至管芯焊盤DP。

具體地，懸置引線HL中包括的一個端部部分連接至管芯焊盤DP的角部分(角)。此外，懸置引線HL中包括的另一個端部部分朝密封主體MR的角部分MRc延伸，以及每個端部部分在角部分MRc附近被分成兩個，以在密封主體MR的側(cè)表面MRs中從密封主體MR露出。由于允許懸置引線HL朝密封主體MR的角部分MRc延伸，因此沿著密封主體MR的每個側(cè)面(每個主要側(cè)面)布置的引線LD的陣列幾乎不被懸置引線HL約束(inhibit)。

此外，在實施例中，管芯焊盤DP的上表面DPt與每個引線LD的內(nèi)引線部分ILD的上表面高度不同。在圖2所示的示例中，在低于每個內(nèi)引線部分ILD的上表面LDt的位置處布置管芯焊盤DP的上表面DPt。因此，在圖4所示的懸置引線HL中的每一個處設(shè)置偏移部分(實施例的示例中的彎曲部分或者下置部分)HLB，該偏移部分HLB被彎曲以使得與每個引線LD的內(nèi)引線部分ILD的上表面LDt(參見圖2)的高度不同地定位管芯焊盤DP的上表面DPt的高度。

此外，半導(dǎo)體芯片CP安裝在管芯焊盤DP的中間。如圖2所示，半導(dǎo)體芯片CP以背表面CPb面向管芯焊盤DP的上表面DPt的狀態(tài)通過管芯接合材料(粘合劑)DB安裝在管芯焊盤DP上。即，通過所謂面朝上安裝方法將半導(dǎo)體芯片CP安裝在管芯焊盤DP上，其中允許與其上形成有焊盤PD的頂表面(主表面)CPt相對的表面(背表面CPb)面向芯片安裝表面(上表面DPt)。管芯接合材料DB是用于半導(dǎo)體芯片CP的管芯接合的粘合劑，以及例如使用通過在環(huán)氧熱固性樹脂或者金屬結(jié)合材料(諸如，焊料材料)中包含由銀等等制成的金屬顆粒獲得的樹脂粘合劑。

<引線布局>

接著，將對實施例的多個引線的布局進(jìn)行詳細(xì)描述。圖5是用于示出圖3所示的懸置引線中的一個的周邊同時將它們放大的放大平面視圖。此外，圖6是用于示出圖5所示的端部部分引線的周邊同時將它們進(jìn)一步放大的放大平面視圖。

如圖4所示，半導(dǎo)體裝置PKG1具有包括沿著密封主體MR的側(cè)面S1布置的多個引線LD1的引線組LDg1。此外，半導(dǎo)體裝置PKG1具有包括沿著密封主體MR的側(cè)面S2布置的多個引線LD2的引線組LDg2。此外，半導(dǎo)體裝置PKG1具有包括沿著密封主體MR的側(cè)面S3布置的多個引線LD3的引線組LDg3。此外，半導(dǎo)體裝置PKG1具有包括沿著密封主體MR的側(cè)面S4布置的多個引線LD4的引線組LDg4。

此外，在引線組LDg1與引線組LDg2之間、在引線組LDg1與引線組LDg4之間、在引線組LDg2與引線組LDg3之間以及在引線組LDg3與引線組LDg4之間布置耦接至管芯焊盤DP的懸置引線HL(用于支撐管芯焊盤DP)中的每一個。

在此，從通過減小圖5所示的每個導(dǎo)線BW的長度以減少傳輸路徑的阻抗分量的角度來說，優(yōu)選地通過在半導(dǎo)體芯片CP的焊盤PD附近布置每個引線LD的尖端部分(參見圖2)以減小每個引線LD的尖端部分與半導(dǎo)體芯片CP的焊盤PD之間的距離。此外，如在實施例中，在具有多個端子的半導(dǎo)體裝置的情況下，在窄區(qū)域中以窄節(jié)距布置引線LD的尖端部分(圖2所示的接合區(qū)域WBR)。

例如，在圖6所示的示例中，每個接合區(qū)域WBR的寬度(在與每個引線的延伸方向正交的方向上的長度)BMW為大約80μm，以及彼此相鄰的接合區(qū)域WBR之間的間隔BMP為大約70μm。

另一方面，布置圖1所示的外引線部分OLD的節(jié)距受到其上安裝半導(dǎo)體裝置PKG1的安裝襯底(未示出)側(cè)面上的端子限制，并且因此很難極度縮小節(jié)距。因此，增大了圖2所示的每個引線LD中包括的內(nèi)引線部分ILD的延伸距離。

如在實施例中，在每個引線LD的延伸距離很長的情況下，每個引線LD的一部分可能在半導(dǎo)體裝置的制造過程中變形。除不可逆塑性變形以外，上面描述的引線LD的變形包括例如由于引線本身的重量引起的可逆(彈性)變形。具體地，設(shè)置接合區(qū)域WBR的引線LD的尖端部分可能隨著內(nèi)引線部分ILD的長度變得更長而變形(主要地，彈性變形)。另外，當(dāng)接合區(qū)域WBR在導(dǎo)線接合過程中彈性地變形時，很難結(jié)合導(dǎo)線BW。

因此，在實施例中，如圖3所示，跨越相應(yīng)的引線LD來附著條帶材料(圖3所示的條帶TP1、TP2、TP3和TP4)以抑制引線LD的變形。

條帶TP1、TP2、TP3和TP4是用于使引線LD彼此連接和固定的固定部件，以及例如在基底材料(諸如樹脂膜)的一個表面(接合表面)上形成粘合劑層(接合層)。另外，當(dāng)使粘合劑層與每個引線LD的一個表面(例如，圖2所示的示例中的上表面LDt)接觸時，條帶TP1、TP2、TP3和TP4附著至引線LD。

此外，如果引線LD僅彼此連接，則引線LD可能由于連接的引線LD的整個重量而變形。因此，如圖4所示，條帶TP1、TP2、TP3和TP4中的每一個的一部分優(yōu)選地附著至每個懸置引線HL。如稍后將詳細(xì)描述的，在半導(dǎo)體裝置PKG1的制造過程的導(dǎo)線接合過程中，每個懸置引線HL的一個端部部分耦接至管芯焊盤DP，以及另一個端部部分連接至引線框架的框架部分。因此，如果條帶TP1、TP2、TP3和TP4中的每一個的一部分附著至每個懸置引線HL，則引線LD由懸置引線HL支撐。因此，可以抑制引線LD的變形。

此外，如圖5和圖6所示，為了抑制接合區(qū)域WBR附近的變形，優(yōu)選地在接合區(qū)域WBR附近附著條帶TP1、條帶TP2、條帶TP3(參見圖4)和條帶TP4(參見圖4)中的每一個。例如，在圖4所示的示例中，從條帶TP1、條帶TP2、條帶TP3和條帶TP4中的每一個到每個接合區(qū)域WBR(參見圖5)的導(dǎo)線結(jié)合部分的距離為大約1mm。即，至少比位于每個引線的尖端部分與另一個端部部分(在該情況下，與密封主體MR的每個側(cè)面相交的部分)之間的中間部分更靠近每個引線的尖端部分來附著條帶TP1、TP2、TP3和TP4中的每一個。

此外，根據(jù)條帶TP1、TP2、TP3和TP4與導(dǎo)線連接部分之間的距離來改變導(dǎo)線連接部分(導(dǎo)線BW在圖6所示的接合區(qū)域WBR中結(jié)合的部分)的保持強度。因此，從圖6所示的引線LD中包括的接合區(qū)域WBR的導(dǎo)線連接部分到條帶TP1、TP2、TP3和TP4的長度LWT優(yōu)選地具有幾乎相同的值。當(dāng)提高了導(dǎo)線連接部分的保持強度時，在導(dǎo)線接合過程中，導(dǎo)線BW可以穩(wěn)固地結(jié)合至接合區(qū)域WBR。因此，可以提高導(dǎo)線BW的結(jié)合強度。應(yīng)當(dāng)注意，稍后將對上面描述的“幾乎相同的值”的定義進(jìn)行描述。

此外，為了可靠地保持引線LD，引線LD中的每一個需要附著至條帶TP1、TP2、TP3和TP4中的任何一個。在引線LD中的一些沒有附著至條帶TP1、TP2、TP3和TP4中的任何一個的情況下，引線LD不被保持。因此，在如在實施例中劃分的條帶TP1、TP2、TP3和TP4附著至引線LD的情況下，將條帶TP1、TP2、TP3和TP4布置以避免彼此重疊非常重要。如果條帶TP1、TP2、TP3和TP4中的一些彼此重疊，則在附著條帶時有可能在附著夾具(jig)與條帶之間生成間隙，以及引線LD中的一些沒有牢固地附著至條帶。

應(yīng)當(dāng)注意，在條帶以框架形狀形成而不劃分成多件以及將條帶附著為圍繞引線LD的接合區(qū)域WBR(參見圖5)的周邊的情況下，引線LD中的一些沒有附著至條帶的可能性很低，以及圖6所示的長度LWT的值可以幾乎相同。然而，如果考慮條帶制造過程中的獲取效率，則優(yōu)選將條帶劃分成多個部件而不是如上所述以框架形狀形成條帶。

相應(yīng)地，本申請的發(fā)明人考慮到上面描述的要考慮事項，發(fā)現(xiàn)了實施例的條帶的布局。即，如圖6所示，實施例的半導(dǎo)體裝置PKG1具有引線LD1、引線組LDg1與引線組LDg2之間的懸置引線HL1以及附著至引線LD中的至少一些的條帶TP1。此外，半導(dǎo)體裝置PKG1具有附著至引線LD2中的每一個的條帶TP2。此外，在每個引線LD的上表面LDt和下表面LDb(參見圖2)中，條帶TP1和條帶TP2附著至彼此相同的表面(圖6所示的示例中的上表面LDt)。

此外，條帶TP1具有在平面視圖中沿著引線LD1的導(dǎo)線連接部分(導(dǎo)線BW在接合區(qū)域WBR中結(jié)合的部分)延伸以及附著至引線LD中的每一個的引線保持部分(主要部分、保持部分或者部分)TP11。此外，條帶TP1具有附著至懸置引線HL1和引線LD2(引線LD2中的一些)的條帶支撐部分(支撐部分或者部分)TP12以及TP12附著至比引線保持部分TP11更遠(yuǎn)離導(dǎo)線連接部分的位置。此外，條帶TP1具有位于引線保持部分TP11與條帶支撐部分TP12之間的連接部分(部分)TP13。此外，條帶TP1沒有與條帶TP2重疊的部分。

換句話說，實施例的條帶TP1具有繞過引線保持部分TP11的延長線和懸置引線HL1的交點以免在懸置引線HL1附近與條帶TP2重疊的條帶支撐部分TP12和連接部分TP13。

引線保持部分TP11附著至引線LD1，以及具有保持引線LD1的功能。實施例的引線保持部分TP11沿著引線LD1的導(dǎo)線連接部分的陣列方向延伸。具體地，如圖5所示，條帶TP1的引線保持部分TP11沿著方向DRE1一直延伸到與位于引線LD1中的陣列的端部部分處的端部部分引線LDe1相交的位置。相應(yīng)地，從引線LD1中包括的接合區(qū)域WBR的導(dǎo)線連接部分到條帶TP1的長度LWT變成幾乎相同的值。

半導(dǎo)體裝置PKG1具有在引線組LDg1中包括的引線LD1當(dāng)中布置在最靠近設(shè)置在引線組LDg1與引線組LDg2之間的懸置引線HL1的位置處的端部部分引線LDe1。條帶TP1的引線保持部分TP11沿著方向DRE1(引線LD1的導(dǎo)線連接部分的陣列方向)延伸，以及引線保持部分TP11的終止部分(引線保持部分TP11與連接部分TP13之間的邊界部分)附著至端部部分引線LDe1。

如上所述，由于引線保持部分TP11沿著方向DRE1一直延伸到與端部部分引線LDe1相交的位置，因此在引線LD1中，從引線LD1中包括的接合區(qū)域WBR的導(dǎo)線連接部分到條帶TP1的長度LWT變成幾乎相同的值。

上面描述的“幾乎相同的值”包括引線LD1中的所有長度LWT完全相同的狀態(tài)和長度LWT中的一些值不同的狀態(tài)。例如，由于處理精度(諸如接合裝置的精度)的影響，很難將導(dǎo)線BW精確地結(jié)合至根據(jù)設(shè)計的導(dǎo)線連接部分的位置。因此，如圖5所示，配置接合區(qū)域WBR的金屬膜BM中的每一個具有沿著引線LD的延伸方向的長度LBM。以即使導(dǎo)線連接部分的位置被移位也將導(dǎo)線連接部分定位在金屬膜BM上這種方式來形成每個金屬膜BM的長度LBM。因此，每個金屬膜BM的長度LBM可以被看作導(dǎo)線連接部分的位置移位的容許范圍的指數(shù)(index)。在實施例中，引線LD1中的長度LWT之間的差異小于每個金屬膜BM的長度LBM。在圖5所示的示例中，每個金屬膜的長度LBM例如為大約500μm。此外，每個引線LD1中的長度LWT例如為大約1mm。

此外，下列是用于示出從引線LD1中包括的接合區(qū)域WBR的導(dǎo)線連接部分到條帶TP1的長度LWT具有幾乎相同的值的表達(dá)的另一個方法。即，從端部部分引線LDe1中的導(dǎo)線結(jié)合部分到條帶TP1的引線保持部分TP11的長度LWT等于從除端部部分引線LDe1以外的引線LD1中的一些中的導(dǎo)線連接部分到條帶TP1的引線保持部分TP11的長度LWT。例如，如圖5所示，除端部部分引線LDe1以外，引線LD1具有除端部部分引線LDe1以外的非端部部分引線LDc1。另外，從端部部分引線LDe1中的導(dǎo)線結(jié)合部分到條帶TP1的引線保持部分TP11的長度LWT等于從非端部部分引線LDc1中的導(dǎo)線連接部分到條帶TP1的引線保持部分TP11的長度LWT。

同樣地，條帶TP2具有在平面視圖中沿著引線LD2的導(dǎo)線連接部分(導(dǎo)線BW在接合區(qū)域WBR中結(jié)合的部分)延伸以及附著至引線LD2中的每一個的引線保持部分(主要部分、保持部分或者部分)TP21。引線保持部分TP21沿著引線LD2的導(dǎo)線連接部分的陣列方向延伸。具體地，如圖5所示，半導(dǎo)體裝置PKG1具有在引線組LDg2中包括的引線LD2當(dāng)中布置在最靠近設(shè)置在引線組LDg1與引線組LDg2之間的懸置引線HL1的位置處的端部部分引線LDe2。條帶TP2的引線保持部分TP21沿著方向DRE2(引線LD2的導(dǎo)線連接部分的陣列方向)延伸，以及引線保持部分TP21的終止部分(引線保持部分TP21與條帶支撐部分TP22之間的邊界部分)附著至端部部分引線LDe2。相應(yīng)地，從引線LD2中包括的接合區(qū)域WBR的導(dǎo)線連接部分到條帶TP2的長度LWT變成幾乎相同的值。

上面描述的“幾乎相同的值”的定義與引線LD1中的長度LWT的比較中使用的“幾乎相同的值”的定義相同。即，在實施例中，從引線LD2中的導(dǎo)線連接部分到條帶TP2的長度LWT之間的差異小于每個金屬膜BM的長度LBM。

此外，從端部部分引線LDe2中的導(dǎo)線結(jié)合部分到條帶TP2的引線保持部分TP21的長度LWT等于從除端部部分引線LDe2以外的引線LD2中的一些中的導(dǎo)線連接部分到條帶TP2的引線保持部分TP21的長度LWT。例如，如圖5所示，除端部部分引線LDe2以外，引線LD2具有除端部部分引線LDe2以外的非端部部分引線LDc2。另外，從端部部分引線LDe2中的導(dǎo)線結(jié)合部分到條帶TP2的引線保持部分TP21的長度LWT等于從非端部部分引線LDc2中的導(dǎo)線連接部分到條帶TP2的引線保持部分TP21的長度LWT。

此外，條帶支撐部分TP12具有保持附著至引線LD1的條帶TP1的引線保持部分TP11的功能。因此，條帶支撐部分TP12需要至少被附著至懸置引線HL1。

此外，可以通過將條帶TP1的一部分附著至引線LD2以支撐引線組LDg2的引線LD2。在實施例中，如圖6所示，附著至引線LD2的條帶TP2的一部分附著至懸置引線HL1。然而，可以通過將條帶TP1的一部分附著至引線LD2來提高引線LD2的支撐強度。此外，作為圖6的修改的示例，條帶TP2可以不附著至懸置引線HL1。在該情況下，可以通過條帶TP1的條帶支撐部分TP12由懸置引線HL1來支撐引線LD2和條帶TP2。

在圖5和圖6所示的示例中，條帶支撐部分TP12附著至包括引線LD2當(dāng)中布置在引線組LDg2的陣列的端部部分處(與懸置引線HL1相鄰)的端部部分引線LDe2的引線LD2。

此外，從提高條帶支撐部分TP12的支撐強度的角度來說，存在通過增大懸置引線HL1的寬度以增大條帶支撐部分TP12與懸置引線HL1之間的接合面積的方法。然而，如果懸置引線HL1的寬度增大，則可以布置的引線LD的數(shù)量減少。相應(yīng)地，在實施例中，條帶支撐部分TP12在寬度方向上跨越懸置引線HL1來附著至引線LD2。在該情況下，由于條帶支撐部分TP12不僅附著至引線LD1而且附著至引線LD2，因此即使懸置引線HL1與條帶支撐部分TP12之間的接合界面被分開，也可以支撐條帶TP1。

應(yīng)當(dāng)注意，從提高條帶TP1本身的支撐強度的角度來說，僅需要至少將條帶TP1的一部分(例如，引線保持部分TP11和連接部分TP13)附著至引線LD1。因此，作為圖5和圖6的修改的示例，條帶支撐部分TP12可以不附著至端部部分引線LDe1。然而，從防止由于集中在條帶支撐部分TP12與連接部分TP13之間的邊界部分上的應(yīng)力引起的斷裂的角度來說，連接部分TP13與條帶支撐部分TP12之間的邊界優(yōu)選地附著至引線LD1中的一些(例如，如圖5和圖6所示的端部部分引線LDe1)。

此外，作為增大條帶支撐部分TP12與懸置引線HL1之間的接合面積的方法，下列結(jié)構(gòu)是優(yōu)選的。即，在圖5所示的示例中，條帶TP1的條帶支撐部分TP12的寬度(在與X方向(延伸方向)正交的Y方向上的長度)與引線保持部分TP11的寬度(在與引線保持部分TP11延伸的方向DRE1正交的方向上的長度)相同，或者大于引線保持部分TP11的寬度。根據(jù)實施例，由于條帶支撐部分TP12布置在沒有與條帶TP2重疊的部分的位置處，因此可以增大條帶支撐部分TP12的寬度。另外，可以通過增大條帶支撐部分TP12的寬度以增大條帶支撐部分TP12與懸置引線HL1之間的接合面積。

此外，在圖6所示的示例中，條帶TP1的條帶支撐部分TP12和懸置引線HL1以除90度以外的角度彼此相交。相應(yīng)地，與條帶支撐部分TP12的延伸方向與懸置引線HL1的延伸方向正交的情況相比，可以增大條帶支撐部分TP12與懸置引線HL1之間的接合面積。

此外，如圖5所示，在實施例中，從引線LD1中包括的接合區(qū)域WBR的導(dǎo)線連接部分到條帶TP1的長度LWT與從引線LD2中包括的接合區(qū)域WBR的導(dǎo)線連接部分到條帶TP2的長度LWT幾乎相同。

在實施例中，引線LD1與引線LD2中的長度LWT之間的差異小于每個金屬膜BM的長度LBM。例如，從端部部分引線LDe1中的導(dǎo)線結(jié)合部分到條帶TP1的引線保持部分TP11的長度LWT與從端部部分引線LDe2中的導(dǎo)線結(jié)合部分到條帶TP2的引線保持部分TP21的長度LWT之間的差異小于每個金屬膜BM的長度LBM。

此外，從引線LD1當(dāng)中的端部部分引線LDe1中的導(dǎo)線結(jié)合部分到條帶TP1的引線保持部分TP11的長度LWT等于從引線LD2當(dāng)中的非端部部分引線LDc2中的導(dǎo)線連接部分到條帶TP2的引線保持部分TP21的長度LWT。

此外，從引線LD2當(dāng)中的端部部分引線LDe2中的導(dǎo)線結(jié)合部分到條帶TP2的引線保持部分TP21的長度LWT等于從引線LD1當(dāng)中的非端部部分引線LDc1中的導(dǎo)線連接部分到條帶TP1的引線保持部分TP11的長度LWT。

如上所述，如果引線組LDg1和引線組LDg2中的長度LWT具有幾乎相同的值，則由條帶TP1進(jìn)行的接合區(qū)域WBR的保持強度可以基本上等于由條帶TP2進(jìn)行的接合區(qū)域WBR的保持強度。

順便說下，在引線組LDg1和引線組LDg2中的長度LWT具有幾乎相同的值的情況下，當(dāng)引線保持部分TP11和引線保持部分TP21的延伸距離太長時，生成重疊部分。例如，在圖5所示的示例中，在平面視圖中，條帶TP1的引線保持部分TP11的延長線與條帶TP2的引線保持部分TP21的延長線在與懸置引線HL1重疊的位置處相交。此外，在平面視圖中，條帶TP2的條帶支撐部分TP22布置在條帶TP1的引線保持部分TP11的延長線上。此外，在平面視圖中，條帶TP1的連接部分TP13布置在條帶TP2的引線保持部分TP21的延長線上。

如上所述，在條帶TP1和條帶TP2彼此部分地重疊的情況下，有可能在用于附著條帶TP1和條帶TP2的夾具與條帶之間生成間隙，以及引線LD中的一些沒有牢固地附著至條帶。相應(yīng)地，在實施例中，在條帶TP1中設(shè)置彎曲部分以防止條帶TP1和條帶TP2彼此重疊。

具體地，條帶TP1的條帶支撐部分TP12附著至比引線保持部分TP11更遠(yuǎn)離導(dǎo)線連接部分的位置。在圖6所示的示例中，從條帶支撐部分TP12到配置接合區(qū)域WBR的金屬膜BM的距離大于從引線保持部分TP11到金屬膜BM的距離。此外，從條帶支撐部分TP12到管芯焊盤DP的距離大于從引線保持部分TP11到管芯焊盤DP的距離。

另一方面，從條帶TP2的引線保持部分TP21到引線LD2中包括的導(dǎo)線連接部分的距離幾乎等于從條帶TP1的引線保持部分TP11到引線LD1中包括的導(dǎo)線連接部分的距離。此外，從條帶TP2的引線保持部分TP21到引線LD2中包括的配置接合區(qū)域WBR的金屬膜BM的距離幾乎等于從條帶TP1的引線保持部分TP11到引線LD1中包括的金屬膜BM的距離。此外，從條帶TP2的引線保持部分TP21到管芯焊盤DP的距離幾乎等于從條帶TP1的引線保持部分TP11到管芯焊盤DP的距離。

因此，即使條帶支撐部分TP12附著至引線LD2，也在彼此不重疊的同時布置條帶TP1和條帶TP2。因此，根據(jù)實施例，引線LD1中的每一個可靠地附著至條帶TP1，以及引線LD2中的每一個可靠地附著至條帶TP2。

此外，連接部分TP13具有將引線保持部分TP11連接至條帶支撐部分TP12以將條帶支撐部分TP12的支撐力傳遞至引線保持部分TP11的功能。應(yīng)當(dāng)注意，在圖6所示的示例中，連接部分TP13延伸為使引線保持部分TP11和條帶支撐部分TP12彼此線性地連接。在該情況下，連接部分TP13的距離被縮短，并且因此連接部分TP13幾乎不斷裂。然而，為了將條帶支撐部分TP12的支撐力傳遞至引線保持部分TP11，僅需要將引線保持部分TP11和條帶支撐部分TP12彼此連接。因此，作為實施例的比較示例，引線保持部分TP11和條帶支撐部分TP12可以通過包括連接部分TP13的多個部分彼此連接。

此外，從通過縮小懸置引線HL1與引線LD1之間的間隙以增大端子數(shù)量的角度來說，下列配置是優(yōu)選的。即，在圖6所示的示例中，條帶TP1的連接部分TP13附著至端部部分引線LDe1。換句話說，引線保持部分TP11沒有一直延伸到懸置引線HL1的位置，而是在與端部部分引線LDe1重疊的位置處耦接至連接部分TP13。如上所述，由于引線保持部分TP11在與端部部分引線LDe1重疊的位置處終止，因此可以縮短懸置引線HL1與引線LD1(具體地，端部部分引線LDe1)之間的距離。相應(yīng)地，由于可以提高引線LD的布置密度，因此可以增大半導(dǎo)體裝置PKG1中包括的外部端子的數(shù)量。

此外，如圖4所示，條帶TP1和條帶TP2彼此分開。換句話說，以條帶TP1和條帶TP2彼此間隔開的狀態(tài)布置條帶TP1和條帶TP2。應(yīng)當(dāng)注意，如上所述，如果條帶TP1和條帶TP2沒有彼此重疊，則引線LD中的一些有可能不牢固地附著至條帶。然而，例如，如果即使使條帶TP1的端部部分與條帶TP2的端部部分接觸，條帶TP1與條帶TP2之間也沒有重疊部分，則引線LD中的每一個可以牢固地附著至條帶TP1和TP2。然而，在使條帶TP1的端部部分與條帶TP2的端部部分接觸的情況下，存在條帶TP1與條帶TP2彼此重疊的擔(dān)心。因此，如在實施例中的，條帶TP1和條帶TP2優(yōu)選地彼此分開。

此外，在實施例中，條帶TP1和條帶TP2在形狀上彼此不同。即，如圖5所示，條帶TP2具有在平面視圖中沿著引線LD2的導(dǎo)線連接部分(導(dǎo)線BW在接合區(qū)域WBR中結(jié)合的部分)延伸以及附著至引線LD中的每一個的引線保持部分(主要部分、保持部分或者部分)TP21。此外，條帶TP2具有附著至布置在引線組LDg1與引線組LDg2之間的懸置引線HL1的條帶支撐部分TP22，以及條帶支撐部分TP22沿著條帶TP1的連接部分TP13的延伸方向延伸。

如上所述，可以通過將條帶TP2的一部分附著至懸置引線HL1以提高條帶TP2的支撐強度。此外，由于條帶支撐部分TP22沿著條帶TP1的連接部分TP13延伸，因此可以防止條帶TP1與條帶TP2彼此重疊。

此外，如圖5所示，條帶TP2的引線保持部分TP21在與端部部分引線LDe2重疊的位置處耦接至條帶支撐部分TP22。換句話說，條帶TP2在與端部部分引線LDe2重疊的位置處具有彎曲部分。另外，不使條帶TP2與引線LD1接觸。如上所述，如果不使條帶TP2與引線LD1彼此接觸，則可以防止條帶TP1和條帶TP2彼此重疊。

此外，如圖4所示，實施例的半導(dǎo)體裝置PKG1中包括的條帶TP1具有關(guān)于中心線對稱的結(jié)構(gòu)，該中心線是將密封主體MR的側(cè)面S1的中心連接至側(cè)面S3的中心的線(虛擬線(未示出))。圖7是用于示出圖5所示的條帶的相對側(cè)上的端部部分的周邊同時將它們放大的放大平面視圖。

如圖7所示，條帶TP1的一部分附著至引線組LDg4與引線組LDg1之間布置的懸置引線HL2以及條帶支撐部分TP12(參見圖5)的相對側(cè)上的端部部分處的引線LD4中的一些。

具體地，條帶TP1具有在平面視圖中沿著引線LD1的導(dǎo)線連接部分(導(dǎo)線BW在接合區(qū)域WBR中結(jié)合的部分)延伸以及附著至引線LD1中的每一個的引線保持部分(主要部分、保持部分或者部分)TP14。此外，條帶TP1具有附著至懸置引線HL2和引線LD4(引線LD4中的一些)的條帶支撐部分(支撐部分或者部分)TP15，以及條帶支撐部分TP15附著至比引線保持部分TP14更遠(yuǎn)離導(dǎo)線連接部分的位置。此外，條帶TP1具有位于引線保持部分TP14與條帶支撐部分TP15之間的連接部分(部分)TP16。

具體地，如圖7所示，半導(dǎo)體裝置PKG1具有在引線組LDg1中包括的引線LD1當(dāng)中布置在最靠近設(shè)置在引線組LDg1與引線組LDg4之間的懸置引線HL2的位置處的端部部分引線LDe3。條帶TP1的引線保持部分TP14沿著方向DRE3(引線LD1的導(dǎo)線連接部分的陣列方向)延伸，以及引線保持部分TP14的終止部分(引線保持部分TP14與連接部分TP16之間的邊界部分)附著至端部部分引線LDe3。相應(yīng)地，從引線LD1中包括的接合區(qū)域WBR的導(dǎo)線連接部分到條帶TP1的長度LWT變成幾乎相同的值。

此外，半導(dǎo)體裝置PKG1具有附著至引線LD4中的每一個的條帶TP4。在平面視圖中，條帶TP4具有沿著引線LD4的導(dǎo)線連接部分延伸的引線保持部分(主要部分、保持部分或者部分)TP41以及條帶TP4附著至引線LD4中的每一個。引線保持部分TP41沿著引線LD4的導(dǎo)線連接部分的陣列方向延伸。

具體地，如圖7所示，半導(dǎo)體裝置PKG1具有在引線組LDg4中包括的引線LD4當(dāng)中布置在最靠近設(shè)置在引線組LDg1與引線組LDg4之間的懸置引線HL2的位置處的端部部分引線LDe4。條帶TP4的引線保持部分TP41沿著方向DRE4(引線LD4的導(dǎo)線連接部分的陣列方向)延伸，以及引線保持部分TP41的終止部分(引線保持部分TP41與條帶支撐部分TP42之間的邊界部分)附著至端部部分引線LDe4。相應(yīng)地，從引線LD4中包括的接合區(qū)域WBR的導(dǎo)線連接部分到條帶TP4的長度LWT變成幾乎相同的值。

此外，條帶TP1與條帶TP4彼此不重疊。此外，條帶TP1和條帶TP4附著至每個引線LD的上表面LDt和下表面LDb(參見圖2)中的相同表面(圖7所示的示例中的上表面LDt)。

應(yīng)當(dāng)注意，在實施例中，作為圖5所示的引線LD1的導(dǎo)線連接部分的陣列方向的方向DRE1和作為圖7所示的引線LD1的導(dǎo)線連接部分的陣列方向的方向DRE3不與圖4所示的側(cè)面S4平行。換句話說，圖5所示的方向DRE1和圖7所示的方向DRE3相對于圖4所示的側(cè)面S4傾斜地延伸。此外，圖5所示的方向DRE1和圖7所示的方向DRE3彼此不平行。這是由于使半導(dǎo)體芯片CP的焊盤PD與引線LD1彼此耦接的導(dǎo)線BW的長度相等。

因此，上面已經(jīng)在將條帶TP1的配置部分在導(dǎo)線連接部分的每個陣列方向上劃分的同時，對圖5所示的引線保持部分TP11和圖7所示的引線保持部分TP14進(jìn)行了描述。然而，引線保持部分TP11和引線保持部分TP14彼此耦接，以及具有相同的功能(通過附著至引線LD1以保持引線LD1的功能)。因此，引線保持部分TP11和引線保持部分TP14可以被看作一個配置部分。

此外，如上所述，條帶TP1具有關(guān)于中心線對稱的結(jié)構(gòu)，該中心線是將密封主體MR的側(cè)面S1的中心連接至側(cè)面S3的中心的線(虛擬線(未示出))。此外，條帶TP4具有關(guān)于中心線對稱的結(jié)構(gòu)，該中心線是將密封主體MR的側(cè)面S2的中心連接至側(cè)面S4的中心的線(虛擬線(未示出))。因此，在使用圖5和圖6的描述中，可以以引線保持部分TP14、條帶支撐部分TP15、連接部分TP16、端部部分引線LDe3和非端部部分引線LDc3分別地代替引線保持部分TP11、條帶支撐部分TP12、連接部分TP13、端部部分引線LDe1和非端部部分引線LDc1。此外，在使用圖5和圖6的描述中，可以以條帶TP4、引線保持部分TP41、條帶支撐部分TP42、端部部分引線LDe4和非端部部分引線LDc4分別地代替條帶TP2、引線保持部分TP21、條帶支撐部分TP22、端部部分引線LDe2和非端部部分引線LDc2。同樣地，在使用圖5和圖6的描述中，可以以懸置引線HL2代替懸置引線HL1。

此外，盡管將省略重復(fù)解釋，但是圖4所示的條帶TP2和條帶TP4中的每一個具有關(guān)于中心線對稱的結(jié)構(gòu)，該中心線是將密封主體MR的側(cè)面S2的中心連接至側(cè)面S4的中心的線(虛擬線(未示出))。此外，圖4所示的條帶TP3和條帶TP1中的每一個具有關(guān)于中心線對稱的結(jié)構(gòu)，該中心線是將密封主體MR的側(cè)面S1的中心連接至側(cè)面S3的中心的線(虛擬線(未示出))。因此，在使用圖5和圖6的描述中，可以以圖4所示的條帶TP3代替條帶TP1。

<半導(dǎo)體裝置的制造方法>

接著，將使用圖8所示的流程圖對使用圖1至圖7描述的半導(dǎo)體裝置PKG1的制造方法進(jìn)行描述。圖8是用于示出使用圖1至圖7描述的半導(dǎo)體裝置的組裝過程的流程的解釋性視圖。

此外，盡管圖8示出了半導(dǎo)體裝置PKG1的制造過程當(dāng)中的主要過程，但是除圖8所示的組裝流程以外，可以應(yīng)用各種修改的示例。例如，盡管在圖8中沒有圖示在密封主體MR中形成產(chǎn)品標(biāo)識標(biāo)記的標(biāo)記過程，但是可以在密封過程與鍍敷過程之間添加標(biāo)記過程。此外，例如，盡管在圖8中沒有圖示檢查過程，但是可以在例如分割過程之后添加檢查過程。

<基底材料制備過程>

在圖8所示的基底材料制備過程中，制備了圖9所示的引線框架LF。圖9是用于示出圖8所示的基底材料制備過程中制備的引線框架的放大平面視圖。此外，圖10是用于示出在沿著圖9的線A-A的截面中條帶附著至引線的狀態(tài)的放大截面視圖。此外，圖11是用于示出在沿著圖9的線B-B的截面中條帶附著至引線的狀態(tài)的放大截面視圖。

應(yīng)當(dāng)注意，引線框架LF是包括多個裝置形成部分LFd的基底材料。然而，為了容易地查看附圖，圖9示出了裝置形成部分LFd中的一個同時將它放大。此外，為了容易地查看附圖，圖9沒有圖示圖3所示的引線LD中的一些。在下文中，這同樣適用于用于解釋半導(dǎo)體裝置PKG1的制造方法的放大平面視圖。

過程中制備的引線框架LF包括框架部分LFf內(nèi)部的裝置形成部分LFd。引線框架LF由金屬制成，以及在實施例中，由主要包括例如銅(Cu)的金屬制成。

應(yīng)當(dāng)注意，在實施例中將對如圖8所示在密封過程之后執(zhí)行鍍敷過程以及在外引線部分OLD處形成圖2所示的金屬膜MC的示例進(jìn)行描述。然而，作為修改的示例，在基底材料制備過程的階段中，可以提前用金屬膜MC覆蓋主要包括銅的基底材料的表面。在該情況下，用金屬膜MC覆蓋引線框架LF的整個暴露的表面。

此外，如圖9所示，在每個裝置形成部分LFd的中間形成管芯焊盤DP(芯片安裝部分)。懸置引線HL連接至管芯焊盤DP，以及被布置以使得朝裝置形成部分LFd的角部分延伸。即，管芯焊盤DP由懸置引線HL支撐，以及通過懸置引線HL由引線框架LF的框架部分LFf支撐。

此外，圍繞管芯焊盤DP在懸置引線HL之間形成引線LD。相應(yīng)的引線LD連接至框架部分LFf。在圖9所示的示例中，引線LD包括沿著X方向布置的引線LD1以及沿著與X方向相交(正交)的Y方向布置的引線LD2。此外，引線LD包括沿著X方向在引線LD1的相對側(cè)上布置的引線LD3以及沿著Y方向在引線LD2的相對側(cè)上布置的引線LD4。

此外，引線LD通過系桿(tie bar)TB彼此連接。除作為用于連接引線LD的連接部件的功能以外，系桿TB還具有作為用于抑制圖8所示的密封過程中的樹脂泄漏的擋隔部件的功能。系桿TB耦接至引線LD和引線框架LF的框架部分LFf。此外，每個引線LD的一個端部部分耦接至引線框架LF的框架部分LFf。因此，在圖8所示的引線切割過程之前，由引線框架LF的框架部分LFf支撐各個引線LD。

然而，如上所述，在實施例中，引線LD的內(nèi)引線部分ILD(參見圖2)的延伸距離很長。因此，為了防止每個引線LD的另一個端部部分(沒有耦接至框架部分LFf的端部部分)的變形，附著上面描述的條帶TP1、TP2、TP3和TP4。

相應(yīng)地，例如，如下地執(zhí)行將條帶TP1、TP2、TP3和TP4附著至引線框架LF處形成的引線LD的過程。即，如圖10和圖11所示，在引線LD布置在平臺(附著平臺)ATS上的狀態(tài)中，條帶TP1和條帶TP2布置在每個引線LD的一個表面(圖10和圖11所示的示例中的上表面LDt側(cè))上。另外，條帶TP1和TP2壓靠引線LD，同時從條帶TP1和條帶TP2的上表面?zhèn)劝磯簥A具(附著夾具)ATJ。相應(yīng)地，條帶TP1和條帶TP2附著至引線LD。在該情況下，在條帶TP1與條帶TP2彼此重疊的情況下，由重疊部分的厚度限定平臺ATS與夾具ATJ之間分開的距離。因此，在條帶TP1沒有與條帶TP2重疊的部分的部分處，在夾具ATJ或者平臺ATS與條帶TP1和TP2之間生成間隙。因此，存在從夾具ATJ施加的按壓力沒有被傳遞到條帶TP1和TP2的一部分以及條帶TP1和條帶TP2兩者沒有接合到引線LD中的一些的擔(dān)心。

然而，如圖9到圖11所示，根據(jù)實施例，條帶TP1、TP2、TP3(參見圖9)和TP4(參見圖9)彼此不重疊。因此，相應(yīng)的引線LD可靠地接合至至少條帶TP1、TP2、TP3和TP4中的任何一個。

應(yīng)當(dāng)注意，盡管圖10和圖11中的每一個示出了一次附著條帶TP1和條帶TP2的示例，但是可以按順序附著條帶TP1和條帶TP2。即使在該情況下，由于條帶TP1與條帶TP2彼此不重疊，因此相應(yīng)的引線LD1附著至條帶TP1，以及相應(yīng)的引線LD2附著至條帶TP2。此外，圖9所示的條帶TP3和條帶TP4的附著方法是相同的。

<管芯接合過程>

接著，在圖8所示的管芯接合過程(半導(dǎo)體芯片安裝過程)中，如圖12所示，半導(dǎo)體芯片CP安裝在管芯焊盤DP上。圖12是用于示出半導(dǎo)體芯片安裝在圖9所示的引線框架的管芯焊盤上的狀態(tài)的放大平面視圖。

如使用圖2描述的，半導(dǎo)體芯片CP具有其上形成有焊盤PD的頂表面CPt和與頂表面CPt相對的背表面CPb。在該過程中，半導(dǎo)體芯片CP和管芯焊盤DP通過管芯接合材料DB(參見圖2)彼此接合和固定，該管芯接合材料DB是由例如熱固性樹脂(諸如環(huán)氧樹脂)制成的粘合劑。在圖12所示的示例中，在平面視圖中，半導(dǎo)體芯片CP被安裝為使得管芯焊盤DP的上表面DPt的一部分覆蓋有半導(dǎo)體芯片CP。

此外，如使用圖2描述的，在實施例的示例中，通過所謂面朝上的安裝方法將半導(dǎo)體芯片CP安裝在管芯焊盤DP上以使得背表面CPb面向上表面DPt(管芯焊盤DP的芯片安裝表面)。

<導(dǎo)線接合過程>

接著，在圖8所示的導(dǎo)線接合過程中，如圖13所示，在半導(dǎo)體芯片CP的頂表面CPt上形成的焊盤PD通過導(dǎo)線(導(dǎo)電部件)BW電氣地耦接至圍繞半導(dǎo)體芯片CP布置的引線LD。圖13是用于示出圖12所示的半導(dǎo)體芯片和引線通過導(dǎo)線彼此電氣地耦接的狀態(tài)的放大平面視圖。此外，圖14是用于示出圖13所示的半導(dǎo)體芯片的焊盤和引線通過導(dǎo)線彼此電氣地耦接的狀態(tài)的放大截面視圖。

在過程中，如例如圖14中所示，制備形成有凹陷部分10c的熱平臺10，以及在熱平臺10上布置其上安裝有半導(dǎo)體芯片CP的引線框架LF，使得管芯焊盤DP位于凹陷部分10c中。另外，半導(dǎo)體芯片CP的焊盤PD和引線LD通過導(dǎo)線BW彼此電氣地耦接。在該情況下，通過所謂的釘頭式接合(nail head bonding)方法結(jié)合導(dǎo)線BW，其中在實施例中，通過毛細(xì)管11供應(yīng)導(dǎo)線BW以及使用超聲波和熱壓縮兩者。此外，通過所謂的普通接合方法結(jié)合導(dǎo)線BW，其中在實施例中，每個導(dǎo)線BW的一個端部部分耦接至半導(dǎo)體芯片CP的焊盤PD，以及隨后每個導(dǎo)線BW的另一個端部部分耦接至引線LD的接合區(qū)域WBR。在圖14所示的示例中，每個導(dǎo)線BW的另一個端部部分結(jié)合至在每個引線LD的上表面LDt上形成的金屬膜BM。導(dǎo)線BW結(jié)合的部分與上面描述的導(dǎo)線連接部分相對應(yīng)。

此外，在過程中通過熱平臺10對引線LD進(jìn)行加熱。因此，附著至引線LD的條帶TP1、TP2、TP3和TP4優(yōu)選地抑制熱平臺10和引線LD的牢固附著受約束。相應(yīng)地，在每個引線LD的上表面LDt和下表面LDb中，條帶TP1、TP2、TP3和TP4優(yōu)選地附著至導(dǎo)線BW結(jié)合的表面。在實施例的情況下，導(dǎo)線BW結(jié)合在引線LD的上表面LDt側(cè)上。因此，條帶TP1、TP2、TP3和TP4中的每一個附著至每個引線LD的上表面LDt。相應(yīng)地，熱平臺10和引線LD可以彼此牢固地附著。

此外，根據(jù)實施例，相應(yīng)的引線LD由條帶TP1、TP2、TP3和TP4保持。因此，在導(dǎo)線接合過程中可以抑制引線LD中的一些的變形。因此，導(dǎo)線BW可以可靠地結(jié)合至引線LD的相應(yīng)的接合區(qū)域WBR。

<密封過程>

接著，在圖8所示的密封過程中，用樹脂密封圖13所示的半導(dǎo)體芯片CP、導(dǎo)線BW和引線LD的內(nèi)引線部分ILD以形成圖15所示的密封主體MR。圖15是用于示出在圖13所示的裝置形成部分中的每一個中形成用于密封半導(dǎo)體芯片的密封主體的狀態(tài)的放大平面視圖。

在過程中，例如，在具有多個空腔(未示出)的成型模具中布置引線框架LF的狀態(tài)中，將樹脂供應(yīng)到由空腔形成的空間中，以及隨后使樹脂硬化以形成密封主體(密封部分)MR。這種形成密封主體MR的方法被稱為轉(zhuǎn)移成型方法。

在圖15所示的示例中，在平面視圖中，成型模具的空腔布置在由裝置形成部分LFd的系桿TB圍繞的區(qū)域中。因此，如圖15所示，在由裝置形成部分LFd的系桿TB圍繞的區(qū)域中形成密封主體MR的主體部分。此外，由系桿TB擋隔從空腔泄露的樹脂的一部分。因此，引線LD中包括的相應(yīng)的外引線部分OLD從密封主體MR的側(cè)表面MRs露出。

在引線LD當(dāng)中，沿著Y方向延伸的引線LD1的外引線部分OLD在密封主體MR的側(cè)面S1中從密封主體MR的側(cè)表面MRs伸出。此外，在引線LD當(dāng)中，沿著X方向延伸的引線LD2的外引線部分OLD在密封主體MR的側(cè)面S2中從密封主體MR的側(cè)表面MRs伸出。此外，在引線LD當(dāng)中，沿著Y方向延伸的引線LD3的外引線部分OLD在密封主體MR的側(cè)面S3中從密封主體MR的側(cè)表面MRs伸出。此外，在引線LD當(dāng)中，沿著X方向延伸的引線LD4的外引線部分OLD在密封主體MR的側(cè)面S4中從密封主體MR的側(cè)表面MRs伸出。

<鍍敷過程>

接著，在圖8所示的鍍敷過程中，通過鍍敷方法在圖15所示的引線LD的暴露的表面上形成金屬膜MC(參見圖2)。過程中形成的金屬膜MC形成為提高當(dāng)半導(dǎo)體裝置PKG1安裝在安裝襯底(未示出)上時用作結(jié)合材料的焊料材料的可潤濕性。

在過程中，優(yōu)選地在引線LD的暴露的表面上形成由焊料制成的金屬膜MC。此外，作為形成金屬膜MC的方法，可以應(yīng)用在引線LD的暴露的表面上沉積電離金屬離子的電鍍方法。由于在形成金屬膜MC時可以通過控制電流容易地控制金屬膜MC的膜質(zhì)量，因此電鍍方法是優(yōu)選的。此外，由于可以在短時間內(nèi)形成金屬膜MC，因此電解鍍敷方法是優(yōu)選的。

<引線切割過程>

接著，在圖8所示的引線切割過程中，如圖16所示來切割引線LD的相應(yīng)的外引線部分OLD，以及使引線LD從引線框架LF分開。此外，在實施例中，在切割引線LD之后，執(zhí)行如圖2所示的彎曲工作以成型引線LD。圖16是用于示出在圖15所示的引線的暴露的表面上形成金屬膜以及將金屬膜切割隨后進(jìn)行成型的狀態(tài)的放大平面視圖。

在過程中，切割連接引線LD的系桿TB(參見圖15)。此外，使相應(yīng)的引線LD從框架部分LFf分開。因此，引線LD變成彼此分開的獨立部件。此外，在使引線LD分開之后，通過懸置引線HL(參見圖9)由框架部分LFf支撐密封主體MR和引線LD。

應(yīng)當(dāng)注意，在實施例的描述中，在鍍敷過程之后切割系桿TB。然而，可以在僅切割系桿TB之后首先執(zhí)行鍍敷過程，以及進(jìn)一步地，可以使相應(yīng)的引線LD從框架部分LFf分開。相應(yīng)地，也可以在系桿TB的切割表面上形成金屬膜MC，以及可以抑制系桿TB的切割表面由于氧化而褪色。此外，由于在引線LD從框架部分LFf分開之前執(zhí)行鍍敷過程，因此可以抑制由于鍍敷液體引起的引線LD的變形。

通過使用要在稍后描述的用于切割的模具的壓力工作來切割引線LD和系桿TB。此外，可以通過使用用于成型的模具(未示出)的壓力工作使引線LD的外引線部分OLD彎曲以如例如圖2所示來成型切割的引線LD。

稍后將對引線切割過程的細(xì)節(jié)進(jìn)行描述。

<分割過程>

接著，在圖8所示的分割過程中，如圖17所示，相應(yīng)的懸置引線HL被切割，以及半導(dǎo)體封裝在裝置形成部分LFd中的每一個中分開。圖17是用于示出圖16所示的懸置引線被切割以獲得半導(dǎo)體封裝的狀態(tài)的放大平面視圖。

在過程中，圖9所示的懸置引線HL和留在密封主體MR的角部分處的樹脂被切割以獲得作為半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體裝置PKG1(具體地，檢查過程之前的檢查目標(biāo))。作為切割方法，例如，如與引線成型過程相似的，可以通過使用切割模具(未示出)的壓力工作來切割懸置引線HL和樹脂。

在該過程之后，進(jìn)行必要的檢查和測試(諸如，外觀檢查和電氣測試)，以及已經(jīng)通過測試的產(chǎn)品是圖1至圖7所示的半導(dǎo)體裝置PKG1。

已經(jīng)在上面基于實施例詳細(xì)地描述了由發(fā)明人實現(xiàn)的本發(fā)明。然而，顯而易見的是，本發(fā)明并不限于上面描述的實施例，而可以在不背離本發(fā)明的范圍的情況下進(jìn)行各種改變。

<修改的示例1>

例如，在實施例的描述中，通過以相同的形狀形成條帶TP1和條帶TP3以及通過以相同的形狀形成條帶TP2和條帶TP4來附著兩種類型的條帶。然而，如圖18所示半導(dǎo)體裝置PKG2，可以以相同的形狀形成條帶TP1、TP2、TP3和TP4。圖18是用于示出作為圖4的修改的示例的半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的透視平面視圖。此外，圖19是圖18所示的半導(dǎo)體裝置的放大平面視圖，以及示出了圖7所示的半導(dǎo)體裝置的修改的示例。

圖18和圖19中的每一個所示的半導(dǎo)體裝置PKG2與圖1至圖7中的每一個所示的半導(dǎo)體裝置PKG1不同在于以相同的形狀形成條帶TP1、TP2、TP3和TP4。

具體地，如圖19所示，條帶支撐部分TP15直接耦接至條帶TP1的引線保持部分TP14，以及沒有在引線保持部分TP14與條帶支撐部分TP15之間設(shè)置連接部分TP16(參見圖7)。另一方面，條帶TP4具有與圖5所示的條帶TP1相同的結(jié)構(gòu)。即，條帶TP4具有在平面視圖中沿著引線LD4的導(dǎo)線連接部分(導(dǎo)線BW在接合區(qū)域WBR中結(jié)合的部分)延伸以及附著至引線LD4中的每一個的引線保持部分(主要部分、保持部分或者部分)TP41。此外，條帶TP4具有附著至懸置引線HL2和引線LD1(引線LD1中的一些)的條帶支撐部分(支撐部分或者部分)TP42，條帶支撐部分TP42附著至比引線保持部分TP41更遠(yuǎn)離導(dǎo)線連接部分的位置。此外，條帶TP4具有位于引線保持部分TP41與條帶支撐部分TP42之間的連接部分(部分)TP43。此外，條帶TP1沒有與條帶TP4重疊的部分。

應(yīng)當(dāng)注意，半導(dǎo)體裝置PKG2中包括的條帶TP1中與圖19所示的放大平面相對的端部部分的結(jié)構(gòu)與圖5所示的半導(dǎo)體裝置PKG1中包括的條帶TP1的端部部分的結(jié)構(gòu)相同，并且因此將省略重復(fù)解釋。此外，如圖18所示，半導(dǎo)體裝置PKG2中包括的條帶TP2、TP3和TP4中的每一個的結(jié)構(gòu)與條帶TP1的結(jié)構(gòu)相同，并且因此將省略其解釋。

根據(jù)修改的示例，由于以相同的形狀形成條帶TP1、TP2、TP3和TP4，因此與如在圖4所示的半導(dǎo)體裝置PKG1中制備兩種類型的條帶的情況相比，可以高效地制造條帶。

應(yīng)當(dāng)注意，除上面描述的不同點以外，半導(dǎo)體裝置PKG2與實施例中描述的半導(dǎo)體裝置PKG1相同。因此，可以在條帶TP1、TP2、TP3和TP4的相同形狀的特性不被惡化的范圍中應(yīng)用實施例中描述的修改的示例。

<修改的示例2>

此外，在實施例的描述和修改的示例中，附著四個條帶。然而，如在圖20所示的半導(dǎo)體裝置PKG3和圖21所示的半導(dǎo)體裝置PKG4中，可以附著諸如條帶TP1和條帶TP2的兩個條帶。圖20是用于示出作為圖4的另一個修改的示例的半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的透視平面視圖。此外，圖21是用于示出作為圖20的修改的示例的半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的透視平面視圖。此外，圖22是圖20或者圖21所示半導(dǎo)體裝置的放大平面視圖，以及示出了圖7所示的半導(dǎo)體裝置的另一個修改的示例。

圖20所示的半導(dǎo)體裝置PKG3和圖21所示的半導(dǎo)體裝置PKG4與圖1至圖7中的每一個所示的半導(dǎo)體裝置PKG1的不同在于：條帶TP1和條帶TP2中的每一個保持跨越懸置引線HL設(shè)置的引線組中包括的引線LD。

具體地，如圖22所示，半導(dǎo)體裝置PKG3和PKG4中的每一個中包括的條帶TP1與圖7所示的半導(dǎo)體裝置PKG1的不同在于：除保持相應(yīng)的引線LD1的引線保持部分TP11(參見圖5)和引線保持部分TP14以外，條帶TP1還具有保持相應(yīng)的引線LD4的引線保持部分TP17。修改的示例的條帶TP1具有沿著引線LD4的導(dǎo)線連接部分(導(dǎo)線BW在接合區(qū)域WBR中結(jié)合的部分)延伸的引線保持部分(主要部分、保持部分或者部分)TP17以及該條帶TP1附著至引線LD4中的每一個。此外，條帶TP1具有附著至懸置引線HL2的條帶支撐部分TP15，以及條帶支撐部分TP15跨越引線保持部分TP17和引線保持部分TP14設(shè)置。

在修改的示例的情況下，條帶TP1和條帶TP2中的每一個是獨立部件，以及不以環(huán)形形狀形成。因此，可以在條帶制造過程中抑制條帶獲取效率的降低。此外，在引線保持部分TP14和引線保持部分TP17通過條帶支撐部分TP15彼此連接的情況下，不存在引線保持部分TP14與引線保持部分TP17重疊的擔(dān)心。因此，引線LD1中的每一個和引線LD4中的每一個可以可靠地附著至條帶TP1。

應(yīng)當(dāng)注意，除端部部分的形狀以外，圖20和圖21中的每一個所示的條帶TP2與條帶TP1相同。此外，條帶TP1和條帶TP2的端部部分的形狀與使用圖5描述的條帶TP1的端部部分的形狀或者條帶TP2的端部部分的形狀相同。因此，將省略重復(fù)解釋。此外，圖21所示的半導(dǎo)體裝置PKG4與圖20所示的半導(dǎo)體裝置PKG3的不同在于附著了相同形狀的條帶TP1和條帶TP2。相應(yīng)地，如修改的示例1中描述的一樣，與制備兩種類型的條帶的情況相比，可以高效地制造條帶。

應(yīng)當(dāng)注意，除上面描述的不同點以外，半導(dǎo)體裝置PKG3和半導(dǎo)體裝置PKG4與實施例中描述的半導(dǎo)體裝置PKG1相同。因此，可以在通過附著條帶TP1和條帶TP2以保持引線LD1、LD2、LD3和LD4的特性不被惡化的范圍中應(yīng)用實施例中描述的修改的示例。

<修改的示例3>

此外，例如，盡管上面已經(jīng)描述了各種修改的示例，但是可以應(yīng)用上面描述的修改的示例的組合。

除上述以外，將在下面對實施例中描述的內(nèi)容的一部分進(jìn)行描述。

[附加陳述1]

一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括下列步驟：

(a)制備引線框架，所述引線框架具有包括沿著第一方向布置的多個第一引線的第一引線組，包括沿著與第一方向相交的第二方向布置的多個第二引線的第二引線組，布置在第一引線組與第二引線組之間的第一懸置引線，與第一懸置引線連接的管芯焊盤，附著至第一引線中的每一個、第一懸置引線和第二引線中的一些的第一條帶以及附著至第二引線中的每一個的第二條帶；

(b)在管芯焊盤上安裝具有多個焊盤的半導(dǎo)體芯片；以及

(c)通過多個導(dǎo)線使半導(dǎo)體芯片的焊盤電氣地耦接至引線框架的第一引線和第二引線，

其中第一引線、第二引線和第一懸置引線中的每一個具有第一表面和與第一表面相對的第二表面，

其中第一條帶和第二條帶中的每一個附著至第一表面，

其中，在平面視圖中，第一條帶具有：沿著相應(yīng)的第一引線的導(dǎo)線連接部分延伸以及附著至第一引線中的每一個的第一部分、附著至第一懸置引線和第二引線中的一些以及附著至比第一部分更遠(yuǎn)離導(dǎo)線連接部分的位置的第二部分，以及位于第一部分與第二部分之間的第三部分，以及

其中第一條帶沒有與第二條帶重疊的部分。