技術(shù)總結(jié)
本申請涉及一種光刻方法、一種制造半導(dǎo)體器件的方法以及一種用于極紫外光刻的薄膜，該薄膜可以包括薄膜片、支撐結(jié)構(gòu)和處理塊。薄膜片可以具有指向掩模的第一表面和與第一表面相對的第二表面。薄膜片可容許穿過掩模的極紫外光穿透該薄膜片。支撐結(jié)構(gòu)可布置在薄膜片的第二表面上以支撐該薄膜片。處理塊可布置在薄膜片的第一表面上。處理塊可以具有配置為暴露薄膜片的開口。因此，可使用較厚的處理塊而不是較薄的薄膜片對薄膜進(jìn)行處理，從而可以不破壞較薄的薄膜片。因而，薄膜可以保護(hù)掩模不會受到在極紫外光刻處理中產(chǎn)生的副產(chǎn)品的影響，使得掩模不會被污染。

技術(shù)研發(fā)人員：李受營;金泰槿;都鐘杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
文檔號碼：201510242735
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.13
技術(shù)公布日：2016.12.07