技術(shù)總結(jié)
一種MOS晶體管的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源極材料層和漏極材料層；在所述半導(dǎo)體襯底、柵極結(jié)構(gòu)、源極材料層和漏極材料層上形成第一介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層內(nèi)形成底部露出源極材料層的第一源極通孔和底部露出漏極材料層的第一漏極通孔；刻蝕去除第一源極通孔底部的部分源極材料層和第一漏極通孔底部的部分漏極材料層；在剩余的源極材料層和剩余的漏極材料層上形成金屬硅化物層。采用本發(fā)明的方法可以進(jìn)一步降低源漏接觸電阻和寄生串聯(lián)電阻，以提高后續(xù)形成的晶體管的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：李勇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號(hào)碼：201510215853
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.29
技術(shù)公布日：2016.12.07