1.一種光刻方法，包括步驟：
提供半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底之上提供掩模；
形成薄膜結(jié)構(gòu)，包括：
提供具有平板形狀的薄膜片，所述薄膜片包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，
在所述薄膜片的第一表面上形成具有網(wǎng)格圖案的支撐結(jié)構(gòu)，
在所述薄膜片的第二表面上形成處理結(jié)構(gòu)，所述處理結(jié)構(gòu)包括處理襯底，所述處理襯底具有形成為從其中貫穿的開口，以及
通過執(zhí)行切割操作從所述薄膜片去除所述處理結(jié)構(gòu)；以及
使用所述掩模和所述薄膜結(jié)構(gòu)執(zhí)行光刻處理，以在所述半導(dǎo)體襯底上形成圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，還包括步驟：
使用所述掩模和所述薄膜結(jié)構(gòu)執(zhí)行極紫外光刻，以對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行圖案化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，其中：
作為所述切割操作的結(jié)果，所述薄膜片的外側(cè)表面與所述支撐結(jié)構(gòu)的外側(cè)表面共面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，還包括步驟：
在所述薄膜片的第二表面上形成所述處理結(jié)構(gòu)之前，在所述薄膜片的第二表面上形成刻蝕停止層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻方法，還包括步驟：
在所述薄膜片的第二表面上形成所述刻蝕停止層之后，在所述 刻蝕停止層上形成所述處理襯底。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光刻方法，還包括步驟：
通過執(zhí)行濕法刻蝕在所述處理襯底中形成所述開口；以及
通過執(zhí)行干法刻蝕去除被形成為與所述開口相對應(yīng)的所述刻蝕停止層的一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，其中：
在進(jìn)行所述切割操作之前，所述支撐結(jié)構(gòu)包括被所述網(wǎng)格圖案的各部分所分隔的多個孔，以及環(huán)繞所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)和各個孔的支撐塊，并且
所述切割操作將所述支撐塊切斷。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光刻方法，其中：
在進(jìn)行所述切割操作之前，所述支撐塊的相對內(nèi)側(cè)表面之間的寬度小于所述開口的寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，還包括步驟：
在去除所述處理結(jié)構(gòu)之前，通過對所述處理結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理來移動所述薄膜片和支撐結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，其中所述薄膜片具有30nm至100nm的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，其中所述薄膜片包括硅。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，其中所述支撐結(jié)構(gòu)具有1μm至50μm的厚度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，其中所述半導(dǎo)體襯底為 晶圓，并且所述光刻方法還包括步驟：
在執(zhí)行所述光刻處理之后，切割所述晶圓以形成多個半導(dǎo)體芯片。
14.一種光刻方法，包括：
提供半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底之上提供掩模；
提供具有平板形狀的薄膜片，所述薄膜片包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；
在所述薄膜片的第一表面上形成具有網(wǎng)格圖案的上部支撐結(jié)構(gòu)；
在所述薄膜片的第二表面上形成下部支撐結(jié)構(gòu)；
在所述下部支撐結(jié)構(gòu)中形成開口，以形成下部支撐塊；以及
使用所述掩模和所述薄膜結(jié)構(gòu)執(zhí)行光刻處理，以在所述半導(dǎo)體襯底上形成圖案。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光刻方法，還包括步驟：
通過處理所述下部支撐塊來移動所述薄膜片和上部支撐結(jié)構(gòu)；以及
在所述移動之后，通過執(zhí)行切割操作從所述薄膜片去除所述下部支撐塊。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光刻方法，其中，所述網(wǎng)格圖案具有蜂巢圖案或方格圖案。
17.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括步驟：
提供半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底之上提供掩模；
形成薄膜結(jié)構(gòu)，所述薄膜結(jié)構(gòu)包括：
具有平板形狀的薄膜片，所述薄膜片包括第一表面和與所 述第一表面相對的第二表面，
在所述薄膜片的第一表面上的支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)具有包括孔陣列的圖案，以及
在所述薄膜片的第二表面上的處理襯底，所述處理襯底具有從其中貫穿的開口；以及
通過所述掩模并通過所述薄膜片傳播紫外光，以在所述半導(dǎo)體襯底上形成圖案。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述支撐結(jié)構(gòu)具有網(wǎng)格圖案。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括步驟：
通過使用切割處理從所述薄膜片去除所述處理襯底。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，
所述薄膜片具有30nm至100nm的厚度，并且
所述支撐結(jié)構(gòu)具有1μm至50μm的厚度。