1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
步驟S201：提供第一襯底(100)，從所述第一襯底(100)的第一表面(1001)在所述第一襯底(100)內(nèi)形成具有第一深度的淺溝槽隔離(103)，其中所述第一深度為所述淺溝槽隔離(103)的底部至所述第一表面(1001)的距離；
步驟S202：形成覆蓋所述第一襯底(100)的所述第一表面(1001)的介電蓋帽層(104)；
步驟S203：提供承載襯底(200)，將所述第一襯底(100)的形成有所述介電蓋帽層(104)的一側(cè)與所述承載襯底(200)相接合；
步驟S204：從與所述第一表面(1001)相對的第二表面(1002)對所述第一襯底(100)進(jìn)行減薄處理至第二深度，其中所述第二深度為減薄處理后所述第二表面至所述第一表面(1001)的距離；
步驟S205：以所述減薄處理后的所述第一襯底(100)作為器件層進(jìn)行半導(dǎo)體器件的制作。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S201中，所述第一襯底包括具有第三深度的摻雜外延層，其中，所述第三深度為所述摻雜外延層至所述第一表面的距離，所述第三深度大于等于所述第一深度。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S201與所述步驟S202之間還包括以下步驟：
從所述第一襯底的所述第一表面進(jìn)行離子注入以在所述第一襯底內(nèi)形成具有第四深度的注入摻雜層，其中所述注入摻雜層作為刻蝕停止層，所述第四深度為所述刻蝕停止層至所述第一表面的距離。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第二深度小于等于所述第一深度。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第二深度小于等于所述第三深度。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第二深度小于等于所述第四深度。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 在所述步驟S204中，所述減薄處理包括：
步驟S2041：對所述第一襯底進(jìn)行背面研磨處理；
步驟S2042：對所述第一襯底進(jìn)行CMP并使所述CMP停止于所述淺溝槽隔離的底部；
步驟S2043：對所述第一襯底進(jìn)行濕法刻蝕至所述第二深度。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S2041與所述步驟S2042之間還包括對所述第一襯底進(jìn)行濕法刻蝕的步驟。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一襯底包括體硅襯底。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述介電蓋帽層的材料為氧化硅。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述接合步驟之前還包括以下步驟：在所述第一襯底的形成有所述介電蓋帽層的一側(cè)的表面上以及所述承載襯底用于所述接合的表面上分別形成鍵合蓋帽層。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述鍵合蓋帽層的材料為氧化硅。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述接合為氧化物熔融鍵合。
14.一種電子裝置，其特征在于，包括電子組件以及與該電子組件相連的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件的制造方法包括：
步驟S201：提供第一襯底，從所述第一襯底的第一表面在所述第一襯底內(nèi)形成具有第一深度的淺溝槽隔離，其中所述第一深度為所述淺溝槽隔離的底部至所述第一表面的距離；
步驟S202：形成覆蓋所述第一襯底的所述第一表面的介電蓋帽層；
步驟S203：提供承載襯底，將所述第一襯底的形成有所述介電蓋帽層的一側(cè)與所述承載襯底相接合；
步驟S204：從與所述第一表面相對的第二表面對所述第一襯底進(jìn)行減薄處理至第二深度，其中所述第二深度為減薄處理后所述第二 表面至所述第一表面的距離；
步驟S205：以所述減薄處理后的所述第一襯底作為器件層進(jìn)行半導(dǎo)體器件的制作。