技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種CMOS器件的制作方法，包括：在基底的場氧化層上形成第一多晶硅層；在第一多晶硅層的側(cè)壁上形成側(cè)墻，側(cè)墻背離柵極的一邊呈弧形，且側(cè)墻的底部大于側(cè)墻的頂部；在基底、第一多晶硅層和側(cè)墻上形成介電材料層；在介電材料層上形成第二多晶硅材料層；對介電材料層和第二多晶硅材料層進(jìn)行刻蝕，形成介電層和第二多晶硅層，介電層位于第一多晶硅層上，第二多晶硅層位于介電層上。根據(jù)本發(fā)明的CMOS器件的制作方法，能夠避免形成介電層和第二多晶硅層時(shí)的殘留，進(jìn)而避免影響CMOS器件的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：馬萬里;聞?wù)h;趙文魁
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
文檔號碼：201510334004
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.16
技術(shù)公布日：2016.12.28