1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的基底，所述第一區(qū)域部分基底上形成有第一偽柵，所述第二區(qū)域部分基底上形成有第二金屬柵極，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域基底表面形成有層間介質(zhì)層，且所述層間介質(zhì)層還覆蓋于第一偽柵側(cè)壁表面和第二金屬柵極側(cè)壁表面；
在所述第三區(qū)域的基底上、第一區(qū)域的層間介質(zhì)層頂部表面、第一偽柵頂部表面、第二區(qū)域的層間介質(zhì)層頂部表面以及第二金屬柵極頂部表面形成第一掩膜層；
在所述第二金屬柵極上方的第一掩膜層表面形成第二掩膜層，且所述第二掩膜層的材料與第一掩膜層的材料不同；
在所述第三區(qū)域的基底上形成圖形層；
以所述圖形層為掩膜，刻蝕去除位于第一區(qū)域的第一掩膜層以及第一偽柵，在所述第一區(qū)域的層間介質(zhì)層內(nèi)形成第一開(kāi)口，在形成第一開(kāi)口的過(guò)程中所述第二區(qū)域的第二掩膜層被刻蝕、且所述第二金屬柵極頂部表面被第一掩膜層覆蓋；
去除所述位于第二金屬柵極頂部表面的第一掩膜層；
形成填充滿所述第一開(kāi)口的第一金屬柵極。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜層的材料為非金屬氮化物。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜層的材料為氮化硼或氮化硅。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜層還位于第二區(qū)域的層間介質(zhì)層上方。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二掩膜層的工藝步驟包括：在所述第一掩膜層表面形成第二初始掩膜層；在所述第二區(qū)域的第二初始掩膜層表面形成光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，刻蝕去除位于第一區(qū)域的第二初始掩膜層，形成所述第二掩膜層；去 除所述光刻膠層。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第二初始掩膜層的材料為氮化硼；采用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述第二初始掩膜層，化學(xué)氣相沉積工藝的工藝參數(shù)包括：腔室壓強(qiáng)為標(biāo)準(zhǔn)大氣壓，腔室溫度為500攝氏度至1500攝氏度，BCl3流量為100sccm至5000sccm，還向腔室內(nèi)通入N2、NH3和H2，其中，N2、NH3和H2的流量比為1:1:2。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜層的材料與層間介質(zhì)層的材料相同。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜層的材料為氧化硅；所述層間介質(zhì)層的材料為氧化硅。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜層的厚度為10埃至200埃；所述第二掩膜層的厚度為10埃至400埃。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一開(kāi)口的工藝步驟包括：以所述圖形層為掩膜，采用第一刻蝕工藝刻蝕去除位于第一區(qū)域的第一掩膜層；接著，采用第二刻蝕工藝刻蝕去除所述第一偽柵。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝的工藝參數(shù)包括：腔室壓強(qiáng)為1毫托至500毫托，源功率為100瓦至1000瓦，偏置電壓為0伏至300伏，CF4流量為0sccm至500sccm，O2流量為0sccm至100sccm，Cl2流量為0sccm至200sccm。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕工藝的工藝參數(shù)包括：腔室壓強(qiáng)為1毫托至500毫托，源功率為100瓦至1000瓦，偏置電壓為0伏至300伏，HBr流量為0sccm至500sccm，O2流量為0sccm至100sccm，H2流量為0sccm至200sccm。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第一開(kāi)口的過(guò)程中，第二區(qū)域的第二掩膜層被完全刻蝕去除；或者，在形成所述第一開(kāi)口的過(guò)程中，第二區(qū)域的部分厚度的第二掩膜層被刻蝕去除。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述圖形層的材料包括光刻膠材料。
15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)層還位于第三區(qū)域的基底上；所述圖形層位于第三區(qū)域的層間介質(zhì)層頂部表面。
16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝，去除所述位于第二金屬柵極頂部表面的第一掩膜層。
17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一金屬柵極包括：位于第一開(kāi)口底部和側(cè)壁表面的第一功函數(shù)層；位于第一功函數(shù)層表面且填充滿所述第一開(kāi)口的第一金屬體層，且所述第一金屬體層頂部與第一區(qū)域?qū)娱g介質(zhì)層頂部齊平。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一金屬柵極的工藝步驟包括：在所述第一開(kāi)口底部和側(cè)壁表面形成第一功函數(shù)層，且所述第一功函數(shù)層還覆蓋于層間介質(zhì)層頂部表面以及第二金屬柵極頂部表面；在所述第一功函數(shù)層表面形成第一金屬體層，所述第一金屬體層填充滿第一開(kāi)口；研磨去除高于層間介質(zhì)層頂部表面的第一金屬體層以及第一功函數(shù)層。
19.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一區(qū)域?yàn)镹MOS區(qū)域或PMOS區(qū)域；所述第二區(qū)域?yàn)镹MOS區(qū)域或PMOS區(qū)域，且所述第二區(qū)域和第一區(qū)域的區(qū)域類型不同。
20.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一金屬柵極與基底之間形成有第一柵介質(zhì)層；所述第二金屬柵極與基底之間形成有第二柵介質(zhì)層。