技術(shù)特征：

1.一種方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成摻雜氧化物層；

在所述摻雜氧化物層上形成圖案化層，所述圖案化層保持所述摻雜氧化物層的暴露區(qū)；

對所述襯底執(zhí)行濺射工藝；以及

在所述濺射工藝之后，對所述半導(dǎo)體襯底執(zhí)行濕蝕刻工藝，以從所述暴露區(qū)去除所述摻雜氧化物層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括，在執(zhí)行所述濺射工藝之前，在所述圖案化層上以及所述摻雜氧化物層的暴露區(qū)上形成保護(hù)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，形成所述保護(hù)層包括：通過使用CH₄、C₄H₈、CH₃F、C₄F₈和C₅F₈中的至少一種形成聚合物層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，形成所述保護(hù)層包括：

在干蝕刻工具中形成所述聚合物層；以及

在所述干蝕刻工具中執(zhí)行所述濺射工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述濺射工藝去除聚合物層位于所述暴露區(qū)的所述摻雜氧化物層上的部分，由此保留所述圖案化層的側(cè)壁上的所述聚合物層。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，用旋涂工藝形成所述保護(hù)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，用于所述濺射工藝的濺射氣體包括Ar、N₂、He、O₂和H₂中的至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，用于所述濺射工藝的濺射氣體的氣壓在約5mTorr至約100mTorr的范圍內(nèi)。

9.一種方法，包括：

在襯底上形成摻雜氧化物層；

在所述摻雜氧化物層上形成圖案化的抗蝕劑層，所述圖案化的抗蝕劑層保持所述摻雜氧化物層的暴露區(qū)；

在所述襯底上執(zhí)行軟濺射工藝，以弱化所述暴露區(qū)中的所述摻雜氧化物層；以及

在所述軟濺射工藝之后，執(zhí)行濕蝕刻工藝，以從所述暴露區(qū)去除所述摻雜氧化物層。

10.一種方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成摻雜氧化物層；

在所述摻雜氧化物上形成圖案化層，所述圖案化層保持所述摻雜氧化物層的暴露區(qū)；

在所述圖案化層上以及所述摻雜氧化物層的所述暴露區(qū)上沉積保護(hù)層；

在沉積所述保護(hù)層之后，對所述半導(dǎo)體襯底執(zhí)行濺射工藝，由此去除所述保護(hù)層位于所述暴露區(qū)中的部分；以及

在所述濺射工藝之后，對所述襯底執(zhí)行濕蝕刻工藝，以從所述暴露區(qū)去除所述保護(hù)層和所述摻雜氧化物層。