本發(fā)明涉及多晶硅技術領域，尤其涉及一種多晶硅硅錠的清洗方法
背景技術：
目前，鑄錠生產(chǎn)對于硅料的清洗都是用HF和HNO3的混合酸來清洗，這種清洗方法幾乎適用于每一種原料。更有甚者，需要先用NaOH浸泡后再進行酸洗。這種清洗方法不僅需要特定的酸洗設備和尾氣處理設備，成本較高，而且會對環(huán)境產(chǎn)生很大的影響，不利于環(huán)境的可持續(xù)發(fā)展。酸洗僅適用于專業(yè)的酸處理廠家，并不適用于提倡新能源的多晶硅鑄錠企業(yè)。
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是：提供一種非酸洗的一種硅料的清洗方法，對于適用原料不僅能夠達到理想的清洗效果，同時也不會對環(huán)境產(chǎn)生影響，成本很低。
本發(fā)明提供了一種多晶硅硅錠的清洗方法，包括以下步驟：步驟S100：清洗前要對需要清洗的硅塊料進行噴砂處理，時間在20-40min之間；步驟S200：用酒精把硅塊頭尾的字跡，污漬擦洗干凈；步驟S300：往清洗機的1號水槽中加入適量純水后加入3L-5L硅片清洗液，加熱到45-55℃，把用酒精清洗過的硅塊放入水槽，超聲清洗10-30min；步驟S400：往清洗機的2號水槽中加入適量純水，鼓泡清洗5-15min分鐘進行初漂洗；步驟S500：往清洗機的3號水槽中加入食用級檸檬酸5-8L，加熱到65-85℃，把漂洗過的硅塊放入3號水槽中，清洗5-15min，并用無塵紙擦洗表面；步驟S600：重復步驟S400后，將硅塊放入已進行清洗的托盤上，硅塊底部要墊上無塵紙；步驟S700：把清洗過放在烘干托盤上的硅塊進行烘干處理，烘干溫度150-200℃，時間為1-2h；步驟S800： 用干凈的聚乙稀塑料包裝袋放入周轉箱內，密封好，并做好標示。
優(yōu)選的，所述步驟S300：往清洗機的1號水槽中加入適量純水后加入3L硅片清洗液，加熱到50℃，把用酒精清洗過的硅塊放入水槽，超聲清洗10min。此舉可有效清除硅錠表面附著的油污等堿溶性的雜質。
優(yōu)選的，所述步驟S400：往清洗機的2號水槽中加入適量純水，鼓泡清洗10min分鐘進行初漂洗。可以清除不溶性的雜質附著。
優(yōu)選的，所述步驟S500：往清洗機的3號水槽中加入食用級檸檬酸5L，加熱到70℃，把漂洗過的硅塊放入3號水槽中，清洗10min，并用無塵紙擦洗表面?？捎行コ崛苄噪s質。
優(yōu)選的，所述步驟S700：把清洗過放在烘干托盤上的硅塊進行烘干處理，烘干溫度150℃，時間為2h。溫度適中，既不造成硅錠表面氧化，也減少烘干時間。
有益效果：這種清洗方法可以使得清洗成本從7元/kg降低為3元/kg；清洗過程中不使用嚴重污染的HF和HNO3，有利于環(huán)境保護。
具體實施方式
為使本發(fā)明解決的技術問題、采用的技術方案和達到的技術效果更加清楚，下面結合實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。本發(fā)明是在沒有酸洗設備和不能排酸的情況下的一種硅料的清洗方法，適用于提純小方錠，回爐硅塊和T2循環(huán)料等表面較為光滑的硅料。進入清洗室必須穿好工作衣，工作鞋，戴工作帽，清洗操作時必須佩帶防酸堿手套和口罩。用專業(yè)毛巾清洗工作臺，保證工作臺面的清潔度。
實施例1
步驟S100：清洗前要對需要清洗的硅塊料進行噴砂處理，時間在20min之間；步驟S200：用酒精把硅塊頭尾的字跡，污漬擦洗干凈；步驟S300：往清洗機的1號水槽中加入適量純水后加入3L硅片清洗液，加熱到45℃，把用酒精清洗過的硅塊放入水槽，超聲清洗10min；步驟S400：往清洗機的2號水槽中加入適量純水，鼓泡清洗5min分鐘進行初漂洗；步驟S500：往清洗機的3號水槽中加入食用級檸檬酸5L，加熱到65℃，把漂洗過的硅塊放入3號水槽中，清洗5min，并用無塵紙擦洗表面；步驟S600：重復步驟S400后，將硅塊放入已進行清洗的托盤上，硅塊底部要墊上無塵紙；步驟S700：把清洗過放在烘干托盤上的硅塊進行烘干處理，烘干溫度150℃，時間為1h；步驟S800：用干凈的聚乙稀塑料包裝袋放入周轉箱內，密封好，并做好標示。
實施例2
步驟S100：清洗前要對需要清洗的硅塊料進行噴砂處理，時間在30min之間；步驟S200：用酒精把硅塊頭尾的字跡，污漬擦洗干凈；步驟S300：往清洗機的1號水槽中加入適量純水后加入4L硅片清洗液，加熱到50℃，把用酒精清洗過的硅塊放入水槽，超聲清洗20min；步驟S400：往清洗機的2號水槽中加入適量純水，鼓泡清洗10min分鐘進行初漂洗；步驟S500：往清洗機的3號水槽中加入食用級檸檬酸6.5L，加熱到75℃，把漂洗過的硅塊放入3號水槽中，清洗10min，并用無塵紙擦洗表面；步驟S600：重復步驟S400后，將硅塊放入已進行清洗的托盤上，硅塊底部要墊上無塵紙；步驟S700：把清洗過放在烘干托盤上的硅塊進行烘干處理，烘干溫度175℃，時間為1.5h；步驟S800：用干凈的聚乙稀塑料包裝袋放入周轉箱內，密封好，并做好標示。
實施例3
步驟S100：清洗前要對需要清洗的硅塊料進行噴砂處理，時間在40min之 間；步驟S200：用酒精把硅塊頭尾的字跡，污漬擦洗干凈；步驟S300：往清洗機的1號水槽中加入適量純水后加入5L硅片清洗液，加熱到55℃，把用酒精清洗過的硅塊放入水槽，超聲清洗30min；步驟S400：往清洗機的2號水槽中加入適量純水，鼓泡清洗15min分鐘進行初漂洗；步驟S500：往清洗機的3號水槽中加入食用級檸檬酸8L，加熱到85℃，把漂洗過的硅塊放入3號水槽中，清洗15min，并用無塵紙擦洗表面；步驟S600：重復步驟S400后，將硅塊放入已進行清洗的托盤上，硅塊底部要墊上無塵紙；步驟S700：把清洗過放在烘干托盤上的硅塊進行烘干處理，烘干溫度200℃，時間為2h；步驟S800：用干凈的聚乙稀塑料包裝袋放入周轉箱內，密封好，并做好標示。
最后應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。