Mems器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種MEMS器件的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，隨著微機電系統(tǒng)（Micr〇-Electric〇-Mechanical_System，MEMS)技術(shù)的 發(fā)展，各種微機電裝置，包括：微傳感器、微致動器等實現(xiàn)了微小型化，微小型化有利于提高 器件集成度，因此MEMS成為了主要的發(fā)展方向之一。
[0003] 現(xiàn)如今，利用各向異性磁組（anisotropic magnet resistive，AMR)制造的微機電 系統(tǒng)具有靈敏度高、熱穩(wěn)定性好、材料成本低、制備工藝簡單等特點，已經(jīng)得到了廣泛的應 用。下面請參考如圖1-4所示的現(xiàn)有技術(shù)中的MEMS器件過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0004] 如圖1所示，首先，提供前端結(jié)構(gòu)，具體包括襯底10,所述襯底10上依次層疊有 AMR材料層11，氮化鉭層12以及掩膜層13。然后如圖2所示，形成光阻14,并進行圖案化。 以所述光阻14為掩膜，對前端結(jié)構(gòu)進行刻蝕，如圖3所示，首先將掩膜層13刻蝕出開口，然 后將所述光阻14去除并進行清洗。接著如圖4所示，繼續(xù)對氮化鉭層12進行部分刻蝕，形 成所需的接觸孔。
[0005] 但是，在實際刻蝕過程中，刻蝕設(shè)備在刻蝕速率的均勻性上是具有波動的，在針對 AMR-MEMS器件中，受到氮化鉭層本身厚度的限制，這一波動會導致刻蝕后的氮化鉭層厚度 均勻性較差，從而會影響接觸電阻。此外，在刻蝕氮化鉭層時，由于離子轟擊的作用，例如與 光阻等結(jié)合成聚合物，這都會影響制得器件的質(zhì)量。如圖5所示的顯示圖像，經(jīng)過刻蝕后， 氮化鉭層表面凹凸不平，且附著有聚合物，嚴重影響器件的可靠性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于，提供一種MEMS器件的制作方法，提高氮化鉭層的平整度，并 減少聚合物，提高器件的性能。
[0007] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種MEMS器件的制作方法，包括：
[0008] 提供前端結(jié)構(gòu)，所述前端結(jié)構(gòu)包括襯底，依次形成于所述襯底上的AMR層和氮化 組層；
[0009] 在所述前端結(jié)構(gòu)上形成第一阻擋層；
[0010] 在所述第一阻擋層上形成第二阻擋層；
[0011] 刻蝕所述第二阻擋層形成第一凹槽，暴露出第一阻擋層；
[0012] 刻蝕所述暴露出的第一阻擋層的部分厚度形成第二凹槽。
[0013] 可選的，對于所述的MEMS器件的制作方法，所述第一阻擋層的材料為硅化鎢。
[0014] 可選的，對于所述的MEMS器件的制作方法，所述第一阻擋層的厚度為 100-200A。
[0015] 可選的，對于所述的MEMS器件的制作方法，所述暴露出的第一阻擋層被刻蝕后保 留的厚度為30-70A。
[0016]可選的，對于所述的MEMS器件的制作方法，所述第二阻擋層的材料為氮化硅。 [0017] 可選的，對于所述的MEMS器件的制作方法，所述第二阻擋層的厚度為 2000-3000人。
[0018] 可選的，對于所述的MEMS器件的制作方法，刻蝕所述第一阻擋層時，對第二阻擋 層和第一阻擋層的刻蝕選擇比為6-10。
[0019] 可選的，對于所述的MEMS器件的制作方法，所述氮化鉭層的厚度為800-丨000人。
[0020] 可選的，對于所述的MEMS器件的制作方法，所述AMR層的材料為鐵鎳合金，其厚度 為丨 50-300A。
[0021] 可選的，對于所述的MEMS器件的制作方法，刻蝕所述第二阻擋層形成第一凹槽包 括：
[0022] 在所述第二阻擋層上涂敷光阻，并進行圖案化；
[0023] 以圖案化的光阻為掩膜，刻蝕所述第二阻擋層；
[0024] 去除所述光阻，進行濕法清洗。
[0025] 可選的，對于所述的MEMS器件的制作方法，所屬光阻的厚度為0. 8-1. 5 y m。
[0026] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的MEMS器件的制作方法中，在氮化鉭層上形成了第 一阻擋層和第二阻擋層，在后續(xù)刻蝕時，未完全打開第一阻擋層。相比現(xiàn)有技術(shù)，由于第一 阻擋層的存在，使得氮化鉭層獲得了保護，避免了刻蝕過程對氮化鉭層的侵蝕，也避免了光 阻與氮化鉭層發(fā)生反應，有效排除了不良聚合物的產(chǎn)生，從而提高了獲得MEMS器件的性 能。
【附圖說明】
[0027] 圖1-4為現(xiàn)有技術(shù)中的MEMS器件過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028] 圖5為現(xiàn)有技術(shù)中MEMS器件的氮化鉭層刻蝕后的顯示圖像；
[0029] 圖6為本發(fā)明實施例中MEMS器件的制作方法的流程圖；
[0030] 圖7-圖12為本發(fā)明實施例中MEMS器件的制作方法的過程中的器件結(jié)構(gòu)的示意 圖；
[0031] 圖13為本發(fā)明實施例中MEMS器件的部分顯示圖像。
【具體實施方式】
[0032] 下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的MEMS器件的制作方法進行更詳細的描述，其中表 示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然 實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而 并不作為對本發(fā)明的限制。
[0033] 為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能 和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應當認為在任何實際實施例的開 發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的 限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費 時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0034] 在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要 求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非 精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0035] 本發(fā)明的核心思想在于，提供一種MEMS器件的制作方法，通過線形成犧牲氧化 層，使得孤島結(jié)構(gòu)的邊緣變低，在形成鍵合氧化層，以提高了鍵合強度。
[0036] 該方法包括：
[0037] 步驟S101，提供前端結(jié)構(gòu)，所述前端結(jié)構(gòu)包括襯底，依次形成于所述襯底上的AMR 層和氮化鉭層；
[0038] 步驟S102,在所述前端結(jié)構(gòu)上形成第