本發(fā)明涉及一種基板分離裝置與基板分離方法，特別是涉及一種用于分離硅晶片基板的分離裝置與方法。

背景技術(shù)：

目前太陽(yáng)能電池的制作過(guò)程中，欲將一片片的硅晶片載入相關(guān)制程設(shè)備進(jìn)行制作處理時(shí)，通常會(huì)借助吹氣裝置于硅晶片的兩側(cè)進(jìn)行吹氣，以使整疊的硅晶片的最上方那一片與第二片產(chǎn)生分離，之后再以機(jī)器手臂吸取最上方的硅晶片，如此可避免整疊硅晶片之間因靜電或其他因素產(chǎn)生粘片，從而防止因粘片所導(dǎo)致的第二片甚至第三片的硅晶片被帶起而衍生的甩片、破裂的問(wèn)題。

然而，現(xiàn)有吹氣方式為兩側(cè)氣流直接正對(duì)的對(duì)吹方式，此種方式易導(dǎo)致吹出的氣流相互抵消而造成硅晶片無(wú)法順利分離的問(wèn)題產(chǎn)生。而且若使用兩側(cè)各以單一股氣流的對(duì)吹方式時(shí)，因氣流的位置是對(duì)應(yīng)于硅晶片的中央，易使被吹拂而飄浮的硅晶片產(chǎn)生類(lèi)似翹翹板的傾斜情形，如此也易導(dǎo)致硅晶片之間粘片問(wèn)題的產(chǎn)生。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種能確保硅晶片有效分離而且能使硅晶片維持一定漂浮高度，避免硅晶片傾斜的基板分離裝置與基板分離方法。

本發(fā)明基板分離裝置，包含：一個(gè)基座，以及兩個(gè)分別位于該基座的相對(duì)兩側(cè)的吹氣裝置。每一個(gè)吹氣裝置具有至少兩個(gè)出氣口，每一個(gè)吹氣裝置的該兩個(gè)出氣口為左右間隔。其中，各該吹氣裝置的該兩個(gè)出氣口用于提供 兩道氣流，該兩道氣流的氣流方向相互遠(yuǎn)離，且每一個(gè)吹氣裝置的該兩道氣流的氣流方向，與另一個(gè)吹氣裝置的該兩道氣流的氣流方向?yàn)閷?duì)稱(chēng)或至少大致對(duì)稱(chēng)。

本發(fā)明所述基板分離裝置，每一個(gè)吹氣裝置的出氣口的數(shù)量為偶數(shù)且形成位置為左右對(duì)稱(chēng)。

本發(fā)明所述基板分離裝置，每一個(gè)吹氣裝置具有至少兩個(gè)氣流通道，每一個(gè)吹氣裝置的該兩個(gè)氣流通道分別一一對(duì)應(yīng)相通于該兩個(gè)出氣口，其中每一個(gè)吹氣裝置的該兩個(gè)氣流通道的通道延伸方向彼此相交。

本發(fā)明所述基板分離裝置，該基座具有兩個(gè)間隔相對(duì)且分別鄰近該兩個(gè)吹氣裝置的側(cè)邊，所述側(cè)邊定義一個(gè)通過(guò)該兩個(gè)吹氣裝置且垂直于該兩側(cè)邊的延伸方向的參考方向，每一道氣流的氣流方向與該參考方向的夾角為15°～30°。

本發(fā)明所述基板分離裝置，每一道氣流的氣流方向與該參考方向的夾角為15°～20°。

本發(fā)明所述基板分離裝置，每一個(gè)吹氣裝置的所述出氣口的數(shù)量大于兩個(gè)且為偶數(shù)，每一個(gè)吹氣裝置的該多個(gè)出氣口沿縱向間隔并沿橫向排列成至少兩排且彼此為左右對(duì)稱(chēng)。

本發(fā)明所述基板分離裝置，每一個(gè)吹氣裝置具有四個(gè)左右間隔的出氣口，該四個(gè)出氣口中位于最外側(cè)的該兩個(gè)出氣口的氣流方向相互遠(yuǎn)離的程度，大于該四個(gè)出氣口中位于中間的該兩個(gè)出氣口的氣流方向相互遠(yuǎn)離的程度。

本發(fā)明所述基板分離裝置，各該出氣口為縱向延伸的長(zhǎng)形孔。

本發(fā)明所述基板分離裝置，各該出氣口為長(zhǎng)形孔、圓孔、方孔、三角形孔或不規(guī)則孔。

本發(fā)明所述基板分離裝置，該基座用于承載硅晶片。

本發(fā)明基板分離方法，包含：提供一個(gè)基座；提供一疊硅晶片并置放于該基座上；提供兩個(gè)吹氣裝置，該兩個(gè)吹氣裝置分別位于該基座的相對(duì)兩側(cè)，且每一個(gè)吹氣裝置具有至少兩個(gè)出氣口，每一個(gè)吹氣裝置的該個(gè)兩個(gè)出氣口為左右間隔，其中各該吹氣裝置的該兩個(gè)出氣口用于提供兩道氣流，該兩道氣流的氣流方向相互遠(yuǎn)離，且每一個(gè)吹氣裝置的該兩道氣流的氣流方向，與另一個(gè)吹氣裝置的該兩道氣流的氣流方向?yàn)閷?duì)稱(chēng)或至少大致對(duì)稱(chēng)；分離所述硅晶片，其中使每一個(gè)吹氣裝置的該兩道氣流對(duì)稱(chēng)且斜吹于該疊硅晶片中的上方多片硅晶片的側(cè)邊處，以至少使該疊硅晶片中最上方的兩片硅晶片彼此分離。

本發(fā)明所述基板分離方法，該基座具有兩個(gè)間隔相對(duì)且分別鄰近該兩個(gè)吹氣裝置的側(cè)邊，所述側(cè)邊定義一個(gè)通過(guò)該兩個(gè)吹氣裝置且垂直于該兩個(gè)側(cè)邊的延伸方向的參考方向，每一道氣流的氣流方向與該參考方向的夾角為15°～30°。

本發(fā)明所述基板分離方法，每一道氣流的氣流方向與該參考方向的夾角為15°～20°。

本發(fā)明的有益效果在于：借由提供一種基板分離裝置與方法，其主要是使硅晶片的兩對(duì)稱(chēng)側(cè)皆分別各以?xún)傻佬贝禋饬鱽?lái)吹拂，而且兩側(cè)氣流吹拂的方式彼此是彼此對(duì)稱(chēng)或至少大致對(duì)稱(chēng)的設(shè)計(jì)，因此可使硅晶片有效分離并且可維持在一定漂浮高度而不傾斜，以避免硅晶片產(chǎn)生粘片的問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的一第一實(shí)施例的俯視示意圖；

圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施例的吹氣裝置的立體示意圖；

圖3是本發(fā)明的第一實(shí)施例中的基板受吹氣而分離時(shí)的側(cè)面示意圖；

圖4是本發(fā)明的一第二實(shí)施例的俯視示意圖；

圖5是本發(fā)明的一第三實(shí)施例的側(cè)面示意圖；

圖6是本發(fā)明的一第四實(shí)施例的俯視示意圖；

圖7是本發(fā)明的第四實(shí)施例的吹氣裝置的立體示意圖；

圖8是本發(fā)明的一第五實(shí)施例的俯視示意圖；以及

圖9是本發(fā)明的第五實(shí)施例的吹氣裝置的立體示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，要注意的是，在以下的說(shuō)明內(nèi)容中，類(lèi)似的元件是以相同的編號(hào)來(lái)表示。

參閱圖1、圖2、圖3，是本發(fā)明基板分離裝置的第一實(shí)施例，其中圖1是本實(shí)施例的俯視示意圖，圖2是本實(shí)施例的吹氣裝置的立體示意圖，圖3是本實(shí)施例中的基板受吹氣而分離時(shí)的側(cè)面示意圖。該基板分離裝置包含一基座2以及兩吹氣裝置3，該兩吹氣裝置3分別位于該基座2的相對(duì)兩側(cè)，且每一吹氣裝置3具有至少兩出氣口31，每一吹氣裝置3的該兩出氣口31為左右間隔(可由圖1、2看出)，其中，各該吹氣裝置3的該兩出氣口31用于提供兩道氣流32，該兩道氣流32的氣流方向相互遠(yuǎn)離，且每一吹氣裝置3的該兩道氣流32的氣流方向，與另一吹氣裝置3的該兩道氣流32的氣流方向?yàn)閷?duì)稱(chēng)或至少大致對(duì)稱(chēng)。而且每一吹氣裝置3的出氣口31的數(shù)量為偶數(shù)且形成位置為左右對(duì)稱(chēng)。于本實(shí)施例中，所述基板例如硅晶片4，該基座2用于承載硅晶片4。而且于實(shí)施上，每一個(gè)出氣口31都會(huì)對(duì)應(yīng)相通于一個(gè)氣流通道30，該氣流通道30連接一進(jìn)氣流道39。

于本實(shí)施例中，每一吹氣裝置3的出氣口31的數(shù)量為大于兩個(gè)而且是偶數(shù)，每一吹氣裝置3的該多個(gè)出氣口31沿縱向間隔(如圖2、3)并沿橫向排列成至少兩排而且彼此為左右對(duì)稱(chēng)。

該基座2具有兩間隔相對(duì)且分別鄰近該兩吹氣裝置3的側(cè)邊21，定義一通 過(guò)該兩吹氣裝置3且垂直于該兩側(cè)邊21的延伸方向的參考方向33，每一道氣流32的氣流方向與該參考方向33的夾角θ可為15°～30°。較佳地，每一道氣流32的氣流方向與該參考方向33的夾角θ為15°～20°，使各氣流32的斜吹角度適當(dāng)，以提供良好的吹拂效果。于實(shí)施上，每一吹氣裝置3的該兩個(gè)氣流通道30分別一一對(duì)應(yīng)相通于該兩出氣口31，其中每一吹氣裝置3的該兩個(gè)氣流通道30的通道延伸方向301彼此相交，借此，通過(guò)該兩個(gè)氣流通道30使從對(duì)應(yīng)出氣口31而出的氣流32，彼此成相互遠(yuǎn)離的狀態(tài)。

本發(fā)明還提供一種基板分離方法，可配合該基板分離裝置進(jìn)行。該方法包含：提供一基座2。提供一疊硅晶片4并置放于該基座2上。提供兩吹氣裝置3，分別位于該基座2的相對(duì)兩側(cè)，且每一吹氣裝置3具有至少兩出氣口31，每一吹氣裝置3的該兩出氣口31為左右間隔，其中各該吹氣裝置3的該兩出氣口31用于提供兩道氣流32，該兩道氣流32的氣流方向相互遠(yuǎn)離，且每一吹氣裝置3的該兩道氣流32的氣流方向，與另一吹氣裝置3的該兩道氣流32的氣流方向?yàn)閷?duì)稱(chēng)或至少大致對(duì)稱(chēng)。分離所述硅晶片4，其中使每一吹氣裝置3的該兩道氣流32對(duì)稱(chēng)且斜吹于該疊硅晶片4中的上方多片的側(cè)邊處，以至少使該疊硅晶片4中最上方的兩片硅晶片4彼此分離。于本實(shí)施例中，通常會(huì)使最上方的三至四片的硅晶片4產(chǎn)生預(yù)分離效果。在本發(fā)明所述的基板分離方法中，每一道氣流32的氣流方向與該參考方向33的夾角θ如前述，可為15°～30°，較佳地為15°～20°。

請(qǐng)參閱圖4，圖4是本發(fā)明的一第二實(shí)施例的俯視示意圖，有別于圖1第一實(shí)施例的出氣口位于不同平面的設(shè)計(jì)，本實(shí)施例中的出氣口31都是位在同一個(gè)平面上，而且通過(guò)該兩個(gè)氣流通道30適當(dāng)?shù)难由旆较?，同樣能使每一吹氣裝置3左側(cè)的出氣口31與右側(cè)的出氣口31出來(lái)的氣流32能彼此遠(yuǎn)離。本實(shí)施例的每一道氣流32的氣流方向與該參考方向33的夾角θ可為15°～30°；較佳地，夾角θ為15°～20°，可達(dá)到與該第一實(shí)施例相同的效果。

請(qǐng)參閱圖5，圖5是本發(fā)明的一第三實(shí)施例的側(cè)面示意圖，其中每一吹氣裝置3具有兩出氣口341與兩氣流通道34，于實(shí)施上該兩出氣口341為兩個(gè)縱向延伸的長(zhǎng)形孔且間隔配置于該吹氣裝置3的左右位置處。

請(qǐng)參閱圖6，圖6是本發(fā)明的一第四實(shí)施例的俯視示意圖，其中每一吹氣裝置3具有四個(gè)左右間隔的出氣口351、352，該四個(gè)出氣口351、352中，位于最外側(cè)的該兩出氣口351的氣流方向相互遠(yuǎn)離的程度，大于位于中間的該兩出氣口352的氣流方向相互遠(yuǎn)離的程度。于本實(shí)施例中，各該出氣口351、352為縱向延伸的狹長(zhǎng)的長(zhǎng)形孔。

于制作上，當(dāng)吹氣裝置3的出氣口處于不同的平面時(shí)，也就是出氣口所在的平面相較于吹氣裝置3可被視為一傾斜面，如此，于鉆孔以形成出氣口的制作時(shí)，即可采用垂直該平面的鉆孔方式，此垂直鉆孔的方式明顯于加工上會(huì)比較好操作與處理，有利于節(jié)省制作的時(shí)間，同時(shí)避免誤差的產(chǎn)生，提升整體良率。

此外，本實(shí)施例中的每一出氣口都是位于不同的平面上，也就是非共平面的設(shè)計(jì)，借此在通過(guò)上述的鉆孔方式制作后，可使相鄰且同側(cè)的兩個(gè)出氣口351、352的氣流方向仍保持有少許夾角，以提供硅晶片4更佳的吹氣分離效果。

請(qǐng)參閱圖7，圖7是本發(fā)明該第四實(shí)施例中的吹氣裝置3的立體示意圖，其中不同于縱向延伸的狹長(zhǎng)的長(zhǎng)形孔，出氣口的型態(tài)也是可以采用多個(gè)圓孔353、354的方式來(lái)代替單一個(gè)狹長(zhǎng)的長(zhǎng)形孔。

請(qǐng)參閱圖8，是本發(fā)明的一第五實(shí)施例的俯視示意圖，有別于圖6第四實(shí)施例的出氣口位于不同平面的設(shè)計(jì)，本實(shí)施例中的出氣口361、362都是位在同一個(gè)平面上，而為了使左側(cè)的出氣口361、右側(cè)的出氣口362出來(lái)的氣流能彼此遠(yuǎn)離，因此于鉆孔制作上，必須采取傾斜于平面的鉆孔方式來(lái)處理，采用單一平面的設(shè)計(jì)，可免去預(yù)先形成吹氣裝置3的多個(gè)傾斜面的制作過(guò)程。 當(dāng)然，于使用上，可評(píng)估實(shí)際的情況與需求后，來(lái)采用圖7第四實(shí)施例的多個(gè)傾斜平面的方式或是圖8第五實(shí)施例的單一個(gè)平面的方式。當(dāng)然，于本實(shí)施例中，各該出氣口361、362可為縱向延伸的狹長(zhǎng)的長(zhǎng)形孔。

此外，于本實(shí)施例中，位于同一側(cè)且彼此有間隔的出氣口361或出氣口362的氣流通道371、372，其彼此可為平行，或是維持有夾角的情形，于本實(shí)施例的圖8中是以繪出平行來(lái)示意。

請(qǐng)參閱圖9，圖9是本發(fā)明該第五實(shí)施例中的吹氣裝置3的立體示意圖，其中不同于縱向延伸的狹長(zhǎng)的長(zhǎng)形孔，出氣口的型態(tài)也是可以采用多個(gè)圓孔381、382的方式來(lái)代替單一個(gè)狹長(zhǎng)的長(zhǎng)形孔。

總之，本發(fā)明各個(gè)實(shí)施中的出氣口于實(shí)施時(shí)也可以是長(zhǎng)形孔、圓孔、方孔、三角形孔或不規(guī)則孔。

此外，本發(fā)明中各個(gè)實(shí)施利的不同設(shè)計(jì)與態(tài)樣可依需求而相互組合搭配，不限于上述實(shí)施例所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)所限制，也可達(dá)到所要的目的與效用。

本發(fā)明實(shí)施例所提出的每一吹氣裝置3的該兩道氣流32的氣流方向，與另一吹氣裝置3的該兩道氣流32的氣流方向?yàn)閷?duì)稱(chēng)或至少大致對(duì)稱(chēng)，其中這個(gè)至少大致對(duì)稱(chēng)的含義即為實(shí)質(zhì)上(substantially)對(duì)稱(chēng)的意思，也就是實(shí)際使用時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)氣流角度上的少許誤差而非百分百完全對(duì)稱(chēng)的情形，但仍然能達(dá)到本發(fā)明實(shí)施例中硅晶片良好分離的效果，也就是并非百分百對(duì)稱(chēng)才能達(dá)到本發(fā)明所欲的良好分離效果，此種少許誤差的情形也是可以被容許的，同樣是本發(fā)明所欲主張保護(hù)的特點(diǎn)，故于此說(shuō)明。其中，此氣流角度上的少許誤差是指同側(cè)的兩道氣流方向的夾角θ，彼此誤差于5度的角度范圍內(nèi)。

本發(fā)明的功效在于提供一種基板分離裝置，其主要是使硅晶片的兩對(duì)稱(chēng)側(cè)皆分別各以?xún)傻佬贝禋饬鱽?lái)吹拂，而且兩側(cè)氣流吹拂的方式彼此是對(duì)稱(chēng)或至少大致對(duì)稱(chēng)的設(shè)計(jì)，因此可使硅晶片有效分離并且可維持在一定漂浮高度而不傾斜，以避免硅晶片產(chǎn)生粘片的問(wèn)題。

以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。